AIIMS 2019 Chemistry Question Paper with Answer and Solution in Gujarati

(C) બ્લોકને દીવાલ પર સંતુલનમાં રાખવા માટે,ઉર્ધ્વ બળો અને ક્ષિતિજ સમાંતર બળો સંતુલિત હોવા જોઈએ.
$1$. ઉર્ધ્વ સંતુલન: ઉપરની તરફ લાગતું ઘર્ષણ બળ $f$ એ બ્લોકના નીચેની તરફ લાગતા વજન $W$ ને સંતુલિત કરવું જોઈએ.
$f = W$
$2$. ક્ષિતિજ સમાંતર સંતુલન: લાગુ પાડવામાં આવેલ આડું બળ $F$ એ દીવાલ દ્વારા લાગતી લંબ પ્રતિક્રિયા $R$ દ્વારા સંતુલિત થવું જોઈએ.
$R = F$
$3$. ઘર્ષણની શરત: મહત્તમ સ્થિત ઘર્ષણ બળ $f_{max} = \mu R$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $\mu$ એ સ્થિત ઘર્ષણાંક છે. બ્લોકને પકડી રાખવા માટે,આપણે $f \leq \mu R$ ની જરૂર છે.
પગલાં $1$ અને $2$ ની કિંમતો મૂકતા:
$W \leq \mu F$
$F \geq \frac{W}{\mu}$
મોટાભાગની સપાટીઓ માટે સ્થિત ઘર્ષણાંક $\mu$ નું મૂલ્ય $1$ કરતા ઓછું $(\mu < 1)$ હોવાથી,તે સાબિત થાય છે કે $F > W$.
તેથી,જરૂરી લઘુત્તમ બળ $F = \frac{W}{\mu}$ છે,જે $W$ કરતા વધારે છે.

(A) જ્યારે કોઈ પદાર્થ ઢળતા સમતલ પર અચળ વેગથી નીચે સરકે છે,ત્યારે પદાર્થ પર લાગતું પરિણામી બળ શૂન્ય હોય છે.
આનો અર્થ એ છે કે સમતલની નીચેની દિશામાં લાગતું ગુરુત્વાકર્ષણ બળનું ઘટક ગતિજ ઘર્ષણ બળ દ્વારા સંતુલિત થાય છે.
સમતલની નીચેની દિશામાં લાગતું વજનનું ઘટક $mg \sin \theta$ છે.
ગતિજ ઘર્ષણ બળ $f_k = \mu_k N = \mu_k mg \cos \theta$ છે.
આ બંને બળોને સરખાવતા: $mg \sin \theta = \mu_k mg \cos \theta$.
તેથી,$\mu_k = \frac{\sin \theta}{\cos \theta} = \tan \theta$.
અહીં $\theta = 30^\circ$ આપેલ હોવાથી,$\mu_k = \tan 30^\circ = \frac{1}{\sqrt{3}}$ થાય.

(B) $L$ લંબાઈ અને $r$ ત્રિજ્યા ધરાવતા સળિયા માટે,જ્યારે તેને $\theta$ ખૂણે વળ આપવામાં આવે ત્યારે ઉદ્ભવતી શીયર સ્ટ્રેન $\phi$ નીચેના સંબંધ દ્વારા મળે છે:
$r\theta = L\phi$
આપેલ છે:
લંબાઈ $L = 2 \ m$
ત્રિજ્યા $r = 1 \ cm = 10^{-2} \ m$
વળનો ખૂણો $\theta = 0.8 \ radians$
સૂત્રમાં કિંમતો મૂકતા:
$10^{-2} \times 0.8 = 2 \times \phi$
$0.008 = 2 \times \phi$
$\phi = \frac{0.008}{2} = 0.004$
આમ,ઉદ્ભવતી શીયર સ્ટ્રેન $0.004$ છે.

(A) પરમાણુ રિએક્ટરમાં,પરમાણુ વિખંડન (nuclear fission) એક સતત અને નિયંત્રિત શૃંખલા પ્રક્રિયા દ્વારા કરવામાં આવે છે.
પરમાણુ બોમ્બમાં,શૃંખલા પ્રક્રિયા અનિયંત્રિત હોય છે.
સૂર્યનું કેન્દ્ર પરમાણુ સંલયન (nuclear fusion) પર કાર્ય કરે છે,વિખંડન પર નહીં.
તેથી,સાચો વિકલ્પ $A$ છે.

(A) લેવિગેશન (જેને હાઇડ્રોલિક વોશિંગ અથવા ગુરુત્વાકર્ષણ અલગીકરણ તરીકે પણ ઓળખવામાં આવે છે) તે ધાતુના અયસ્ક અને ગેંગના કણોની ઘનતાના તફાવત પર આધારિત છે.
દળેલા અયસ્કને વહેતા પાણીના પ્રવાહ સાથે પ્રક્રિયા કરવામાં આવે છે,જ્યાં હલકા ગેંગના કણો ધોવાઈ જાય છે અને ભારે અયસ્કના કણો પાછળ રહી જાય છે.

(A) $KSH$ સાથે કાઈરલ આલ્કાઈલ આયોડાઈડની પ્રક્રિયા $S_N2$ ક્રિયાવિધિ દ્વારા થાય છે.
$S_N2$ પ્રક્રિયામાં,ન્યુક્લિયોફાઈલ $(SH^-)$ લિવિંગ ગ્રુપ $(I^-)$ ની વિરુદ્ધ બાજુથી હુમલો કરે છે,જેના પરિણામે કાઈરલ કેન્દ્ર પર વિન્યાસનું વ્યુત્ક્રમણ (Walden inversion) થાય છે.
આપેલ ફિશર પ્રોજેક્શનમાં,$I$ પરમાણુ ઉપર છે. $SH^-$ ન્યુક્લિયોફાઈલ $I$ પરમાણુનું સ્થાન લેશે અને કાઈરલ કાર્બન પર વિન્યાસ ઉલટાઈ જશે.
વિકલ્પોની સરખામણી કરતા,વિકલ્પ $A$ એ નીપજ દર્શાવે છે જ્યાં $SH$ સમૂહે યોગ્ય સ્ટીરિયોકેમિકલ વ્યુત્ક્રમણ સાથે $I$ સમૂહનું સ્થાન લીધું છે.

(B) $1$. શરૂઆતનો પદાર્થ સાયક્લોહેક્સેનોલ છે. $PCC$ (પિરિડિનિયમ ક્લોરોક્રોમેટ) સાથે પ્રક્રિયા કરવાથી દ્વિતીયક આલ્કોહોલનું ઓક્સિડેશન સાયક્લોહેક્સેનોનમાં થાય છે,જે નીપજ $(A)$ છે.
$2$. સાયક્લોહેક્સેનોન મંદ $NaOH$ અને ગરમીની હાજરીમાં સ્વયં-આલ્ડોલ સંઘનન પ્રક્રિયા અનુભવે છે. એક સાયક્લોહેક્સેનોન અણુનો એનોલેટ બીજા સાયક્લોહેક્સેનોન અણુના કાર્બોનિલ કાર્બન પર હુમલો કરે છે.
$3$. ત્યારબાદ નિર્જલીકરણ (પાણીનો અણુ દૂર થવો) દ્વારા $\alpha,\beta$-અસંતૃપ્ત કીટોન બને છે,જે $2$-સાયક્લોહેક્સિલિડીનસાયક્લોહેક્સેનોન છે,જેને નીપજ $(B)$ તરીકે દર્શાવવામાં આવે છે.

(C) એસિડિક માધ્યમમાં ઘટકોના ઓક્સિડેશન માટે $n$-ફેક્ટર નીચે મુજબ છે:
$FeSO_4 \rightarrow Fe^{3+} + SO_4^{2-} + e^-$,તેથી $n$-ફેક્ટર $= 1$.
$FeC_2O_4 \rightarrow Fe^{3+} + 2CO_2 + 3e^-$,તેથી $n$-ફેક્ટર $= 3$.
$Fe_2(C_2O_4)_3 \rightarrow 2Fe^{3+} + 6CO_2 + 6e^-$,તેથી $n$-ફેક્ટર $= 6$.
$Fe_2(SO_4)_3$ પહેલેથી જ મહત્તમ ઓક્સિડેશન અવસ્થા $(Fe^{3+})$ માં છે,તેથી તે પ્રક્રિયા કરતું નથી.
એસિડિક માધ્યમમાં $KMnO_4$ માટે $n$-ફેક્ટર $5$ છે.
તુલ્યતાના સિદ્ધાંતનો ઉપયોગ કરતા: $n_{eq}(KMnO_4) = n_{eq}(FeC_2O_4) + n_{eq}(Fe_2(C_2O_4)_3) + n_{eq}(FeSO_4)$.
ધારો કે $KMnO_4$ ના મોલ $x$ છે: $x \times 5 = (1 \times 3) + (1 \times 6) + (1 \times 1)$.
$5x = 10$,જે $x = 2$ મોલ આપે છે.

(A) વાસ્તવિક વિસ્તરણ,આભાસી વિસ્તરણ અને પાત્રના વિસ્તરણ વચ્ચેનો સંબંધ છે: $\gamma_{real} = \gamma_{app} + \gamma_{vessel}$.
પારાનો વાસ્તવિક વિસ્તરણ ગુણાંક $(\gamma_{real})$ અચળ હોવાથી: $(\gamma_{app} + \gamma_{vessel})_{glass} = (\gamma_{app} + \gamma_{vessel})_{steel}$.
આપેલ છે કે $\gamma_{app, glass} = 153 \times 10^{-6}/^{\circ}C$ અને $\gamma_{app, steel} = 144 \times 10^{-6}/^{\circ}C$.
ઘન પાત્ર માટે,કદ વિસ્તરણ ગુણાંક $\gamma_{vessel} = 3\alpha$ છે.
સ્ટીલ માટે,$\gamma_{vessel, steel} = 3 \times (12 \times 10^{-6}) = 36 \times 10^{-6}/^{\circ}C$.
આ કિંમતોને સમીકરણમાં મૂકતા: $153 \times 10^{-6} + \gamma_{vessel, glass} = 144 \times 10^{-6} + 36 \times 10^{-6}$.
$153 \times 10^{-6} + \gamma_{vessel, glass} = 180 \times 10^{-6}$.
$\gamma_{vessel, glass} = (180 - 153) \times 10^{-6} = 27 \times 10^{-6}/^{\circ}C$.
કારણ કે $\gamma_{vessel, glass} = 3\alpha_{glass}$,તેથી $3\alpha_{glass} = 27 \times 10^{-6}/^{\circ}C$.
આમ,$\alpha_{glass} = 9 \times 10^{-6}/^{\circ}C$.

(A) $S-S$ બંધ લંબાઈ નક્કી કરવા માટે,આપણે દરેક ઓક્સિએનાયનમાં સલ્ફર પરમાણુઓના સંકરણનું વિશ્લેષણ કરીએ છીએ.
$(I)$ $S_2O_4^{2-}$ માં,દરેક સલ્ફર પરમાણુ એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ સાથે $sp^3$ સંકરણ ધરાવે છે.
$(II)$ $S_2O_5^{2-}$ માં,એક સલ્ફર $sp^3$ સંકરણ (અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ સાથે) અને બીજો સલ્ફર $sp^3$ સંકરણ (અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ વગર) ધરાવે છે.
$(III)$ $S_2O_6^{2-}$ માં,બંને સલ્ફર પરમાણુઓ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ વગર $sp^3$ સંકરણ ધરાવે છે.
બેન્ટના નિયમ મુજબ,જેમ સલ્ફર પરમાણુ પર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની સંખ્યા વધે છે,તેમ સંકર કક્ષકમાં $p$-લક્ષણ વધે છે,જેનાથી બંધ લંબાઈ વધે છે.
આથી,$S-S$ બંધ લંબાઈનો ક્રમ $I > II > III$ છે.

(A) પારાના વાસ્તવિક વિસ્તરણનો ગુણાંક $(\gamma_{\text{real}})$ બંને કિસ્સાઓ માટે સમાન રહે છે.
આપણે જાણીએ છીએ કે $\gamma_{\text{real}} = \gamma_{\text{app}} + \gamma_{\text{vessel}}$,જ્યાં $\gamma_{\text{vessel}} = 3\alpha$.
સ્ટીલના પાત્ર માટે: $\gamma_{\text{real}} = 144 \times 10^{-6} + 3(12 \times 10^{-6}) = 144 \times 10^{-6} + 36 \times 10^{-6} = 180 \times 10^{-6}/^{\circ}C$.
કાચના પાત્ર માટે: $\gamma_{\text{real}} = \gamma_{\text{app, glass}} + 3\alpha_{\text{glass}}$.
બંનેને સરખાવતા: $180 \times 10^{-6} = 153 \times 10^{-6} + 3\alpha_{\text{glass}}$.
$3\alpha_{\text{glass}} = (180 - 153) \times 10^{-6} = 27 \times 10^{-6}/^{\circ}C$.
$\alpha_{\text{glass}} = 9 \times 10^{-6}/^{\circ}C$.

