Electronegativity Questions in Hindi

(A) विद्युतऋणात्मकता $(EN)$ एक विमाहीन गुण है जिसे सहसंयोजक बंध में इलेक्ट्रॉनों के साझा युग्म को अपनी ओर आकर्षित करने की परमाणु की सापेक्ष प्रवृत्ति के रूप में परिभाषित किया जाता है।
इलेक्ट्रॉन बंधुता $(EA)$ और आयनन विभव $(IP)$ को ऊर्जा की इकाइयों में मापा जाता है (जैसे, $kJ \ mol^{-1}$ या $eV \ atom^{-1}$)।
परमाणु त्रिज्या $(AR)$ को लंबाई की इकाइयों में मापा जाता है (जैसे, $pm$ या $\mathring{A}$)।
अतः, $EN$ का कोई मात्रक नहीं होता है।

(C) फ्लोरीन आवर्त सारणी में सबसे अधिक विद्युत ऋणात्मक तत्व है।
अपनी उच्चतम विद्युत ऋणात्मकता के कारण,यह हमेशा इलेक्ट्रॉनों को आकर्षित करता है और कभी भी उन्हें खोकर धनात्मक ऑक्सीकरण अवस्था प्रदर्शित नहीं करता है।
इसलिए,यह केवल $-1$ ऑक्सीकरण अवस्था प्रदर्शित करता है।

(C) $Al$ की विद्युतऋणात्मकता $1.5$ है,जो $Be$ $(1.5)$ के समान है।
$Al$ और $Be$ आवर्त सारणी में विकर्ण संबंध (diagonal relationship) प्रदर्शित करते हैं,जो उनके गुणों में समानता को स्पष्ट करता है।

(C) आवर्त सारणी में बाएं से दाएं जाने पर विद्युत ऋणात्मकता सामान्यतः बढ़ती है और समूह में ऊपर से नीचे जाने पर घटती है।
दी गई जोड़ियों की तुलना करने पर:
$(A)$ $Te$ $(2.1)$ और $Xe$ $(2.6)$: $Xe > Te$,अतः $Te > Xe$ गलत है।
$(B)$ $Ga$ $(1.8)$ और $Ge$ $(2.0)$: $Ge > Ga$,अतः $Ga > Ge$ गलत है।
$(C)$ $Si$ $(1.9)$ और $Al$ $(1.6)$: $Si > Al$ सही है।
$(D)$ $P$ $(2.1)$ और $S$ $(2.5)$: $S > P$,अतः $P > S$ गलत है।
इसलिए,सही विकल्प $C$ है।

(D) $p-$ब्लॉक के $3^{rd}$ आवर्त के तत्व $Al$,$Si$,$P$,$S$ और $Cl$ हैं।
यह दिया गया है कि एक धातु है और शेष अधातु हैं,और विद्युतऋणात्मकता का क्रम $P < Q < R < S$ है,इसलिए तत्व $Al$ (धातु),$Si$,$P$ और $S$ (अधातु) हैं।
इन तत्वों के लिए विद्युतऋणात्मकता के मान: $Al (1.61) < Si (1.90) < P (2.19) < S (2.58)$ हैं।
अतः,$P = Al$,$Q = Si$,$R = P$,और $S = S$ है।
एक हाइपोवेलेंट यौगिक वह है जिसमें केंद्रीय परमाणु के संयोजी कोश में $8$ से कम इलेक्ट्रॉन होते हैं।
$AlCl_3$ एक प्रसिद्ध हाइपोवेलेंट यौगिक है क्योंकि $Al$ परमाणु के संयोजी कोश में केवल $6$ इलेक्ट्रॉन होते हैं।
इसलिए,तत्व $P$ $(Al)$ हाइपोवेलेंट क्लोराइड बनाता है।

(D) $1$. आयनन विभव $(IP)$ समूह में नीचे जाने पर घटता है।
$2$. विद्युत ऋणात्मकता $s$-लक्षण के प्रतिशत पर निर्भर करती है। $sp^3$ में $s$-लक्षण $25\%$ है,जबकि $sp$ में यह $50\%$ है। इसलिए,विद्युत ऋणात्मकता का सही क्रम $sp > sp^2 > sp^3$ है। अतः,$sp^3 > sp$ कथन गलत है।

