JEE Main 2020 Chemistry Question Paper with Answer and Solution in Gujarati

(A) ધારો કે $ccp$ લેટીસમાં ઓક્સાઈડ આયનો $(O^{2-})$ ની સંખ્યા $4$ છે.
અષ્ટફલકીય છિદ્રો $(O.V.)$ ની સંખ્યા = $4$.
ચતુષ્ફલકીય છિદ્રો $(T.V.)$ ની સંખ્યા = $2 \times 4 = 8$.
$M_1$ એ $O.V.$ ના $50 \%$ રોકે છે = $0.50 \times 4 = 2$.
$M_2$ એ $T.V.$ ના $12.5 \%$ રોકે છે = $0.125 \times 8 = 1$.
સ્ફટિકનું સૂત્ર $(M_1)_2(M_2)_1O_4$ છે.
સ્ફટિક વિદ્યુતીય રીતે તટસ્થ હોવા માટે,ઓક્સિડેશન આંકનો સરવાળો શૂન્ય હોવો જોઈએ:
$2 \times (\text{O.N. of } M_1) + 1 \times (\text{O.N. of } M_2) + 4 \times (-2) = 0$
$2 \times (\text{O.N. of } M_1) + (\text{O.N. of } M_2) = 8$.
વિકલ્પ $A$ તપાસતા: $2(+2) + (+4) = 4 + 4 = 8$. જે શરતનું પાલન કરે છે.

(C) અષ્ટફલકીય ક્ષેત્રમાં,$d$-કક્ષકો $t_{2g}$ અને $e_{g}$ સેટમાં વિભાજિત થાય છે.
$d^{4}$ આયન માટે,જો સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજન ઉર્જા $\Delta_{o}$ એ જોડી બનાવવાની ઉર્જા $P$ કરતા ઓછી હોય (નિર્બળ ક્ષેત્ર લિગેન્ડ),તો ઇલેક્ટ્રોન જોડી બનતા પહેલા એકલા ભરાશે.
આમ,ગોઠવણી $t_{2g}^{3} e_{g}^{1}$ છે.
જો $\Delta_{o} > P$ હોય (પ્રબળ ક્ષેત્ર લિગેન્ડ),તો ચોથો ઇલેક્ટ્રોન $t_{2g}$ કક્ષકમાં જોડી બનાવશે,જેના પરિણામે $t_{2g}^{4} e_{g}^{0}$ મળે છે.

(A) ગેબ્રિયલ થેલિમાઇડ સંશ્લેષણનો ઉપયોગ પ્રાથમિક $(1^{\circ})$ એલિફેટિક એમાઈન બનાવવા માટે થાય છે.
આ પ્રક્રિયામાં,પોટેશિયમ થેલિમાઇડ આલ્કાઈલ હેલાઈડ સાથે પ્રક્રિયા કરીને $N$-આલ્કાઈલથેલિમાઇડ બનાવે છે,જેનું જળવિભાજન કરવાથી પ્રાથમિક એલિફેટિક એમાઈન મળે છે.
એરોમેટિક એમાઈન (જેમ કે એનિલીન) આ પદ્ધતિ દ્વારા બનાવી શકાતા નથી કારણ કે એરાઈલ હેલાઈડ આ પરિસ્થિતિઓમાં થેલિમાઇડ આયન સાથે ન્યુક્લિયોફિલિક વિસ્થાપન પ્રક્રિયા આપતા નથી.
આપેલા વિકલ્પોમાંથી,બેન્ઝાઈલએમાઈન $(C_6H_5CH_2NH_2)$ એ પ્રાથમિક એલિફેટિક એમાઈન છે અને તેને બેન્ઝાઈલ ક્લોરાઈડનો ઉપયોગ કરીને આ પદ્ધતિ દ્વારા બનાવી શકાય છે.