(D) સાંકળ-વૃદ્ધિ પોલિમર દ્વિબંધ અથવા ત્રિબંધ ધરાવતા મોનોમર્સના યોગશીલ પોલિમરાઈઝેશન દ્વારા બને છે.
નિયોપ્રિન,Buna-$S$ અને $PMMA$ (પોલીમિથાઈલ મેથાક્રાયલેટ) એ યોગશીલ પોલિમર છે જે સાંકળ-વૃદ્ધિ પોલિમરાઈઝેશન દ્વારા બને છે.
ગ્લીપ્ટાલ એ ઇથિલીન ગ્લાયકોલ અને થેલિક એસિડના સંઘનન પોલિમરાઈઝેશન દ્વારા બનતો પોલિએસ્ટર છે.
તેથી,ગ્લીપ્ટાલ એ સ્ટેપ-ગ્રોથ (સંઘનન) પોલિમર છે,સાંકળ-વૃદ્ધિ પોલિમર નથી.

(A) આપેલ પોલીમર પોલીઆઇસોબ્યુટિલિન છે,જે આઇસોબ્યુટિલિન ($2$-મિથાઇલપ્રોપિન) ના પોલીમરાઇઝેશન દ્વારા બને છે.
મોનોમરનું બંધારણ $CH_2=C(CH_3)_2$ છે.
તેથી,સાચો મોનોમર $2$-મિથાઇલપ્રોપિન છે.

(A) વય પિરામિડ વસ્તીમાં વિવિધ વય જૂથોનું વિતરણ દર્શાવે છે.
$1$. પિરામિડ $a$ માં પ્રજનન-પૂર્વેના વ્યક્તિઓનો આધાર પહોળો છે,જે વિસ્તરતી વસ્તી સૂચવે છે.
$2$. પિરામિડ $b$ માં પ્રજનન-પૂર્વેના અને પ્રજનનક્ષમ વ્યક્તિઓ સમાન પ્રમાણમાં છે,જે સ્થિર વસ્તી સૂચવે છે.
$3$. પિરામિડ $c$ માં પ્રજનનક્ષમ વ્યક્તિઓની તુલનામાં પ્રજનન-પૂર્વેના વ્યક્તિઓનો આધાર સાંકડો છે,જે ઘટતી વસ્તી સૂચવે છે.

(C) શાંત કેન્દ્ર (quiescent centre) નો ખ્યાલ $1961$ માં $Clowes$ દ્વારા આપવામાં આવ્યો હતો.
$Zea$ $mays$ ના મૂળના અગ્રભાગમાં $DNA$ સંશ્લેષણના ઓટોરેડિયોગ્રાફિક અભ્યાસના આધારે,તેમણે એવા કોષોનો સમૂહ શોધ્યો જેમાં $DNA$,$RNA$ અને પ્રોટીનનું પ્રમાણ ઓછું હોય છે.
તેમણે તેને શાંત કેન્દ્ર નામ આપ્યું.
આ કોષો સામાન્ય રીતે વિભાજન પામતા નથી,પરંતુ જ્યારે વર્ધમાન પેશીના કોષોને નુકસાન થાય છે,ત્યારે તેઓ સક્રિય થઈને નવા કોષોનું નિર્માણ કરે છે,આમ તે અનામત જથ્થા તરીકે કાર્ય કરે છે.

(C) અનંત લંબાઈના સીધા તારને કારણે $r$ અંતરે ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B = \frac{\mu_{0} I}{2 \pi r}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
ધારો કે જમણી બાજુના તારમાં વિદ્યુતપ્રવાહ $I_{1} = 10 \text{ A}$ છે અને ડાબી બાજુના તારમાં વિદ્યુતપ્રવાહ $I_{2} = I$ છે.
જમણી બાજુના તારથી બિંદુ $A$ નું અંતર $r_{1} = 9 \text{ cm}$ છે.
ડાબી બાજુના તારથી બિંદુ $A$ નું અંતર $r_{2} = 18 \text{ cm} + 9 \text{ cm} = 27 \text{ cm}$ છે.
બિંદુ $A$ પર પરિણામી ચુંબકીય ક્ષેત્ર શૂન્ય થવા માટે,બંને તાર દ્વારા ઉત્પન્ન થતા ચુંબકીય ક્ષેત્રના મૂલ્યો સમાન હોવા જોઈએ,એટલે કે $B_{1} = B_{2}$.
$\frac{\mu_{0} I_{1}}{2 \pi r_{1}} = \frac{\mu_{0} I_{2}}{2 \pi r_{2}}$
$\frac{10}{9} = \frac{I}{27}$
$I = \frac{10 \times 27}{9} = 30 \text{ A}$.

(C) પ્રક્ષિપ્ત પદાર્થની મહત્તમ સમક્ષિતિજ અવધિ $R_{\max}$ માટેનું સૂત્ર નીચે મુજબ છે:
$R_{\max} = \frac{u^2}{g}$
જ્યાં $u$ એ પ્રારંભિક ઝડપ છે અને $g$ એ ગુરુત્વપ્રવેગ છે.
અહીં $R_{\max} = 100 \, m$ અને $g = 10 \, m/s^2$ લેતા:
$100 = \frac{u^2}{10}$
$u^2 = 1000$
$u = \sqrt{1000} \approx 31.62 \, m/s$
નજીકના પૂર્ણાંકમાં લેતા,આપણને $u = 32 \, m/s$ મળે છે.

(B) મુક્ત મુલકોની સ્થિરતા રેઝોનન્સ,હાઇપરકોન્જુગેશન અને ઇન્ડક્ટિવ અસર જેવા પરિબળો દ્વારા નક્કી કરવામાં આવે છે.
$(II)$ $C_6H_5 - \dot{CH_2}$ (બેન્ઝાઇલ મુક્ત મુલક) ફિનાઇલ રિંગ દ્વારા રેઝોનન્સ સ્થિરતા ધરાવે છે,જે તેને સૌથી વધુ સ્થિર બનાવે છે.
$(I)$ $CH_3 - \dot{CH} - CH_3$ એ દ્વિતીયક $(2^{\circ})$ મુક્ત મુલક છે જેમાં $6$ આલ્ફા-હાઇડ્રોજન પરમાણુઓ છે,જે નોંધપાત્ર હાઇપરકોન્જુગેશન પ્રદાન કરે છે.
$(IV)$ $\dot{CH_2} - CH_3$ એ પ્રાથમિક $(1^{\circ})$ મુક્ત મુલક છે જેમાં $3$ આલ્ફા-હાઇડ્રોજન પરમાણુઓ છે.
$(III)$ $\dot{CH_2} - CH(CH_3)_2$ એ પ્રાથમિક $(1^{\circ})$ મુક્ત મુલક છે જેમાં માત્ર $1$ આલ્ફા-હાઇડ્રોજન પરમાણુ છે.
હાઇપરકોન્જુગેશનની સરખામણી કરતા,બાકીના મુક્ત મુલકો માટે સ્થિરતાનો ક્રમ $I > IV > III$ છે.
આમ,સ્થિરતાનો કુલ ક્રમ $II > I > IV > III$ છે.

(B) $IUPAC$ નામ નક્કી કરવા માટેના નિયમો:
$1$. મુખ્ય ક્રિયાશીલ સમૂહ દ્વિબંધ છે,તેથી નંબરિંગ દ્વિબંધથી શરૂ થાય છે.
$2$. વિસ્થાપકો ($-OCH_3$ અને $-NO_2$) ને સૌથી ઓછા નંબર મળે તે રીતે નંબરિંગ કરવું.
$3$. દ્વિબંધથી શરૂ કરીને,જો આપણે ઘડિયાળના કાંટાની દિશામાં નંબર આપીએ,તો વિસ્થાપકો $3$ અને $5$ સ્થાન પર આવે છે. જો વિરુદ્ધ દિશામાં આપીએ,તો તે $4$ અને $6$ પર આવે છે. $(3, 5)$ એ $(4, 6)$ કરતા નાનું છે.
$4$. આમ,દ્વિબંધ $C1$ અને $C2$ ની વચ્ચે છે,$-NO_2$ સમૂહ $C3$ પર છે,અને $-OCH_3$ સમૂહ $C5$ પર છે.
$5$. મૂળાક્ષર પ્રમાણે,'મિથોક્સી' એ 'નાઈટ્રો' પહેલા આવે છે.
$6$. સાચું $IUPAC$ નામ $5-$મિથોક્સી$-3-$નાઈટ્રોસાયક્લોહેક્સિન છે.

(C) આલ્કાઈનની $H_2O/H^+/Hg^{2+}$ સાથેની પ્રક્રિયા માર્કોવનીકોવના નિયમ મુજબ એનોલ બનાવે છે,જે કીટો-એનોલ ટોટોમેરાઈઝેશન દ્વારા કીટોન $(P)$ માં રૂપાંતરિત થાય છે.
$P$ એ $CH_3O-C_6H_4-C(=O)-CH_2-C_6H_4-CH_3$ છે.
ત્યારબાદ,$Br_2/FeBr_3$ સાથેની પ્રક્રિયા એ ઇલેક્ટ્રોફિલિક એરોમેટિક સબસ્ટિટ્યુશન $(EAS)$ છે. $-C(=O)CH_2Ar$ ગ્રુપ મેટા-ડિરેક્ટિંગ છે,જ્યારે $-OCH_3$ અને $-CH_3$ ગ્રુપ ઓર્થો/પેરા-ડિરેક્ટિંગ છે. ઇલેક્ટ્રોફિલિક સબસ્ટિટ્યુશન $-CH_3$ ધરાવતી રિંગ પર થશે,તેથી $Q$ એ $CH_3O-C_6H_4-C(=O)-CH_2-C_6H_3(Br)-CH_3$ છે.

(B) પેપર ક્રોમેટોગ્રાફી એ પાર્ટિશન ક્રોમેટોગ્રાફી પર આધારિત તકનીક છે,જેમાં સ્થિર કલા તરીકે કાગળના સેલ્યુલોઝ ફાઇબરમાં રહેલું પાણી હોય છે અને ગતિશીલ કલા તરીકે દ્રાવક હોય છે.
વિકલ્પ $B$ ખોટો છે કારણ કે પેપર ક્રોમેટોગ્રાફી એ એક પદ્ધતિ છે,તે પોતે સ્થિર કલા નથી.
સ્થિર કલા એ કાગળ દ્વારા પકડી રાખેલું પાણી છે,કાગળ પોતે નહીં.

(A) પ્રક્રિયા બે તબક્કામાં થાય છે. પ્રથમ,પ્રારંભિક પદાર્થ $3,4$-ડાયક્લોરોસાયક્લોહેક્સિન,$H_2O$ અને $\Delta$ ની હાજરીમાં જળવિભાજન પામીને એલાઈલિક આલ્કોહોલ બનાવે છે. ક્લોરાઈડ આયન દૂર થવાથી એક સ્થાયી એલાઈલિક કાર્બોકેટાયન બને છે,જે પાણી દ્વારા હુમલો પામીને $3$-ક્લોરો-સાયક્લોહેક્સ-$2$-ઈન-$1$-ઓલ આપે છે.
બીજા તબક્કામાં,પરિણામી આલ્કોહોલ બેઝ ટ્રાયઈથાઈલએમાઈન $(Et)_3N$ ની હાજરીમાં એસિટિક એનહાઈડ્રાઈડ $(CH_3COO)_2$ સાથે એસિટિલેશન પ્રક્રિયા કરે છે. આ પ્રક્રિયા હાઈડ્રોક્સિલ ગ્રુપ $(-OH)$ ને એસીટોક્સી ગ્રુપ $(-O-CO-CH_3)$ માં રૂપાંતરિત કરે છે.
આપેલ પ્રક્રિયાને આધારે,અંતિમ નીપજ એ આલ્કોહોલનું એસિટિલેટેડ વ્યુત્પન્ન છે,જે વિકલ્પ $A$ ને અનુરૂપ છે.