(C) $1$. Pauling की विद्युत ऋणात्मकता $(EN)$ स्केल बंध ऊर्जा के अंतर पर आधारित है।
$2$. Allred-Rochow $EN$ को $0.359 \times (Z_{eff} / r^2) + 0.744$ के रूप में परिभाषित किया गया है,इसलिए यह $Z_{eff}$ बढ़ने के साथ बढ़ता है।
$3$. Mulliken $EN$ को आयनन विभव $(I.P.)$ और इलेक्ट्रॉन बंधुता $(EA)$ के औसत (अंकगणितीय माध्य) के रूप में परिभाषित किया गया है,अर्थात $EN_M = (I.P. + EA) / 2$। यह ज्यामितीय माध्य नहीं है।
$4$. सामान्यतः समूह में नीचे जाने पर विद्युत ऋणात्मकता घटती है।

(C) विद्युतऋणात्मकता $(E.N.)$ परमाणु की ऑक्सीकरण अवस्था और संकरण पर निर्भर करती है।
$A$. Pauling पैमाने पर $F$ $(4.0)$ का मान $N$ $(3.04)$ से अधिक है। यह सही है।
$B$. जैसे-जैसे परमाणु की ऑक्सीकरण अवस्था बढ़ती है,उसकी विद्युतऋणात्मकता बढ़ती है। $Cl_2O_7$ में $Cl$ की ऑक्सीकरण अवस्था $+7$ है,जबकि $Cl_2O_5$ में $+5$ है। अतः,$Cl_2O_7$ में $Cl$ की $E.N.$ $>$ $Cl_2O_5$ में $Cl$ की $E.N.$. यह सही है।
$C$. $CH_4$ में,$C$ का संकरण $sp^3$ है ($25\% \ s$-लक्षण),जबकि $CO_2$ में,$C$ का संकरण $sp$ है ($50\% \ s$-लक्षण)। उच्च $s$-लक्षण उच्च विद्युतऋणात्मकता की ओर ले जाता है। इसलिए,$CO_2$ में $C$ की $E.N.$ $>$ $CH_4$ में $C$ की $E.N.$. दिया गया कथन गलत है।
$D$. आयन पर उच्च धनात्मक आवेश उसकी विद्युतऋणात्मकता को बढ़ाता है। $Cu^{2+}$ पर $Cu^{+}$ की तुलना में अधिक धनात्मक आवेश है,इसलिए $Cu^{2+}$ की $E.N.$ $>$ $Cu^{+}$ की $E.N.$. यह सही है।
अतः,गलत कथन $C$ है।

(A) विलयन की प्रकृति $M-O-H$ में बंध के टूटने पर निर्भर करती है। यदि $M-O$ बंध टूटता है तो यह $OH^-$ मुक्त करता है,जिससे यह क्षारीय बनता है। यदि $O-H$ बंध टूटता है तो यह $H $ मुक्त करता है,जिससे यह अम्लीय बनता है।
बंध वहां से टूटता है जहां विद्युत ऋणात्मकता का अंतर $(\Delta EN)$ अधिक होता है।
$M_1OH$ के लिए: $\Delta EN(M_1-O) = 0.1$ और $\Delta EN(O-H) = 1.4$ है। चूंकि $\Delta EN(O-H) > \Delta EN(M_1-O)$,इसलिए $O-H$ बंध टूटता है,अतः विलयन अम्लीय है।
$M_2OH$ के लिए: $\Delta EN(M_2-O) = 2.3$ और $\Delta EN(O-H) = 1.4$ है। चूंकि $\Delta EN(M_2-O) > \Delta EN(O-H)$,इसलिए $M_2-O$ बंध टूटता है,अतः विलयन क्षारीय है।
अतः,विलयन क्रमशः अम्लीय और क्षारीय होंगे।

(B) पॉलिंग स्केल पर विद्युत ऋणात्मकता के मान लगभग हैं: $Si (1.90)$,$P (2.19)$,$C (2.55)$,और $N (3.04)$।
अतः,विद्युत ऋणात्मकता का बढ़ता क्रम $Si < P < C < N$ है।
एक आवर्त में,प्रभावी नाभिकीय आवेश में वृद्धि के कारण बाएं से दाएं जाने पर विद्युत ऋणात्मकता बढ़ती है।
एक समूह में,परमाणु आकार और परिरक्षण प्रभाव में वृद्धि के कारण ऊपर से नीचे जाने पर विद्युत ऋणात्मकता घटती है।

