NEET 2016 Chemistry Question Paper with Answer and Solution in Gujarati

(B) ધારો કે તારની લંબાઈ $L$ છે અને પ્રવાહ $i$ છે.
$r$ ત્રિજ્યાના એક આંટાવાળા લૂપ માટે,પરિઘ $2\pi r = L$ છે,તેથી $r = \frac{L}{2\pi}$.
કેન્દ્ર પર ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B = \frac{\mu_0 i}{2r} = \frac{\mu_0 i}{2(L/2\pi)} = \frac{\mu_0 i \pi}{L}$ છે.
જ્યારે તારને $n$ આંટામાં વાળવામાં આવે છે,ત્યારે નવી ત્રિજ્યા $r'$ માટે $n(2\pi r') = L$ થાય,તેથી $r' = \frac{L}{2\pi n} = \frac{r}{n}$.
$n$ આંટા માટે કેન્દ્ર પર ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B_n = n \times \frac{\mu_0 i}{2r'} = n \times \frac{\mu_0 i}{2(r/n)} = n^2 \times \frac{\mu_0 i}{2r}$ થાય.
કારણ કે $B = \frac{\mu_0 i}{2r}$,તેથી $B_n = n^2 B$ મળે.

(A) $L-C-R$ સર્કિટનો ક્વોલિટી ફેક્ટર $(Q)$ રેઝોનન્સની તીક્ષ્ણતા અથવા ટ્યુનિંગની ગુણવત્તા નક્કી કરે છે. તે નીચેના સૂત્ર દ્વારા આપવામાં આવે છે:
$Q = \frac{1}{R} \sqrt{\frac{L}{C}}$
વધુ સારા ટ્યુનિંગ માટે,ક્વોલિટી ફેક્ટર $Q$ શક્ય તેટલો ઊંચો હોવો જોઈએ.
દરેક વિકલ્પ માટે $Q$ ની ગણતરી:
$1$. વિકલ્પ $(A)$ માટે: $Q_1 = \frac{1}{15} \sqrt{\frac{3.5}{30 \times 10^{-6}}} \approx 22.77$
$2$. વિકલ્પ $(B)$ માટે: $Q_2 = \frac{1}{25} \sqrt{\frac{1.5}{45 \times 10^{-6}}} \approx 7.30$
$3$. વિકલ્પ $(C)$ માટે: $Q_3 = \frac{1}{20} \sqrt{\frac{1.5}{35 \times 10^{-6}}} \approx 10.35$
$4$. વિકલ્પ $(D)$ માટે: $Q_4 = \frac{1}{25} \sqrt{\frac{2.5}{45 \times 10^{-6}}} \approx 9.43$
મૂલ્યોની સરખામણી કરતા,$Q_1$ સૌથી વધુ છે. તેથી,વિકલ્પ $(A)$ શ્રેષ્ઠ ટ્યુનિંગ પ્રદાન કરે છે.

(A) આ પરિપથમાં એક $AND$ ગેટ $(P)$ અને તેની પાછળ એક $NAND$ ગેટ $(Q)$ જોડાયેલ છે.
$AND$ ગેટ $P$ નું આઉટપુટ $X = A \cdot B$ છે.
$NAND$ ગેટ $Q$ નું આઉટપુટ $Y = \overline{X \cdot C} = \overline{(A \cdot B) \cdot C} = \overline{A \cdot B \cdot C}$ છે.
કિસ્સો $1$: જ્યારે $A = B = C = 0$ હોય,
$Y = \overline{0 \cdot 0 \cdot 0} = \overline{0} = 1$.
કિસ્સો $2$: જ્યારે $A = B = C = 1$ હોય,
$Y = \overline{1 \cdot 1 \cdot 1} = \overline{1} = 0$.
આમ,આઉટપુટ અનુક્રમે $1$ અને $0$ મળે છે.

(B) સંકરણ નક્કી કરવા માટે,આપણે સૂત્રનો ઉપયોગ કરીએ છીએ: $\text{Hybridization} = \frac{1}{2} [V + M - C + A]$,જ્યાં $V$ એ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા છે,$M$ એ એકસંયોજક પરમાણુઓની સંખ્યા છે,$C$ એ ધન વીજભાર છે,અને $A$ એ ઋણ વીજભાર છે.
$1$. $NO_2^+$ માટે: $\text{Hybridization} = \frac{1}{2} [5 + 0 - 1 + 0] = 2$,જે $sp$ સંકરણ દર્શાવે છે.
$2$. $NO_3^-$ માટે: $\text{Hybridization} = \frac{1}{2} [5 + 0 - 0 + 1] = 3$,જે $sp^2$ સંકરણ દર્શાવે છે.
$3$. $NH_4^+$ માટે: $\text{Hybridization} = \frac{1}{2} [5 + 4 - 1 + 0] = 4$,જે $sp^3$ સંકરણ દર્શાવે છે.
આમ,સાચો ક્રમ અનુક્રમે $sp$,$sp^2$,અને $sp^3$ છે.

(A) $XY_2$ માટે:
$0.1 \ mol$ $XY_2 = 10 \ g$
$1 \ mol$ $XY_2 = 100 \ g$
તેથી,$X + 2Y = 100$ (સમીકરણ $1$)
$X_3Y_2$ માટે:
$0.05 \ mol$ $X_3Y_2 = 9 \ g$
$1 \ mol$ $X_3Y_2 = 180 \ g$
તેથી,$3X + 2Y = 180$ (સમીકરણ $2$)
સમીકરણ $2$ માંથી સમીકરણ $1$ બાદ કરતા:
$(3X + 2Y) - (X + 2Y) = 180 - 100$
$2X = 80 \implies X = 40$
સમીકરણ $1$ માં $X = 40$ મૂકતા:
$40 + 2Y = 100$
$2Y = 60 \implies Y = 30$
તેથી,$X$ અને $Y$ ના પરમાણ્વીય દળ અનુક્રમે $40$ અને $30$ છે.

(B) $n = 3$ અને $l = 1$ માટે,સબશેલ $3p$ છે.
પાઉલીના અપવર્જનના નિયમ મુજબ,કોઈપણ એક કક્ષક મહત્તમ $2$ ઇલેક્ટ્રોન સમાવી શકે છે જે વિરુદ્ધ સ્પિન ધરાવતા હોય છે.
તેથી,એક $3p$ કક્ષક $2$ ઇલેક્ટ્રોન સમાવી શકે છે.

(C) $d-$ કક્ષકોને તેમની અક્ષોની સાપેક્ષ દિશાના આધારે બે સમૂહમાં વર્ગીકૃત કરવામાં આવે છે:
$1$. $e_g$ સમૂહ: આ કક્ષકોમાં અક્ષો પર ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા હોય છે. જેમાં $d_{z^2}$ અને $d_{x^2 - y^2}$ નો સમાવેશ થાય છે.
$2$. $t_{2g}$ સમૂહ: આ કક્ષકોમાં અક્ષોની વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા હોય છે. જેમાં $d_{xy}, d_{yz},$ અને $d_{xz}$ નો સમાવેશ થાય છે.
તેથી,$d-$ કક્ષકોની જે જોડીમાં અક્ષો પર ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા હોય છે તે $d_{z^2}$ અને $d_{x^2 - y^2}$ છે.

(B) પાઉલીના અપવર્જનના સિદ્ધાંત મુજબ,એક પરમાણુમાં કોઈપણ બે ઇલેક્ટ્રોન માટે ચારેય ક્વોન્ટમ નંબરોનો સેટ સમાન હોઈ શકે નહીં.
એક જ કક્ષકમાં રહેલા બે ઇલેક્ટ્રોન માટે મુખ્ય ક્વોન્ટમ નંબર $(n)$,એઝિમુથલ ક્વોન્ટમ નંબર $(l)$ અને ચુંબકીય ક્વોન્ટમ નંબર $(m_l)$ સમાન હોય છે.
તેથી,તેઓ તેમના સ્પિન ક્વોન્ટમ નંબર $(m_s)$ માં અલગ પડે છે,જે $+1/2$ અથવા $-1/2$ હોઈ શકે છે.

(D) વિકલ્પ $(a)$ માટે: $I$ થી $Cl$ તરફ જતાં ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી વધુ ઋણ બને છે. જોકે,$F$ નું કદ નાનું હોવાથી અને આંતર-ઇલેક્ટ્રોનિક અપાકર્ષણને કારણે તેની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી $Cl$ કરતા ઓછી હોય છે. સાચો ક્રમ $I < Br < F < Cl$ છે. તેથી,$(a)$ ખોટું છે.
વિકલ્પ $(b)$ માટે: સમૂહમાં નીચે તરફ જતાં કોષોની સંખ્યા વધવાને કારણે ધાત્વિય ત્રિજ્યા વધે છે. $Li < Na < K < Rb$ ક્રમ સાચો છે.
વિકલ્પ $(c)$ માટે: આયનીકરણ એન્થાલ્પી સામાન્ય રીતે આવર્તમાં વધે છે. જોકે,$N$ ની અર્ધ-પૂર્ણ $2p^3$ ઇલેક્ટ્રોન રચના સ્થાયી હોવાથી,તેની આયનીકરણ એન્થાલ્પી $O$ કરતા વધારે હોય છે. સાચો ક્રમ $B < C < O < N$ છે. તેથી,$(c)$ ખોટું છે.
આમ,$(a)$ અને $(c)$ બંને આપેલ ગુણધર્મ સાથે સુસંગત ન હોવાથી,સાચો વિકલ્પ $(d)$ છે.

(C) આંતર-આણ્વીય (intramolecular) હાઇડ્રોજન બંધ એક જ અણુની અંદર જોવા મળે છે,જ્યારે આંતર-આણ્વિક (intermolecular) હાઇડ્રોજન બંધ અલગ-અલગ અણુઓ વચ્ચે જોવા મળે છે.
$H_2O_2$,$HCN$,અને સાંદ્ર $CH_3COOH$ આંતર-આણ્વિક હાઇડ્રોજન બંધન દર્શાવે છે.
સેલ્યુલોઝમાં તેના પોલિમરિક બંધારણમાં અનેક હાઇડ્રોક્સિલ $(-OH)$ સમૂહો હોય છે,જે સાંકળો વચ્ચે અને ગ્લુકોઝ એકમોની અંદર આંતર-આણ્વીય હાઇડ્રોજન બંધ બનાવવાની મંજૂરી આપે છે,જે તેના બંધારણને સ્થિર કરે છે.

(D) આઈસોઈલેક્ટ્રોનિક સ્પીસીઝમાં ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા સમાન હોય છે,અને આઈસોસ્ટ્રક્ચરલ સ્પીસીઝમાં ભૂમિતિ સમાન હોય છે.
$1.$ જોડી $(a)$ માટે: $CO_3^{2-}$ માં $6 + (3 \times 8) + 2 = 32$ ઈલેક્ટ્રોન છે અને $NO_3^-$ માં $7 + (3 \times 8) + 1 = 32$ ઈલેક્ટ્રોન છે. બંને $sp^2$ સંકરણ અને ટ્રાયગોનલ પ્લેનર આકાર ધરાવે છે.
$2.$ જોડી $(c)$ માટે: $ClO_3^-$ માં $17 + (3 \times 8) + 1 = 42$ ઈલેક્ટ્રોન છે અને $SO_3^{2-}$ માં $16 + (3 \times 8) + 2 = 42$ ઈલેક્ટ્રોન છે. બંને $sp^3$ સંકરણ (એક અબંધકારક ઈલેક્ટ્રોન યુગ્મ સાથે) અને પિરામિડલ આકાર ધરાવે છે.
આમ,જોડી $(a)$ અને $(c)$ બંને શરતોનું પાલન કરે છે,તેથી સાચો વિકલ્પ $(d)$ છે.

(D) $XeF_4$ માં,મધ્યસ્થ પરમાણુ $Xe$ પાસે $8$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે.
તે $F$ પરમાણુઓ સાથે $4$ એકલ બંધ બનાવે છે અને $2$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ ધરાવે છે.
કુલ ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ = $4 \text{ (બંધકારક યુગ્મ)} + 2 \text{ (અબંધકારક યુગ્મ)} = 6$.
આ $sp^3d^2$ સંકરણ સૂચવે છે.
$2$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની હાજરીને કારણે,તેનો આકાર ચોરસ સમતલીય છે.