(A) પ્રક્રિયક $NH_{2}-CH_{2}-CH_{2}-OH$ માં બે ન્યુક્લિયોફિલિક સમૂહો $-OH$ અને $-NH_{2}$ રહેલા છે.
આ બંનેમાં,$-NH_{2}$ સમૂહ વધુ પ્રબળ ન્યુક્લિયોફાઇલ છે.
પ્રક્રિયા સ્થાયી કાર્બોકેટાયન મધ્યવર્તીના નિર્માણ દ્વારા આગળ વધે છે.
$-NH_{2}$ સમૂહ વધુ સ્થાયી કાર્બોકેટાયન સ્થાન પર હુમલો કરે છે,જ્યારે $-OH$ સમૂહ બીજા સ્થાન પર હુમલો કરે છે,જેના પરિણામે ચક્રીય નીપજ બને છે.

(A) મધ્યસ્થ $Xe$ પરમાણુ પર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની સંખ્યા નક્કી કરવા માટે,આપણે સૂત્રનો ઉપયોગ કરીએ છીએ: $\text{Lone pairs} = \frac{1}{2} \times (V - M - C + A)$,જ્યાં $V$ એ મધ્યસ્થ પરમાણુના સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે,$M$ એ એકસંયોજક પરમાણુઓની સંખ્યા છે,$C$ એ ધન વીજભાર છે,અને $A$ એ ઋણ વીજભાર છે.
$1$. $XeO_{3}$: $Xe$ પાસે $8$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે. $O$ દ્વિસંયોજક છે,તેથી $M=0$. અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ = $\frac{1}{2} \times (8 - 0) = 4$ ઇલેક્ટ્રોન = $1$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ.
$2$. $XeO_{2}F_{2}$: $Xe$ પાસે $8$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે. $F$ એકસંયોજક છે,તેથી $M=2$. અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ = $\frac{1}{2} \times (8 - 2) = 3$ ઇલેક્ટ્રોન = $1$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ.
$3$. $XeO_{4}$: $Xe$ પાસે $8$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે. $O$ દ્વિસંયોજક છે,તેથી $M=0$. અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ = $\frac{1}{2} \times (8 - 0) = 4$ ઇલેક્ટ્રોન = $0$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ.
$4$. $XeO_{3}F_{2}$: $Xe$ પાસે $8$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે. $F$ એકસંયોજક છે,તેથી $M=2$. અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ = $\frac{1}{2} \times (8 - 2) = 3$ ઇલેક્ટ્રોન = $0$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ.
$5$. $Ba_{2}XeF_{4}$ માં $[XeF_{6}]^{2-}$ આયન હોય છે. $[XeF_{6}]^{2-}$ માટે,$Xe$ પાસે $8$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે,$F$ એકસંયોજક છે $(M=6)$,અને ઋણ વીજભાર $2$ છે $(A=2)$. અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ = $\frac{1}{2} \times (8 - 6 + 2) = 2$ ઇલેક્ટ્રોન = $1$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ.
આમ,$XeO_{4}$ અને $XeO_{3}F_{2}$ માં મધ્યસ્થ $Xe$ પરમાણુ પર શૂન્ય અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે. કુલ સંખ્યા $2$ છે.

(A) $He^{+}$ આયન માટે,પરમાણુ ક્રમાંક $Z=2$ અને મુખ્ય ક્વોન્ટમ આંક $n=2$ છે.
કક્ષાનો પરિઘ $2 \pi r = n \lambda$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
$n^{th}$ કક્ષાની ત્રિજ્યા $r = 0.529 \frac{n^{2}}{Z} \ \mathring{A}$ છે.
પરિઘના સૂત્રમાં $r$ ની કિંમત મૂકતા:
$2 \pi \times (0.529 \frac{n^{2}}{Z}) = n \lambda$
$\lambda = \frac{2 \pi \times 0.529 \times n}{Z}$
$n=2$ અને $Z=2$ મૂકતા:
$\lambda = \frac{2 \times 3.1416 \times 0.529 \times 2}{2} \ \mathring{A}$
$\lambda = 2 \times 3.1416 \times 0.529 \ \mathring{A} \approx 3.33 \ \mathring{A}$.

(C) ગિબ્સ મુક્ત ઊર્જા માટેનું સમીકરણ નીચે મુજબ છે:
$\Delta G = \Delta G^{\circ} + RT \ln Q \dots(1)$
સંતુલન સમયે,$\Delta G = 0$ અને $Q = K$ હોય છે,તેથી:
$0 = \Delta G^{\circ} + RT \ln K \implies \Delta G^{\circ} = - RT \ln K \dots(2)$
સમીકરણ $(2)$ ને સમીકરણ $(1)$ માં મૂકતા:
$\Delta G = - RT \ln K + RT \ln Q$
$\Delta G = - RT \ln (K / Q)$

(D) બેઝિક આયન અથવા હાઇડ્રોક્સાઇડ ધરાવતા ક્ષારની દ્રાવ્યતા $pH$ ઘટતા (એટલે કે એસિડિક માધ્યમમાં) વધે છે કારણ કે $H^+$ આયનો બેઝિક આયનો સાથે પ્રક્રિયા કરીને નિર્બળ એસિડ અથવા પાણી બનાવે છે.
$Sr(OH)_2$ એક બેઝ છે જેનું આયનીકરણ આ મુજબ થાય છે: $Sr(OH)_2 \rightarrow Sr^{2+} + 2OH^-$.
એસિડિક દ્રાવણમાં,$H^+$ આયનોની ઊંચી સાંદ્રતા $OH^-$ આયનો સાથે પ્રક્રિયા કરીને પાણી બનાવે છે: $H^+ + OH^- \rightarrow H_2O$.
$OH^-$ આયનોનું આ દૂર થવું લે-શેટેલિયરના સિદ્ધાંત મુજબ સંતુલનને જમણી તરફ ખસેડે છે,જેનાથી $Sr(OH)_2$ ની દ્રાવ્યતા વધે છે.

(A) $M$ ના મોલ $= \frac{68}{34} = 2$
$O$ ના મોલ $= \frac{32}{16} = 2$
સાદો મોલર ગુણોત્તર $M:O = 2:2 = 1:1$
પ્રમાણસૂચક સૂત્ર $MO$ છે.

(A) મિથેનાઇડ્સ એવા કાર્બાઇડ્સ છે જે પાણી સાથે પ્રક્રિયા કરીને મિથેન $(CH_{4})$ વાયુ ઉત્પન્ન કરે છે.
$Be_{2}C + 4 H_{2}O \rightarrow 2 Be(OH)_{2} + CH_{4}$
$Al_{4}C_{3} + 12 H_{2}O \rightarrow 4 Al(OH)_{3} + 3 CH_{4}$
$CaC_{2}$ એ એસીટિલાઇડ છે,જે ઇથાઇન $(C_{2}H_{2})$ ઉત્પન્ન કરે છે.
$Mg_{2}C_{3}$ એ એલાઇલાઇડ છે,જે પ્રોપાઇન $(C_{3}H_{4})$ ઉત્પન્ન કરે છે.
તેથી,$Be_{2}C$ અને $Al_{4}C_{3}$ એ મિથેનાઇડ્સ છે.

(D) હાઇડ્રેઝોઇક એસિડ $(HN_3)$ ને ગરમ કરવાથી તેનું વિઘટન થઈને હાઇડ્રોજન વાયુ અને નાઇટ્રોજન વાયુ બને છે.
સંતુલિત રાસાયણિક સમીકરણ નીચે મુજબ છે:
$2HN_3 \xrightarrow{\Delta} H_2 + 3N_2$

(C) $Li$ અને $Mg$ તત્વો હવાની હાજરીમાં ગરમ કરવાથી નાઈટ્રાઈડ બનાવે છે,જેનું જળવિભાજન કરતા એમોનિયા વાયુ મુક્ત થાય છે.
$6 Li + N_2 \rightarrow 2 Li_3N$
$Li_3N + 3 H_2O \rightarrow 3 LiOH + NH_3 \uparrow$
$3 Mg + N_2 \rightarrow Mg_3N_2$
$Mg_3N_2 + 6 H_2O \rightarrow 3 Mg(OH)_2 + 2 NH_3 \uparrow$

(B) બ્યુટેનની દહન પ્રક્રિયા નીચે મુજબ છે:
$C_4H_{10(g)} + \frac{13}{2} O_{2(g)} \rightarrow 4 CO_{2(g)} + 5 H_2O_{(l)}$
વાયુરૂપ ઘટકોના મોલની સંખ્યામાં થતો ફેરફાર:
$\Delta n_g = 4 - (1 + 6.5) = -3.5$
રાસાયણિક પ્રક્રિયા માટે થયેલ કાર્ય $(W)$ નું સૂત્ર:
$W = -\Delta n_g RT$
અહીં:
$R = 0.0821 \text{ L atm K}^{-1} \text{ mol}^{-1}$
$T = 298 \text{ K}$
કિંમતો મૂકતા:
$W = -(-3.5 \times 0.0821 \times 298) = 85.63 \text{ L atm}$
આમ,થયેલ કાર્ય આશરે $85.6 \text{ L atm}$ છે.

(D) કોઈપણ તત્વની પ્રથમ આયનીકરણ ઉર્જા $(IE_1)$ એટલે પ્રથમ ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટે જરૂરી ઉર્જા,અને દ્વિતીય આયનીકરણ ઉર્જા $(IE_2)$ એટલે બીજો ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટે જરૂરી ઉર્જા.
પોટેશિયમ $(K)$ જેવા આલ્કલી ધાતુઓની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $[Ar] 4s^1$ છે.
પ્રથમ ઇલેક્ટ્રોન દૂર થયા પછી,તે આર્ગોન $([Ar])$ જેવી સ્થાયી નિષ્ક્રિય વાયુ જેવી રચના પ્રાપ્ત કરે છે.
બીજો ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટે આ સ્થાયી અષ્ટક તોડવું પડે છે,જેના માટે ખૂબ જ ઊંચી ઉર્જાની જરૂર પડે છે.
તેથી,આલ્કલી ધાતુઓ માટે $IE_2$ અને $IE_1$ વચ્ચેનો તફાવત અન્ય તત્વોની સરખામણીમાં ઘણો વધારે હોય છે.

(A) કેન્દ્રીય પરમાણુનું સંકરણ $H = \frac{1}{2}(V + M - C + A)$ સૂત્રનો ઉપયોગ કરીને ગણી શકાય છે,જ્યાં $V$ એ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા છે,$M$ એ એકસંયોજક પરમાણુઓની સંખ્યા છે,$C$ એ ધનભાર છે અને $A$ એ ઋણભાર છે.

જાતિ	સંકરણ
$[ICl_{2}]^{-}$	$sp^{3}d$
$[ICl_{4}]^{-}$	$sp^{3}d^{2}$
$[BrF_{2}]^{-}$	$sp^{3}d$
$[IF_{6}]^{-}$	$sp^{3}d^{3}$

$[ICl_{4}]^{-}$ માટે,કેન્દ્રીય પરમાણુ $I$ પાસે $7$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન,$4$ એકસંયોજક $Cl$ પરમાણુઓ અને $1$ ઋણભાર છે. તેથી,$H = \frac{1}{2}(7 + 4 + 1) = 6$,જે $sp^{3}d^{2}$ સંકરણ સૂચવે છે.

(A) વાયુનું ક્રાંતિક તાપમાન $(T_c)$ નીચેના સૂત્ર દ્વારા આપવામાં આવે છે: $T_c = \frac{8a}{27Rb}$.
સૌથી વધુ $T_c$ ધરાવતો વાયુ શોધવા માટે,આપણે દરેક વાયુ માટે $(a / b)$ ગુણોત્તરની ગણતરી કરવી પડશે:
$Ar$ માટે: $1.3 / 3.2 \approx 0.406$
$Ne$ માટે: $0.2 / 1.7 \approx 0.117$
$Kr$ માટે: $5.1 / 1.0 = 5.1$
$Xe$ માટે: $4.1 / 5.0 = 0.82$
આ મૂલ્યોની સરખામણી કરતા,$(a / b)$ ગુણોત્તર $Kr$ માટે સૌથી વધુ છે.
તેથી,$Kr$ નું ક્રાંતિક તાપમાન સૌથી વધુ હોવાની અપેક્ષા છે.

