AIIMS 2002 Chemistry Question Paper with Answer and Solution in Gujarati

(A) નિસરણીને લીસી ઉભી દીવાલ સાથે ટેકવેલી છે,જેનો અર્થ છે કે દીવાલ સાથેના સંપર્ક બિંદુએ કોઈ ઘર્ષણ નથી.
નિસરણીનું વજન શિરોલંબ નીચેની તરફ લાગે છે,$W = 250 \ N$.
ભોંયતળિયા દ્વારા નિસરણી પર લાગતું લંબબળ $R$ એ શિરોલંબ દિશામાં નિસરણીના વજનને સંતુલિત કરે છે.
તેથી,$R = W = 250 \ N$.
નિસરણી અને ભોંયતળિયા વચ્ચેના સંપર્ક બિંદુએ ઉપલબ્ધ મહત્તમ સ્થિત ઘર્ષણ બળ $f_{max}$ એ સૂત્ર $f_{max} = \mu R$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $\mu$ એ ઘર્ષણાંક છે.
આપેલ છે કે $\mu = 0.3$ અને $R = 250 \ N$,તેથી:
$f_{max} = 0.3 \times 250 \ N = 75 \ N$.

(A) ડી બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ નું સૂત્ર $\lambda = \frac{h}{p} = \frac{h}{mv}$ છે.
વેગ $v$ ને કર્તા બનાવતા,$v = \frac{h}{m\lambda}$ મળે છે.
કિંમતો મૂકતા: $h = 6.63 \times 10^{-34} \ J \cdot s$,$m = 9.11 \times 10^{-31} \ kg$,અને $\lambda = 10^{-10} \ m$.
$v = \frac{6.63 \times 10^{-34}}{(9.11 \times 10^{-31}) \times (10^{-10})} = \frac{6.63}{9.11} \times 10^{7} \ m/s \approx 0.727 \times 10^{7} \ m/s = 7.27 \times 10^6 \ m/s$.
આપેલા વિકલ્પો મુજબ નજીકની કિંમત $7.25 \times 10^6 \ m/s$ છે.

(B) સલ્ફરનું પરમાણ્વીય દળ $32 \ g/mol$ છે.
આપેલ છે કે સંયોજન દળથી $8\%$ સલ્ફર ધરાવે છે,જેનો અર્થ છે કે $100 \ g$ સંયોજનમાં $8 \ g$ સલ્ફર હાજર છે.
ન્યૂનતમ આણ્વીય દળ શોધવા માટે,આપણે ધારીએ છીએ કે અણુમાં ઓછામાં ઓછો એક સલ્ફરનો પરમાણુ છે.
તેથી,$1 \ g$ સલ્ફર $\frac{100}{8} \ g$ સંયોજનમાં હાજર હોય.
$32 \ g$ સલ્ફર (એક મોલ પરમાણુ) માટે,સંયોજનનું દળ $\frac{100}{8} \times 32 = 400 \ g/mol$ થશે.

(C) એઝિમુથલ ક્વોન્ટમ નંબર $(l)$ કક્ષકનો આકાર અને આપેલ કક્ષકમાં ઇલેક્ટ્રોનનું કોણીય વેગમાન નક્કી કરે છે. કોણીય વેગમાનનું મૂલ્ય $\sqrt{l(l+1)} \frac{h}{2\pi}$ સૂત્ર દ્વારા આપવામાં આવે છે.

(C) ક્વોન્ટમ આંકડાઓ હાઇડ્રોજન પરમાણુ માટે $Schr\ddot{o}dinger$ તરંગ સમીકરણના ઉકેલ પરથી મેળવવામાં આવે છે. આ આંકડાઓ કક્ષકોના કદ,આકાર અને દિશા તેમજ ઇલેક્ટ્રોનના સ્પિનનું વર્ણન કરે છે. જોકે વિકલ્પોમાં આપેલા સિદ્ધાંતો (હુંડનો નિયમ,આઉફબાઉનો સિદ્ધાંત,પાઉલીનો અપવર્જનનો સિદ્ધાંત) કક્ષકોમાં ઇલેક્ટ્રોન ભરવાની રીત નક્કી કરે છે,પરંતુ ક્વોન્ટમ આંકડાઓ પોતે તરંગ સમીકરણના મૂળભૂત ગાણિતિક ઉકેલો છે,જે પરમાણુના ક્વોન્ટમ યાંત્રિક મોડેલ સાથે સુસંગત છે.

(B) ઇલેક્ટ્રોનિક રચનાની ઉર્જા કક્ષકોમાં રહેલા તમામ ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જાના સરવાળા દ્વારા નક્કી કરવામાં આવે છે.
આપેલ મુખ્ય ક્વોન્ટમ આંક $n=3$ માટે,કક્ષકોની ઉર્જાનો ક્રમ $3s < 3p < 3d$ છે.
મહત્તમ ઉર્જા ધરાવતી રચના શોધવા માટે,આપણે ઉચ્ચ ઉર્જા ધરાવતી કક્ષકો ($3p$ અને $3d$) માં રહેલા ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યાની તુલના કરીએ છીએ.
વિકલ્પ $A$: $3s$ માં $2$ ઇલેક્ટ્રોન,$3p$ માં $2$,$3d$ માં $0$. $3p+3d$ માં કુલ ઇલેક્ટ્રોન = $2$.
વિકલ્પ $B$: $3s$ માં $2$ ઇલેક્ટ્રોન,$3p$ માં $3$,$3d$ માં $2$. $3p+3d$ માં કુલ ઇલેક્ટ્રોન = $5$.
વિકલ્પ $C$: $3s$ માં $2$ ઇલેક્ટ્રોન,$3p$ માં $3$,$3d$ માં $1$. $3p+3d$ માં કુલ ઇલેક્ટ્રોન = $4$.
વિકલ્પ $D$: $3s$ માં $2$ ઇલેક્ટ્રોન,$3p$ માં $3$,$3d$ માં $1$. $3p+3d$ માં કુલ ઇલેક્ટ્રોન = $4$.
ઉચ્ચ ઉર્જા ધરાવતી કક્ષકોમાં ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યાની તુલના કરતા,વિકલ્પ $B$ માં $3p$ અને $3d$ કક્ષકોમાં સૌથી વધુ ઇલેક્ટ્રોન છે,તેથી તે મહત્તમ ઉર્જા ધરાવતી સ્થિતિ દર્શાવે છે.