(D) $VSEPR$ સિદ્ધાંત મુજબ,બંધકોણ મધ્યસ્થ પરમાણુ પરના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ (lone pairs) ની સંખ્યા દ્વારા પ્રભાવિત થાય છે.
$CH_4$ માં $0$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ,$NH_3$ માં $1$ અને $H_2O$ માં $2$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ હોય છે.
જેમ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની સંખ્યા વધે છે,તેમ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ અને બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ વચ્ચેનું અપાકર્ષણ વધે છે,જે બંધકોણને ઘટાડે છે.
બંધકોણ નીચે મુજબ છે:
$CH_4$: $109.5^{\circ}$ $(109^{\circ} 28')$
$NH_3$: $107^{\circ}$
$H_2O$: $104.5^{\circ}$
આ મૂલ્યોની સરખામણી કરતા:
$104.5^{\circ} < 107^{\circ} < 109.5^{\circ}$.
વિધાન $A$ સાચું છે $(104.5^{\circ} < 107^{\circ})$.
વિધાન $B$ સાચું છે $(109.5^{\circ} > 107^{\circ})$.
વિધાન $C$ સાચું છે (બધા $90^{\circ}$ કરતા વધારે છે).
વિધાન $D$ ખોટું છે કારણ કે $104.5^{\circ}$ એ $109.5^{\circ}$ કરતા મોટું નથી.

(C) $VSEPR$ સિદ્ધાંત મુજબ,ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મો વચ્ચેના અપાકર્ષણનું મૂલ્ય નીચે મુજબ છે: $lone \ pair - lone \ pair > lone \ pair - bond \ pair > bond \ pair - bond \ pair$.
આનું કારણ એ છે કે અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ $(lone \ pair)$ માત્ર એક જ કેન્દ્ર દ્વારા આકર્ષાયેલું હોય છે,જ્યારે બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ $(bond \ pair)$ બે કેન્દ્રો વચ્ચે વહેંચાયેલું હોય છે. પરિણામે,$lone \ pair$ મધ્યસ્થ પરમાણુની આસપાસ વધુ જગ્યા રોકે છે,જેના કારણે વધુ અપાકર્ષણ થાય છે.

(C) ગ્રહામના પ્રસરણના નિયમ મુજબ,પ્રસરણનો દર $r$ એ મોલર દળ $M$ ના વર્ગમૂળના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં હોય છે: $r \propto \frac{1}{\sqrt{M}}$.
સમય $t$ માં બહાર નીકળેલા મોલની સંખ્યા $n$ એ $n = r \times t$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
તેથી,બહાર નીકળેલા મોલનો ગુણોત્તર $\frac{n_{H}}{n_{O}} = \frac{r_{H} \times t}{r_{O} \times t} = \frac{\sqrt{M_{O}}}{\sqrt{M_{H}}}$ છે.
આપેલ છે કે $M_{H} = 2 \ g/mol$ અને $M_{O} = 32 \ g/mol$.
$\frac{n_{H}}{n_{O}} = \sqrt{\frac{32}{2}} = \sqrt{16} = 4$.
તેથી,$n_{H} = 4 \times n_{O}$.
આપણને આપેલ છે કે $n_{H} = 1/2 \ mole$ (શરૂઆતના $1 \ mole$ ના અડધા).
$1/2 = 4 \times n_{O} \implies n_{O} = 1/8 \ mole$.
આપણે $1 \ mole$ ઓક્સિજનથી શરૂઆત કરી હોવાથી,બહાર નીકળેલા ઓક્સિજનનો અંશ $1/8$ છે.

(B) આદર્શ વાયુ માટે,એન્ટ્રોપીમાં થતો ફેરફાર $\Delta S$ સામાન્ય સૂત્ર દ્વારા આપવામાં આવે છે:
$\Delta S = n C_p \ln \left( \frac{T_f}{T_i} \right) + n R \ln \left( \frac{p_i}{p_f} \right)$
સમતાપી પ્રક્રિયા માટે,તાપમાન અચળ રહે છે,તેથી $T_i = T_f$.
આનો અર્થ એ છે કે $\ln \left( \frac{T_f}{T_i} \right) = \ln(1) = 0$.
તેથી,સમીકરણ આ મુજબ સરળ બને છે:
$\Delta S = n R \ln \left( \frac{p_i}{p_f} \right)$

(D) ગિબ્સ મુક્ત ઉર્જાનું સમીકરણ $\Delta G = \Delta H - T \Delta S$ છે.
બધા જ તાપમાને પ્રક્રિયા સ્વયંભૂ હોવા માટે,$\Delta G$ નું મૂલ્ય હંમેશા ઋણ $(< 0)$ હોવું જોઈએ.
જો $\Delta H < 0$ (ઉષ્માક્ષેપક) અને $\Delta S > 0$ (એન્ટ્રોપીમાં વધારો) હોય,તો $\Delta G = (\text{ઋણ}) - T(\text{ધન})$ થશે,જે તાપમાન $T$ ના કોઈપણ મૂલ્ય માટે હંમેશા ઋણ રહેશે.
તેથી,સાચી શરત $\Delta H < 0$ અને $\Delta S > 0$ છે.

(B) ક્લોસિયસ-ક્લેપરોન સમીકરણ મુજબ:
$P = A e^{\frac{-\Delta H_v}{R T}}$
બંને બાજુ પ્રાકૃતિક લઘુગણક લેતા:
$\ln P = \ln A - \frac{\Delta H_v}{R T}$
તાપમાન $T$ ની સાપેક્ષમાં વિકલન કરતા:
$\frac{d}{d T} (\ln P) = \frac{d}{d T} (\ln A) - \frac{\Delta H_v}{R} \frac{d}{d T} (T^{-1})$
$\ln A$ અચળ હોવાથી,તેનું વિકલન $0$ થાય છે:
$\frac{d \ln P}{d T} = 0 - \frac{\Delta H_v}{R} (-T^{-2})$
સમીકરણનું સાદું રૂપ આપતા:
$\frac{d \ln P}{d T} = \frac{\Delta H_v}{R T^2}$

(B) પાણીમાં પિરિડિનનું વિયોજન આ મુજબ છે: $C_5H_5N + H_2O \rightleftharpoons C_5H_5N^{+}H + OH^{-}$.
નિર્બળ બેઇઝ માટે,વિયોજન અંશ $\alpha$ ની ગણતરી $\alpha = \sqrt{\frac{K_b}{c}}$ સૂત્ર દ્વારા થાય છે.
અહીં $K_b = 1.7 \times 10^{-9}$ અને $c = 0.10 \ M$ આપેલ છે.
$\alpha = \sqrt{\frac{1.7 \times 10^{-9}}{0.10}} = \sqrt{1.7 \times 10^{-8}} = 1.3 \times 10^{-4}$.
વિયોજનની ટકાવારી $\% \alpha = \alpha \times 100$ થાય.
$\% \alpha = 1.3 \times 10^{-4} \times 100 = 1.3 \times 10^{-2} = 0.013 \%$.

(B) $AgCl$ નું વિયોજન નીચે મુજબ છે: $AgCl_{(s)} \rightleftharpoons Ag^{+}_{(aq)} + Cl^{-}_{(aq)}$
દ્રાવ્યતા ગુણાકારનું સૂત્ર $K_{sp} = [Ag^{+}][Cl^{-}]$ છે.
$0.1 \ M \ NaCl$ ના દ્રાવણમાં,$Cl^{-}$ આયનોની સાંદ્રતા $NaCl$ ના વિયોજનને કારણે $[Cl^{-}] \approx 0.1 \ M$ લેવામાં આવે છે.
ધારો કે $NaCl$ ની હાજરીમાં $AgCl$ ની દ્રાવ્યતા $S$ છે. તેથી $[Ag^{+}] = S$.
$K_{sp}$ ના સૂત્રમાં કિંમતો મૂકતા:
$1.6 \times 10^{-10} = S \times 0.1$
$S$ માટે ગણતરી કરતા:
$S = \frac{1.6 \times 10^{-10}}{0.1} = 1.6 \times 10^{-9} \ M$.

(B) લુઈસ બેઈઝ એ પદાર્થ છે જે ઈલેક્ટ્રોનની એક અબંધકારક ઈલેક્ટ્રોન યુગ્મ (lone pair) દાન કરી શકે છે.
$1$. $BF_3$: બોરોન પાસે અપૂર્ણ અષ્ટક ($6$ ઈલેક્ટ્રોન) છે,જે તેને લુઈસ એસિડ બનાવે છે.
$2$. $PF_3$: ફોસ્ફરસ પાસે $5$ સંયોજકતા ઈલેક્ટ્રોન છે,જેમાંથી $3$ $F$ પરમાણુઓ સાથે બંધ બનાવવામાં વપરાય છે,જેનાથી $P$ પરમાણુ પર એક અબંધકારક ઈલેક્ટ્રોન યુગ્મ બાકી રહે છે. આ ઈલેક્ટ્રોન યુગ્મનું દાન કરી શકાય છે,તેથી $PF_3$ લુઈસ બેઈઝ છે.
$3$. $CF_4$: કાર્બન પાસે પૂર્ણ અષ્ટક છે અને કોઈ અબંધકારક ઈલેક્ટ્રોન યુગ્મ નથી.
$4$. $SiF_4$: સિલિકોન પાસે ખાલી $d$-કક્ષકો છે,જે તેને ઈલેક્ટ્રોન યુગ્મ સ્વીકારવાની ક્ષમતા આપે છે,તેથી તે લુઈસ એસિડ છે.
તેથી,$PF_3$ સાચો જવાબ છે.

(D) $MY$ માટે: $K_{sp} = s_1^2$
$\Rightarrow s_1 = \sqrt{K_{sp}} = \sqrt{6.2 \times 10^{-13}} = 7.87 \times 10^{-7} \ mol \ L^{-1}$
$NY_3$ માટે: $K_{sp} = [N^{3+}][Y^-]^3 = (s_2)(3s_2)^3 = 27s_2^4$
$\Rightarrow s_2 = \sqrt[4]{\frac{6.2 \times 10^{-13}}{27}} = 3.89 \times 10^{-4} \ mol \ L^{-1}$
મૂલ્યોની સરખામણી કરતા,$s_1 < s_2$.
તેથી,પાણીમાં $MY$ ની મોલર દ્રાવ્યતા $NY_3$ કરતા ઓછી છે.

(D) $CaF_2 + H_2SO_4 \rightarrow CaSO_4 + 2HF$ પ્રક્રિયામાં,તમામ તત્વોના ઓક્સિડેશન આંક $(Ca: +2, F: -1, H: +1, S: +6, O: -2)$ સમાન રહે છે.
ઓક્સિડેશન આંકમાં કોઈ ફેરફાર થતો ન હોવાથી,આ એક એસિડ-બેઇઝ પ્રક્રિયા છે,રેડોક્સ પ્રક્રિયા નથી.
તેથી,તે સાંદ્ર $H_2SO_4$ નો ઓક્સિડેશનકર્તા ગુણધર્મ દર્શાવતું નથી.

(D) વિકલ્પ $(a)$ માં આપેલ વિધાન ખોટું છે કારણ કે $H_3O^{+}$ દ્રાવણમાં મુક્ત રીતે અસ્તિત્વ ધરાવતું નથી; તે $H_9O_4^{+}$ અથવા સમાન જલીય સ્વરૂપોમાં અસ્તિત્વ ધરાવે છે.
જોકે,પ્રશ્ન આપેલા વિકલ્પોમાંથી ખોટા વિધાનો વિશે પૂછે છે.
વિકલ્પ $(b)$ ખોટું છે કારણ કે ડાયહાઇડ્રોજન ઘણી પ્રતિક્રિયાઓમાં પ્રબળ રિડક્શનકર્તા તરીકે કામ કરે છે (દા.ત.,ધાતુના ઓક્સાઇડનું રિડક્શન).
વિકલ્પ $(c)$ ખોટું છે કારણ કે પ્રોટિયમ $(_1^1H)$ સૌથી સામાન્ય સમસ્થાનિક છે,ટ્રિટિયમ નહીં.
આમ,$(b)$ અને $(c)$ બંને ખોટા વિધાનો હોવાથી,વિકલ્પ $(d)$ સાચો જવાબ છે.