(A) એસિડિક માધ્યમમાં $KMnO_4$ માટે રિડક્શન અર્ધ-પ્રક્રિયા:
$MnO_4^- + 8H^+ + 5e^- \rightarrow Mn^{2+} + 4H_2O$
આમ,$1$ મોલ $KMnO_4$ એ $5$ મોલ ઇલેક્ટ્રોન આપે છે.
દરેક સંયોજન દ્વારા મુક્ત થતા ઇલેક્ટ્રોનના મોલની ગણતરી:
$1$. $FeC_2O_4$ માટે: $Fe^{2+} \rightarrow Fe^{3+} + e^-$ અને $C_2O_4^{2-} \rightarrow 2CO_2 + 2e^-$. કુલ ઇલેક્ટ્રોન = $3$ મોલ.
$2$. $Fe_2(C_2O_4)_3$ માટે: $3C_2O_4^{2-} \rightarrow 6CO_2 + 6e^-$. કુલ ઇલેક્ટ્રોન = $6$ મોલ.
$3$. $FeSO_4$ માટે: $Fe^{2+} \rightarrow Fe^{3+} + e^-$. કુલ ઇલેક્ટ્રોન = $1$ મોલ.
$4$. $Fe_2(SO_4)_3$ માટે: ઓક્સિડેશન શક્ય નથી. ઇલેક્ટ્રોન = $0$ મોલ.
કુલ ઇલેક્ટ્રોન = $3 + 6 + 1 = 10$ મોલ.
જરૂરી $KMnO_4$ ના મોલ = $\frac{10}{5} = 2$.

(D) જ્યારે વરાળને લાલચોળ કોક પરથી પસાર કરવામાં આવે છે ત્યારે $CO$ અને $H_{2}$ નું સમાન મોલર મિશ્રણ મળે છે. આ મિશ્રણને સિન્થેસિસ ગેસ અથવા $syn \ gas$ તરીકે પણ ઓળખવામાં આવે છે.
પ્રક્રિયા નીચે મુજબ છે:
$H_{2}O_{(g)} + C_{(s)} \rightarrow CO_{(g)} + H_{2(g)}$

(D) આલ્કલી ધાતુ આયનોનું કદ સમૂહમાં નીચે તરફ જતાં વધે છે: $Li ^{+} < Na ^{+} < K ^{+} < Rb ^{+} < Cs ^{+}$.
જલીયકરણ એન્થાલ્પી એ આયનીય કદના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં હોય છે $(Hydration \ Enthalpy \ \propto \ \frac{1}{\text{ionic size}})$.
તેથી,આયન જેટલો નાનો,તેની જલીયકરણ એન્થાલ્પી તેટલી વધારે.
આમ,જલીયકરણ એન્થાલ્પીનો સાચો ક્રમ $Li ^{+} > Na ^{+} > K ^{+} > Rb ^{+} > Cs ^{+}$ છે.

(C) સૂર્યપ્રકાશમાં થતું વાયુ પ્રદૂષણ ઓક્સિડાઇઝિંગ સ્મોગ (જેને ફોટોકેમિકલ સ્મોગ પણ કહેવાય છે) તરીકે ઓળખાય છે.
તે નાઇટ્રોજન ઓક્સાઇડ અને હાઇડ્રોકાર્બન પર સૂર્યપ્રકાશની પ્રતિક્રિયા દ્વારા રચાય છે.

(A) ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપી મુજબ,સંબંધ આ રીતે આપવામાં આવે છે: $\frac{x}{m} = k p^{1/n}$
બંને બાજુ લઘુગણક લેતા: $\log(\frac{x}{m}) = \log k + \frac{1}{n} \log p$
આ સમીકરણ $y = mx + c$ સ્વરૂપની સીધી રેખા દર્શાવે છે,જ્યાં ઢાળ $\frac{1}{n}$ છે.
આપેલ ગ્રાફ પરથી,ઢાળની ગણતરી આ રીતે થાય છે: $\text{ઢાળ} = \frac{\log(\frac{x}{m}) \text{ માં ફેરફાર}}{\log p \text{ માં ફેરફાર}} = \frac{2}{3}$
તેથી,$\frac{1}{n} = \frac{2}{3}$.
આ કિંમતને મૂળ સમીકરણમાં મૂકતા: $\frac{x}{m} \propto p^{1/n} \implies \frac{x}{m} \propto p^{2/3}$.

(C) $O_{2}$ ($16$ ઇલેક્ટ્રોન) ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના: $\sigma 1s^{2} \sigma^{*} 1s^{2} \sigma 2s^{2} \sigma^{*} 2s^{2} \sigma 2p_{z}^{2} \pi 2p_{x}^{2} = \pi 2p_{y}^{2} \pi^{*} 2p_{x}^{1} = \pi^{*} 2p_{y}^{1}$ છે.
જ્યારે $O_{2}$ માં ઇલેક્ટ્રોન ઉમેરાઈને $O_{2}^{-}$ બને છે,ત્યારે ઉમેરાયેલ ઇલેક્ટ્રોન $\pi^{*}$ એન્ટિબોન્ડિંગ કક્ષકમાં જાય છે.
આમ,ઇલેક્ટ્રોન $\pi^{*} 2p_{x}$ અથવા $\pi^{*} 2p_{y}$ કક્ષકમાં પ્રવેશ કરે છે.
તેથી,વિકલ્પ $(C)$ સાચો છે.

(A) $IUPAC$ નામ નક્કી કરવા માટે,આપણે બેન્ઝીન રિંગ પરના વિસ્થાપકો માટે મૂળાક્ષરોના ક્રમનું પાલન કરીએ છીએ.
$1$. વિસ્થાપકો ક્લોરો $(-Cl)$,મિથાઈલ $(-CH_3)$ અને નાઈટ્રો $(-NO_2)$ છે.
$2$. મૂળાક્ષરો મુજબ,'ક્લોરો' એ 'મિથાઈલ' પહેલા આવે છે,જે 'નાઈટ્રો' પહેલા આવે છે.
$3$. આપણે વિસ્થાપકોને સૌથી ઓછા લોકેન્ટ્સ આપવા માટે રિંગને નંબર આપીએ છીએ: $1-$ક્લોરો,$2-$મિથાઈલ અને $4-$નાઈટ્રો.
$4$. આમ,સાચું $IUPAC$ નામ $1-$ક્લોરો$-2-$મિથાઈલ$-4-$નાઈટ્રોબેન્ઝીન છે.

(B) કાર્બોકેટાયનની સ્થિરતા રેઝોનન્સ,હાઇપરકોન્જુગેશન અને ઇન્ડક્ટિવ ઇફેક્ટ દ્વારા નક્કી કરવામાં આવે છે.
$(iv)$ $Ph-CH^{+}-CH_3$ એ સેકન્ડરી બેન્ઝિલિક કાર્બોકેટાયન છે,જે ફિનાઇલ રિંગ સાથેના રેઝોનન્સ દ્વારા ખૂબ જ સ્થિર છે.
$(iii)$ $CH_3-C^{+}(CH_3)-CH_3$ એ $9$ $\alpha$-હાઇડ્રોજન ધરાવતું ટર્સરી કાર્બોકેટાયન છે,જે મજબૂત હાઇપરકોન્જુગેશન આપે છે.
$(i)$ $CH_3-C^{+}(CH_3)-CH_2-CH_3$ એ $8$ $\alpha$-હાઇડ્રોજન ધરાવતું ટર્સરી કાર્બોકેટાયન છે.
$(ii)$ $CH_3-CH^{+}-CH_3$ એ $6$ $\alpha$-હાઇડ્રોજન ધરાવતું સેકન્ડરી કાર્બોકેટાયન છે.
તેથી,સ્થિરતાનો ક્રમ $iv > iii > i > ii$ છે.

(C) પગલું $1$: આલ્કીનની $Br_2$ (બ્રોમિનેશન) સાથેની પ્રક્રિયાથી વિસીનલ ડાયબ્રોમાઈડ બને છે.
$Ph-CH_2-CH=CH-CH_3 + Br_2 \rightarrow Ph-CH_2-CH(Br)-CH(Br)-CH_3$
પગલું $2$: વિસીનલ ડાયબ્રોમાઈડની આલ્કોહોલિક $KOH$ (પ્રબળ બેઝ) સાથેની પ્રક્રિયાથી $E2$ ક્રિયાવિધિ દ્વારા ડીહાઈડ્રોહેલોજનેશન થાય છે,જેના પરિણામે આલ્કાઈન બને છે.
$Ph-CH_2-CH(Br)-CH(Br)-CH_3 \xrightarrow{\text{Alc. KOH}} Ph-CH_2-C \equiv C-CH_3 + 2HBr$
આમ,અંતિમ નીપજ $Ph-CH_2-C \equiv C-CH_3$ છે.

(B) પ્રક્રિયા સાયક્લોહેક્સેનાઇલ જૂથમાં દ્વિબંધના પ્રોટોનેશન દ્વારા આગળ વધે છે જેથી સ્થિર કાર્બોકેટાયન મધ્યવર્તી બને છે.
ત્યારબાદ,સેમિકાર્બેઝાઇડ જૂથનું ટર્મિનલ એમિનો જૂથ $(-NH_2)$ ન્યુક્લિયોફાઇલ તરીકે કાર્ય કરે છે અને કાર્બોકેટાયન પર હુમલો કરે છે.
આ આંતર-આણ્વીય ચક્રીયકરણ એક ચક્રીય બંધારણના નિર્માણ તરફ દોરી જાય છે જ્યાં નાઇટ્રોજન પરમાણુ સાયક્લોહેક્સેન રિંગના સમાન કાર્બન પરમાણુ સાથે જોડાયેલ હોય છે,જેના પરિણામે વિકલ્પ $B$ માં દર્શાવેલ મુખ્ય નીપજ મળે છે.

(B) બામર શ્રેણી માટે,સંક્રમણ ઉચ્ચ ઉર્જા સ્તરો $n_{2} = 3, 4, 5, 6, \ldots$ થી ઉર્જા સ્તર $n_{1} = 2$ પર થાય છે.
બામર શ્રેણીમાં,ચાર વર્ણપટ રેખાઓ દ્રશ્યમાન વિભાગમાં આવે છે.
આ રેખાઓ $n_{2} = 3 \rightarrow n_{1} = 2$ $(H_{\alpha})$,$n_{2} = 4 \rightarrow n_{1} = 2$ $(H_{\beta})$,$n_{2} = 5 \rightarrow n_{1} = 2$ $(H_{\gamma})$,અને $n_{2} = 6 \rightarrow n_{1} = 2$ $(H_{\delta})$ સંક્રમણોને અનુરૂપ છે.
આ વર્ણપટ રેખાઓની તરંગલંબાઇ આશરે $400 \ nm$ અને $700 \ nm$ ની વચ્ચે હોય છે.

(A) આલ્કલાઇન અર્થ ધાતુના ફ્લોરાઇડ્સની દ્રાવ્યતા લેટીસ ઉર્જા અને જલીયકરણ ઉર્જા (hydration energy) વચ્ચેના સંતુલન દ્વારા નક્કી થાય છે.
$Be^{2+}$ જેવા નાના કેટાયન માટે,જલીયકરણ ઉર્જા લેટીસ ઉર્જા કરતા ઘણી વધારે હોય છે,જેના કારણે $BeF_{2}$ પાણીમાં ખૂબ જ દ્રાવ્ય છે.
જેમ જેમ કેટાયનનું કદ $Be^{2+}$ થી $Sr^{2+}$ તરફ વધે છે,તેમ જલીયકરણ ઉર્જા લેટીસ ઉર્જા કરતા વધુ ઝડપથી ઘટે છે,જેના પરિણામે દ્રાવ્યતામાં ઘટાડો થાય છે.
તેથી,આપેલા સંયોજનોમાં $BeF_{2}$ ની દ્રાવ્યતા મહત્તમ છે.