(C) સાચી જોડ નીચે મુજબ છે:
$1$. બેન્ઝિન $(I)$ એ $CO, HCl$ અને $AlCl_3$ (ગાટરમેન-કોચ પ્રક્રિયા) સાથે પ્રક્રિયા કરીને બેન્ઝાલ્ડિહાઈડ બનાવે છે. તેથી,$I-R$.
$2$. બેન્ઝોનાઈટ્રાઈલ $(II)$ એ $SnCl_2, HCl$ અને ત્યારબાદ $H_3O^{+}$ (સ્ટીફન રિડક્શન) સાથે પ્રક્રિયા કરીને બેન્ઝાલ્ડિહાઈડ બનાવે છે. તેથી,$II-P$.
$3$. બેન્ઝોઈલ ક્લોરાઈડ $(III)$ એ $H_2, Pd-BaSO_4, S$ અને ક્વિનોલિન (રોઝનમંડ રિડક્શન) સાથે પ્રક્રિયા કરીને બેન્ઝાલ્ડિહાઈડ બનાવે છે. તેથી,$III-Q$.
તેથી,સાચી જોડ $I-R, II-P$ અને $III-Q$ છે.

(B) લેક્ટોઝ એ $D(+)-$ગેલેક્ટોઝ અને $D(+)-$ગ્લુકોઝ એકમોનો બનેલો ડાયસેકેરાઇડ છે જે $\beta-1,4-$ગ્લાયકોસિડિક બંધ દ્વારા જોડાયેલા હોય છે.
તે એક રિડ્યુસિંગ શર્કરા છે કારણ કે તેમાં ગ્લુકોઝ એકમના $C_{1}$ સ્થાન પર મુક્ત હેમિયાસેટલ સમૂહ હોય છે,જે તેને મ્યુટારોટેશન કરવા અને ફેહલિંગ કસોટી આપવા માટે સક્ષમ બનાવે છે.
હાઇડ્રોક્સિલ સમૂહોની સંખ્યાના સંદર્ભમાં: લેક્ટોઝની રચનામાં $8$ હાઇડ્રોક્સિલ સમૂહો હોય છે.

(A) રાઉલ્ટના નિયમ મુજબ,બાષ્પદબાણમાં થતો સાપેક્ષ ઘટાડો એ દ્રાવ્યના મોલ અંશ જેટલો હોય છે: $\frac{\Delta P}{P^0} = x_{\text{solute}} = \frac{n_{\text{solute}}}{n_{\text{solute}} + n_{\text{solvent}}}$.
દ્રાવકનું દળ ($180 \ g$ પાણી) અને દ્રાવ્યનું દળ $(10 \ g)$ સમાન હોવાથી,દ્રાવ્યના મોલ અંશ એ દ્રાવ્યના મોલની સંખ્યા પર આધાર રાખે છે $(n = \frac{\text{દળ}}{\text{મોલર દળ}})$.
જેમ દ્રાવ્યનું મોલર દળ વધે છે,તેમ દ્રાવ્યના મોલની સંખ્યા ઘટે છે,જેના પરિણામે દ્રાવ્યનો મોલ અંશ ઘટે છે.
આપેલ મોલર દળ: $M_A = 100 \ g \ mol^{-1}$,$M_B = 200 \ g \ mol^{-1}$,$M_C = 10,000 \ g \ mol^{-1}$.
$M_A < M_B < M_C$ હોવાથી,મોલની સંખ્યાનો ક્રમ $n_A > n_B > n_C$ થશે.
તેથી,બાષ્પદબાણમાં થતા સાપેક્ષ ઘટાડાનો ક્રમ $A > B > C$ થશે.