(C) કેલ્શિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ,$Ca(OH)_2$,કળી ચૂના,$CaO$ માં પાણી ઉમેરીને તૈયાર કરવામાં આવે છે.
તે સફેદ આકારહીન પાવડર છે જે પાણીમાં અલ્પ દ્રાવ્ય છે.
$Ca(OH)_2$ ના સ્પષ્ટ જલીય દ્રાવણને ચૂનાનું પાણી કહેવામાં આવે છે.
પાણીમાં ફોડેલા ચૂનાના નિલંબનને મિલ્ક ઓફ લાઈમ કહેવામાં આવે છે.

(C) બેરિલિયમ ક્ષારોનું જળવિભાજન થાય છે.
તેથી,વિધાન કે તેના ક્ષારો ભાગ્યે જ જળવિભાજન પામે છે તે ખોટું છે.
ઉદાહરણ તરીકે,$BeCl_2$ નું જળવિભાજન નીચે મુજબ થાય છે:
$BeCl_2 + 2 H_2O \longrightarrow Be(OH)_2 + 2 HCl$

(A) $Ca^{2+}$ આયનો હૃદયના નિયમિત ધબકારા જાળવવા માટે આવશ્યક છે કારણ કે તે કાર્ડિયાક સ્નાયુ કોષોમાં ઉત્તેજના-સંકોચન જોડાણ પ્રક્રિયામાં સામેલ છે. તેથી,તે મહત્વના નથી તેવું વિધાન ખોટું છે. $Mg^{2+}$ આયનો વનસ્પતિમાં ક્લોરોફિલ અણુ માટે કેન્દ્રસ્થ છે. $Mg^{2+}$ આયનો ઉર્જા સ્થાનાંતરણને સરળ બનાવવા માટે $ATP$ સાથે સંકુલ પણ બનાવે છે. $Ca^{2+}$ આયનો રક્ત ગંઠાઈ જવાની પ્રક્રિયામાં નિર્ણાયક ભૂમિકા ભજવે છે.

(C) જ્યારે નાઇટ્રોજન ઊંચા તાપમાને $CaC_2$ સાથે પ્રક્રિયા કરે છે,ત્યારે કેલ્શિયમ સાયનામાઇડ $(CaCN_2)$ અને કાર્બન બને છે.
આ પ્રક્રિયાનું રાસાયણિક સમીકરણ નીચે મુજબ છે:
$CaC_2 + N_2 \xrightarrow{\Delta} CaCN_2 + C$
$CaCN_2$ અને $C$ ના આ મિશ્રણને નાઇટ્રોલીમ કહેવામાં આવે છે,જેનો ઉપયોગ ખાતર તરીકે થાય છે.

(C) બોરિક એસિડ એક નિર્બળ મોનોબેઝિક લુઈસ એસિડ છે. તે સીધો પ્રોટોન મુક્ત કરવાને બદલે પાણીમાંથી $OH^{-}$ આયન સ્વીકારીને દ્રાવણમાં પ્રોટોન $(H^{+})$ મુક્ત કરે છે.
$B(OH)_3 + H_2O \longrightarrow [B(OH)_4]^{-}_{(aq)} + H^{+}_{(aq)}$

(A) કાર્બોનિલ સંયોજનોમાં ટોટોમેરિઝમ માટે $\alpha$-હાઇડ્રોજન પરમાણુની હાજરી જરૂરી છે જેથી ઇનોલ (enol) બની શકે. વધુમાં,ઇનોલનું નિર્માણ $Bredt's$ $Rule$ નું ઉલ્લંઘન કરતું ન હોવું જોઈએ,જે જણાવે છે કે બ્રિજ્ડ બાયસાઇક્લિક સિસ્ટમના બ્રિજહેડ પર દ્વિબંધ મૂકી શકાતો નથી,સિવાય કે વલય પૂરતું મોટું હોય.
$I$: આ બાયસાઇક્લો[$2.2$.$1$]હેપ્ટન$-2-$ઓન છે. $\alpha$-હાઇડ્રોજન હાજર છે,પરંતુ ઇનોલ બનાવવાથી બ્રિજહેડ પર દ્વિબંધ આવશે,જે $Bredt's$ $Rule$ નું ઉલ્લંઘન કરે છે.
$II$: આ $3,3-$ડાયફિનાઇલબાયસાઇક્લો[$2.2$.$1$]હેપ્ટન$-2-$ઓન છે. $I$ ની જેમ,ઇનોલ સ્વરૂપ $Bredt's$ $Rule$ નું ઉલ્લંઘન કરશે.
$III$: આ બાયસાઇક્લો[$2.2$.$1$]હેપ્ટન$-2-$ઓન છે. ઇનોલ સ્વરૂપ $C_3$ સ્થાન પરથી $\alpha$-હાઇડ્રોજન દૂર કરીને બનાવી શકાય છે,જે $Bredt's$ $Rule$ નું ઉલ્લંઘન કરતું નથી કારણ કે દ્વિબંધ બ્રિજહેડ પર નથી.
તેથી,માત્ર અણુ $III$ ટોટોમેરિઝમ દર્શાવી શકે છે.

(D) બાયફિનાઈલ વ્યુત્પન્ન પ્રકાશીય રીતે સક્રિય હોવા માટે,તેણે એટ્રોપ આઈસોમેરિઝમ દર્શાવવું આવશ્યક છે,જેના માટે બંને ફિનાઈલ રિંગ્સના ઓર્થો સ્થાનો પર મોટા કદના વિસ્થાપકોની હાજરી જરૂરી છે જેથી કેન્દ્રીય $C-C$ સિંગલ બોન્ડની આસપાસ મુક્ત પરિભ્રમણ અટકાવી શકાય.
વિકલ્પ $D$ માં,અણુમાં ચારેય ઓર્થો સ્થાનો $(2, 2', 6, 6')$ પર મોટા કદના વિસ્થાપકો ($Br$ અને $I$) છે. આ અવકાશી અવરોધ (steric hindrance) બંને ફિનાઈલ રિંગ્સને એક સમતલમાં આવતા અટકાવે છે,જેનાથી તે નોન-પ્લેનર બંધારણ ધારણ કરે છે જેમાં સમતલ કે સંમિતિનું કેન્દ્ર હોતું નથી,તેથી અણુ કાયરલ અને પ્રકાશીય રીતે સક્રિય બને છે.
અન્ય વિકલ્પોમાં મુક્ત પરિભ્રમણને રોકવા માટે પૂરતા ઓર્થો-વિસ્થાપકોનો અભાવ છે,જેના કારણે અણુઓ સમતલીય અથવા સંમિત બંધારણ ધારણ કરી શકે છે જે અકાયરલ છે.

(C) અણુને સમતલીય હોવા માટે,તેના તમામ પરમાણુઓ એક જ સમતલમાં હોવા જોઈએ.
$(A)$ બાયફિનાઈલ: બે ફિનાઈલ વલયોના ઓર્થો-હાઈડ્રોજન વચ્ચેના અવકાશી અવરોધ (steric hindrance) ને કારણે,વલયો એકબીજાની સાપેક્ષમાં વળેલા હોય છે,જેથી અણુ સમતલીય રહેતો નથી.
$(B)$ સાયક્લોહેક્ઝેન: તે ચેર (chair) સ્વરૂપમાં અસ્તિત્વ ધરાવે છે,જે સમતલીય નથી.
$(C)$ $1,1-$ડાયસાયનો$-2,2-$ડાયમિથાઈલઈથીન: મધ્યવર્તી $C=C$ બંધ $sp^2$ સંકરણ ધરાવે છે. જોકે,મિથાઈલ જૂથોના કાર્બન $sp^3$ સંકરણ ધરાવે છે,જે ચતુષ્ફલકીય હોવાથી સંપૂર્ણ અણુ સમતલીય નથી.
$(D)$ બાયસાયક્લોહેક્ઝાઈલ: તે બે સાયક્લોહેક્ઝેન વલયોનું બનેલું છે,જે સમતલીય નથી.

(D) પાયરોલમાં,નાઇટ્રોજન પરમાણુ પરના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ એરોમેટિક ષટ્ક (sextet) માં ભાગ લે છે. સંસ્પંદન અસરને કારણે,ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વલયમાં વિસ્થાનિકૃત થાય છે. જ્યારે ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી (electrophile) હુમલો કરે છે,ત્યારે મધ્યવર્તી કાર્બોકેટાયન (સિગ્મા સંકુલ) ત્યારે વધુ સ્થાયી હોય છે જ્યારે ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી $C_{2}$ અથવા $C_{5}$ સ્થાન પર હુમલો કરે છે,કારણ કે ધન વીજભાર નાઇટ્રોજન પરમાણુ સહિત વધુ પરમાણુઓ પર વિસ્થાનિકૃત થઈ શકે છે. તેથી,ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા $C_{2}$ અને $C_{5}$ સ્થાન પર મહત્તમ હોય છે.

(C) ચાલો દરેક વિકલ્પનું વિશ્લેષણ કરીએ:
$(i)$ $CH_3-CH_2-CH_2Br$ વિલોપન પ્રક્રિયા દ્વારા પ્રોપીન $(CH_3-CH=CH_2)$ બનાવે છે.
(ii) સાયક્લોપ્રોપેન રિંગ-ઓપનિંગ વિલોપન દ્વારા પ્રોપીન $(CH_3-CH=CH_2)$ બનાવે છે.
(iii) $CH_3-CH_2-CH_2OH$ એ $HBr$ સાથે પ્રક્રિયા કરીને $CH_3-CH_2-CH_2Br$ બનાવે છે,જે ત્યારબાદ વિલોપન દ્વારા પ્રોપીન $(CH_3-CH=CH_2)$ આપે છે.
(iv) $CH_2=C=O$ (કીટીન) $HBr$ સાથેની પ્રક્રિયા દ્વારા અથવા સીધી વિલોપન પ્રક્રિયા દ્વારા પ્રોપીન બનાવતું નથી.
તેથી,સાચો વિકલ્પ $C$ છે.

(C) આ પ્રક્રિયામાં સાયક્લોહેક્સિન પર $HF$ માંથી પ્રોટોન $(H^+)$ નું ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી યોગશીલ પ્રક્રિયા થઈને સાયક્લોહેક્સિલ કાર્બોકેટાયન બને છે.
ત્યારબાદ આ કાર્બોકેટાયન ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી તરીકે વર્તે છે અને બેન્ઝીન સાથે ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી વિસ્થાપન પ્રક્રિયા $(ESR)$ કરીને સાયક્લોહેક્સિલબેન્ઝીન બનાવે છે.
આમ,નીપજ $P$ એ સાયક્લોહેક્સિલબેન્ઝીન છે.

(A) બ્રોમીન સાથે આલ્કીનની પ્રક્રિયા એ ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી યોગશીલ પ્રક્રિયા છે.
આપેલા વિકલ્પોમાં,$C_3H_6$ (પ્રોપીન) એ એક આલ્કીન છે જેમાં દ્વિબંધ સાથે ઇલેક્ટ્રોન દાતા મિથાઈલ ગ્રુપ $(-CH_3)$ જોડાયેલું છે.
આ મિથાઈલ ગ્રુપ પ્રેરક અસર (inductive effect) દ્વારા દ્વિબંધની ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધારે છે,જેનાથી તે $C_2H_4$ (ઈથીન) અથવા $C_2H_2$ (ઈથાઈન) ની સરખામણીમાં ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી બ્રોમીન પ્રત્યે વધુ સક્રિય બને છે.
$C_4H_{10}$ (બ્યુટેન) એ આલ્કેન છે અને સામાન્ય પરિસ્થિતિમાં બ્રોમીન સાથે યોગશીલ પ્રક્રિયા આપતું નથી.