(A) સિસ્ટમ માટે એન્ટ્રોપીમાં થતો ફેરફાર નીચે મુજબ ગણી શકાય:
$\Delta S = n C_{v} \ln \frac{T_{2}}{T_{1}} + n R \ln \frac{V_{2}}{V_{1}} \dots (I)$
આઈસોકોરિક પ્રક્રિયા માટે,$V_{2} = V_{1}$,તેથી $\ln \frac{V_{2}}{V_{1}} = \ln(1) = 0$.
દ્વિપરમાણ્વીય વાયુ માટે,$C_{v} = \frac{5R}{2}$.
અભિવ્યક્તિ $(I)$ માં કિંમતો મૂકતા:
$\Delta S = 1 \times \frac{5 \times 8.314}{2} \times \ln \frac{500}{300}$
$\Delta S = 2.5 \times 8.314 \times 0.5108$
$\Delta S = 10.61\,J/K$

(C) સંકરણ નક્કી કરવા માટે,આપણે મધ્યસ્થ પરમાણુની આસપાસના ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મોની સંખ્યા ગણીએ છીએ: $\text{ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મોની સંખ્યા} = \text{બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મો} + \text{અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મો}$.
$NF_{3}$ માટે: મધ્યસ્થ પરમાણુ $N$ પાસે $3$ બંધકારક અને $1$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે,કુલ $4$ ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ,જે $sp^{3}$ સંકરણ સૂચવે છે.
$H_{2}O$ માટે: મધ્યસ્થ પરમાણુ $O$ પાસે $2$ બંધકારક અને $2$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે,કુલ $4$ ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ,જે $sp^{3}$ સંકરણ સૂચવે છે.
આમ,$NF_{3}$ અને $H_{2}O$ બંને $sp^{3}$ સંકરણ ધરાવે છે.

(A) ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપીનું સમીકરણ: $\frac{x}{m} = k P^{1/n}$
બંને બાજુ લોગ લેતા: $\log \frac{x}{m} = \log k + \frac{1}{n} \log P$
આ સમીકરણ $y = mx + c$ પ્રકારની સીધી રેખા દર્શાવે છે,જ્યાં ઢાળ $\frac{1}{n}$ છે.
આપેલ ગ્રાફ પરથી,ઢાળ = $\frac{2}{3}$ છે.
તેથી,$\frac{1}{n} = \frac{2}{3}$.
આ કિંમત મૂળ સમીકરણમાં મૂકતા: $\frac{x}{m} = k P^{2/3}$.
આમ,$\frac{x}{m}$ એ $p^{2/3}$ ના પ્રમાણમાં છે.

(B) પ્રક્રિયા નીચે મુજબ આગળ વધે છે:
$1$. ગ્રીગનાર્ડ પ્રક્રિયક $CH_3MgBr$ એ $\alpha,\beta$-અસંતૃપ્ત નાઈટ્રાઈલ $Ph-CH=CH-CN$ પર $1,4$-સંયુગ્મી ઉમેરણ (માઈકલ ઉમેરણ) કરે છે. $CH_3$ સમૂહ $\beta$-કાર્બન પર હુમલો કરે છે અને દ્વિબંધ $C=N$ બંધ તરફ સ્થળાંતરિત થાય છે,જે ઈમાઈન મધ્યવર્તી બનાવે છે: $Ph-CH(CH_3)-CH_2-C=N$.
$2$. $H_3O^+$ સાથે જળવિભાજન પછી,$NaBH_4$ ની હાજરીમાં ઈમાઈન સમૂહ $(-C=N)$ નું એમાઈન $(-CH_2-NH_2)$ માં રિડક્શન થાય છે.
$3$. અંતિમ નીપજ $Ph-CH(CH_3)-CH_2-CH_2-NH_2$ છે.

(A) $i$. બ્યુના-$S$ એ $1,3$-બ્યુટાડાઈન અને સ્ટાયરીન $(P)$ મોનોમર એકમોમાંથી બને છે.
$ii$. ટેરિલીન એ ઇથિલીન ગ્લાયકોલ $(Q)$ અને ટેરેપ્થેલિક એસિડમાંથી બને છે.
$iii$. નિયોપ્રીન એ એક પ્રકારનું ઇલાસ્ટોમર છે જે ક્લોરોપ્રીન $(R)$ મોનોમર એકમમાંથી બને છે.
તેથી,સાચી જોડ $i-P, ii-Q, iii-R$ છે.

(D) આપેલ પ્રક્રિયા એ આંતર-આણ્વીય (intramolecular) આલ્ડોલ સંઘનન પ્રક્રિયા છે.
$1$. બેઇઝ $(OH^-)$ કીટોનના મિથાઈલ સમૂહમાંથી $\alpha$-હાઈડ્રોજન દૂર કરે છે,જે એનોલેટ આયન બનાવે છે.
$2$. આ એનોલેટ આયન આલ્ડિહાઈડ સમૂહના કાર્બોનિલ કાર્બન પર ન્યુક્લિયોફિલિક હુમલો કરે છે.
$3$. આનાથી ચક્રીય $\beta$-હાઈડ્રોક્સી કીટોન મધ્યવર્તી નીપજ બને છે.
$4$. ગરમ કરવા પર $(\Delta)$,મધ્યવર્તી નીપજ નિર્જલીકરણ (પાણીના અણુનો લોપ) પામીને $\alpha, \beta$-અસંતૃપ્ત કાર્બોનિલ સંયોજન બનાવે છે.
અંતિમ બંધારણને આપેલા વિકલ્પો સાથે સરખાવતા,નીપજ વિકલ્પ $D$ ને અનુરૂપ છે.

(C) ફિનોલની એસિડિક પ્રબળતા પ્રોટોન ગુમાવ્યા પછી બનતા ફિનોક્સાઇડ આયનની સ્થિરતા પર આધાર રાખે છે. ઇલેક્ટ્રોન-આકર્ષક સમૂહો $(-EWG)$ એસિડિકતા વધારે છે,જ્યારે ઇલેક્ટ્રોન-દાતા સમૂહો $(-EDG)$ તેને ઘટાડે છે.
$(a)$ $p$-નાઇટ્રોફિનોલ: પેરા સ્થાન પર રહેલો $-NO_2$ સમૂહ પ્રબળ $-M$ અને $-I$ અસર દર્શાવે છે,જે ફિનોક્સાઇડ આયનને ખૂબ સ્થિર બનાવે છે.
$(b)$ $o$-નાઇટ્રોફિનોલ: ઓર્થો સ્થાન પર રહેલો $-NO_2$ સમૂહ $-M$ અને $-I$ અસર દર્શાવે છે,પરંતુ તે $-OH$ સમૂહ સાથે આંતર-આણ્વીય હાઇડ્રોજન બંધ બનાવે છે,જે તટસ્થ અણુને સ્થિર કરે છે અને $p$-નાઇટ્રોફિનોલની સરખામણીમાં $H^+$ મુક્ત કરવાનું થોડું ઓછું અનુકૂળ બનાવે છે.
$(d)$ ફિનોલ: કોઈ વિસ્થાપક નથી.
$(c)$ $p$-ક્રેસોલ: પેરા સ્થાન પર રહેલો $-CH_3$ સમૂહ $+I$ અને $+H$ (હાઇપરકોન્જુગેશન) અસર દર્શાવે છે,જે ફિનોક્સાઇડ આયનને અસ્થિર બનાવે છે,તેથી તે સૌથી ઓછું એસિડિક છે.
આમ,એસિડિક પ્રબળતાનો સાચો ક્રમ $p$-નાઇટ્રોફિનોલ $(a) > o$-નાઇટ્રોફિનોલ $(b) >$ ફિનોલ $(d) > p$-ક્રેસોલ $(c)$ છે.
તેથી,સાચો વિકલ્પ $C$ છે.

(A) $Ca^{2+}$ આયન $CrO_4^{2-}$ સાથે અવક્ષેપ આપતું નથી કારણ કે કેલ્શિયમ ક્રોમેટ $(CaCrO_4)$ એ $Sr^{2+}$,$Ba^{2+}$ અને $Pb^{2+}$ ના ક્રોમેટની સરખામણીમાં પાણીમાં વધુ દ્રાવ્ય છે.
દ્રાવ્યતા ગુણાકાર $(K_{sp})$ નો ક્રમ આ મુજબ છે: $K_{sp}(BaCrO_4) < K_{sp}(SrCrO_4) < K_{sp}(CaCrO_4)$.
$CaCrO_4$ નું $K_{sp}$ મૂલ્ય ઘણું વધારે હોવાથી,તે દ્રાવણમાં દ્રાવ્ય રહે છે.

(A) કોષની પ્રક્રિયા નીચે મુજબ છે:
$M(s) + M^{2+}(0.0001 \ M) \rightarrow M^{2+}(0.01 \ M) + M(s)$
નર્ન્સ્ટ સમીકરણ:
$E_{cell} = E_{cell}^{o} - \frac{RT}{nF} \ln Q$
અહીં $\frac{RT}{F} \ln 10 = 0.06$ આપેલ છે,તેથી $\frac{RT}{nF} \ln Q = \frac{0.06}{n} \log Q$.
અહીં $n = 2$ અને $Q = \frac{[M^{2+}]_{product}}{[M^{2+}]_{reactant}} = \frac{0.01}{0.0001} = 100 = 10^2$.
$E_{cell} = 4 - \frac{0.06}{2} \log(10^2)$
$E_{cell} = 4 - 0.03 \times 2$
$E_{cell} = 4 - 0.06 = 3.94 \ V$.

(D) $1^{st}$ ક્રમની પ્રક્રિયા માટે,વેગ સમીકરણ નીચે મુજબ છે:
$t = \frac{2.303}{k} \log \frac{[A]_0}{[A]_t}$
અહીં પ્રક્રિયા $\frac{2}{3}$ પૂર્ણ થાય છે,તેથી પ્રક્રિયા પામેલ જથ્થો $x = \frac{2}{3} a$ છે,જ્યાં $a$ એ પ્રારંભિક સાંદ્રતા છે.
તેથી,બાકી રહેલી સાંદ્રતા $[A]_t = a - \frac{2}{3} a = \frac{a}{3}$ થશે.
સમીકરણમાં કિંમતો મૂકતા:
$t = \frac{2.303}{4.3 \times 10^{-4}} \log \frac{a}{a/3}$
$t = \frac{2.303}{4.3 \times 10^{-4}} \log 3$
$\log 3 \approx 0.4771$ લેતા:
$t = \frac{2.303 \times 0.4771}{4.3 \times 10^{-4}} \approx 2555 \, s$
આપેલા વિકલ્પો મુજબ,$t = 2.5 \times 10^{3} \, s$.

(C) $CHCl_3$ નું મોલર દળ $119.5 \,g/mol$ અને $CH_2Cl_2$ નું મોલર દળ $85 \,g/mol$ છે.
$CHCl_3$ ના મોલ $(n_1)$ = $\frac{11.9 \,g}{119.5 \,g/mol} \approx 0.1 \,mol$.
$CH_2Cl_2$ ના મોલ $(n_2)$ = $\frac{17 \,g}{85 \,g/mol} = 0.2 \,mol$.
કુલ મોલ = $0.1 + 0.2 = 0.3 \,mol$.
$CHCl_3$ નો મોલ અંશ $(x_1)$ = $\frac{0.1}{0.3} = \frac{1}{3}$.
$CH_2Cl_2$ નો મોલ અંશ $(x_2)$ = $\frac{0.2}{0.3} = \frac{2}{3}$.
રાઉલ્ટના નિયમ મુજબ,કુલ બાષ્પ દબાણ $(P_T)$:
$P_T = P_1^{\circ} x_1 + P_2^{\circ} x_2$
$P_T = (200 \times \frac{1}{3}) + (41.5 \times \frac{2}{3})$
$P_T = 66.67 + 27.67 = 94.34 \,atm \approx 94.3 \,atm$.

(C) હેલોજન માટે બંધ વિયોજન ઉર્જાનો સાચો ક્રમ $Cl_2 > Br_2 > F_2 > I_2$ છે.
જોકે ફ્લોરિન સૌથી નાનું હેલોજન છે,તેમ છતાં $F_2$ ની બંધ વિયોજન ઉર્જા $Cl_2$ અને $Br_2$ કરતા ઓછી હોય છે.
આનું કારણ ફ્લોરિન પરમાણુનું ખૂબ જ નાનું કદ છે,જેના કારણે બે ફ્લોરિન પરમાણુઓના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન વચ્ચે નોંધપાત્ર આંતર-ઇલેક્ટ્રોનિક અપાકર્ષણ થાય છે,જે $F-F$ બંધને નબળો પાડે છે.

(A) $Ag^{+}$ ની સોડિયમ થાયોસલ્ફેટના વધારા સાથેની પ્રક્રિયા નીચે મુજબ છે:
$Ag^{+} + 2S_{2}O_{3}^{2-} \rightarrow [Ag(S_{2}O_{3})_{2}]^{3-}$.
આ સંકીર્ણ $-3$ વીજભાર ધરાવે છે.
$Ag$ માટે સવર્ગ આંક $2$ છે,જે $sp$ સંકરણ અને રેખીય ભૂમિતિ સૂચવે છે.