(B) પ્રતિક્રિયાઓ નીચે મુજબ છે:
$(a)$ $CH_2=CH-CH_2-CH_3 + HBr \xrightarrow{Peroxide} CH_2Br-CH_2-CH_2-CH_3$ (ઉત્પાદન $A$,$1$-બ્રોમોબ્યુટેન,ઉત્કલન બિંદુ $\approx 102 \ ^\circ C$)
$(b)$ $CH_2=C(CH_3)_2 + HBr \rightarrow CH_3-C(Br)(CH_3)_2$ (ઉત્પાદન $B$,$2$-બ્રોમો-$2$-મિથાઈલપ્રોપેન,ઉત્કલન બિંદુ $\approx 73.3 \ ^\circ C$)
$(c)$ $CH_2=CH-CH_2-CH_3 + HBr \rightarrow CH_3-CH(Br)-CH_2-CH_3$ (ઉત્પાદન $C$,$2$-બ્રોમોબ્યુટેન,ઉત્કલન બિંદુ $\approx 91 \ ^\circ C$)
ઉત્કલન બિંદુ કાર્બન શૃંખલામાં શાખાઓના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં હોય છે.
બંધારણોની સરખામણી કરતા: $A$ એ સીધી શૃંખલા ધરાવતું પ્રાથમિક આલ્કાઈલ હેલાઈડ છે,$C$ એ દ્વિતીયક આલ્કાઈલ હેલાઈડ છે જેમાં $B$ કરતા ઓછી શાખાઓ છે,અને $B$ એ તૃતીયક આલ્કાઈલ હેલાઈડ છે જેમાં સૌથી વધુ શાખાઓ છે.
તેથી,ઉત્કલન બિંદુઓનો ક્રમ $B < C < A$ છે.

(A) ફ્રુન્ડલિચ એડસોર્પ્શન આઇસોથર્મનું સમીકરણ $\frac{x}{m} = K P^{1/n}$ છે.
બંને બાજુ લોગ લેતા,$\log \left( \frac{x}{m} \right) = \frac{1}{n} \log P + \log K$ મળે છે.
આને સીધી રેખાના સમીકરણ $y = mx + c$ સાથે સરખાવતા,ઢાળ $\frac{1}{n} = 2$ અને આંતરછેદ $\log K = 0.4771$ છે.
$\log 3 = 0.4771$ હોવાથી,$K = 3$ મળે છે.
હવે,$K = 3$,$P = 0.04 \ atm$,અને $n = 0.5$ (કારણ કે $\frac{1}{n} = 2$) ની કિંમતો $\frac{x}{m} = K P^{1/n}$ સમીકરણમાં મૂકતા:
$\frac{x}{m} = 3 \times (0.04)^{2} = 3 \times 0.0016 = 0.0048 \ g$.
આને જરૂરી ફોર્મેટમાં ફેરવતા: $0.0048 \ g = 48 \times 10^{-4} \ g$.

(B) ફિનોલની ક્લોરોફોર્મ $(CHCl_3)$ સાથે જલીય $NaOH$ ની હાજરીમાં પ્રક્રિયા એ રાઈમર-ટીમેન પ્રક્રિયા છે,જે મુખ્ય નીપજ $P$ તરીકે સેલિસાઈલાલ્ડિહાઈડ ($o$-હાઈડ્રોક્સીબેન્ઝાલ્ડિહાઈડ) આપે છે.
સેલિસાઈલાલ્ડિહાઈડ $(P)$ નું આણ્વીય સૂત્ર $C_7H_6O_2$ છે.
$C_7H_6O_2$ નું આણ્વીય દળ = $(7 \times 12) + (6 \times 1) + (2 \times 16) = 84 + 6 + 32 = 122 \ g/mol$.
$P$ માં કાર્બનની દળ ટકાવારી નીચે મુજબ છે:
$\text{દળ } \% C = \frac{\text{કાર્બનનું કુલ દળ}}{\text{P નું આણ્વીય દળ}} \times 100$
$\text{દળ } \% C = \frac{7 \times 12}{122} \times 100 = \frac{84}{122} \times 100 \approx 68.85\%$.
નજીકના પૂર્ણાંકમાં લેતા,આપણને $69\%$ મળે છે.