(B) ટોર્શનલ સ્ટ્રેનનું મૂલ્ય $C-C$ બંધની આસપાસના ડાયહેડ્રલ એંગલ (dihedral angle) પર આધાર રાખે છે.
ઇક્લિપ્સ્ડ સ્વરૂપમાં,પાસપાસેના કાર્બન પરના હાઇડ્રોજન પરમાણુઓ એકબીજાની શક્ય તેટલી નજીક હોય છે,જેના પરિણામે મહત્તમ ટોર્શનલ સ્ટ્રેન અને ન્યૂનતમ સ્થિરતા જોવા મળે છે.
સ્ટેગર્ડ સ્વરૂપમાં,હાઇડ્રોજન પરમાણુઓ એકબીજાથી શક્ય તેટલા દૂર હોય છે,જેના પરિણામે ન્યૂનતમ ટોર્શનલ સ્ટ્રેન અને મહત્તમ સ્થિરતા જોવા મળે છે.
તેથી,ઈથેનનું સ્ટેગર્ડ સ્વરૂપ ઇક્લિપ્સ્ડ સ્વરૂપ કરતા વધુ સ્થાયી છે.

(D) નાઈટ્રેશન પ્રક્રિયામાં ઇલેક્ટ્રોફાઇલ $NO_2^+$ નું નિર્માણ નીચે મુજબ થાય છે:
$HNO_3 + 2H_2SO_4 \rightleftharpoons NO_2^+ + H_3O^+ + 2HSO_4^-$
જ્યારે $KHSO_4$ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે તે સંપૂર્ણપણે વિયોજિત થાય છે:
$KHSO_4 \rightarrow K^+ + HSO_4^-$
$HSO_4^-$ ની સામાન્ય આયન અસરને કારણે,પ્રતિક્રિયા મિશ્રણમાં $HSO_4^-$ ની સાંદ્રતા વધે છે.
લી શેટલિયરના સિદ્ધાંત મુજબ,સંતુલન પાછળની દિશામાં ખસે છે.
આના પરિણામે ઇલેક્ટ્રોફાઇલ $NO_2^+$ ની સાંદ્રતામાં ઘટાડો થાય છે.
નાઈટ્રેશનનો દર $NO_2^+$ ની સાંદ્રતા પર આધાર રાખતો હોવાથી,નાઈટ્રેશન પ્રક્રિયાનો દર ધીમો પડી જશે.

(B) $CH_{3}-C\equiv C^{-}$ કાર્બેનાયનમાં,ટર્મિનલ કાર્બન પરમાણુ ટ્રિપલ બોન્ડ દ્વારા બીજા કાર્બન સાથે જોડાયેલ છે અને તેની પાસે ઇલેક્ટ્રોનની એક લોન પેર છે.
ટ્રિપલ બોન્ડમાં સામેલ કાર્બન પરમાણુનું સંકરણ $sp$ હોય છે.
તેથી,ટર્મિનલ કાર્બન પરમાણુ પરની ઇલેક્ટ્રોનની લોન પેર $sp$-સંકરિત કક્ષકમાં હાજર હોય છે.

(B) પગલું $1$: એસિટિલીન $(HC \equiv CH)$ પ્રવાહી $NH_3$ માં $NaNH_2$ સાથે પ્રક્રિયા કરીને એસિટિલાઇડ આયન $(HC \equiv C^-Na^+)$ બનાવે છે,જે ત્યારબાદ $CH_3CH_2Br$ સાથે $S_N2$ પ્રક્રિયા કરીને $1-$બ્યુટાઇન $(X = CH_3CH_2C \equiv CH)$ બનાવે છે.
પગલું $2$: $1-$બ્યુટાઇન $(CH_3CH_2C \equiv CH)$ પ્રવાહી $NH_3$ માં $NaNH_2$ સાથે પ્રક્રિયા કરીને બ્યુટાઇનાઇલાઇડ આયન $(CH_3CH_2C \equiv C^-Na^+)$ બનાવે છે,જે ત્યારબાદ $CH_3CH_2Br$ સાથે $S_N2$ પ્રક્રિયા કરીને $3-$હેક્સાઇન $(Y = CH_3CH_2C \equiv CCH_2CH_3)$ બનાવે છે.

(C) $XeF_6$ માં $sp^3d^3$ સંકરણ અને $6$ બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ તથા $1$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મને કારણે વિકૃત અષ્ટફલકીય આકાર હોય છે.
$(B)$ $XeO_3$ માં $sp^3$ સંકરણ અને $3$ બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ તથા $1$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મને કારણે પિરામિડલ આકાર હોય છે.
$(C)$ $XeOF_4$ માં $sp^3d^2$ સંકરણ અને $5$ બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ તથા $1$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મને કારણે ચોરસ પિરામિડલ આકાર હોય છે.
$(D)$ $XeF_4$ માં $sp^3d^2$ સંકરણ અને $4$ બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ તથા $2$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મને કારણે સમતલીય ચોરસ આકાર હોય છે.
તેથી,સાચી જોડ $A-(i), B-(iii), C-(iv), D-(ii)$ છે.

(C) જ્યારે કોપર સાંદ્ર $HNO_3$ સાથે પ્રક્રિયા કરે છે,ત્યારે તે પ્રબળ ઓક્સિડેશનકર્તા તરીકે વર્તે છે અને કોપર$(II)$ નાઈટ્રેટ,પાણી અને નાઈટ્રોજન ડાયોક્સાઈડ વાયુ ઉત્પન્ન કરે છે.
સંતુલિત રાસાયણિક સમીકરણ નીચે મુજબ છે:
$Cu(s) + 4HNO_3(conc.) \longrightarrow Cu(NO_3)_2(aq) + 2H_2O(l) + 2NO_2(g)$
ઉત્પન્ન થતો લાલ-કથ્થઈ રંગનો વાયુ $NO_2$ છે.

(B) આ પ્રક્રિયામાં $Pd/C$ ઉદ્દીપકની હાજરીમાં $H_2$ વાયુનો ઉપયોગ કરીને $\alpha,\beta$-અસંતૃપ્ત કીટોન,એટલે કે $cyclohex-2-en-1-one$ નું ઉદ્દીપકીય હાઇડ્રોજનેશન થાય છે.
સામાન્ય પરિસ્થિતિઓમાં ($1$ atm દબાણ,ઓરડાનું તાપમાન),$Pd/C$ એ એક પસંદગીયુક્ત ઉદ્દીપક છે જે કાર્બોનિલ સમૂહ $(C=O)$ ને અસર કર્યા વગર કાર્બન-કાર્બન દ્વિબંધ $(C=C)$ નું રિડક્શન કરી શકે છે.
તેથી,$C=C$ બંધનું હાઇડ્રોજનેશન થઈને $C-C$ એકલ બંધ બને છે,જેના પરિણામે $cyclohex-2-en-1-one$ નું રૂપાંતર $cyclohexanone$ માં થાય છે.

(A) ગર્ભાશયમાં મૂકવાના સાધનો $(IUDs)$ એ અસરકારક ગર્ભનિરોધક પદ્ધતિઓ છે. તેમને તેમની કાર્યપદ્ધતિના આધારે વર્ગીકૃત કરવામાં આવે છે:
$1$. બિન-ઔષધીય $IUDs$: ઉદાહરણ તરીકે લિપ્સ લૂપ.
$2$. કોપર મુક્ત કરતા $IUDs$: ઉદાહરણોમાં $CuT$,$Cu7$ અને મલ્ટીલોડ $375$ નો સમાવેશ થાય છે. આ સાધનો કોપર આયનો મુક્ત કરે છે જે શુક્રકોષોની ગતિશીલતા અને ફલન ક્ષમતાને દબાવે છે.
$3$. અંતઃસ્ત્રાવ મુક્ત કરતા $IUDs$: ઉદાહરણોમાં પ્રોજેસ્ટાસર્ટ (Progestasert) અને $LNG-20$ નો સમાવેશ થાય છે. આ સાધનો ગર્ભાશયને ગર્ભસ્થાપન માટે અયોગ્ય બનાવે છે અને ગ્રીવાને શુક્રકોષો માટે પ્રતિકૂળ બનાવે છે.
તેથી,$LNG-20$ એ અંતઃસ્ત્રાવ મુક્ત કરતું $IUD$ છે.

(D) દિવસ દરમિયાન,જ્યારે પ્રકાશસંશ્લેષણ માટે વાયુરંધ્ર ખુલ્લા હોય છે,ત્યારે $CO_2$ પર્ણમાં પ્રસરણ પામે છે જ્યારે બાષ્પોત્સર્જનને કારણે પાણીની વરાળ બહાર નીકળે છે.
આ બંને પ્રક્રિયાઓ એકસાથે થાય છે કારણ કે વાયુઓનું પ્રસરણ એકબીજાથી સ્વતંત્ર છે.
ફિકના પ્રસરણના નિયમ (Fick's law of diffusion) મુજબ,પ્રસરણનો દર સાંદ્રતા ઢાળ અને ચોક્કસ વાયુના પ્રસરણ ગુણાંક પર આધાર રાખે છે.
પાણીની વરાળ અને $CO_2$ ના પ્રસરણ ગુણાંક અલગ હોવાથી,તેઓ એકબીજામાં દખલ કર્યા વિના એક જ સમયે સમાન વાયુરંધ્ર દ્વારા વિરુદ્ધ દિશામાં ગતિ કરી શકે છે.

(B) વનસ્પતિ પેશી સંવર્ધનમાં,અંગજનન (organogenesis) ની પ્રક્રિયા મુખ્યત્વે બે પ્રકારના વનસ્પતિ અંતઃસ્ત્રાવો: ઓક્સિન અને સાયટોકાઈનિન વચ્ચેના સંતુલન દ્વારા નિયંત્રિત થાય છે.
$1$. સંવર્ધન માધ્યમમાં ઓક્સિન અને સાયટોકાઈનિનનું ઊંચું પ્રમાણ મૂળના વિકાસને પ્રોત્સાહન આપે છે.
$2$. સાયટોકાઈનિન અને ઓક્સિનનું ઊંચું પ્રમાણ પ્રરોહના વિકાસને પ્રોત્સાહન આપે છે.
$3$. આ બંને અંતઃસ્ત્રાવોની સાંદ્રતામાં ફેરફાર કરીને,સંશોધકો કેલસ પેશીમાંથી પ્રરોહ અને મૂળ બંનેનું નિર્માણ કરી શકે છે. તેથી,સાચી જોડી ઓક્સિન અને સાયટોકાઈનિન છે.

(D) ફાયટોક્રોમ એ વનસ્પતિઓમાં જોવા મળતું વાદળી-લીલા રંગનું રંજકદ્રવ્ય છે જે પ્રકાશગ્રાહી તરીકે કાર્ય કરે છે.
તે એક પ્રોટીનયુક્ત રંજકદ્રવ્ય છે,ખાસ કરીને ક્રોમોપ્રોટીન,જે પ્રકાશનું શોષણ કરતા ક્રોમોફોર સાથે જોડાયેલા પ્રોટીનનો બનેલો હોય છે.
તે બે આંતરપરિવર્તનીય સ્વરૂપોમાં અસ્તિત્વ ધરાવે છે: $P_r$ (જે લાલ પ્રકાશનું શોષણ કરે છે) અને $P_{fr}$ (જે દૂર-લાલ પ્રકાશનું શોષણ કરે છે).
તેથી,ફાયટોક્રોમનું સાચું વર્ગીકરણ ક્રોમોપ્રોટીન છે.

(B) યકૃત-સ્વાદુપિંડ નળી (hepatopancreatic duct) એ સામાન્ય પિત્ત નળી અને સ્વાદુપિંડ નળીના જોડાણથી બને છે.
તે પકવાશયમાં ખુલે છે.
આ નળીના મુખનું રક્ષણ એક સ્નાયુબદ્ધ વાલ્વ દ્વારા થાય છે જેને ઓડીનો વાલ્વ (Sphincter of Oddi) કહેવામાં આવે છે.
આ વાલ્વ પિત્ત અને સ્વાદુપિંડના પાચકરસના પકવાશયમાં વહેણને નિયંત્રિત કરે છે.