(A) $SC$ ની પેકિંગ કાર્યક્ષમતા $52 \%$,$BCC$ ની $68 \%$,$HCP$ ની $74 \%$ અને $FCC$ ની $74 \%$ છે.
તેથી,પેકિંગ કાર્યક્ષમતાનો સાચો ક્રમ $HCP = FCC > BCC > SC$ છે.

(A) રાસાયણિક પ્રતિક્રિયામાં ભાગ લેતો નિષ્ક્રિય વાયુ ઝેનોન $(Xe)$ છે.
આનું કારણ એ છે કે ઝેનોનનું કદ ઘણું મોટું હોય છે,જે તેની આયનીકરણ એન્થાલ્પી (ionization potential) ઘટાડે છે,જેનાથી તે ફ્લોરિન અને ઓક્સિજન જેવા વધુ વિદ્યુતઋણ તત્વો સાથે સંયોજનો બનાવી શકે છે.

(D) સંકીર્ણ $[Ni(CO)_4]$ માં $Ni$ નો ઓક્સિડેશન આંક નીચે મુજબ ગણવામાં આવે છે:
$x + 4(0) = 0 \implies x = 0$
$Ni$ $(Z=28)$ ની ધરા અવસ્થામાં ઇલેક્ટ્રોન રચના $[Ar] 3d^8 4s^2$ છે.
પ્રબળ ક્ષેત્ર લિગેન્ડ $CO$ ની હાજરીમાં,$4s$ ના બે ઇલેક્ટ્રોન $3d$ કક્ષકોમાં યુગ્મિત થાય છે,જેના પરિણામે $3d$ કક્ષક સંપૂર્ણ ભરાઈ જાય છે $(3d^{10})$.
$4s$ અને $4p$ કક્ષકો સંકરણ પામીને ચાર $sp^3$ સંકૃત કક્ષકો બનાવે છે,જે ચાર $CO$ લિગેન્ડ પાસેથી ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ સ્વીકારે છે.
બધા જ ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મિત હોવાથી,આ સંકીર્ણ પ્રતિચુંબકીય છે અને $sp^3$ સંકરણ ધરાવે છે.

(D) સ્ફટિક લેટીસમાં,ટેટ્રાહેડ્રલ વોઇડ્સ $(TV)$ ની સંખ્યા પરમાણુઓની સંખ્યા $(N)$ કરતા બમણી હોય છે.
$hcp$ એકમ કોષ માટે,એકમ કોષ દીઠ પરમાણુઓની સંખ્યા $Z = 6$ છે.
તેથી,એકમ કોષ દીઠ $TV$ ની સંખ્યા $2 \times 6 = 12$ છે.
$1 \ mole$ પરમાણુઓમાં,$TV$ ની સંખ્યા $2 \times N_A$ છે.
$0.5 \ mole$ $hcp$ સ્ફટિક રચના માટે,પરમાણુઓની સંખ્યા $0.5 \times N_A$ છે.
$TV$ ની સંખ્યા $= 2 \times (0.5 \times N_A) = 1 \times N_A = 6.022 \times 10^{23}$.

(D) $+4$ થી $+6$ સુધીની ઓક્સિડેશન અવસ્થા દર્શાવી શકતું તત્વ ક્રોમિયમ $(Cr)$ છે.
ક્રોમિયમની ઇલેક્ટ્રોનીય રચના $[Ar] 3d^5 4s^1$ છે.
તે તેના સંયોજનોમાં $+1$ થી $+6$ સુધીની વિવિધ ઓક્સિડેશન અવસ્થાઓ દર્શાવી શકે છે,જેમ કે $CrO_2$ $(+4)$ અને $CrO_3$ $(+6)$ માં.

(A) પરિક્ષિપ્ત કલાના કણોના વ્યાપક સોલ્વેશનને કારણે લાયોફિલિક સોલ એ લાયોફોબિક સોલ કરતા વધુ સ્થાયી હોય છે.
તેથી,વિધાન $(A)$ ખોટું છે કારણ કે તે દાવો કરે છે કે લાયોફોબિક સોલ વધુ સ્થાયી છે.

(B) બેઝ $(KOH)$ ની હાજરીમાં ફિનોલની બેન્ઝિનડાયઝોનિયમ ક્લોરાઇડ $(C_6H_5N_2^+Cl^-)$ સાથેની પ્રક્રિયા એ ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી એરોમેટિક વિસ્થાપન પ્રક્રિયા છે,જેને કપલિંગ પ્રક્રિયા તરીકે ઓળખવામાં આવે છે.
આ પ્રક્રિયામાં,ડાયઝોનિયમ કેટાયન ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી તરીકે કાર્ય કરે છે અને $p$-હાઇડ્રોક્સીએઝોબેન્ઝિન બનાવવા માટે ફિનોલની પેરા-સ્થિતિ પર હુમલો કરે છે.
પ્રશ્નમાં ફિનોલ અને એનિલિન બંનેનો ઉલ્લેખ છે,પરંતુ ડાયઝોનિયમ ક્ષાર એનિલિન $(C_6H_5N_2^+Cl^-)$ માંથી મેળવવામાં આવે છે,તેથી કપલિંગ ડાયઝોનિયમ ક્ષાર અને ફિનોલ વચ્ચે થાય છે જે $p$-હાઇડ્રોક્સીએઝોબેન્ઝિન આપે છે.

(A) શરૂઆતનો પદાર્થ $1-$ક્લોરો$-3-$મિથોક્સીબેન્ઝિન છે. $-OCH_3$ સમૂહ ઓર્થો/પેરા નિર્દેશક છે અને $-Cl$ સમૂહ પણ ઓર્થો/પેરા નિર્દેશક છે. $-OCH_3$ સમૂહ $-Cl$ કરતા વધુ સક્રિય હોવાથી,ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી વિસ્થાપન (નાઈટ્રેશન) $-OCH_3$ દ્વારા નિર્દેશિત થાય છે. $-OCH_3$ ની સાપેક્ષમાં પેરા સ્થાન પર $-Cl$ છે,તેથી નાઈટ્રેશન $-OCH_3$ ની સાપેક્ષમાં ઓર્થો સ્થાન પર થાય છે. બે ઓર્થો સ્થાનોમાંથી,$-Cl$ ની સાપેક્ષમાં પેરા સ્થાન પર અવકાશી અવરોધ ઓછો હોય છે. તેથી,મુખ્ય નીપજ $1-$ક્લોરો$-4-$મિથોક્સી$-2-$નાઈટ્રોબેન્ઝિન છે.

(A) ઓલિયમ $(H_2S_2O_7)$,જેને ફ્યુમિંગ સલ્ફ્યુરિક એસિડ તરીકે પણ ઓળખવામાં આવે છે,તે સાંદ્ર $H_2SO_4$ માં $SO_3$ ના શોષણ દ્વારા તૈયાર કરવામાં આવે છે.
પ્રક્રિયા છે: $H_2SO_4 + SO_3 \rightarrow H_2S_2O_7$.
તેમાં $S-O-S$ લિંકેજ હોય છે,$O-O$ લિંકેજ નહીં.
તેની રચનામાં બે $OH$ જૂથો હોય છે.
તેથી,સાચું વિધાન એ છે કે તે સાંદ્ર $H_2SO_4$ માં $SO_3$ ના શોષણ દ્વારા તૈયાર કરવામાં આવે છે.

(B) પ્રક્રિયા $A_{(g)} \rightarrow 2 B_{(g)} + C_{(g)}$ છે.
ધારો કે સમય $t$ પર $A$ ના દબાણમાં ઘટાડો $P$ છે.
કુલ દબાણ $P_t = (P_0 - P) + 2P + P = P_0 + 2P$.
તેથી,$2P = P_t - P_0$,જે આપે છે $P = \frac{P_t - P_0}{2}$.
સમય $t$ પર $A$ નું દબાણ $P_A = P_0 - P = \frac{3P_0 - P_t}{2}$.
પ્રથમ ક્રમની પ્રક્રિયા માટે સંકલિત વેગ સમીકરણ $k = \frac{2.303}{t} \log \left( \frac{P_0}{P_A} \right)$ છે.
$P_A$ ની કિંમત મૂકતા:
$k = \frac{2.303}{t} \log \left( \frac{2P_0}{3P_0 - P_t} \right)$.

(A) સંકીર્ણ $[Co(C_2O_4)_3]^{3-}$ માં,મધ્યસ્થ ધાતુ આયન $Co^{3+}$ છે.
$Co^{3+}$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના $[Ar] 3d^6$ છે.
$C_2O_4^{2-}$ (ઓક્ઝેલેટ) એ પ્રબળ ક્ષેત્ર લિગેન્ડ છે,જે $3d$ કક્ષકોમાં ઇલેક્ટ્રોનનું યુગ્મીકરણ કરે છે.
આના પરિણામે $d^2sp^3$ સંકરણ થાય છે,જે તેને આંતરિક કક્ષકીય સંકીર્ણ બનાવે છે.
બધા ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મિત હોવાથી,તે પ્રતિચુંબકીય અને લો સ્પિન સંકીર્ણ છે.

(B) ફોસ્ફરસના ઓક્સો-એસિડની રચનાઓ નીચે મુજબ છે:
$1$. ઓર્થોફોસ્ફોરિક એસિડ $(H_3PO_4)$: તેમાં $0$ $P-H$ બંધ અને $3$ $OH$ સમૂહ છે. ગુણોત્તર = $0/3 = 0$.
$2$. હાઇપોફોસ્ફોરસ એસિડ $(H_3PO_2)$: તેમાં $2$ $P-H$ બંધ અને $1$ $OH$ સમૂહ છે. ગુણોત્તર = $2/1 = 2$.
$3$. ફોસ્ફોરસ એસિડ $(H_3PO_3)$: તેમાં $1$ $P-H$ બંધ અને $2$ $OH$ સમૂહ છે. ગુણોત્તર = $1/2 = 0.5$.
$4$. પાયરોફોસ્ફોરિક એસિડ $(H_4P_2O_7)$: તેમાં $0$ $P-H$ બંધ અને $4$ $OH$ સમૂહ છે. ગુણોત્તર = $0/4 = 0$.
ગુણોત્તરની સરખામણી કરતા,હાઇપોફોસ્ફોરસ એસિડનો ગુણોત્તર $2$ સૌથી વધુ છે.

(C) સૂત્ર $A_{0.8}O$ છે. આનો અર્થ એ છે કે દરેક $1$ મોલ $O^{2-}$ આયન માટે,$0.8$ મોલ $A$ આયનો છે.
ધારો કે $A^{2+}$ આયનોની સંખ્યા $x$ છે અને $A^{3+}$ આયનોની સંખ્યા $(0.8 - x)$ છે.
સ્ફટિક વિદ્યુતીય રીતે તટસ્થ હોવાથી,કુલ ધન વીજભાર કુલ ઋણ વીજભાર જેટલો હોવો જોઈએ:
$2x + 3(0.8 - x) = 2$
$2x + 2.4 - 3x = 2$
$-x = -0.4$
$x = 0.4$
આમ,$A^{2+}$ આયનોની સંખ્યા $0.4$ છે.
$A^{2+}$ આયન તરીકે અસ્તિત્વ ધરાવતી ધાતુનો અંશ નીચે મુજબ છે:
$\text{અંશ} = \frac{A^{2+} \text{ આયનોની સંખ્યા}}{\text{કુલ } A \text{ આયનોની સંખ્યા}} = \frac{0.4}{0.8} = 0.5$.

(B) વેગ અચળાંક $k$ ની ગણતરી આર્હેનિયસ સમીકરણ $k = A e^{-E_a / RT}$ નો ઉપયોગ કરીને કરવામાં આવે છે.
આપેલ છે: $A = 4 \times 10^{10}$,$E_a = 54.7 \, kJ/mol = 54700 \, J/mol$,$T = 527 + 273 = 800 \, K$,$R = 8.314 \, J \cdot K^{-1} \cdot mol^{-1}$.
કિંમતો મૂકતા:
$k = 4 \times 10^{10} \times e^{-54700 / (8.314 \times 800)}$
$k = 4 \times 10^{10} \times e^{-8.224}$
$k = 4 \times 10^{10} \times 2.68 \times 10^{-4}$
$k \approx 10.7 \times 10^{6} \, s^{-1}$.