(D) Allred-Rochow स्केल संयोजी इलेक्ट्रॉनों पर नाभिक द्वारा लगाए गए इलेक्ट्रोस्टैटिक बल के आधार पर विद्युत ऋणात्मकता को परिभाषित करता है।
इसका सूत्र है: $EN_{AR} = 0.359 \frac{Z_{eff.}}{r^2} + 0.744$,जहाँ $Z_{eff.}$ प्रभावी नाभिकीय आवेश है और $r$ $\mathring{A}$ में सहसंयोजक त्रिज्या है।

(C) यौगिक $M-O-H$ में,बंध का टूटना विद्युत ऋणात्मकता के अंतर पर निर्भर करता है।
यदि $M$ और $O$ के बीच विद्युत ऋणात्मकता का अंतर $O$ और $H$ के बीच के विद्युत ऋणात्मकता के अंतर से अधिक है,तो $M-O$ बंध अधिक ध्रुवीय होता है और $M^+$ तथा $OH^-$ आयन बनाने के लिए टूट जाता है।
अतः,$M-O$ बंध टूटता है यदि $M$ और $O$ की $\Delta (E.N.) > O$ और $H$ की $\Delta (E.N.)$ हो।

(A) पॉलिंग पैमाने पर विद्युतऋणात्मकता $(X)$,आयनन एन्थैल्पी $(I.E.)$ और इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी $(E.A.)$ के योग से इस प्रकार संबंधित है: $X = \frac{I.E. + E.A.}{540}$ (जहाँ ऊर्जा $kJ \ mol^{-1}$ में है)।
दिया गया है: $I.E. = 275 \ kcal \ mol^{-1}$ और $E.A. = 86 \ kcal \ mol^{-1}$।
योग $= 275 + 86 = 361 \ kcal \ mol^{-1}$।
$1 \ kcal = 4.184 \ kJ$ का उपयोग करके $kJ \ mol^{-1}$ में परिवर्तन: $361 \times 4.184 = 1510.42 \ kJ \ mol^{-1}$।
विद्युतऋणात्मकता $= \frac{1510.42}{540} \approx 2.797 \approx 2.8$।

(C) सहसंयोजक बंध में परमाणु पर आंशिक आवेश बंधित परमाणुओं की सापेक्ष विद्युत ऋणात्मकता $(EN)$ पर निर्भर करता है। उच्च विद्युत ऋणात्मकता वाला परमाणु आंशिक ऋणात्मक आवेश $(\delta-)$ प्राप्त करता है,जबकि कम विद्युत ऋणात्मकता वाला परमाणु आंशिक धनात्मक आवेश $(\delta )$ प्राप्त करता है।
$(a)$ $HCl$ में,$EN_{Cl} (3.16) > EN_H (2.20)$,इसलिए $Cl$ पर आंशिक ऋणात्मक आवेश है।
$(b)$ $BrCl$ में,$EN_{Cl} (3.16) > EN_{Br} (2.96)$,इसलिए $Cl$ पर आंशिक ऋणात्मक आवेश है।
$(c)$ $OCl_2$ में,$EN_O (3.44) > EN_{Cl} (3.16)$,इसलिए $Cl$ पर आंशिक धनात्मक आवेश $(\delta )$ है।
$(d)$ $SCl_2$ में,$EN_{Cl} (3.16) > EN_S (2.58)$,इसलिए $Cl$ पर आंशिक ऋणात्मक आवेश है।
अतः,सही विकल्प $C$ है।

(C) बंध की ध्रुवीयता बंधित परमाणुओं के बीच विद्युत ऋणात्मकता के अंतर पर निर्भर करती है। विद्युत ऋणात्मकता के मान हैं: $N = 3.04$,$F = 3.98$,$O = 3.44$,$Cl = 3.16$।
अंतर की गणना:
$|N - Cl| = |3.04 - 3.16| = 0.12$
$|O - F| = |3.44 - 3.98| = 0.54$
$|N - F| = |3.04 - 3.98| = 0.94$
$|N - N| = |3.04 - 3.04| = 0$
चूंकि $N - F$ में विद्युत ऋणात्मकता का अंतर सबसे अधिक है,इसलिए यह सबसे अधिक ध्रुवीय बंध है।