(D) જઠરની દીવાલમાં જઠર ગ્રંથિઓ આવેલી હોય છે.
આ ગ્રંથિઓમાં વિવિધ પ્રકારના કોષો હોય છે,જેમાં શ્લેષ્મ ગ્રીવા કોષો,પેપ્ટિક અથવા મુખ્ય કોષો,અને પેરીએટલ અથવા ઓક્સિન્ટિક કોષોનો સમાવેશ થાય છે.
પેરીએટલ કોષો (જેને ઓક્સિન્ટિક કોષો તરીકે પણ ઓળખવામાં આવે છે) હાઇડ્રોક્લોરિક એસિડ $(HCl)$ અને ઇન્ટ્રિન્સિક ફેક્ટરનો સ્ત્રાવ કરવા માટે જવાબદાર છે,જે વિટામિન $B_{12}$ ના શોષણ માટે આવશ્યક છે.
તેથી,જઠરનો એસિડ પેરીએટલ કોષો દ્વારા સ્ત્રવિત થાય છે.

(C) પાચનની પ્રક્રિયામાં વિવિધ અંતઃસ્ત્રાવો સામેલ હોય છે જે પાચક રસોના સ્ત્રાવનું નિયમન કરે છે.
$1$. $\text{સિક્રેટિન}$ $(Secretin)$ એ એક અંતઃસ્ત્રાવ છે જે સ્વાદુપિંડ પર કાર્ય કરીને પાણી અને બાયકાર્બોનેટ આયનો $(HCO_3^-)$ ના સ્ત્રાવને ઉત્તેજિત કરે છે.
$2$. $\text{કોલેસિસ્ટોકાઈનિન}$ $(CCK)$ સ્વાદુપિંડ પર કાર્ય કરીને સ્વાદુપિંડના ઉત્સેચકોના સ્ત્રાવને ઉત્તેજિત કરે છે અને પિત્તરસના મુક્ત કરવા માટે પિત્તાશયનું સંકોચન પણ કરે છે.
તેથી, $\text{કોલેસિસ્ટોકાઈનિન}$ અને $\text{સિક્રેટિન}$ એ અનુક્રમે સ્વાદુપિંડના રસ અને બાયકાર્બોનેટના ઉત્પાદનને ઉત્તેજિત કરવા માટે જવાબદાર મુખ્ય અંતઃસ્ત્રાવો છે.

(C) $1$. નિષ્ક્રિય યુગ્મ અસર અને અવકાશી અવરોધને કારણે $PH_5$ અને $BiCl_5$ અસ્તિત્વ ધરાવતા નથી.
$2$. $SO_2$ માં સલ્ફર અને ઓક્સિજન પરમાણુઓ વચ્ચે $p\pi -d\pi$ બંધન હોય છે.
$3$. $SeF_4$ નો આકાર સી-સો (see-saw) છે (એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ સાથે $sp^3d$ સંકરણને કારણે),જ્યારે $CH_4$ નો આકાર સમચતુષ્ફલકીય ($sp^3$ સંકરણ) છે. તેથી,તેમનો આકાર સમાન નથી.
$4$. મધ્યસ્થ આયોડિન પરમાણુ પર બે અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની હાજરીને કારણે $I_3^+$ નો આકાર બેન્ટ (વળેલો) હોય છે.

(B) $AlF_3$ એ $HF$ માં અદ્રાવ્ય છે કારણ કે તે ઉચ્ચ લેટીસ ઉર્જા ધરાવતું આયનીય ઘન છે.
$KF$ ની હાજરીમાં,$AlF_3$ પ્રક્રિયા કરીને દ્રાવ્ય સંકીર્ણ ક્ષાર બનાવે છે.
પ્રક્રિયા આ મુજબ છે: $AlF_3 + 3KF \rightarrow K_3[AlF_6]$.
$Al^{3+}$ નો સવર્ગ આંક $6$ છે,જે સ્થાયી અષ્ટફલકીય સંકીર્ણ $[AlF_6]^{3-}$ ના નિર્માણ તરફ દોરી જાય છે.

(D) પ્રતિક્રિયા $A$ માં,સંતૃપ્ત આલ્કાઈલ હેલાઈડનું $H$ અને $Br$ પરમાણુઓના દૂર થવાથી અસંતૃપ્ત આલ્કીનમાં રૂપાંતર થાય છે. તેથી,તે વિલોપન પ્રતિક્રિયા છે.
પ્રતિક્રિયા $B$ માં,$-Br$ સમૂહનું $-OH$ સમૂહ દ્વારા વિસ્થાપન થાય છે. તેથી,તે વિસ્થાપન પ્રતિક્રિયા છે.
પ્રતિક્રિયા $C$ માં,દ્વિબંધ પર $Br_2$ ઉમેરવાથી અસંતૃપ્ત સંયોજનનું સંતૃપ્ત સંયોજનમાં રૂપાંતર થાય છે. તેથી,તે યોગશીલ પ્રતિક્રિયા છે.
તેથી,સાચું વિધાન એ છે કે $A$ વિલોપન છે,$B$ વિસ્થાપન છે અને $C$ યોગશીલ પ્રતિક્રિયા છે.

(D) ફ્રીડલ-ક્રાફ્ટ પ્રક્રિયા માટે એવા આલ્કાઈલ અથવા એસાઈલ હેલાઇડની જરૂર હોય છે જે $AlCl_3$ જેવા લુઈસ એસિડની હાજરીમાં કાર્બોકેટાયન અથવા ઇલેક્ટ્રોફિલિક સ્પીસીઝ બનાવી શકે.
$1$. ક્લોરોબેન્ઝીન અને બ્રોમોબેન્ઝીન જેવા એરાઈલ હેલાઇડ્સ,અને વિનાઈલ ક્લોરાઈડ $(CH_2=CH-Cl)$ જેવા વિનાઈલ હેલાઇડ્સ ફ્રીડલ-ક્રાફ્ટ પ્રક્રિયા માટે યોગ્ય નથી કારણ કે સંસ્પંદનને કારણે કાર્બન-હેલોજન બંધમાં આંશિક દ્વિબંધ લાક્ષણિકતા હોય છે,જે તેને ખૂબ જ મજબૂત બનાવે છે અને તોડવું મુશ્કેલ છે.
$2$. ક્લોરોઈથેન $(CH_3CH_2Cl)$ અને આઈસોપ્રોપાઈલ ક્લોરાઈડ $((CH_3)_2CHCl)$ જેવા આલ્કાઈલ હેલાઇડ્સ $AlCl_3$ સાથે સરળતાથી પ્રતિક્રિયા આપીને કાર્બોકેટાયન બનાવે છે,જે પછી ફ્રીડલ-ક્રાફ્ટ આલ્કાઈલેશનમાં ઇલેક્ટ્રોફાઈલ તરીકે કાર્ય કરે છે.
$3$. $C$ અને $D$ બંને આલ્કાઈલ હેલાઇડ છે અને તેનો ઉપયોગ કરી શકાય છે. જોકે,આપેલ વિકલ્પોમાં $D$ (આઈસોપ્રોપાઈલ ક્લોરાઈડ) એ સ્પષ્ટ રીતે દર્શાવેલ છે.

(C) ફ્લોરાઈટ બંધારણ $(CaF_2)$ માં,$Ca^{2+}$ આયનો ફલક-કેન્દ્રિત ઘન $(fcc)$ લેટીસ બનાવે છે.
દરેક $Ca^{2+}$ આયન $8 F^{-}$ આયનોથી ઘેરાયેલું હોય છે,તેથી તેનો સવર્ગ આંક $8$ છે.
દરેક $F^{-}$ આયન $4 Ca^{2+}$ આયનોથી ઘેરાયેલું હોય છે,તેથી તેનો સવર્ગ આંક $4$ છે.
તેથી,$Ca^{2+}$ અને $F^{-}$ માટેના સવર્ગ આંક અનુક્રમે $8$ અને $4$ છે.

(D) $bcc$ બંધારણ માટે, એકમ કોષ દીઠ પરમાણુઓની સંખ્યા $z = 2$ છે।
ઘનતા $d = 530 \ kg \ m^{-3} = 0.530 \ g \ cm^{-3}$.
પરમાણ્વીય દળ $M = 6.94 \ g \ mol^{-1}$.
સૂત્ર $d = \frac{z M}{a^3 N_A}$ નો ઉપયોગ કરતા, $a^3 = \frac{z M}{d N_A}$.
$a^3 = \frac{2 \times 6.94 \ g \ mol^{-1}}{0.530 \ g \ cm^{-3} \times 6.02 \times 10^{23} \ mol^{-1}}$.
$a^3 = 4.352 \times 10^{-23} \ cm^3$.
$a = (43.52 \times 10^{-24})^{1/3} \ cm = 3.517 \times 10^{-8} \ cm$.
$1 \ cm = 10^{10} \ pm$ હોવાથી, $a = 3.517 \times 10^{-8} \times 10^{10} \ pm = 351.7 \ pm \approx 352 \ pm$.

(C) ત્રિજ્યા ગુણોત્તર નીચે મુજબ ગણવામાં આવે છે:
ત્રિજ્યા ગુણોત્તર $= \frac{r_{+}}{r_{-}} = \frac{0.98 \times 10^{-10} \ m}{1.81 \times 10^{-10} \ m} = 0.541$
ગણતરી કરેલ ત્રિજ્યા ગુણોત્તર $0.541$ એ $0.414 - 0.732$ ની શ્રેણીમાં હોવાથી,સ્ફટિક રચના અષ્ટફલકીય ભૂમિતિ ધરાવે છે.
તેથી,$AB$ સ્ફટિક લેટીસમાં દરેક આયનનો સવર્ગ આંક $(CN)$ $6$ છે.

(D) બેરિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ એક પ્રબળ વિદ્યુતવિભાજ્ય છે જે જલીય દ્રાવણમાં નીચે મુજબ સંપૂર્ણપણે વિયોજન પામે છે:
$Ba(OH)_{2} \longrightarrow Ba^{2+} + 2OH^{-}$
$1$ મોલ $Ba(OH)_{2}$ માંથી $1$ મોલ $Ba^{2+}$ આયનો અને $2$ મોલ $OH^{-}$ આયનો ઉત્પન્ન થાય છે,તેથી કુલ કણોની સંખ્યા $1 + 2 = 3$ થાય છે.
વોન્ટ હોફ અવયવ $(i)$ એ વિદ્યુતવિભાજ્યના એકમ દીઠ ઉત્પન્ન થતા કણોની સંખ્યા તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
તેથી,$i = 3$.

(D) આદર્શ દ્રાવણ નીચેના ગુણધર્મો ધરાવે છે:
$1$. $\Delta H_{mix} = 0$ (મિશ્રણની એન્થાલ્પી શૂન્ય છે).
$2$. $\Delta V_{mix} = 0$ (મિશ્રણનું કદ શૂન્ય છે).
$3$. $\Delta U_{mix} = 0$ (મિશ્રણની આંતરિક ઉર્જા શૂન્ય છે).
$4$. દ્રાવણ સાંદ્રતાની સમગ્ર શ્રેણીમાં રાઉલ્ટના નિયમનું પાલન કરે છે,તેથી $\Delta P = 0$.
જોકે,કોઈપણ સ્વયંભૂ મિશ્રણ પ્રક્રિયા માટે,મિશ્રણની એન્ટ્રોપી $\Delta S_{mix}$ હંમેશા ધન હોય છે.
કારણ કે $\Delta G_{mix} = \Delta H_{mix} - T\Delta S_{mix}$,અને $\Delta H_{mix} = 0$ જ્યારે $\Delta S_{mix} > 0$,તેથી $\Delta G_{mix} = -T\Delta S_{mix} < 0$.
તેથી,વિધાન $\Delta G_{mix} = 0$ ખોટું છે.