(C) બંધ ઉર્જા એ બંધ ક્રમાંક પર આધાર રાખે છે.
$N_2$ માં ત્રિ-બંધ $(N \equiv N)$ હોય છે જેનો બંધ ક્રમાંક $3$ છે.
$O_2$ માં દ્વિ-બંધ $(O=O)$ હોય છે જેનો બંધ ક્રમાંક $2$ છે.
$F_2$ માં એકલ બંધ $(F-F)$ હોય છે જેનો બંધ ક્રમાંક $1$ છે.
$C_2$ નો બંધ ક્રમાંક $2$ છે.
બંધ ઉર્જા એ બંધ ક્રમાંકના સમપ્રમાણમાં હોવાથી,$N_2$ ની બંધ ઉર્જા સૌથી વધુ છે.

(A) $H_2C=O$ (ફોર્માલ્ડિહાઇડ) માં અત્યંત ધ્રુવીય $C=O$ બંધ હોવાને કારણે સૌથી વધુ ડાયપોલ મોમેન્ટ હોય છે.
ઓક્સિજન કાર્બન કરતા વધુ વિદ્યુતઋણ હોવાથી,તે મોટો બંધ ડાયપોલ બનાવે છે.
ટ્રાન્સ-આઇસોમર્સ જેવા કે ટ્રાન્સ-બ્યુટ$-2-$ઈન અને ટ્રાન્સ$-2,3-$ડાયક્લોરો$-2-$બ્યુટીનમાં,આણ્વિય સમપ્રમાણતાને કારણે બંધ ડાયપોલ એકબીજાને રદ કરે છે,પરિણામે ચોખ્ખી ડાયપોલ મોમેન્ટ શૂન્ય થાય છે.
$2$-મિથાઈલપ્રોપીનનો ડાયપોલ મોમેન્ટ ઓછો હોય છે,પરંતુ તે ફોર્માલ્ડિહાઇડ કરતા ઘણો ઓછો છે.

(A) $BF_3$ ત્રિકોણીય સમતલીય બંધારણ ધરાવે છે,જે તેને $0 \ D$ ડાયપોલ મોમેન્ટ સાથે અધ્રુવીય બનાવે છે.
$NH_3$ માં,અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ અને $N-H$ બંધના ડાયપોલ એક જ દિશામાં હોવાથી,પરિણામી ડાયપોલ મોમેન્ટ $1.47 \ D$ જેટલી વધુ હોય છે.
$NF_3$ માં,અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ અને $N-F$ બંધના ડાયપોલ વિરુદ્ધ દિશામાં હોવાથી,પરિણામી ડાયપોલ મોમેન્ટ $0.24 \ D$ જેટલી ઓછી હોય છે.
તેથી,ડાયપોલ મોમેન્ટનો સાચો ચડતો ક્રમ $BF_3 < NF_3 < NH_3$ છે.

(C) નિસ્યંદિત પાણીમાં,સ્વયં-આયનીકરણ પ્રક્રિયા $2H_2O(l) \rightleftharpoons H_3O^{+}(aq) + OH^{-}(aq)$ છે.
પાણી તટસ્થ હોવાથી,હાઇડ્રોનિયમ આયનોની સાંદ્રતા હાઇડ્રોક્સાઇડ આયનોની સાંદ્રતા જેટલી હોય છે: $[H_3O^{+}] = [OH^{-}] = 1 \times 10^{-6} \, mol/L.$
પાણીનો આયનીય ગુણાકાર,$K_w,$ નીચે મુજબ વ્યાખ્યાયિત થાય છે: $K_w = [H_3O^{+}][OH^{-}].$
આપેલ મૂલ્યો મૂકતા: $K_w = (1 \times 10^{-6}) \times (1 \times 10^{-6}) = 1 \times 10^{-12}.$
તેથી,સાચો વિકલ્પ $C$ છે.

(A) $CuBr$ નું વિયોજન નીચે મુજબ થાય છે: $CuBr(s) \rightleftharpoons Cu^{+}(aq) + Br^{-}(aq)$
ધારો કે $CuBr$ ની દ્રાવ્યતા $S \ mol/L$ છે.
તેથી,$[Cu^{+}] = S$ અને $[Br^{-}] = S$ થાય.
દ્રાવ્યતા ગુણાકાર અચળાંક $K_{sp}$ નું સૂત્ર: $K_{sp} = [Cu^{+}][Br^{-}] = S \times S = S^2$.
અહીં $S = 2 \times 10^{-4} \ mol/L$ આપેલ છે,તેથી:
$K_{sp} = (2 \times 10^{-4})^2 = 4 \times 10^{-8} \ mol^2 \ L^{-2}$.

(B) આ દ્રાવણ એ નિર્બળ એસિડ $(CH_3COOH)$ અને પ્રબળ બેઇઝ સાથેના તેના ક્ષાર $(CH_3COONa)$ નું બફર દ્રાવણ છે.
હેન્ડરસન-હેસલબેક સમીકરણનો ઉપયોગ કરતા: $pH = pK_a + \log \frac{[salt]}{[acid]}$.
આપેલ છે: $pK_a = 4.57$,$[salt] = 0.10\,M$,$[acid] = 0.03\,M$.
કિંમતો મૂકતા: $pH = 4.57 + \log \frac{0.10}{0.03} = 4.57 + \log(3.33)$.
$\log(3.33) \approx 0.52$ હોવાથી,$pH = 4.57 + 0.52 = 5.09$ મળે છે.

(B) પ્રબળ એસિડ $(HNO_3)$ અને પ્રબળ બેઇઝ $(KOH)$ વચ્ચેની પ્રક્રિયા આ મુજબ છે: $H^+ + OH^- \rightarrow H_2O$,$\Delta H = -57.0 \, kJ \, mol^{-1}$.
અહીં $0.2 \, mole$ $KOH$ એ સીમિત પ્રક્રિયક હોવાથી,તે $0.2 \, mole$ $HNO_3$ સાથે પ્રક્રિયા કરીને $0.2 \, mole$ $H_2O$ ઉત્પન્ન કરશે.
મુક્ત થતી ઉષ્માની ગણતરી: $\text{Heat} = \Delta H \times \text{moles of water formed} = 57.0 \, kJ \, mol^{-1} \times 0.2 \, mol = 11.4 \, kJ$.