(D) આર્હેનિયસ સમીકરણનો ઉપયોગ કરતા: $\ln \left(\frac{k_2}{k_1}\right) = \frac{E_a}{R} \left[\frac{1}{T_1} - \frac{1}{T_2}\right]$
આપેલ છે: $T_1 = 313 \, K$ $(40^{\circ} C)$,$T_2 = 303 \, K$ $(30^{\circ} C)$.
પ્રક્રિયાનો વેગ $3.555$ ગણો ઘટે છે,તેથી $\frac{k_1}{k_2} = 3.555$,જેનો અર્થ છે કે $\frac{k_2}{k_1} = \frac{1}{3.555}$.
$\ln \left(\frac{1}{3.555}\right) = \frac{E_a}{8.314} \left[\frac{1}{313} - \frac{1}{303}\right]$
$-1.268 = \frac{E_a}{8.314} \left[\frac{303 - 313}{313 \times 303}\right]$
$-1.268 = \frac{E_a}{8.314} \left[\frac{-10}{94839}\right]$
$E_a = \frac{1.268 \times 8.314 \times 94839}{10} \approx 99980 \, J \, mol^{-1} = 99.98 \, kJ \, mol^{-1} \approx 100 \, kJ \, mol^{-1}$.

(B) સંક્રાંતિ તત્વો એવા તત્વો છે જે તેમની ધરા અવસ્થામાં અથવા તેમની કોઈપણ ઓક્સિડેશન અવસ્થામાં અપૂર્ણ રીતે ભરાયેલી $d$-કક્ષકો ધરાવે છે.
આમાં પરમાણુ ક્રમાંક ધરાવતા તત્વોનો સમાવેશ થાય છે:
$21-30$ (પ્રથમ સંક્રાંતિ શ્રેણી),
$39-48$ (દ્વિતીય સંક્રાંતિ શ્રેણી),
$57$ અને $72-80$ (તૃતીય સંક્રાંતિ શ્રેણી),
$89$ અને $104-112$ (ચતુર્થ સંક્રાંતિ શ્રેણી).
આપેલ સમૂહ $21, 25, 42, 72$ માં:
$21$ $(Sc)$,$25$ $(Mn)$,$42$ $(Mo)$,અને $72$ $(Hf)$ બધા સંક્રાંતિ તત્વો છે.
તેથી,સાચો સમૂહ $21, 25, 42, 72$ છે.

(B) લેન્થેનોઇડ્સ સામાન્ય રીતે $+3$ ઓક્સિડેશન અવસ્થા દર્શાવે છે. જોકે,સ્થાયી ઇલેક્ટ્રોનિક રચના ($f^0$,$f^7$,અથવા $f^{14}$) ને કારણે કેટલાક તત્વો $+2$ અથવા $+4$ ઓક્સિડેશન અવસ્થા દર્શાવે છે.
$Ce$ $(Z=58)$ સ્થાયી $f^0$ રચના પ્રાપ્ત કરવા માટે $+4$ દર્શાવે છે.
$Tb$ $(Z=65)$ સ્થાયી $f^7$ રચના પ્રાપ્ત કરવા માટે $+4$ દર્શાવે છે.
$Dy$ $(Z=66)$ અમુક સંયોજનોમાં $+4$ દર્શાવી શકે છે.
$Eu$ $(Z=63)$ સ્થાયી $f^7$ રચના પ્રાપ્ત કરવા માટે $+2$ ઓક્સિડેશન અવસ્થા દર્શાવે છે,પરંતુ તે $+4$ ઓક્સિડેશન અવસ્થા દર્શાવતું નથી.