(C) રાઉલ્ટના નિયમ મુજબ,બાષ્પ કલામાં ઘટકનું આંશિક દબાણ $P_i = P^o_i X_i$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
મિશ્રણ $1:1$ મોલર હોવાથી,પ્રવાહી કલામાં મોલ અંશ સમાન છે $(X_{\text{benzene}} = X_{\text{toluene}} = 0.5)$.
કુલ દબાણ $P = P^o_{\text{benzene}} X_{\text{benzene}} + P^o_{\text{toluene}} X_{\text{toluene}}$.
બાષ્પ કલામાં મોલ અંશ $Y_i = \frac{P_i}{P} = \frac{P^o_i X_i}{P}$ છે.
$X_{\text{benzene}} = X_{\text{toluene}}$ હોવાથી,જે ઘટકનું શુદ્ધ બાષ્પ દબાણ $(P^o)$ વધારે હશે તેનો બાષ્પ કલામાં મોલ અંશ વધારે હશે.
$P^o_{\text{benzene}} = 12.8\ kPa$ અને $P^o_{\text{toluene}} = 3.85\ kPa$ આપેલ હોવાથી,બેન્ઝીન વધુ બાષ્પશીલ છે.
તેથી,બાષ્પમાં બેન્ઝીનનું પ્રમાણ વધારે હશે.

(C) આપેલ છે: $W_{B} = 6.5\, g$,$W_{A} = 100\, g$,$p_{s} = 732\, mm$,$K_{b} = 0.52$,$T_{b}^{o} = 100\, ^oC$,$p^{o} = 760\, mm$.
બાષ્પદબાણમાં થતા સાપેક્ષ ઘટાડા માટે રાઉલ્ટના નિયમનો ઉપયોગ કરતા: $\frac{p^{o} - p_{s}}{p^{o}} = \frac{n_{2}}{n_{1}}$.
$\frac{760 - 732}{760} = \frac{n_{2}}{100 / 18}$.
$n_{2} = \frac{28 \times 100}{760 \times 18} \approx 0.2046\, mol$.
હવે,ઉત્કલનબિંદુમાં ઉન્નયન ગણતા: $\Delta T_{b} = K_{b} \times m = K_{b} \times \frac{n_{2} \times 1000}{W_{A} (g)}$.
$\Delta T_{b} = \frac{0.52 \times 0.2046 \times 1000}{100} = 1.06\, ^oC$.
દ્રાવણનું ઉત્કલનબિંદુ $T_{b} = T_{b}^{o} + \Delta T_{b} = 100 + 1.06 = 101.06\, ^oC$.

(B) મોલર વાહકતાનું સૂત્ર $\Lambda_{m} = \frac{\kappa \times 1000}{M}$ છે.
અહીં,વિદ્યુત વિભાજ્ય વાહકતા $\kappa = 5.76 \times 10^{-3} \ S \ cm^{-1}$ અને મોલારિટી $M = 0.5 \ mol/dm^3 = 0.5 \ mol/L$ છે.
કિંમતો મૂકતા:
$\Lambda_{m} = \frac{5.76 \times 10^{-3} \ S \ cm^{-1} \times 1000 \ cm^3/L}{0.5 \ mol/L} = 11.52 \ S \ cm^2 \ mol^{-1}$.

(B) પિગળેલા $NaCl$ ના વિદ્યુતવિભાજન દરમિયાન એનોડ પરની રાસાયણિક પ્રક્રિયા: $2Cl^{-} \longrightarrow Cl_2 + 2e^-$.
સ્ટોઇકિયોમેટ્રી મુજબ,$1 \ mol$ $Cl_2$ વાયુ $2 \ mol$ ઇલેક્ટ્રોનના સ્થાનાંતરણ દ્વારા ઉત્પન્ન થાય છે.
તેથી,$0.10 \ mol$ $Cl_2$ ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી વીજભાર $Q = n \times F = 0.10 \times 2 \times 96500 \ C = 19300 \ C$ છે.
$Q = I \times t$ સૂત્રનો ઉપયોગ કરતા,જ્યાં $I = 3 \ A$:
$t = \frac{Q}{I} = \frac{19300 \ C}{3 \ A} = 6433.33 \ s$.
સેકન્ડને મિનિટમાં ફેરવતા: $t = \frac{6433.33}{60} \approx 107.22 \ \min$.
આપેલા વિકલ્પો મુજબ નજીકની કિંમત $110 \ \min$ છે.

(A) પ્રમાણિત ગિબ્સ મુક્ત ઉર્જા ફેરફાર $(\Delta G^{\circ})$ અને પ્રમાણિત કોષ પોટેન્શિયલ $(E^{\circ}_{cell})$ વચ્ચેનો સંબંધ $\Delta G^{\circ} = -nFE^{\circ}_{cell}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
જો $E^{\circ}_{cell} < 0$ હોય,તો $\Delta G^{\circ} > 0$ થાય,જે દર્શાવે છે કે પ્રક્રિયા અસ્વયંભૂ (non-spontaneous) છે.
વધુમાં,$E^{\circ}_{cell}$ અને સંતુલન અચળાંક $(K_{eq})$ વચ્ચેનો સંબંધ $E^{\circ}_{cell} = \frac{RT}{nF} \ln K_{eq}$ છે.
જો $E^{\circ}_{cell} < 0$ હોય,તો $\ln K_{eq} < 0$ થાય,જેનો અર્થ છે કે $K_{eq} < 1$.

(C) કુલ વીજભાર $Q$ એ સૂત્ર $Q = I \times t$ દ્વારા મળે છે.
અહીં $I = 1 \ A$ અને $t = 60 \ s$ આપેલ છે,તેથી $Q = 1 \times 60 = 60 \ C$.
એક ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $1.60 \times 10^{-19} \ C$ છે.
ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $n$ ની ગણતરી $n = \frac{Q}{e} = \frac{60}{1.60 \times 10^{-19}}$ દ્વારા કરવામાં આવે છે.
$n = 37.5 \times 10^{19} = 3.75 \times 10^{20}$ ઇલેક્ટ્રોન.

(D) $E^{0}_{Zn^{2+}/Zn} = -0.76 \ V$ અને $E^{0}_{Fe^{2+}/Fe} = -0.44 \ V$ છે.
ઝીંકનો પ્રમાણિત રિડક્શન પોટેન્શિયલ $(SRP)$ લોખંડ કરતા વધુ ઋણ હોવાથી,$Zn$ એનોડ તરીકે કાર્ય કરે છે અને લોખંડને એનોડ બનતા અટકાવીને તેનું રક્ષણ કરે છે.

(C) હાઇડ્રોજન ઇલેક્ટ્રોડ માટે રિડક્શન અર્ધ-પ્રક્રિયા: $2H^{+} + 2e^{-} \longrightarrow H_{2(g)}$
નર્ન્સ્ટ સમીકરણનો ઉપયોગ કરતા: $E_{H^{+}/H_2} = E^{\circ}_{H^{+}/H_2} - \frac{0.0591}{2} \log \frac{P_{H_2}}{[H^{+}]^2}$
અહીં $E^{\circ}_{H^{+}/H_2} = 0 \ V$ અને આપણે $E_{H^{+}/H_2} = 0 \ V$ જોઈએ છે,તેથી:
$0 = 0 - \frac{0.0591}{2} \log \frac{P_{H_2}}{[H^{+}]^2}$
આનો અર્થ છે કે $\log \frac{P_{H_2}}{[H^{+}]^2} = 0$,તેથી $\frac{P_{H_2}}{[H^{+}]^2} = 10^0 = 1$
તેથી,$P_{H_2} = [H^{+}]^2$
$298 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ પાણી માટે,$[H^{+}] = 10^{-7} \ M$
કિંમત મૂકતા: $P_{H_2} = (10^{-7})^2 = 10^{-14} \ atm$

(A) વિઘટન પ્રક્રિયા $PH_3 \xrightarrow{W} P + \frac{3}{2} H_2$ છે.
લેંગમ્યુર અધિશોષણ સમતાપી મુજબ,સપાટીના કવરેજનો અંશ $\theta$ એ $\theta = \frac{kP}{1 + kP}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
ઓછા દબાણે,$kP \ll 1$,તેથી $\theta \approx kP$.
કારણ કે પ્રક્રિયાનો દર સપાટીના કવરેજના પ્રમાણમાં છે $(\text{Rate} \propto \theta)$,ઓછા દબાણે,દર $PH_3$ ના આંશિક દબાણના પ્રમાણમાં બને છે $(\text{Rate} \propto P_{PH_3})$,જે પ્રથમ ક્રમની પ્રક્રિયા સૂચવે છે.

(C) પ્રથમ ક્રમની પ્રક્રિયા માટે,$t$ સમયે વેગ $R = k[A]_t$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $[A]_t = [A]_0 e^{-kt}$.
તેથી,$R_t = R_0 e^{-kt}$.
આપેલ છે: $R_{10} = 0.04 \ mol \ L^{-1} \ s^{-1}$ અને $R_{20} = 0.03 \ mol \ L^{-1} \ s^{-1}$.
ગુણોત્તર લેતા: $\frac{R_{10}}{R_{20}} = e^{10k} = \frac{0.04}{0.03} = 1.333$.
બંને બાજુ પ્રાકૃતિક લઘુગણક લેતા: $10k = \ln(1.333) = 0.2877$.
$k = 0.02877 \ s^{-1}$.
અર્ધ-આયુષ્ય સમય $t_{1/2} = \frac{0.693}{k} = \frac{0.693}{0.02877} \approx 24.1 \ s$.

(B) ઉદ્દીપક એ એવો પદાર્થ છે જે રાસાયણિક પ્રક્રિયામાં પોતે કોઈ કાયમી ફેરફાર પામ્યા વિના પ્રક્રિયાનો વેગ વધારે છે.
તે સક્રિયકરણ ઉર્જા $(E_a)$ ઘટાડીને વૈકલ્પિક પ્રક્રિયા માર્ગ પૂરો પાડે છે.
સ્થિતિ ઉર્જા આલેખમાં દર્શાવ્યા મુજબ,ઉદ્દીપક પ્રક્રિયકો અને નીપજો વચ્ચેનો ઉર્જા અવરોધ ઘટાડે છે,પરંતુ તે પ્રક્રિયકો કે નીપજોની ઉર્જામાં ફેરફાર કરતું નથી,તેથી એન્થાલ્પી ફેરફાર $(\Delta H)$ અપરિવર્તિત રહે છે.

(C) સ્કંદન શક્તિ $\propto \frac{1}{\text{સ્કંદન મૂલ્ય}}$
સ્કંદન મૂલ્ય જેટલું ઓછું,તેટલી વિદ્યુતવિભાજ્યની સ્કંદન શક્તિ વધારે.
આપેલ મૂલ્યો:
$I (NaCl) = 52$
$II (BaCl_2) = 0.69$
$III (MgSO_4) = 0.22$
મૂલ્યોની સરખામણી કરતા: $0.22 < 0.69 < 52$
તેથી,સ્કંદન શક્તિનો સાચો ક્રમ: $III > II > I$ છે.

(C) ધુમ્મસ એ વાયુમાં પ્રવાહીનું કલિલ દ્રાવણ છે,જેમાં પ્રવાહી એ વિક્ષિપ્ત કલા છે અને વાયુ એ વિક્ષેપન માધ્યમ છે.

(D) અધિશોષણ એ સ્વયંભૂ પ્રક્રિયા છે જે ઉર્જાના મુક્ત થવા અને પદાર્થની એન્ટ્રોપીમાં ઘટાડા સાથે થાય છે.
સ્વયંભૂ પ્રક્રિયા માટે,ગિબ્સ મુક્ત ઉર્જાનો ફેરફાર,$\Delta G$,ઋણ હોવો જોઈએ.
સંબંધ $\Delta G = \Delta H - T \Delta S$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
પ્રક્રિયા ઉષ્માક્ષેપક હોવાથી,એન્થાલ્પી ફેરફાર,$\Delta H$,ઋણ હોય છે.
જેમ અણુઓ સપાટી પર અધિશોષિત થાય છે,તેમ તેમની અવ્યવસ્થિતતા ઘટે છે,એટલે કે એન્ટ્રોપી ફેરફાર,$\Delta S$,પણ ઋણ હોય છે.