(D) ધારો કે $Fe$ ની સરેરાશ ઓક્સિડેશન અવસ્થા $x$ છે.
$Fe_3O_4$ માં,ઓક્સિજનની ઓક્સિડેશન અવસ્થા $-2$ છે.
તટસ્થ અણુમાં તમામ પરમાણુઓની ઓક્સિડેશન અવસ્થાઓનો સરવાળો $0$ થાય છે.
$3x + 4(-2) = 0$
$3x - 8 = 0$
$3x = 8$
$x = \frac{8}{3}$

(A) $Li$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના $1s^2 \, 2s^1$ છે,તેથી $Li^{2+}$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના $1s^1$ થાય છે.
બોહરનો મોડેલ અને તેના પરિણામી વર્ણપટ હાઇડ્રોજન જેવા સ્પીસીઝ માટે લાગુ પડે છે,જેમાં માત્ર એક જ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે.
$Li^{2+}$ માં માત્ર એક જ ઇલેક્ટ્રોન હોવાથી,તેનો વર્ણપટ હાઇડ્રોજન પરમાણુ $(H)$ જેવો હોય છે,જેની ઇલેક્ટ્રોન રચના પણ $1s^1$ છે.

(A) મેગ્નેશિયમ $(Mg)$ ની પાણી $(H_2O)$ સાથેની પ્રક્રિયાથી મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ $(Mg(OH)_2)$ અને હાઇડ્રોજન વાયુ $(H_2)$ ઉત્પન્ન થાય છે:
$Mg + 2H_2O \to Mg(OH)_2 + H_2 \uparrow$
અન્ય આપેલી પ્રક્રિયાઓમાં હાઇડ્રોજન વાયુને બદલે હાઇડ્રોજન પેરોક્સાઇડ $(H_2O_2)$ ઉત્પન્ન થાય છે.

(B) $1$. ક્રિયાશીલ સમૂહ (નાઈટ્રાઈલ સમૂહ) ધરાવતી સૌથી લાંબી કાર્બન શૃંખલા પસંદ કરો. આ શૃંખલામાં $6$ કાર્બન છે,તેથી મુખ્ય આલ્કેન હેક્ઝેન છે.
$2$. નાઈટ્રાઈલ કાર્બનથી $C-1$ તરીકે નંબર આપવાનું શરૂ કરો.
$3$. નાઈટ્રાઈલ સમૂહ $C-1$ પર છે,તેથી પ્રત્યય $nitrile$ લાગશે.
$4$. $4$થા કાર્બન પર એક મિથાઈલ સમૂહ છે.
$5$. સાચું $IUPAC$ નામ $4-$મિથાઈલહેક્ઝેન નાઈટ્રાઈલ છે.

(A) $pent-4-en-1-yne$ નું બંધારણ $HC \equiv C-CH_2-CH=CH_2$ છે.
$\sigma$ બંધોની સંખ્યા = $4$ ($C-C$ બંધ) + $6$ ($C-H$ બંધ) = $10$.
$\pi$ બંધોની સંખ્યા = $2$ ($C \equiv C$ માંથી) + $1$ ($C=C$ માંથી) = $3$.

(D) કાઈરલ સંયોજન તે છે જેમાં ઓછામાં ઓછો એક કાઈરલ કાર્બન પરમાણુ (ચાર અલગ-અલગ સમૂહો સાથે જોડાયેલ કાર્બન પરમાણુ) હોય.
$2,3,4-$ટ્રાયમિથાઈલ હેક્ઝેનમાં,$3$ નંબરના સ્થાન પરનો કાર્બન પરમાણુ એક હાઈડ્રોજન પરમાણુ,એક મિથાઈલ સમૂહ,એક ઈથાઈલ સમૂહ અને એક $sec-$બ્યુટાઈલ સમૂહ સાથે જોડાયેલ છે.
$C-3$ પરમાણુ સાથે જોડાયેલા ચારેય સમૂહો અલગ હોવાથી,તે એક કાઈરલ કેન્દ્ર છે.
તેથી,$2,3,4-$ટ્રાયમિથાઈલ હેક્ઝેન એક કાઈરલ સંયોજન છે.

(C) મંદ $H_2SO_4$ અને $Hg^{2+}$ આયનોની હાજરીમાં એસિટિલીનનું જલીયકરણ નીચે મુજબ થાય છે:
$CH \equiv CH + H_2O \xrightarrow{H_2SO_4, Hg^{2+}} [CH_2 = CH - OH]$
આ મધ્યવર્તી સંયોજન,વિનાઈલ આલ્કોહોલ,અસ્થાયી છે અને વધુ સ્થાયી કાર્બોનિલ સંયોજન બનાવવા માટે ટોટોમેરાઈઝેશન (પુનઃરચના) પામે છે:
$[CH_2 = CH - OH] \rightarrow CH_3 - CHO$ (એસીટાલ્ડિહાઈડ).

(D) $P(0)$: ફોસ્ફરસ એ $p-$બ્લોકનું તત્વ છે (સમૂહ $15$). તેની સંયોજકતા કક્ષા $3$જી કક્ષા $(3s^2 3p^3)$ છે,અને તેમાં $3d-$સબશેલમાં કોઈ ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$Fe(III)$: તેની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $[Ar] 3d^5$ છે. તેમાં $3d-$સબશેલમાં સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન હોય છે.
$Mn(II)$: તેની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $[Ar] 3d^5$ છે. તેમાં $3d-$સબશેલમાં સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન હોય છે.
$Cr(I)$: તેની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $[Ar] 3d^5$ છે. તેમાં $3d-$સબશેલમાં સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન હોય છે.
તેથી,$P(0)$ સાચો જવાબ છે.

(D) કોઈ ચોક્કસ નિવાસસ્થાનમાં એકમ વિસ્તાર અથવા કદ દીઠ પ્રજાતિના વ્યક્તિઓની કુલ સંખ્યાને નિરપેક્ષ ઘનતા (Absolute density) કહેવામાં આવે છે. તે ચોક્કસ વિસ્તારમાં વસ્તીના કદની વાસ્તવિક ગણતરી દર્શાવે છે.