(D) $Fe(CO)_5$ માં,$Fe-C$ બંધ $CO$ ના $C$ પરમાણુમાંથી ઇલેક્ટ્રોનની અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મના દાન દ્વારા બને છે,જે $Fe$ ની ખાલી $d$-કક્ષકમાં જાય છે,જે $\sigma$-બંધ બનાવે છે.
વધુમાં,$Fe$ ની ભરાયેલી $d$-કક્ષકોમાંથી $CO$ ની ખાલી અબંધકારક $\pi^*$-કક્ષકોમાં ઇલેક્ટ્રોનનું બેક-ડોનેશન થાય છે,જે $\pi$-બંધ બનાવે છે.
તેથી,$Fe-C$ બંધ $\sigma$ અને $\pi$ બંને લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે.

(A) બાષ્પ દબાણમાં સાપેક્ષ ઘટાડો નીચેના સૂત્ર દ્વારા આપવામાં આવે છે: $\frac{p^{\circ} - p_{s}}{p^{\circ}} = x_{2} = \frac{n_{2}}{n_{1} + n_{2}} \approx \frac{n_{2}}{n_{1}}$.
પ્રથમ,દ્રાવ્યના મોલ $(n_{2})$ ગણો: $n_{2} = \frac{0.5}{65} \approx 0.00769 \, mol$.
ત્યારબાદ,$CCl_{4}$ નું દળ ગણો: $Mass = Density \times Volume = 1.58 \, g/cm^{3} \times 100 \, cm^{3} = 158 \, g$.
$CCl_{4}$ નું આણ્વીય દળ = $12 + 4 \times 35.5 = 154 \, g/mol$.
દ્રાવકના મોલ $(n_{1})$: $n_{1} = \frac{158}{154} \approx 1.026 \, mol$.
સૂત્રનો ઉપયોગ કરતા: $\frac{143 - p_{s}}{143} = \frac{0.00769}{1.026}$.
$143 - p_{s} = 143 \times 0.007495 = 1.0718$.
$p_{s} = 143 - 1.0718 = 141.9282 \, mm\, Hg \approx 141.93 \, mm\, Hg$.

(A) પ્રક્રિયા શ્રેણી નીચે મુજબ છે:
$1$. $CH_2=CH_2$ એ $HOCl$ (હાઇપોક્લોરસ એસિડ) સાથે પ્રક્રિયા કરીને ઇથિલિન ક્લોરોહાઇડ્રિન $(X)$ બનાવે છે: $CH_2=CH_2 + HOCl \rightarrow CH_2(OH)-CH_2(Cl)$.
$2$. $CH_2(OH)-CH_2(Cl)$ (ઇથિલિન ક્લોરોહાઇડ્રિન) એ $NaHCO_3$ અથવા $NaOH$ જેવા બેઇઝ સાથે પ્રક્રિયા કરીને જળવિભાજન અથવા ઇપોક્સાઇડ નિર્માણ દ્વારા ઇથિલિન ગ્લાયકોલ $(CH_2(OH)-CH_2(OH))$ આપે છે.
$3$. આમ,$X$ એ $CH_2(OH)-CH_2(Cl)$ છે અને $Y$ એ $NaHCO_3$ છે.

(C) ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપી $\frac{x}{m} = k p^{1/n}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
બંને બાજુ લઘુગણક લેતા,આપણને $\log \frac{x}{m} = \log k + \frac{1}{n} \log p$ મળે છે.
આ સમીકરણ $y = mx + c$ સ્વરૂપની સીધી રેખા દર્શાવે છે,જ્યાં ઢાળ $\frac{1}{n}$ છે.
$n = 5$ આપેલ હોવાથી,ઢાળ $\frac{1}{5} = 0.2$ થશે.

(A) ઝિંક $(Zn)$ ની નાઈટ્રિક એસિડ $(HNO_{3})$ સાથેની પ્રક્રિયા એસિડની સાંદ્રતા પર આધાર રાખે છે.
$1$. મંદ $HNO_{3}$ સાથે,ઝિંક નાઈટ્રસ ઓક્સાઈડ $(N_{2}O)$ ઉત્પન્ન કરે છે:
$4Zn 10HNO_{3} {\text{મંદ}} \rightarrow 4Zn(NO_{3})_{2} 5H_{2}O N_{2}O$
$2$. સાંદ્ર $HNO_{3}$ સાથે,ઝિંક નાઈટ્રોજન ડાયોક્સાઈડ $(NO_{2})$ ઉત્પન્ન કરે છે:
$Zn 4HNO_{3} {\text{સાંદ્ર}} \rightarrow Zn(NO_{3})_{2} 2H_{2}O 2NO_{2}$
તેથી,નીપજો અનુક્રમે $N_{2}O$ અને $NO_{2}$ છે.

(B) પગલું $1$: સાયક્લોહેક્સેનોલનું $PCC$ (પિરિડિનિયમ ક્લોરોક્રોમેટ) દ્વારા ઓક્સિડેશન થઈને સાયક્લોહેક્સેનોન બને છે,જે નીપજ $(A)$ છે.
પગલું $2$: સાયક્લોહેક્સેનોન મંદ $NaOH$ અને ગરમી $(\Delta)$ ની હાજરીમાં સ્વયં-આલ્ડોલ સંઘનન પ્રક્રિયા અનુભવે છે અને $\alpha,\beta$-અસંતૃપ્ત કીટોન બનાવે છે,જે સાયક્લોહેક્સિલિડીનસાયક્લોહેક્સેનોન છે,જે નીપજ $(B)$ છે.

(D) ચેઈન ગ્રોથ પોલીમર દ્વિબંધ અથવા ત્રિબંધ ધરાવતા મોનોમર એકમોના વારંવારના ઉમેરા દ્વારા બને છે (દા.ત.,નિયોપ્રીન,બ્યુના-$S$,$PMMA$).
ગ્લિપ્ટલ એ ઇથિલિન ગ્લાયકોલ $(HOCH_2CH_2OH)$ અને થાલિક એસિડ $(C_6H_4(COOH)_2)$ વચ્ચેની પ્રક્રિયા દ્વારા પાણીના અણુઓના દૂર થવાથી બનતું કન્ડેન્સેશન અથવા સ્ટેપ-ગ્રોથ પોલીમર છે.

(A) પ્રથમ ક્રમની પ્રક્રિયા માટે,સંકલિત વેગ સમીકરણ નીચે મુજબ છે:
$k = \frac{2.303}{t} \log \left(\frac{a}{a-x}\right)$
સમીકરણને ગોઠવતા:
$kt = 2.303 \log a - 2.303 \log (a-x)$
$2.303 \log (a-x) = 2.303 \log a - kt$
$\log (a-x) = \log a - \frac{kt}{2.303}$
આને સીધી રેખાના સમીકરણ $y = mx + c$ સાથે સરખાવતા,જ્યાં $y = \log(a-x)$,$x = t$,અને $c = \log a$,ઢાળ $m = -\frac{k}{2.303}$ મળે છે.

(D) મિસેલ્સનું નિર્માણ માત્ર એક ચોક્કસ સાંદ્રતા જેને ક્રાંતિક મિસેલ સાંદ્રતા $(CMC)$ કહેવાય છે,તેનાથી ઉપર અને એક ચોક્કસ તાપમાન જેને ક્રાફ્ટ તાપમાન $(T_k)$ કહેવાય છે,તેનાથી ઉપર થાય છે.
તેથી,મિસેલ્સનું નિર્માણ $CMC$ ની નીચે થાય છે તે વિધાન ખોટું છે.

(B) પ્રથમ સંયોજન એ ચક્રીય એસિટલ ($2$-મેથોક્સિટેટ્રાહાઇડ્રોફ્યુરાન) છે,જે બેઝિક પરિસ્થિતિમાં સ્થિર છે અને ટોલેન્સ પ્રક્રિયક સાથે પ્રક્રિયા કરતું નથી.
બીજું સંયોજન એ ચક્રીય હેમિયાસિટલ ($2$-હાઇડ્રોક્સિટેટ્રાહાઇડ્રોફ્યુરાન) છે,જે જલીય દ્રાવણમાં તેના ઓપન-ચેઇન હાઇડ્રોક્સી-આલ્ડિહાઇડ સ્વરૂપ સાથે સંતુલનમાં રહે છે.
ઓપન-ચેઇન હાઇડ્રોક્સી-આલ્ડિહાઇડમાં મુક્ત આલ્ડિહાઇડ સમૂહ $(-CHO)$ હોય છે,જે ટોલેન્સ કસોટીમાં હકારાત્મક પરિણામ (સિલ્વર મિરરનું નિર્માણ) આપે છે.
તેથી,બંને વચ્ચે તફાવત કરવા માટે ટોલેન્સ પ્રક્રિયકનો ઉપયોગ કરી શકાય છે.

(B) આ પ્રક્રિયા શ્રેણી હિન્સબર્ગ પ્રક્રિયક $(PhSO_2Cl)$ નો ઉપયોગ કરીને પ્રાથમિક એમાઈન માટેની લાક્ષણિક કસોટી છે.
$1$. $A$ એ પ્રાથમિક એમાઈન $(RNH_2)$ છે.
$2$. $A$,$PhSO_2Cl$ સાથે પ્રક્રિયા કરીને $N$-આલ્કાઈલબેન્ઝીન સલ્ફોનેમાઈડ ($B$,$PhSO_2NHR$) બનાવે છે.
$3$. $B$ માં નાઈટ્રોજન પરમાણુ પર એસિડિક હાઈડ્રોજન હોય છે,તેથી તે $KOH$ સાથે પ્રક્રિયા કરીને પાણીમાં દ્રાવ્ય પોટેશિયમ ક્ષાર ($C$,$PhSO_2N^-R K^+$) બનાવે છે.
$4$. ક્ષાર $C$ એ ઈથાઈલ આયોડાઈડ $(C_2H_5I)$ સાથે આલ્કાઈલેશન પ્રક્રિયા કરીને $N$-ઈથાઈલ-$N$-આલ્કાઈલબેન્ઝીન સલ્ફોનેમાઈડ ($D$,$PhSO_2N(C_2H_5)R$) બનાવે છે.
તેથી,$A$ એ $RNH_2$ છે અને $D$ એ $PhSO_2N(C_2H_5)R$ છે.

(D) આ પ્રક્રિયામાં $5-$મિથાઈલીનસાયક્લોહેક્સ$-2-$એનોનમાં હાજર બે દ્વિબંધો પર $HBr$ નું ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી યોગશીલ થાય છે.
પ્રથમ,$HBr$ એક્સોસાયક્લિક દ્વિબંધ પર ઉમેરાય છે. પ્રોટોનેશન દ્વારા $5-$સ્થાન પર સ્થાયી $3^{\circ}$ કાર્બોકેટાયન બને છે,જેના પર બ્રોમાઈડ આયન હુમલો કરીને $5-$બ્રોમો$-5-$મિથાઈલસાયક્લોહેક્સ$-2-$એનોન મધ્યવર્તી નીપજ બનાવે છે.
બીજું,$HBr$ બાકી રહેલા એન્ડોસાયક્લિક દ્વિબંધ પર ઉમેરાય છે. માર્કોવનીકોવના નિયમ મુજબ,પ્રોટોન વધુ હાઈડ્રોજન ધરાવતા કાર્બન પર ઉમેરાય છે અને બ્રોમાઈડ તે કાર્બન પર ઉમેરાય છે જે વધુ સ્થાયી કાર્બોકેટાયન બનાવે છે (કાર્બોનિલ જૂથની પ્રેરક અસર દ્વારા સ્થાયી).
અંતિમ નીપજ $3-$બ્રોમો$-5-$બ્રોમો$-5-$મિથાઈલસાયક્લોહેક્ઝેનોન છે.