(C) સાયનાઇડ પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ $Au$ અને $Ag$ ના નિષ્કર્ષણ માટે થાય છે $(A-iv)$.
ફીણ પ્લવન પદ્ધતિનો ઉપયોગ $ZnS$ જેવી સલ્ફાઇડ અયસ્કને સાંદ્ર કરવા માટે થાય છે $(B-ii)$.
વિદ્યુતવિભાજનીય રિડક્શનનો ઉપયોગ $Al$ ના નિષ્કર્ષણ માટે થાય છે $(C-iii)$.
ઝોન રિફાઇનિંગનો ઉપયોગ અતિશુદ્ધ $Ge$ મેળવવા માટે થાય છે $(D-i)$.
તેથી,સાચી જોડ $A-iv, B-ii, C-iii, D-i$ છે.

(A) ફોસ્ફરસના ઓક્સોએસિડની બેઝિકતા તેની રચનામાં હાજર $P-OH$ જૂથોની સંખ્યા દ્વારા નક્કી કરવામાં આવે છે.
ફોસ્ફિનિક એસિડ $(H_3PO_2)$ માં એક $P-OH$ જૂથ હોય છે,જે તેને મોનોપ્રોટિક એસિડ બનાવે છે.
ફોસ્ફોનિક એસિડ $(H_3PO_3)$ માં બે $P-OH$ જૂથો હોય છે,જે તેને ડાયપ્રોટિક એસિડ બનાવે છે.
તેથી,સાચું વિધાન એ છે કે ફોસ્ફિનિક એસિડ એ મોનોપ્રોટિક એસિડ છે જ્યારે ફોસ્ફોનિક એસિડ એ ડાયપ્રોટિક એસિડ છે.

(D) હેલોજન અણુઓ માટે બંધ વિયોજન એન્થાલ્પીનો સાચો ક્રમ $Cl_2 > Br_2 > F_2 > I_2$ છે.
સામાન્ય રીતે સમૂહમાં નીચે તરફ જતાં પરમાણુ કદ વધવાને કારણે બંધ વિયોજન ઉર્જા ઘટે છે,પરંતુ $F_2$ એક અપવાદ છે.
$F_2$ માં,ફ્લોરિન પરમાણુઓનું કદ નાનું હોવાથી બે પરમાણુઓના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મો વચ્ચે પ્રબળ આંતર-ઇલેક્ટ્રોનિક અપાકર્ષણ થાય છે,જે $F-F$ બંધને નોંધપાત્ર રીતે નબળો પાડે છે.
તેથી,$F_2$ ની બંધ વિયોજન એન્થાલ્પી $Cl_2$ અને $Br_2$ કરતા ઓછી હોય છે.

(D) ક્લોરિનના ઓક્સોએસિડની એસિડિક પ્રબળતા મધ્યસ્થ ક્લોરિન પરમાણુના ઓક્સિડેશન આંકમાં વધારા સાથે વધે છે.
આપેલ એસિડમાં $Cl$ ના ઓક્સિડેશન આંક નીચે મુજબ છે:
$HClO: +1$
$HClO_2: +3$
$HClO_3: +5$
$HClO_4: +7$
એસિડિક પ્રબળતા ઓક્સિડેશન આંકના સમપ્રમાણમાં હોવાથી,સાચો ક્રમ $HClO < HClO_2 < HClO_3 < HClO_4$ છે.

(C) લેન્થેનોઇડ શ્રેણીના શરૂઆતના સભ્યો $Ca$ ની જેમ ખૂબ જ સક્રિય હોય છે. પરંતુ,પરમાણુ ક્રમાંક વધવાની સાથે,તેમની સક્રિયતા ઘટે છે અને તેઓ $Al$ જેવું વર્તન કરે છે. તેથી,એ વિધાન કે બધા લેન્થેનોન્સ $Al$ કરતા વધુ સક્રિય છે,તે ખોટું છે.

(B) જ્યારે $SO_2$ વાયુને એસિડિક $K_2Cr_2O_7$ ના દ્રાવણમાંથી પસાર કરવામાં આવે છે,ત્યારે તે રિડક્શનકર્તા તરીકે વર્તે છે અને $Cr(VI)$ નું $Cr(III)$ માં રિડક્શન કરે છે.
સંતુલિત રાસાયણિક સમીકરણ: $K_2Cr_2O_7 + H_2SO_4 + 3SO_2 \longrightarrow K_2SO_4 + Cr_2(SO_4)_3 + H_2O$.
$Cr_2(SO_4)_3$ ના નિર્માણને કારણે દ્રાવણનો રંગ લીલો થાય છે.

(B) લેન્થેનોઇડ્સની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના સામાન્ય ભાત $[Xe] \, 4f^{n} \, 5d^{0-1} \, 6s^2$ ને અનુસરે છે.
$Eu$ $(Z=63)$ માટે: ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $[Xe] \, 4f^7 \, 6s^2$ છે.
$Gd$ $(Z=64)$ માટે: ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $[Xe] \, 4f^7 \, 5d^1 \, 6s^2$ છે (અર્ધ-ભરાયેલી $f$-કક્ષકની સ્થિરતાને કારણે).
$Tb$ $(Z=65)$ માટે: ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $[Xe] \, 4f^9 \, 6s^2$ છે.
આમ,સાચો વિકલ્પ $B$ છે.

(B) ટ્રાન્સ-ઇફેક્ટ એ ટ્રાન્સ સ્થાન પર જોડાયેલા લિગાન્ડ્સના વિસ્થાપન દર પર સંકલિત લિગાન્ડની અસર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. આપેલ સ્પીસીઝ માટે ટ્રાન્સ-ઇફેક્ટનો પ્રાયોગિક ક્રમ $NH_3 < Br^{-} < C_6H_5^{-} < CN^{-}$ છે.
આમ,સાચો વધતો ક્રમ $NH_3 < Br^{-} < C_6H_5^{-} < CN^{-}$ છે.

(B) જાન-ટેલર અસર એ ભૌમિતિક વિકૃતિ છે જે અષ્ટફલકીય સંકીર્ણોની $e_g$ અથવા $t_{2g}$ કક્ષકોમાં અસમપ્રમાણ ઇલેક્ટ્રોનિક ગોઠવણી ધરાવતા અણુઓમાં જોવા મળે છે.
ઉચ્ચ સ્પિન સંકીર્ણો માટે:
- $d^4$ ગોઠવણી $t_{2g}^3 e_g^1$ છે (અસમપ્રમાણ).
- $d^7$ ગોઠવણી $t_{2g}^5 e_g^2$ છે (અસમપ્રમાણ).
- $d^9$ ગોઠવણી $t_{2g}^6 e_g^3$ છે (અસમપ્રમાણ).
- $d^8$ ગોઠવણી $t_{2g}^6 e_g^2$ છે (સમપ્રમાણ).
$d^8$ ઉચ્ચ સ્પિન સંકીર્ણ સમપ્રમાણ ઇલેક્ટ્રોનિક ગોઠવણી ધરાવતું હોવાથી,તે જાન-ટેલર વિકૃતિ દર્શાવતું નથી.

(A) મેટલ કાર્બોનિલ સંકીર્ણોમાં,ધાતુ-કાર્બન બંધ $CO$ માંથી ધાતુ તરફ ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મના દાન દ્વારા બને છે,અને ધાતુની $d$-કક્ષકોમાંથી $CO$ ની ખાલી $\pi^*$ એન્ટિબોન્ડિંગ કક્ષકોમાં બેક-બોન્ડિંગ થાય છે.
જેમ મેટલ કાર્બોનિલ સંકીર્ણ પરનો ઋણ વીજભાર વધે છે,તેમ ધાતુ પર ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે,જે $CO$ ની $\pi^*$ એન્ટિબોન્ડિંગ કક્ષકોમાં ઇલેક્ટ્રોનનું બેક-ડોનેશન વધારે છે.
આ એન્ટિબોન્ડિંગ કક્ષકોમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વધારે છે,જે $C-O$ બંધને નબળો પાડે છે અને તેની બંધ લંબાઈ વધારે છે.
સંકીર્ણોની સરખામણી કરતા:
$1. [Mn(CO)_6]^+$: ધાતુ પર ધન વીજભાર,સૌથી ઓછું બેક-બોન્ડિંગ.
$2. [Ni(CO)_4]$: તટસ્થ સંકીર્ણ.
$3. [Co(CO)_4]^-$: ઋણ વીજભાર,વધુ બેક-બોન્ડિંગ.
$4. [Fe(CO)_4]^{2-}$: સૌથી વધુ ઋણ વીજભાર,મહત્તમ બેક-બોન્ડિંગ.
તેથી,$[Fe(CO)_4]^{2-}$ માં $C-O$ બંધ લંબાઈ સૌથી વધુ છે. ક્રમ: $[Mn(CO)_6]^+ < [Ni(CO)_4] < [Co(CO)_4]^- < [Fe(CO)_4]^{2-}$.

(C) પ્રક્રિયા $CH_3CH_2CH_2Br + NaCN \to CH_3CH_2CH_2CN + NaBr$ એ $S_N2$ ક્રિયાવિધિને અનુસરે છે.
$S_N2$ પ્રક્રિયાઓ ધ્રુવીય એપ્રોટિક દ્રાવકોમાં વધુ ઝડપી હોય છે કારણ કે આ દ્રાવકો ન્યુક્લિયોફાઇલ $(CN^-)$ ને હાઇડ્રોજન બોન્ડિંગ દ્વારા સોલ્વેટ કરતા નથી,જેનાથી ન્યુક્લિયોફાઇલની સક્રિયતા જળવાઈ રહે છે.
આપેલા વિકલ્પોમાંથી,$N, N'-$ડાયમિથાઇલફોર્મામાઇડ $(DMF)$ એ ધ્રુવીય એપ્રોટિક દ્રાવક છે,જ્યારે ઇથેનોલ,મિથેનોલ અને પાણી એ ધ્રુવીય પ્રોટિક દ્રાવકો છે.
તેથી,આ પ્રક્રિયા $DMF$ માં સૌથી ઝડપી થશે.

(C) આપેલ પ્રક્રિયામાં આલ્કોક્સાઈડ આયન અને આલ્કાઈલ હેલાઈડમાંથી ઈથરનું નિર્માણ થાય છે.
પ્રથમ,સાયક્લોપેન્ટેનોલ $NaH$ સાથે પ્રક્રિયા કરીને સોડિયમ સાયક્લોપેન્ટોક્સાઈડ બનાવે છે.
ત્યારબાદ,સોડિયમ સાયક્લોપેન્ટોક્સાઈડ $S_N2$ ક્રિયાવિધિ દ્વારા મિથાઈલ આયોડાઈડ $(Me-I)$ સાથે પ્રક્રિયા કરીને મિથાઈલ સાયક્લોપેન્ટાઈલ ઈથર બનાવે છે.
આ વિલિયમસન ઈથર સંશ્લેષણ પ્રક્રિયાનું એક ઉત્તમ ઉદાહરણ છે,જેનું સામાન્ય સમીકરણ: $R-X + R'-ONa \longrightarrow R-O-R' + NaX$ છે.

(B) કાર્બોક્સિલિક એસિડની એસિડિકતા પ્રોટોન ગુમાવ્યા પછી બનતા કાર્બોક્સિલેટ આયનની સ્થિરતા દ્વારા નક્કી થાય છે. ઇલેક્ટ્રોન-આકર્ષક સમૂહો ($-I$ અસર) કાર્બોક્સિલેટ આયનને સ્થિર કરે છે અને એસિડિકતા વધારે છે.
સંયોજન $I$ માં,કોઈ ઇલેક્ટ્રોન-આકર્ષક સમૂહ નથી.
સંયોજન $II$ માં,ઓક્સિજન પરમાણુ $-COOH$ સમૂહની સાપેક્ષમાં $\beta$-સ્થાન પર છે.
સંયોજન $III$ માં,ઓક્સિજન પરમાણુ $-COOH$ સમૂહની સાપેક્ષમાં $\gamma$-સ્થાન પર છે.
$-I$ અસર અંતર સાથે ઘટે છે. કારણ કે $II$ માં ઓક્સિજન પરમાણુ $III$ કરતા $-COOH$ સમૂહની નજીક છે,તેથી $II$ માં $-I$ અસર $III$ કરતા વધુ મજબૂત છે.
તેથી,એસિડિકતાનો ક્રમ $II > III > I$ છે.