(B) મિશ્રધાતુઓનું બંધારણ નીચે મુજબ છે:
$1$. બ્રાસ એ કોપર અને ઝિંકનું મિશ્રધાતુ છે.
$2$. બ્રોન્ઝ એ કોપર અને ટીનનું મિશ્રધાતુ છે.
$3$. જર્મન સિલ્વર એ કોપર,ઝિંક અને નિકલનું મિશ્રધાતુ છે.
$4$. કાસ્ટ આયર્નનો ઉપયોગ રોટ આયર્ન બનાવવા માટે કાચા માલ તરીકે થાય છે.
તેથી,બ્રાસ એ કોપર અને નિકલનું મિશ્રધાતુ છે તે વિધાન ખોટું છે,કારણ કે બ્રાસમાં કોપર અને ઝિંક હોય છે.

(B) $1$. પ્રવાહી નાઇટ્રોજનનો ઉપયોગ જૈવિક પદાર્થો,ખાદ્ય પદાર્થોને સાચવવા અને ક્રાયોસર્જરીમાં રેફ્રિજરેટર તરીકે થાય છે.
$2$. લોખંડ અને રાસાયણિક ઉદ્યોગમાં,તેનો ઉપયોગ પ્રતિક્રિયાશીલ રસાયણો માટે નિષ્ક્રિય મંદક તરીકે થાય છે.
$3$. $N_2$ ઓરડાના તાપમાને $(25^{\circ} C)$ ડાયઓક્સિજન સાથે પ્રતિક્રિયા આપતું નથી; નાઈટ્રિક ઓક્સાઇડ $(NO)$ બનાવવા માટે ખૂબ ઊંચા તાપમાન $(\,2000 \ K)$ ની જરૂર પડે છે.
$4$. $N_2$ સ્વભાવે પ્રતિચુંબકીય (diamagnetic) છે કારણ કે બધા ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મિત છે.

(D) મોલારિટી $(C_{2})$ એ દ્રાવણના પ્રતિ લિટર દીઠ દ્રાવ્યના મોલની સંખ્યા તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે।
$C_{2} = \frac{n_{2}}{V_{sol} (L \text{ માં})} = \frac{n_{2} \times 1000}{V_{sol} (mL \text{ માં})}$
$V_{sol} = \frac{\text{કુલ દળ}}{d} = \frac{n_{1}M_{1} + n_{2}M_{2}}{d}$ હોવાથી:
$C_{2} = \frac{n_{2} \times 1000 \times d}{n_{1}M_{1} + n_{2}M_{2}}$
અંશ અને છેદને $(n_{1} + n_{2})$ વડે ભાગતા:
$C_{2} = \frac{1000 d (n_{2} / (n_{1} + n_{2}))}{(n_{1}M_{1} + n_{2}M_{2}) / (n_{1} + n_{2})}$
મોલ અંશ $x_{2} = \frac{n_{2}}{n_{1} + n_{2}}$ અને $x_{1} = \frac{n_{1}}{n_{1} + n_{2}} = 1 - x_{2}$ નો ઉપયોગ કરતા:
$C_{2} = \frac{1000 d x_{2}}{x_{1}M_{1} + x_{2}M_{2}} = \frac{1000 d x_{2}}{(1 - x_{2})M_{1} + x_{2}M_{2}}$
$C_{2} = \frac{1000 d x_{2}}{M_{1} - x_{2}M_{1} + x_{2}M_{2}} = \frac{1000 d x_{2}}{M_{1} + x_{2}(M_{2} - M_{1})}$

(C) ક્રાફ્ટ તાપમાન $(T_{k})$ એ લઘુત્તમ તાપમાન છે જેની ઉપર ડિટર્જન્ટના જલીય દ્રાવણમાં મિસેલ્સનું નિર્માણ થાય છે.