(D) વિનાશક વ્યતિકરણ થવા માટે,બે તરંગો એક બિંદુ પર વિરુદ્ધ કળામાં પહોંચવા જોઈએ.
આ ત્યારે થાય છે જ્યારે બે તરંગો વચ્ચેનો પથ તફાવત એ તરંગલંબાઈના અડધા ભાગનો એકી ગુણાંક હોય.
વિનાશક વ્યતિકરણ માટેની શરત પથ તફાવત $\Delta x = (2n + 1) \frac{\lambda}{2}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $n = 0, 1, 2, 3, \dots$ છે.

(B) બિંદુવત વિદ્યુતભાર $Q$ થી $r$ અંતરે આવેલા બિંદુએ વિદ્યુતસ્થિતિમાન $V = \frac{1}{4\pi \epsilon_0} \cdot \frac{Q}{r}$ સૂત્ર દ્વારા આપવામાં આવે છે.
આપેલ સમદ્વિબાજુ ત્રિકોણમાં,શિરોબિંદુ $A$ થી $B$ નું અંતર $a$ છે અને શિરોબિંદુ $A$ થી $C$ નું અંતર પણ $a$ છે (કારણ કે તે સમદ્વિબાજુ ત્રિકોણ છે જેમાં $AB = AC = a$).
$B$ પરના $+q$ વિદ્યુતભારને કારણે શિરોબિંદુ $A$ પરનું સ્થિતિમાન $V_B = \frac{1}{4\pi \epsilon_0} \cdot \frac{+q}{a}$ થાય.
$C$ પરના $-q$ વિદ્યુતભારને કારણે શિરોબિંદુ $A$ પરનું સ્થિતિમાન $V_C = \frac{1}{4\pi \epsilon_0} \cdot \frac{-q}{a}$ થાય.
શિરોબિંદુ $A$ પરનું કુલ સ્થિતિમાન એ વ્યક્તિગત સ્થિતિમાનોનો બૈજિક સરવાળો છે: $V_A = V_B + V_C = \frac{1}{4\pi \epsilon_0} \cdot \frac{q}{a} + \frac{1}{4\pi \epsilon_0} \cdot \frac{-q}{a} = 0$.

(A) મ્યુચ્યુઅલ ઇન્ડક્શનમાં ચુંબકીય ફ્લક્સ લિંકેજનું સૂત્ર $\Delta \phi = M \Delta I$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $\Delta \phi$ એ ચુંબકીય ફ્લક્સમાં ફેરફાર છે,$M$ એ મ્યુચ્યુઅલ ઇન્ડક્ટન્સનો ગુણાંક છે અને $\Delta I$ એ પ્રવાહમાં ફેરફાર છે.
આપેલ છે:
$\Delta \phi = 2 \times 10^{-2} \, Wb$
$\Delta I = 0.01 \, A = 10^{-2} \, A$
સૂત્રમાં કિંમતો મૂકતા:
$2 \times 10^{-2} = M \times 10^{-2}$
$M = \frac{2 \times 10^{-2}}{10^{-2}}$
$M = 2 \, H$
તેથી,મ્યુચ્યુઅલ ઇન્ડક્ટન્સનો ગુણાંક $2 \, H$ છે.

(A) મહત્તમ ઘર્ષણ બળ $(f_{max})$ નું સૂત્ર $f_{max} = \mu N$ છે,જ્યાં $\mu$ એ ઘર્ષણાંક છે અને $N$ એ લંબબળ (normal reaction force) છે.
સીડી સમક્ષિતિજ જમીન પર હોવાથી,જમીન દ્વારા સીડી પર લાગતું લંબબળ $N$ એ સીડીના વજન $(W = 250\,N)$ જેટલું હોય છે.
અહીં $\mu = 0.3$ અને $N = 250\,N$ આપેલ છે.
તેથી,$f_{max} = 0.3 \times 250 = 75\,N$.

(D) વિધાન ખોટું છે કારણ કે,ન્યુક્લિયર પ્રતિક્રિયાઓ મુજબ,પરમાણુઓનું સર્જન કે વિનાશ થઈ શકે છે (દા.ત.,ન્યુક્લિયર વિખંડન અથવા સંલયનમાં).
કારણ પણ ખોટું છે કારણ કે,એવોગેડ્રોના નિયમ મુજબ,તાપમાન અને દબાણની સમાન પરિસ્થિતિ હેઠળ તમામ વાયુઓના સમાન કદમાં અણુઓની સંખ્યા સમાન હોય છે,અને પરિણામે,જો વાયુઓ એકપરમાણ્વીય હોય તો પરમાણુઓની સંખ્યા પણ સમાન હોય છે.

(C) બામર શ્રેણી એવા સંક્રમણોને અનુરૂપ છે જ્યાં $n_1 = 2$ અને $n_2 = 3, 4, 5, ...$ હોય છે. તેથી,વિધાન સાચું છે.
સૌથી વધુ તરંગલંબાઈ માટે,સ્તરો વચ્ચેનો ઉર્જા તફાવત ન્યૂનતમ હોવો જોઈએ.
$\Delta E = 13.6 \times Z^2 \times (\frac{1}{n_1^2} - \frac{1}{n_2^2}) \text{ eV}$ અને $\lambda = \frac{hc}{\Delta E}$ હોવાથી,બામર શ્રેણી માટે ન્યૂનતમ ઉર્જા સંક્રમણ $n_2 = 3$ થી $n_1 = 2$ છે.
તેથી,કારણ ખોટું છે કારણ કે સૌથી વધુ તરંગલંબાઈ $n_2 = 3$ થી $n_1 = 2$ ના સંક્રમણને અનુરૂપ છે,$n = 4$ અને $6$ ને નહીં.

(D) વિધાન ખોટું છે કારણ કે શોષણ વર્ણપટમાં તેજસ્વી અવકાશ દ્વારા અલગ પડેલી ઘેરી રેખાઓ હોય છે,જે ત્યારે રચાય છે જ્યારે પદાર્થ દ્વારા ચોક્કસ તરંગલંબાઇનું શોષણ થાય છે.
કારણ પણ ખોટું છે કારણ કે ઉત્સર્જન વર્ણપટમાં ઘેરા પૃષ્ઠભૂમિ પર તેજસ્વી રેખાઓ હોય છે,જે ઉત્તેજિત અણુઓ અથવા પરમાણુઓ દ્વારા ઉત્સર્જિત પ્રકાશ દર્શાવે છે.
તેથી,વિધાન અને કારણ બંને ખોટા છે.