(C) $cis$-સાયક્લોપેન્ટા-$1,2$-ડાયોલ એસીટોન સાથે પ્રક્રિયા કરીને એસીટોનાઈડ (ચક્રીય કીટલ) બનાવે છે કારણ કે બંને હાઈડ્રોક્સિલ સમૂહો વલયની એક જ બાજુએ હોય છે,જે સ્થાયી પાંચ-સભ્ય વલય રચના બનાવવાની મંજૂરી આપે છે.
$trans$-સાયક્લોપેન્ટા-$1,2$-ડાયોલ એસીટોન સાથે આ ચક્રીય કીટલ બનાવી શકતું નથી કારણ કે હાઈડ્રોક્સિલ સમૂહો વલયની વિરુદ્ધ બાજુએ હોય છે,જે જરૂરી ચક્રીય રચના બનાવવાનું ભૌમિતિક રીતે અશક્ય બનાવે છે.
તેથી,એસીટોન આ બે આઈસોમર્સ વચ્ચે તફાવત કરવા માટેના પ્રક્રિયક તરીકે કાર્ય કરે છે.

(B) ઓછામાં ઓછો એક $\alpha-$હાઇડ્રોજન પરમાણુ ધરાવતા કાર્બોનિલ સંયોજનો $\alpha-$હાઇડ્રોજનની એસિડિક પ્રકૃતિને કારણે ટોટોમેરિઝમ દર્શાવે છે. $\alpha-$હાઇડ્રોજન પરમાણુ કાર્બોનિલ ઓક્સિજન પરમાણુ પર સ્થળાંતર કરે છે,જેના પરિણામે કીટો સ્વરૂપ અને ઇનોલ સ્વરૂપ વચ્ચે સંતુલન સ્થપાય છે. આ ઘટનાને ખાસ કરીને કીટો-ઇનોલ ટોટોમેરિઝમ તરીકે ઓળખવામાં આવે છે.

(C) નાઈટ્રો સંયોજનોની નાઈટ્રસ એસિડ $(HNO_2)$ સાથેની પ્રક્રિયા $\alpha$-હાઈડ્રોજન પરમાણુઓની હાજરી પર આધાર રાખે છે.
$1^o$ નાઈટ્રો સંયોજનો (બે $\alpha$-હાઈડ્રોજન ધરાવતા) $HNO_2$ સાથે પ્રક્રિયા કરીને નાઈટ્રોલિક એસિડ બનાવે છે,જે $NaOH$ માં ઓગળીને લાલ દ્રાવણ આપે છે.
$2^o$ નાઈટ્રો સંયોજનો (એક $\alpha$-હાઈડ્રોજન ધરાવતા) $HNO_2$ સાથે પ્રક્રિયા કરીને સ્યુડોનાઈટ્રોલ્સ બનાવે છે,જે $NaOH$ માં ઓગળીને વાદળી દ્રાવણ આપે છે.
$3^o$ નાઈટ્રો સંયોજનોમાં કોઈ $\alpha$-હાઈડ્રોજન પરમાણુ હોતા નથી,તેથી તેઓ નાઈટ્રસ એસિડ સાથે પ્રક્રિયા કરતા નથી.
આપેલા વિકલ્પોમાં:
$(A)$ $CH_3CH_2CH_2NO_2$ એ $1^o$ નાઈટ્રો સંયોજન છે.
$(B)$ $(CH_3)_2CHCH_2NO_2$ એ $1^o$ નાઈટ્રો સંયોજન છે.
$(C)$ $(CH_3)_3CNO_2$ એ $3^o$ નાઈટ્રો સંયોજન છે જેમાં કોઈ $\alpha$-હાઈડ્રોજન નથી.
$(D)$ $CH_3C(=O)CH(CH_3)NO_2$ એ $2^o$ નાઈટ્રો સંયોજન છે.
આમ,$(CH_3)_3CNO_2$ નાઈટ્રસ એસિડ સાથે પ્રક્રિયા કરતું નથી.

(B) પ્રક્રિયાનો ક્રમ નીચે મુજબ છે:
$1$. સંયોજન $A$ એ $Sn/HCl$ (રિડક્શનકર્તા) સાથે પ્રક્રિયા કરીને એમાઈન બનાવે છે. આ સૂચવે છે કે $A$ એ નાઈટ્રો સંયોજન છે,ખાસ કરીને નાઈટ્રોબેન્ઝીન $(C_6H_5NO_2)$.
$2$. નાઈટ્રોબેન્ઝીન $(C_6H_5NO_2)$ નું રિડક્શન થઈને એનિલીન $(C_6H_5NH_2)$ બને છે.
$3$. એનિલીન $0-5^{\circ}C$ તાપમાને $HNO_2$ (નાઈટ્રસ એસિડ) સાથે પ્રક્રિયા કરીને બેન્ઝીન ડાયઝોનિયમ ક્લોરાઈડ $(C_6H_5N_2^+Cl^-)$ બનાવે છે,જે અસ્થિર સંયોજન $B$ છે.
$4$. બેન્ઝીન ડાયઝોનિયમ ક્લોરાઈડ $(B)$ બેઝિક માધ્યમમાં ફીનોલ $(C_6H_5OH)$ સાથે કપલિંગ પ્રક્રિયા કરીને $p$-હાઈડ્રોક્સીએઝોબેન્ઝીન $(C_6H_5-N=N-C_6H_4OH)$ બનાવે છે,જે $C_{12}H_{10}N_2O$ આણ્વીય સૂત્ર ધરાવતું રંગીન સંયોજન $C$ છે.
તેથી,સંયોજન $A$ એ નાઈટ્રોબેન્ઝીન છે.

(C) એરીલામાઈન્સમાં,નાઈટ્રોજન પરમાણુ પરના અબંધકારક ઈલેક્ટ્રોન યુગ્મ એરોમેટિક વલય સાથે સંસ્પંદન (resonance) માં ભાગ લે છે.
આ વિસ્થાનિકરણને કારણે અબંધકારક ઈલેક્ટ્રોન યુગ્મ પ્રોટોનેશન માટે ઓછા ઉપલબ્ધ બને છે,જેનાથી આલ્કીલામાઈન્સની તુલનામાં એરીલામાઈન્સની બેઝિકતા ઘટે છે,જ્યાં આલ્કીલ સમૂહ $+I$ અસર દ્વારા નાઈટ્રોજન પર ઈલેક્ટ્રોન ઘનતા વધારે છે.

(C) આલ્ડિહાઈડ અને પ્રાથમિક એમાઈન વચ્ચેની પ્રક્રિયા ન્યુક્લિયોફિલિક યોગશીલ-વિલોપન પ્રક્રિયા છે.
સામાન્ય પ્રક્રિયા આ મુજબ છે: $R-CHO + R'-NH_2 \rightarrow R-CH=N-R' + H_2O$.
બનતી નીપજને શિફ બેઝ (Schiff's base) અથવા ઈમાઈન તરીકે ઓળખવામાં આવે છે.

(C) આણ્વિક જીવવિજ્ઞાનનો સેન્ટ્રલ ડોગ્મા જૈવિક પ્રણાલીમાં આનુવંશિક માહિતીના પ્રવાહનું વર્ણન કરે છે.
તે જણાવે છે કે આનુવંશિક માહિતી $DNA$ થી $RNA$ અને પછી પ્રોટીન તરફ વહે છે.
આ પ્રક્રિયા નીચે મુજબ દર્શાવવામાં આવે છે: $DNA$ $\xrightarrow{\text{Transcription}} RNA$ $\xrightarrow{\text{Translation}} \text{Protein}$.

(D) ફિશર પ્રોજેક્શનમાં,$D/L$ વિન્યાસ એલ્ડીહાઈડ સમૂહથી સૌથી દૂર રહેલા કાઈરલ કાર્બન પરના $-OH$ સમૂહ દ્વારા નક્કી કરવામાં આવે છે.
જો $-OH$ જમણી બાજુ હોય,તો તે $D$ છે; જો ડાબી બાજુ હોય,તો તે $L$ છે.
$(1)$ $D$-erythrose: બંને $-OH$ સમૂહ એક જ બાજુ (જમણી) છે.
$(2)$ $D$-threose: $-OH$ સમૂહ વિરુદ્ધ બાજુએ છે,જેમાં નીચેનો $-OH$ જમણી બાજુ છે.
$(3)$ $L$-erythrose: બંને $-OH$ સમૂહ એક જ બાજુ (ડાબી) છે.
$(4)$ $L$-threose: $-OH$ સમૂહ વિરુદ્ધ બાજુએ છે,જેમાં નીચેનો $-OH$ ડાબી બાજુ છે.
આમ,સાચો ક્રમ $D$-erythrose,$D$-threose,$L$-erythrose,$L$-threose છે.

(D) $RNA$ (રાઈબોન્યુક્લીક એસિડ) માં $\beta-D-ribose$ શર્કરા હોય છે.
$DNA$ (ડીઓક્સિરાઈબોન્યુક્લીક એસિડ) માં $\beta-D-2'-deoxyribose$ શર્કરા હોય છે.
તેથી,સાચું વિધાન એ છે કે $RNA$ માં શર્કરાનો ઘટક રાઈબોઝ છે અને $DNA$ માં શર્કરાનો ઘટક $2'-$ડીઓક્સિરાઈબોઝ છે.

(A) પેપ્ટાઈડ બંધ એ એક એમાઈડ બંધ $(-CONH-)$ છે જે એક એમિનો એસિડના કાર્બોક્સિલ સમૂહ $(-COOH)$ અને બીજા એમિનો એસિડના એમિનો સમૂહ $(-NH_2)$ વચ્ચે પાણીના અણુ $(H_2O)$ ના દૂર થવાથી થતી સંઘનન પ્રક્રિયા દ્વારા બને છે.
આ જોડાણ પ્રોટીનની પ્રાથમિક રચના માટે જવાબદાર છે.

(B) સુક્રોઝ એ બિન-રિડક્શનકર્તા શર્કરા છે કારણ કે તેમાં મુક્ત $-CHO$ અથવા કીટોનિક સમૂહ હોતો નથી.

(D) નાયલોન $6, 6$ એ એડિપિક એસિડ $(HOOC-(CH_2)_4-COOH)$ અને હેક્ઝામિથિલીન ડાયએમાઈન $(H_2N-(CH_2)_6-NH_2)$ ના સંઘનન પોલિમરાઈઝેશન દ્વારા બને છે.
આ પ્રક્રિયામાં પાણીના અણુઓ દૂર થાય છે અને એમાઈડ બંધ $(CONH)$ બને છે.
તેથી,નાયલોન $6, 6$ ની સાચી રચના $[-CO-(CH_2)_4-CO-NH-(CH_2)_6-NH-]_n$ છે.

(C) કુદરતી રબર એ આઇસોપ્રીન $(2-methyl-1,3-butadiene)$ નો રેખીય પોલિમર છે.
કુદરતી રબરમાં,દ્વિબંધ $cis-$ ગોઠવણીમાં હોય છે,જેનો અર્થ છે કે મોટા સમૂહો દ્વિબંધની એક જ બાજુએ હોય છે.
આ $cis-$ ગોઠવણી કુદરતી રબરને તેના સ્થિતિસ્થાપક ગુણધર્મો આપે છે.
તેથી,કુદરતી રબરમાં બધી $cis-$ ગોઠવણી હોય છે.

(C) $Novalgin$ (ડિપાયરોન) એ એક બિન-માદક એનાલજેસિક છે જેનો ઉપયોગ પીડાશામક તરીકે થાય છે.
$Penicillin$ એ ચેપની સારવાર માટે વપરાતી એન્ટિબાયોટિક છે.
$Streptomycin$ એ એક એન્ટિબાયોટિક દવા છે.
$Chloromycetin$ એ એક એન્ટિબાયોટિક દવા છે.