(C) ઝિગલર-નાટા ઉદ્દીપક (ટ્રાયઇથાઇલ એલ્યુમિનિયમ અને ટાઇટેનિયમ ટેટ્રાક્લોરાઇડ) ની હાજરીમાં નીચા દબાણ અને તાપમાને ઇથિનનું પોલીમરાઇઝેશન કરવાથી હાઈ ડેન્સિટી પોલીઇથિલિન $(HDPE)$ મળે છે.
$HDPE$ માં રેખીય સાંકળો હોય છે જે નજીકથી પેક થયેલી હોય છે,જેના પરિણામે તેની ઘનતા વધુ હોય છે અને તે રાસાયણિક રીતે નિષ્ક્રિય હોય છે.
આ ગુણધર્મોને કારણે,$HDPE$ નો ઉપયોગ ડોલ,કચરાપેટી,બોટલ અને પાઇપ બનાવવા માટે થાય છે.
તેથી,વિધાન $(A)$ અને કારણ $(R)$ બંને સાચા છે,અને $(R)$ એ $(A)$ ની સાચી સમજૂતી છે.

(B) સ્પિન-ઓન્લી ચુંબકીય ચાકમાત્રા $\mu$ એ સૂત્ર $\mu = \sqrt{n(n+2)} \, BM$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $n$ એ અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા છે.
$\mu = 5.9 \, BM$ માટે,$\sqrt{n(n+2)} \approx 5.9$ થાય,જેનો અર્થ છે કે $n = 5$.
$[MnBr_4]^{2-}$ માં,$Mn$ નો ઓક્સિડેશન આંક $+2$ છે. $Mn^{2+}$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $[Ar] 3d^5$ છે.
$Br^-$ એ નિર્બળ ક્ષેત્ર લિગેન્ડ હોવાથી,તે $3d$ કક્ષકોમાં ઇલેક્ટ્રોનનું યુગ્મીકરણ કરતું નથી.
આમ,$Mn^{2+}$ પાસે $5$ અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન છે $(n=5)$.
તેથી,$\mu = \sqrt{5(5+2)} = \sqrt{35} \approx 5.9 \, BM$.

(A) એમાઈન્સની બેઝિકતા તેમના $pK_b$ મૂલ્યોના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં હોય છે. પ્રબળ બેઝના $pK_b$ મૂલ્યો ઓછા હોય છે.
$I$: $p$-મેથોક્સી-$N,N$-ડાયમિથાઈલએનિલીન. $-OCH_3$ સમૂહ ઈલેક્ટ્રોન-ડોનેટિંગ ($+M$ અસર) છે,જે નાઈટ્રોજન પરમાણુ પર ઈલેક્ટ્રોન ઘનતા વધારે છે,તેથી તે સૌથી પ્રબળ બેઝ છે.
$II$: $N,N$-ડાયમિથાઈલએનિલીન. બે મિથાઈલ સમૂહોની $+I$ અસરને કારણે તે એનિલીન કરતા વધુ બેઝિક છે.
$IV$: $m$-હાઈડ્રોક્સી-$N$-મિથાઈલએનિલીન. $-OH$ સમૂહ મેટા સ્થાન પર $-I$ અસર (ઈલેક્ટ્રોન-વિથડ્રોઈંગ) ધરાવે છે,જે $II$ ની સરખામણીમાં બેઝિકતા ઘટાડે છે.
$III$: $m$-સાયનો-$N$-મિથાઈલએનિલીન. $-CN$ સમૂહ પ્રબળ ઈલેક્ટ્રોન-વિથડ્રોઈંગ સમૂહ ($-I$ અને $-M$ અસરો) છે,જે બેઝિકતામાં નોંધપાત્ર ઘટાડો કરે છે,તેથી તે સૌથી નિર્બળ બેઝ છે.
તેથી,બેઝિકતાનો ક્રમ $I > II > IV > III$ છે.
$pK_b$ એ બેઝિકતાના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં હોવાથી,$pK_b$ મૂલ્યોનો ચડતો ક્રમ $I < II < IV < III$ છે.