(C) વિધાન સાચું છે કારણ કે સિગ્મા $(\sigma)$ બંધ પરમાણ્વીય કક્ષકોના અક્ષીય અતિવ્યાપન દ્વારા બને છે,જે પાઈ $(\pi)$ બંધ બનાવતા પાર્શ્વિય અતિવ્યાપન કરતા વધુ વ્યાપક હોય છે. તેથી,સિગ્મા $(\sigma)$ બંધ પાઈ $(\pi)$ બંધ કરતા વધુ મજબૂત છે.
કારણ ખોટું છે કારણ કે પરમાણુઓ પાઈ $(\pi)$ બંધની આસપાસ મુક્તપણે ફરી શકતા નથી. પાઈ $(\pi)$ બંધની હાજરી પરિભ્રમણને પ્રતિબંધિત કરે છે,કારણ કે પરિભ્રમણ માટે $p$-કક્ષકોના પાર્શ્વિય અતિવ્યાપનને તોડવું જરૂરી છે.

(A) આદર્શ વાયુ સમીકરણ મુજબ,$PV = nRT = (m/M)RT$,જ્યાં $m$ એ દળ છે અને $M$ એ વાયુનું મોલર દળ છે.
સમીકરણને ફરીથી ગોઠવતા,આપણને $P = (m/V) \times (RT/M)$ મળે છે.
ઘનતા $\rho = m/V$ હોવાથી,આપણે તેને સમીકરણમાં મૂકી શકીએ: $P = \rho \times (RT/M)$.
અચળ તાપમાન $T$ પર,$R$ અને $M$ અચળ છે,તેથી $P \propto \rho$.

(C) એડિબેટિક પ્રક્રિયા એવી પ્રક્રિયા તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે જેમાં તંત્ર અને પર્યાવરણ વચ્ચે ઉષ્માની કોઈ આપ-લે થતી નથી,એટલે કે $q = 0$. તેથી,વિધાન સાચું છે.
એડિબેટિક વિસ્તરણ દરમિયાન,તંત્ર તેની આંતરિક ઊર્જાના ભોગે આસપાસના વાતાવરણ પર કાર્ય કરે છે. $dU = dq + dw$ અને $dq = 0$ હોવાથી,$dU = dw$ થાય છે. વિસ્તરણ માટે,$dw < 0$,તેથી $dU < 0$ થાય છે. આદર્શ વાયુ માટે આંતરિક ઊર્જા એ તાપમાનનું વિધેય હોવાથી,આંતરિક ઊર્જામાં ઘટાડો થવાથી તાપમાનમાં ઘટાડો થાય છે. તેથી,કારણ ખોટું છે.

(C) તંત્રના જે ગુણધર્મો તેમાં રહેલા દ્રવ્યના જથ્થા પર આધાર રાખે છે તેને માત્રાત્મક (extensive) ગુણધર્મો કહેવાય છે,દા.ત.,દળ,કદ,ઉષ્મા ધારિતા વગેરે.
જોકે,$\text{ઘનતા} = \frac{\text{દળ}}{\text{કદ}}$.
ઘનતા એ વિશિષ્ટ (intensive) ગુણધર્મ છે કારણ કે તે તંત્રમાં રહેલા દ્રવ્યના જથ્થા પર આધાર રાખતું નથી.
તેથી,વિધાન સાચું છે,પરંતુ કારણ ખોટું છે.

(A) પદાર્થની આંતરિક ઉર્જા એ સિસ્ટમમાં હાજર તમામ પ્રકારની ઉર્જાઓનો સરવાળો છે,જેમ કે ઇલેક્ટ્રોનિક,પરમાણુ,વાઇબ્રેશનલ અને રોટેશનલ ઉર્જા.
આ ઘટક ઉર્જાઓના ચોક્કસ મૂલ્યો નક્કી કરવા અશક્ય હોવાથી,પદાર્થની કુલ આંતરિક ઉર્જાનું નિરપેક્ષ મૂલ્ય નક્કી કરી શકાતું નથી.
તેથી,વિધાન સાચું છે અને કારણ તેની સાચી સમજૂતી આપે છે.

(A) પોટેશિયમ $(K)$ અને સીઝિયમ $(Cs)$ એ ખૂબ જ ઓછી આયનીકરણ એન્થાલ્પી ધરાવતી આલ્કલી ધાતુઓ છે.
આ ઓછી આયનીકરણ એન્થાલ્પીને કારણે,તેઓ પ્રકાશના સંપર્કમાં આવતા સરળતાથી ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરી શકે છે (ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર).
આ ગુણધર્મને કારણે,તેઓનો ઉપયોગ ફોટોઈલેક્ટ્રિક કોષોમાં વ્યાપકપણે થાય છે.
તેથી,કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી છે.

(C) $Sn^{2+}$ એ પ્રબળ રિડક્શનકર્તા છે અને તેનું $Sn^{4+}$ માં ઓક્સિડેશન થાય છે.
મર્ક્યુરિક ક્લોરાઈડ $(HgCl_2)$ સાથેની પ્રક્રિયા નીચે મુજબ છે:
$2HgCl_2 + SnCl_2 \to Hg_2Cl_2 + SnCl_4$ (સફેદ અવક્ષેપ)
$Hg_2Cl_2 + SnCl_2 \to 2Hg + SnCl_4$ (ધાત્વિક મર્ક્યુરીના રાખોડી અવક્ષેપ)
આમ,વિધાન સાચું છે કારણ કે $SnCl_2$ રિડક્શનકર્તા તરીકે વર્તે છે,ઓક્સિડેશનકર્તા તરીકે નહીં. તેથી,કારણ ખોટું છે.

(B) હીરો વિદ્યુતનો અવાહક છે કારણ કે કાર્બનના તમામ $4$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન $sp^3$ સહસંયોજક બંધમાં ભાગ લે છે,જેથી કોઈ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન રહેતા નથી.
ગ્રેફાઇટ વિદ્યુતનો સુવાહક છે કારણ કે દરેક કાર્બન પરમાણુ $sp^2$ સંકરણ ધરાવે છે,જેનાથી તેના લેટીસમાં દરેક કાર્બન પરમાણુ દીઠ એક મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન રહે છે.
વિધાન અને કારણ બંને સાચા છે,પરંતુ ગ્રેફાઇટ સુવાહક છે તે હીરો અવાહક છે તેની સાચી સમજૂતી નથી. તેથી,કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી નથી.