(A) આલ્કોહોલિક $KOH$ સાથેની પ્રક્રિયા એ $E2$ વિલોપન પ્રક્રિયા છે.
$E2$ પ્રક્રિયાઓમાં પ્રતિક્રિયાત્મકતા બે મુખ્ય પરિબળો પર આધાર રાખે છે:
$1$. બનતા આલ્કીનની સ્થિરતા (વધારે વિસ્થાપિત આલ્કીન વધુ સ્થિર હોય છે).
$2$. લિવિંગ ગ્રુપનો સ્વભાવ $(I^- > Br^- > Cl^-)$.
સંયોજનોનું વિશ્લેષણ:
$(a)$ $2$-બ્રોમો-$2,3$-ડાયમિથાઈલબ્યુટેન એ $3^{\circ}$ આલ્કાઈલ બ્રોમાઈડ છે. તે વધુ વિસ્થાપિત અને સ્થિર આલ્કીન બનાવે છે.
$(c)$ $2$-બ્રોમોબ્યુટેન એ $2^{\circ}$ આલ્કાઈલ બ્રોમાઈડ છે.
$(b)$ $2$-ક્લોરોબ્યુટેન એ $2^{\circ}$ આલ્કાઈલ ક્લોરાઈડ છે. $Br^-$ એ $Cl^-$ કરતા સારું લિવિંગ ગ્રુપ હોવાથી,$(c) > (b)$.
$(d)$ $1$-બ્રોમોપ્રોપેન એ $1^{\circ}$ આલ્કાઈલ બ્રોમાઈડ છે,જે $E2$ વિલોપન માટે સૌથી ઓછું પ્રતિક્રિયાત્મક છે.
આમ,પ્રતિક્રિયાત્મકતાનો સાચો ક્રમ $(a) > (c) > (b) > (d)$ છે.

(A) ફોર્માલ્ડિહાઈડ $(HCHO)$ અને એસીટાલ્ડિહાઈડ $(CH_3CHO)$ વચ્ચેની ક્રોસ-કેનિઝારો પ્રક્રિયામાં,ફોર્માલ્ડિહાઈડ $OH^-$ દ્વારા ન્યુક્લિયોફિલિક હુમલા પ્રત્યે વધુ સક્રિય છે કારણ કે તેમાં ઈલેક્ટ્રોન-ડોનેટિંગ આલ્કાઈલ સમૂહોનો અભાવ છે.
પરિણામે,ફોર્માલ્ડિહાઈડનું ઓક્સિડેશન થઈને સોડિયમ ફોર્મેટ $(HCO_2Na)$ બને છે અને એસીટાલ્ડિહાઈડનું રિડક્શન થઈને ઈથેનોલ $(CH_3CH_2OH)$ બને છે.
પ્રક્રિયા: $HCHO + CH_3CHO \xrightarrow{Conc. NaOH} HCO_2Na + CH_3CH_2OH$

(C) કાર્બોક્સિલિક એસિડની એસિડિક પ્રબળતા તેના પર જોડાયેલા ઇલેક્ટ્રોન-ખેંચનાર અથવા ઇલેક્ટ્રોન-દાતા સમૂહો પર આધાર રાખે છે.
$1$. $F_3CCOOH$: ત્રણ ફ્લોરિન પરમાણુઓની પ્રબળ ઇલેક્ટ્રોન-ખેંચવાની અસર એસિડિકતામાં નોંધપાત્ર વધારો કરે છે.
$2$. $C_6H_5COOH$: ફિનાઇલ સમૂહ રેઝોનન્સ અને ઇન્ડક્ટિવ અસર દ્વારા ઇલેક્ટ્રોન-ખેંચવાની અસર દર્શાવે છે,જે તેને એલિફેટિક એસિડ કરતા વધુ એસિડિક બનાવે છે.
$3$. $CH_3COOH$: મિથાઈલ સમૂહ ઇલેક્ટ્રોન-દાતા (+$I$ અસર) છે,જે બેન્ઝોઈક એસિડની સરખામણીમાં એસિડિકતા ઘટાડે છે.
$4$. $CH_3CH_2COOH$: ઇથાઈલ સમૂહ એ મિથાઈલ સમૂહ કરતા વધુ પ્રબળ ઇલેક્ટ્રોન-દાતા (+$I$ અસર) છે,જે એસિડિકતામાં વધુ ઘટાડો કરે છે.
આમ,એસિડિક પ્રબળતાનો ક્રમ: $i > iii > ii > iv$ છે.
$pK_a$ એ એસિડિક પ્રબળતાના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં હોવાથી $(pK_a = -\log K_a)$,$pK_a$ મૂલ્યોનો સાચો ક્રમ $iv > ii > iii > i$ થશે.

(A) $3-$વિનાઇલબેન્ઝાલ્ડિહાઇડનું $3-(2-$બ્રોમોઇથાઇલ$)$બેન્ઝોઇક એસિડમાં રૂપાંતરણ બે મુખ્ય તબક્કામાં થાય છે:
$1$. આયોડોફોર્મ કસોટીના પ્રક્રિયકો $(I_2/NaOH)$ નો ઉપયોગ કરીને આલ્ડિહાઇડ ગ્રુપ $(-CHO)$ નું કાર્બોક્સિલિક એસિડ ગ્રુપ $(-COOH)$ માં ઓક્સિડેશન કરવામાં આવે છે,જે આલ્કીન ગ્રુપને અસર કરતું નથી.
$2$. વિનાઇલ ગ્રુપ $(-CH=CH_2)$ પર $HBr/R_2O_2$ (પેરોક્સાઇડ અસર) નો ઉપયોગ કરીને એન્ટિ-માર્કોવનીકોવ ઉમેરણ દ્વારા $2-$બ્રોમોઇથાઇલ ગ્રુપ મેળવવામાં આવે છે.
આમ,યોગ્ય પ્રક્રિયકોનો ક્રમ $I_2/NaOH$ અને ત્યારબાદ $HBr/R_2O_2$ છે.

(A) ન્યુક્લિયોફિલિક એડિશન પ્રતિક્રિયાની સક્રિયતા કાર્બોનિલ કાર્બનની ઇલેક્ટ્રોફિલિસિટી પર આધાર રાખે છે.
$1.$ આલ્ડિહાઇડ્સ કીટોન્સ કરતા વધુ સક્રિય હોય છે.
$2.$ ઇલેક્ટ્રોન-ડોનેટિંગ ગ્રુપ્સ $(EDG)$ કાર્બોનિલ કાર્બનની ઇલેક્ટ્રોફિલિસિટી ઘટાડે છે,જેથી સક્રિયતા ઘટે છે.
$3.$ ઇલેક્ટ્રોન-ડોનેટિંગ ક્ષમતાનો ક્રમ: $CH_{3}O$ (મજબૂત $+M$) $> CH_{3}$ (નબળું $+I$) $> H$ (કોઈ અસર નહીં).
$4.$ સંયોજનોની સરખામણી કરતા: $(2) > (3) > (4) > (1)$.

(C) આલ્ડિહાઈડ અથવા કીટોનની $CH_{3}MgBr$ (ગ્રીગનાર્ડ પ્રક્રિયક) સાથે પ્રક્રિયા અને ત્યારબાદ જળવિભાજન કરવાથી આલ્કોહોલ મળે છે.
પરિણામી આલ્કોહોલ આયોડોફોર્મ કસોટી આપે તે માટે તેમાં $CH_{3}CH(OH)-$ સમૂહ હોવો જરૂરી છે.
$C_{7}H_{10}O$ થી શરૂઆત કરતા,જો $A$ એ સાયક્લોહેક્સ$-3-$ઈન$-1-$કાર્બાલ્ડિહાઈડ હોય,તો પ્રક્રિયા નીચે મુજબ છે:
$C_{6}H_{9}CHO + CH_{3}MgBr \rightarrow C_{6}H_{9}CH(OMgBr)CH_{3}$
જળવિભાજન પછી,આ $C_{6}H_{9}CH(OH)CH_{3}$ આપે છે,જે $CH_{3}CH(OH)-$ સમૂહ ધરાવતો દ્વિતીયક આલ્કોહોલ છે.
આ બંધારણ $I_{2}/NaOH$ સાથે ધન આયોડોફોર્મ કસોટી આપે છે.
આમ,$A$ નું બંધારણ સાયક્લોહેક્સ$-3-$ઈન$-1-$કાર્બાલ્ડિહાઈડ છે.

(D) ટાયરોસિનમાં ફિનોલિક સમૂહ હોય છે,જે તટસ્થ $FeCl_{3}$ દ્રાવણ સાથે જાંબલી રંગ આપે છે. તેથી,$A-R$.
સેરીનમાં પ્રાથમિક આલ્કોહોલિક સમૂહ $(-OH)$ હોય છે,જે સેરિક એમોનિયમ નાઈટ્રેટ સાથે પ્રક્રિયા કરીને લાલ રંગ આપે છે. તેથી,$B-Q$.
ટ્રિપ્ટોફેન એક આવશ્યક એમિનો એસિડ છે જે આહારમાંથી મેળવવો જરૂરી છે. તેથી,$C-P$.
પ્રોલિન એ દ્વિતીયક એમિન ($2^{\circ}$ એમિન) છે. કાર્બાઈલેમાઈન કસોટી પ્રાથમિક એમિન ($1^{\circ}$ એમિન) માટે વિશિષ્ટ છે અને દ્વિતીયક એમિન માટે ઋણ પરિણામ આપે છે. તેથી,$D-S$.
આમ,સાચી જોડ $A-R, B-Q, C-P, D-S$ છે.

(C) હાઇડ્રાઝોઇક એસિડ $(N_{3}H)$ એ $NaOH$ સાથે પ્રક્રિયા કરીને સોડિયમ એઝાઇડ $(NaN_{3})$ અને પાણી બનાવે છે. જોકે,નાઇટ્રોજનયુક્ત સંયોજનોના સંદર્ભમાં,$N_{3}H$ ઘણીવાર ચોક્કસ રાસાયણિક પરિસ્થિતિઓમાં એમોનિયાના મુક્ત થવા સાથે સંકળાયેલું છે. આપેલા વિકલ્પોમાંથી,$N_{3}H$ એ એકમાત્ર નાઇટ્રોજનયુક્ત સંયોજન છે જે $NH_{3}$ ના નિર્માણ તરફ દોરી જતી પ્રક્રિયાઓમાં સામેલ થઈ શકે છે.

(D) $MnO$ એન્ટિફેરોમેગ્નેટિક છે કારણ કે ડોમેન્સની ચુંબકીય મોમેન્ટ્સ એકબીજાની અસર નાબૂદ કરે તેવી રીતે ગોઠવાયેલી હોય છે,જેના પરિણામે ચોખ્ખી ચુંબકીય મોમેન્ટ શૂન્ય થાય છે. આ નીચે દર્શાવેલ વૈકલ્પિક સ્પિન દિશાઓ દ્વારા સમજાવવામાં આવ્યું છે:
(આકૃતિમાં એન્ટિફેરોમેગ્નેટિક તરીકે લેબલ થયેલ ઉપર અને નીચે નિર્દેશ કરતા તીરોની ગ્રીડ દર્શાવેલ છે).

(A) ઝિંક $(Zn)$ અને કેડમિયમ $(Cd)$ અન્ય સંક્રાંતિ તત્વોની સરખામણીમાં પ્રમાણમાં નરમ ધાતુઓ છે.
તેમની પાસે સંપૂર્ણ ભરાયેલી $d$-કક્ષકો ($d^{10}$ ઇલેક્ટ્રોન રચના) હોવાને કારણે તેઓ નબળા ધાત્વિક બંધ બનાવે છે,જે ધાત્વિક બંધનમાં ભાગ લેતી નથી.
$Zn$ નું ગલનબિંદુ $419.5\,^{\circ}C$ છે અને $Cd$ નું ગલનબિંદુ $321\,^{\circ}C$ છે.
આ બંને મૂલ્યો $500\,^{\circ}C$ થી ઓછા છે.

(D) $Cl_2O$ (ડાયક્લોરિન મોનોક્સાઇડ) એક પ્રબળ ઓક્સિડેશનકર્તા તરીકે કાર્ય કરે છે અને તેનો ઉપયોગ પાણીના શુદ્ધિકરણ અને જંતુનાશક તરીકે થાય છે.

(D) બિસ્મથ આયન $(Bi^{3+})$ નો કાર્બોનેટ આછા પીળા રંગનો હોય છે.
બીજી તરફ,$Hg_{2}^{2+}$,$Sr^{2+}$ અને $Li^{+}$ ના કાર્બોનેટ રંગહીન હોય છે.

(C) ક્લોરિન પાણીનો પીળો રંગ $HCl$ અને $HOCl$ (હાઈપોક્લોરસ એસિડ) ના નિર્માણને કારણે ઝાંખો પડે છે.
$HOCl$ અસ્થિર છે અને તે નવજાત ઓક્સિજન આપે છે,જે બ્લીચિંગ એજન્ટ તરીકે કાર્ય કરે છે.
પ્રક્રિયા નીચે મુજબ છે:
$Cl_{2} + H_{2}O \rightarrow HCl + HOCl$
$HOCl \rightarrow HCl + [O]$