(C) પ્રક્રિયા માટે,વેગનો નિયમ આ મુજબ છે: $\text{Rate} = k[\text{conc.}]^n$,જ્યાં $n$ એ પ્રક્રિયાનો ક્રમ છે.
બંને બાજુ લઘુગણક લેતા:
$\log(\text{rate}) = \log(k) + n \log[\text{conc.}]$
આ સમીકરણ $y = mx + c$ ના સ્વરૂપમાં છે,જ્યાં ઢાળ $m$ એ પ્રક્રિયાના ક્રમ $n$ જેટલો છે.
આલેખમાં રેખાઓના ઢાળની સરખામણી કરતા:
રેખા $D$ નો ઢાળ સૌથી વધુ છે,ત્યારબાદ $B$,પછી $A$,અને છેલ્લે $C$ નો ઢાળ સૌથી ઓછો છે.
તેથી,પ્રક્રિયાઓનો ક્રમ આ મુજબ છે: $d > b > a > c$.

(B) ઉત્કલનબિંદુમાં થતો વધારો $\Delta T_{b} = i \times K_{b} \times m$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
$0.05 \ m$ $CaCl_{2}$ દ્રાવણ માટે,$i = 3$ (કારણ કે $CaCl_{2} \rightarrow Ca^{2+} + 2Cl^{-}$). તેથી,$\Delta T_{b(CaCl_{2})} = 3 \times 0.05 \times K_{b} = 0.15 \times K_{b}$.
$0.10 \ m$ $CrCl_{3} \cdot xNH_{3}$ દ્રાવણ માટે,$\Delta T_{b(complex)} = i \times 0.10 \times K_{b}$.
આપેલ છે કે $\Delta T_{b(complex)} = 2 \times \Delta T_{b(CaCl_{2})}$,તેથી $i \times 0.10 \times K_{b} = 2 \times (0.15 \times K_{b}) = 0.30 \times K_{b}$.
તેથી,$i = 3$.
સંકીર્ણ $[Cr(NH_{3})_{x}Cl_{3}]$ આયનીકરણ પામીને $i = 3$ આયનો આપે છે,તેથી તે $[Cr(NH_{3})_{x}Cl_{3-y}]^{y+} + yCl^{-}$ તરીકે વિયોજન પામશે,જ્યાં $1 + y = 3$,એટલે કે $y = 2$.
આનો અર્થ એ છે કે સંકીર્ણ $[Cr(NH_{3})_{x}Cl]Cl_{2}$ છે.
$Cr$ નો સવર્ગ આંક $6$ હોવાથી,લિગેન્ડની સંખ્યા $x + 1 = 6$ થાય,જે $x = 5$ આપે છે.

(A) સંતુલિત અર્ધ-પ્રક્રિયા: $6 OH^{-} + Cl^{-} \rightarrow ClO_{3}^{-} + 3 H_{2}O + 6 e^{-}$.
ઉત્પન્ન થયેલ $KClO_{3}$ ના મોલ = $\frac{10 \ g}{122 \ g \ mol^{-1}} = 0.08197 \ mol$.
પ્રક્રિયા મુજબ,$1 \ mol$ $KClO_{3}$ માટે $6 \ mol$ ઇલેક્ટ્રોનની જરૂર પડે છે. તેથી,જરૂરી કુલ વિદ્યુતભાર $Q = n \times z \times F = 0.08197 \times 6 \times 96500 \ C = 47462.3 \ C$.
આપેલ છે કે માત્ર $60\%$ પ્રવાહનો ઉપયોગ થાય છે,તેથી અસરકારક પ્રવાહ $I_{eff} = 2 \ A \times 0.60 = 1.2 \ A$.
સૂત્ર $Q = I_{eff} \times t$ નો ઉપયોગ કરતા,$t = \frac{Q}{I_{eff}} = \frac{47462.3 \ C}{1.2 \ A} = 39551.9 \ s$.
કલાકમાં રૂપાંતર કરતા: $t = \frac{39551.9}{3600} \approx 10.98 \ hr$.
નજીકના કલાકમાં રાઉન્ડ ઓફ કરતા,આપણને $11 \ hr$ મળે છે.