(C) શુદ્ધ વંશાવળી (Pure line) એ એવા સજીવોની વસ્તીને દર્શાવે છે જે આનુવંશિક રીતે સમાન હોય છે અને ઇચ્છિત લક્ષણો માટે સમયુગ્મી (Homozygous) હોય છે.
જ્યારે નજીકના સંબંધિત સજીવોને એક જ જાતિમાં $4-6$ પેઢીઓ સુધી સંકરણ કરાવવામાં આવે છે,ત્યારે પ્રાપ્ત થતી સંતતિમાં સમયુગ્મતા વધે છે.
આ પ્રક્રિયા,જેને અંતઃસંકરણ (Inbreeding) કહેવામાં આવે છે,તે હાનિકારક પ્રભાવી જનીનોને દૂર કરીને અને ઇચ્છિત લક્ષણોને સ્થિર કરીને શુદ્ધ વંશાવળીના વિકાસમાં મદદ કરે છે.

(D) સાચો જવાબ $(d)$ છે.
લેડ શોટ્સ બનાવવાની પ્રક્રિયામાં,પીગળેલા લેડને ચાળણી દ્વારા ઊંચાઈએથી નીચે પાડવામાં આવે છે. જેમ પ્રવાહી લેડ નીચે પડે છે,તેમ તે ટીપાંનું સ્વરૂપ ધારણ કરે છે. પૃષ્ઠતાણના ગુણધર્મને કારણે,પ્રવાહીના ટીપાની મુક્ત સપાટી હંમેશા આપેલા કદ માટે તેની સપાટીનું ક્ષેત્રફળ ન્યૂનતમ કરવાનો પ્રયાસ કરે છે. ગોળાકાર આકાર એ આપેલા કદ માટે ન્યૂનતમ સપાટીનું ક્ષેત્રફળ ધરાવતો હોવાથી,નીચે પડતા ટીપાં ઠરતા પહેલા કુદરતી રીતે ગોળાકાર આકાર ધારણ કરે છે,જેના પરિણામે ગોળાકાર લેડ શોટ્સ મળે છે.

(C) $H_3PO_4$ (ઓર્થોફોસ્ફોરિક એસિડ) એ ટ્રાયબેઝિક એસિડ છે કારણ કે તેમાં $P-OH$ જૂથો તરીકે ઓક્સિજન પરમાણુઓ સાથે જોડાયેલા ત્રણ વિસ્થાપનીય હાઇડ્રોજન પરમાણુઓ હોય છે.
તેનું બંધારણ $O=P(OH)_3$ છે.

(C) પાણીમાં નિષ્ક્રિય વાયુઓની દ્રાવ્યતા પરમાણ્વીય કદ અને ધ્રુવીયતામાં વધારા સાથે વધે છે.
જેમ આપણે સમૂહમાં $He$ થી $Xe$ તરફ નીચે જઈએ છીએ,તેમ પરમાણ્વીય કદ વધે છે,જેના પરિણામે વાયુના અણુઓ અને પાણીના અણુઓ વચ્ચે વાન્ડર વાલ્સ આકર્ષણ બળ મજબૂત બને છે.
તેથી,દ્રાવ્યતાનો સાચો ક્રમ $Xe > Kr > Ar > Ne > He$ છે.

(C) $AB_2$ પ્રકારનું બંધારણ ફ્લોરાઈટ બંધારણ તરીકે ઓળખાય છે,જે $CaF_2$ માં જોવા મળે છે.
આ બંધારણમાં,$Ca^{2+}$ આયનો ફલક-કેન્દ્રિત ઘન $(FCC)$ લેટીસમાં ગોઠવાયેલા હોય છે,જ્યારે $F^-$ આયનો તમામ ચતુષ્ફલકીય છિદ્રોમાં ગોઠવાયેલા હોય છે.
તેનું વિયોજન નીચે મુજબ છે: $CaF_2 \rightleftharpoons Ca^{2+} + 2F^-$.

(A) $Schottky$ ક્ષતિ એ $solid$ (ઘન) સ્ફટિક લેટીસમાં જોવા મળતી એક પ્રકારની બિંદુ ક્ષતિ છે. તે ત્યારે ઉદભવે છે જ્યારે વિરુદ્ધ વીજભાર ધરાવતા આયનો તેમની લેટીસ જગ્યા છોડી દે છે,જેનાથી વિદ્યુતીય તટસ્થતા જાળવવા માટે ખાલી જગ્યાઓ (vacancies) સર્જાય છે.

(B) $bcc$ બંધારણ માટે, એકમ કોષ દીઠ પરમાણુઓની સંખ્યા $(n)$ = $2$ છે。
આપેલ છે: પરમાણ્વીય દળ $(M)$ = $100 \ g/mol$, ધારની લંબાઈ $(a)$ = $400 \ pm = 400 \times 10^{-10} \ cm$, એવોગેડ્રો આંક $(N_A)$ = $6.022 \times 10^{23} \ mol^{-1}$.
ઘનતા $(\rho)$ નું સૂત્ર: $\rho = \frac{n \times M}{a^3 \times N_A}$.
કિંમતો મૂકતા: $\rho = \frac{2 \times 100}{(400 \times 10^{-10})^3 \times 6.022 \times 10^{23}}$.
$\rho = \frac{200}{64 \times 10^{-24} \times 6.022 \times 10^{23}} = \frac{200}{38.54} \approx 5.189 \ g/cm^3$.
આમ, સાચો વિકલ્પ $(B)$ છે。

(D) . આ ફોટોકેમિકલ પ્રક્રિયાનો દર પ્રક્રિયકોની સાંદ્રતાથી સ્વતંત્ર છે.
તેથી,તે શૂન્ય ક્રમની પ્રક્રિયા છે.

(C) બે અલગ સાઇટ્સ ધરાવતા ઉત્સેચકોને $allosteric \ enzymes$ કહેવામાં આવે છે.
આ બે સાઇટ્સ $active \ site$ (સક્રિય સાઇટ) અને $allosteric \ site$ (એલોસ્ટેરિક સાઇટ) છે.
$active \ site$ એ એવી જગ્યા છે જ્યાં સબસ્ટ્રેટ જોડાઈને ઉદ્દીપકીય પ્રક્રિયા કરે છે.
$allosteric \ site$ એ ઉત્સેચક પરનો એક વિશિષ્ટ ભાગ છે જ્યાં ઇફેક્ટર અથવા મોડ્યુલેટર અણુ જોડાઈ શકે છે.
આ જોડાણ પ્રતિવર્તી છે અને ઉત્સેચકની પ્રવૃત્તિને નિયંત્રિત કરે છે.

(A) કોલોઇડલ કણોનું કદ સાચા દ્રાવણ અને નિલંબન વચ્ચેનું હોય છે.
કોલોઇડ્સ માટે કણોના કદની શ્રેણી સામાન્ય રીતે $1 \ nm$ થી $1000 \ nm$ હોય છે.
મીટરમાં રૂપાંતરિત કરતા: $1 \ nm = 10^{-9} \ m$ અને $1000 \ nm = 10^{-6} \ m$.
આપેલા વિકલ્પોમાંથી,$10^{-9} \ m$ થી $10^{-7} \ m$ ની શ્રેણી કોલોઇડલ શ્રેણી દર્શાવે છે.
તેથી,સાચો વિકલ્પ $A$ છે.

(C) આપેલ કાચી ધાતુઓના રાસાયણિક સૂત્રો નીચે મુજબ છે:
$1$. હેમેટાઈટ: $Fe_2O_3$ (લોખંડની કાચી ધાતુ)
$2$. મેગ્નેટાઈટ: $Fe_3O_4$ (લોખંડની કાચી ધાતુ)
$3$. કેસિટેરાઈટ: $SnO_2$ (ટીનની કાચી ધાતુ)
$4$. લિમોનાઈટ: $Fe_2O_3 \cdot 3H_2O$ (લોખંડની કાચી ધાતુ)
તેથી,કેસિટેરાઈટ એ લોખંડની કાચી ધાતુ નથી.

(B) પિરિડિનની હાજરીમાં આલ્કોહોલની થાયોનાઇલ ક્લોરાઇડ $(SOCl_2)$ સાથેની પ્રક્રિયા આલ્કાઇલ ક્લોરાઇડ બનાવવા માટેની પ્રમાણભૂત પદ્ધતિ છે.
આ વિશિષ્ટ પ્રક્રિયાને ડાર્ઝન્સ પ્રક્રિયા તરીકે ઓળખવામાં આવે છે.
આ પદ્ધતિને પ્રાધાન્ય આપવામાં આવે છે કારણ કે આ પ્રક્રિયામાં ઉત્પન્ન થતી આડપેદાશો ($SO_2$ અને $HCl$) વાયુ સ્વરૂપે હોવાથી દૂર થઈ જાય છે,જેનાથી શુદ્ધ આલ્કાઇલ ક્લોરાઇડ મળે છે.

(A) લુકાસ કસોટીનો ઉપયોગ પ્રાથમિક,દ્વિતીયક અને તૃતીયક આલ્કોહોલ વચ્ચેનો તફાવત પારખવા માટે થાય છે.

(C) આલ્ડિહાઇડ $(C_6H_5CHO)$ અને પ્રાથમિક એમાઇન $(C_6H_5NH_2)$ વચ્ચેની પ્રક્રિયાથી ઇમાઇન બને છે,જેને સામાન્ય રીતે શિફ બેઝ તરીકે ઓળખવામાં આવે છે.
આ ચોક્કસ પ્રક્રિયામાં,બેન્ઝાલ્ડિહાઇડ એનિલીન સાથે પ્રક્રિયા કરીને $N$-બેન્ઝિલીડીનએનિલીન બનાવે છે,જે એક શિફ બેઝ છે.

(D) ટેફલોન એ $Tetrafluoroethene$ નો પોલીમર છે.
તે $Tetrafluoroethene$ $(CF_2 = CF_2)$ ના પેરોક્સાઈડ અથવા પર્સલ્ફેટ ઉદ્દીપકની હાજરીમાં ઊંચા દબાણે પોલીમરાઈઝેશન દ્વારા મેળવવામાં આવે છે.
તેથી,સાચો વિકલ્પ $(D)$ છે.

(D) એમાઇડ્સ સામાન્ય રીતે તેમના સમાન આણ્વીય દળ ધરાવતા અન્ય સંયોજનોની તુલનામાં ઊંચા ઉત્કલનબિંદુ અને ગલનબિંદુ દર્શાવે છે,પરંતુ જ્યારે તેમના અનુરૂપ કાર્બોક્સિલિક એસિડ સાથે સરખામણી કરવામાં આવે છે,ત્યારે તે સામાન્ય રીતે નીચા અથવા સમાન હોય છે.
જો કે,એમાઇડ્સના ઉત્કલનબિંદુ અને ગલનબિંદુ તેમના અનુરૂપ એસિડ કરતા વધારે હોય છે તે વિધાન વૈજ્ઞાનિક રીતે ખોટું છે,કારણ કે કાર્બોક્સિલિક એસિડ એમાઇડ્સ કરતા વધુ મજબૂત આંતરઆણ્વીય હાઇડ્રોજન બંધ (ડાયમર્સ) બનાવે છે.
તેથી,વિધાન ખોટું છે અને કારણ એમાઇડ્સમાં આંતરઆણ્વીય હાઇડ્રોજન બંધની હાજરી વિશે સાચું છે.

(A) વાતાવરણમાં રહેલા કલીલ કણો (ધૂળ અને હવાના અણુઓ) દ્વારા સૂર્યપ્રકાશના પ્રકીર્ણનને કારણે આકાશ વાદળી દેખાય છે.
રેલેના પ્રકીર્ણન મુજબ,પ્રકીર્ણન પામતા પ્રકાશની તીવ્રતા તેની તરંગલંબાઇના ચતુર્થ ઘાતના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં હોય છે $(I \propto 1/\lambda^4)$.
વાદળી પ્રકાશની તરંગલંબાઇ લાલ પ્રકાશની સરખામણીમાં ઓછી હોવાથી,તેનું પ્રકીર્ણન આ કણો દ્વારા વધુ અસરકારક રીતે થાય છે,જેના કારણે આકાશ વાદળી દેખાય છે.

(D) વિધાન ખોટું છે કારણ કે ભૌતિક અધિશોષણ એ સપાટીની ઘટના છે,પરંતુ વિધાનમાં 'અવશોષણ' (absorption) શબ્દનો ઉપયોગ થયો છે,જે સમગ્ર જથ્થામાં થતી ઘટના છે.
વધુમાં,કારણ ખોટું છે કારણ કે ભૌતિક અધિશોષણમાં નિર્બળ વાન્ડર વાલ્સ આકર્ષણ બળો હોય છે અને તેમાં રાસાયણિક બંધ તૂટતા નથી.
તેથી,વિધાન અને કારણ બંને ખોટા છે.

(D) ફ્લોરિન $(F_2)$ તેની ખૂબ જ ઓછી બંધ વિયોજન ઉર્જાને કારણે સૌથી વધુ પ્રતિક્રિયાશીલ હેલોજન છે,જે $F-F$ બંધને તોડવાનું ખૂબ સરળ બનાવે છે.
તેથી,વિધાન કે ફ્લોરિન ઓછી પ્રતિક્રિયાત્મકતા ધરાવે છે તે ખોટું છે,જ્યારે કારણ કે $F-F$ બંધની બંધ વિયોજન ઉર્જા ઓછી છે તે સાચું છે.

(D) વિધાન ખોટું છે કારણ કે સલ્ફરનો ડાયનેગેટિવ આયન $(S^{2-})$ વાસ્તવમાં ખૂબ સામાન્ય છે (દા.ત.,$ZnS$,$FeS$ જેવા ધાતુ સલ્ફાઇડમાં),જ્યારે ઓક્સિજનના નાના પરમાણુમાં ઉચ્ચ ઇલેક્ટ્રોન-ઇલેક્ટ્રોન અપાકર્ષણને કારણે $O^{2-}$ નું નિર્માણ ઊર્જાની દ્રષ્ટિએ મુશ્કેલ છે.
કારણ પણ ખોટું છે કારણ કે ઓક્સિજનની સહસંયોજકતા સામાન્ય રીતે બે હોય છે,પરંતુ આ તેના આયનોની સ્થિરતા કે સામાન્યતાનું કારણ નથી.
તેથી,વિધાન અને કારણ બંને ખોટા છે.

(A) બધા હેલોજન રંગીન હોય છે કારણ કે તેઓ દ્રશ્યમાન વર્ણપટમાં પ્રકાશનું શોષણ કરે છે.
દ્રશ્ય પ્રકાશનું આ શોષણ ઇલેક્ટ્રોનને ઉચ્ચ ઉર્જા સ્તરોમાં ઉત્તેજિત કરે છે,જેના પરિણામે હેલોજનના લાક્ષણિક રંગો જોવા મળે છે.
તેથી,વિધાન સાચું છે અને કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી છે.

(D) $Cu$ ની ઇલેક્ટ્રોનીય રચના $[Ar] 3d^{10} 4s^1$ છે.
$Cu^{+}$ (ક્યુપ્રસ આયન) માટે,રચના $[Ar] 3d^{10}$ છે,જેમાં કોઈ અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન નથી.
$Cu^{2+}$ (ક્યુપ્રિક આયન) માટે,રચના $[Ar] 3d^9$ છે,જેમાં એક અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન છે.
તેથી,વિધાન ખોટું છે કારણ કે તે વિરુદ્ધ માહિતી આપે છે.
$Cu^{+}$ અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોનની ગેરહાજરીને કારણે રંગહીન છે,જ્યારે $Cu^{2+}$ જલીય દ્રાવણમાં પાણીના લિગેન્ડની હાજરીમાં $d-d$ સંક્રમણને કારણે વાદળી રંગનો હોય છે. આમ,કારણ સાચું છે.
સાચો વિકલ્પ $D$ છે.

(B) ફીનોલ $(C_6H_5OH)$ એ ઇથેનોલ $(C_2H_5OH)$ કરતા વધુ પ્રબળ એસિડ છે કારણ કે પ્રોટોન ગુમાવ્યા પછી બનતો ફીનોક્સાઇડ આયન $(C_6H_5O^-)$ સંસ્પંદન દ્વારા સ્થાયી થાય છે,જ્યારે ઇથોક્સાઇડ આયન $(C_2H_5O^-)$ થતો નથી.
$+M$ અસર ધરાવતા સમૂહો (જેમ કે $-OH$,$-OR$,$-NH_2$) વલયમાં ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધારે છે,જે ફીનોક્સાઇડ આયનને અસ્થાયી બનાવે છે અને જ્યારે $p-$સ્થાન પર હાજર હોય ત્યારે ફીનોલની એસિડિકતા ઘટાડે છે.
વિધાન અને કારણ બંને વૈજ્ઞાનિક રીતે સાચા છે,પરંતુ કારણ એ સમજાવતું નથી કે ફીનોલ ઇથેનોલ કરતા વધુ પ્રબળ એસિડ કેમ છે.
તેથી,સાચો વિકલ્પ $(b)$ છે.

(D) સુક્રોઝ એ નોન-રિડ્યુસિંગ શર્કરા છે કારણ કે તેમાં મુક્ત હેમિયાસેટલ અથવા હેમિકેટલ સમૂહ હોતો નથી.
મ્યુટારોટેશન એ રિડ્યુસિંગ શર્કરાનો ગુણધર્મ છે જે મુક્ત હેમિયાસેટલ અથવા હેમિકેટલ સમૂહ ધરાવે છે,જે તેમને તેમના $\alpha$ અને $\beta$ એનોમેરિક સ્વરૂપો વચ્ચે સંતુલનમાં રહેવાની મંજૂરી આપે છે.
સુક્રોઝમાં આ મુક્ત સમૂહનો અભાવ હોવાથી,તે મ્યુટારોટેશન અનુભવતું નથી.
તેથી,વિધાન ખોટું છે,જ્યારે કારણ સાચું છે.

(D) $DNA$ મુખ્યત્વે કોષના કોષકેન્દ્રમાં જોવા મળે છે,જ્યારે $RNA$ મુખ્યત્વે કોષના કોષરસમાં જોવા મળે છે. તેથી,વિધાન ખોટું છે.
ઉત્સેચકો જૈવિક ઉદ્દીપકો છે જે ચોક્કસ તાપમાનના ગાળામાં કાર્ય કરે છે. ગરમ કરવાથી,તેઓ વિકૃત (denaturation) થાય છે,જેના કારણે તેઓ તેમની વિશિષ્ટ જૈવિક સક્રિયતા ગુમાવે છે. તેથી,કારણ પણ ખોટું છે.