(C) फ्लोरीन की उच्च विद्युत ऋणात्मकता के कारण,इसमें इलेक्ट्रॉन ग्रहण करने की प्रवृत्ति बहुत अधिक होती है और यह अपचयित (reduce) हो जाता है। इसलिए,$Br_2$ की तुलना में फ्लोरीन एक प्रबल ऑक्सीकारक के रूप में कार्य करता है।

(A) पॉलिंग स्केल पर विद्युतऋणात्मकता के मान इस प्रकार हैं: $F (4.0)$,$O (3.44)$,$Cl (3.16)$,और $Br (2.96)$।
अतः,विद्युतऋणात्मकता का सही क्रम $F > O > Cl > Br$ है।

(C) $1$. विकल्प $A$: $S^{2-}, Cl^{-}, K^{+}, Ca^{2+}$ $18$ इलेक्ट्रॉनों वाली आइसोइलेक्ट्रॉनिक प्रजातियां हैं। जैसे-जैसे परमाणु क्रमांक $(Z)$ बढ़ता है,आयनन ऊर्जा बढ़ती है। सही क्रम $Ca^{2+} > K^{+} > Cl^{-} > S^{2-}$ है। अतः,$A$ गलत है।
$2$. विकल्प $B$: $2^{nd}$ आयनन ऊर्जा में धनायन से इलेक्ट्रॉन निकाला जाता है। $C^{+}, N^{+}, O^{+}, F^{+}$ के लिए,सही क्रम $C < N < O < F$ है। अतः,$B$ गलत है।
$3$. विकल्प $C$: विद्युतऋणात्मकता आमतौर पर समूह में नीचे जाने पर घटती है। $B > Al > Ga > In > Tl$ क्रम सही है।
$4$. विकल्प $D$: आइसोइलेक्ट्रॉनिक प्रजातियों के लिए आयनिक त्रिज्या परमाणु क्रमांक बढ़ने के साथ घटती है। अतः,$D$ गलत है।

(A) सहसंयोजक बंध का आयनिक गुण बंधित परमाणुओं के बीच विद्युत ऋणात्मकता के अंतर के सीधे समानुपाती होता है।
हाइड्रोजन $(H)$ की विद्युत ऋणात्मकता $2.1$ है।
हाइड्रोजन हैलाइड्स के लिए विद्युत ऋणात्मकता का अंतर $(\Delta EN)$ इस प्रकार है:
$HF: |4.0 - 2.1| = 1.9$
$HCl: |3.0 - 2.1| = 0.9$
$HBr: |2.8 - 2.1| = 0.7$
$HI: |2.5 - 2.1| = 0.4$
चूँकि $HF$ में विद्युत ऋणात्मकता का अंतर सबसे अधिक है,इसलिए इसमें अधिकतम आयनिक गुण होता है।

(C) मुलिकन स्केल के अनुसार,किसी तत्व की विद्युतऋणता $(EN)$ को उसकी आयनन ऊर्जा $(IE)$ और इलेक्ट्रॉन बंधुता $(EA)$ के अंकगणितीय माध्य के रूप में परिभाषित किया जाता है।
गणितीय रूप से,इसे इस प्रकार व्यक्त किया जाता है: $EN = \frac{IE + EA}{2}$।
अतः,विद्युतऋणता निर्धारित करने के लिए आयनन ऊर्जा और इलेक्ट्रॉन बंधुता दोनों की आवश्यकता होती है।

(C) विद्युतऋणात्मकता सामान्यतः आवर्त में बाएं से दाएं जाने पर बढ़ती है और समूह में ऊपर से नीचे जाने पर घटती है।
दिए गए तत्वों के लिए: $Si$ (समूह $14$,आवर्त $3$),$P$ (समूह $15$,आवर्त $3$),$C$ (समूह $14$,आवर्त $2$),और $N$ (समूह $15$,आवर्त $2$)।
पॉलिंग स्केल पर उनके मानों की तुलना करने पर: $Si \approx 1.90$,$P \approx 2.19$,$C \approx 2.55$,और $N \approx 3.04$।
अतः,विद्युतऋणात्मकता का सही बढ़ता हुआ क्रम $Si < P < C < N$ है।

(C) पॉलिंग स्केल पर विद्युतऋणात्मकता के मान इस प्रकार हैं:
$H = 2.1$
$Li = 1.0$
$Na = 0.9$
इन मानों की तुलना करने पर,क्रम $H (2.1) > Li (1.0) > Na (0.9)$ प्राप्त होता है।
अतः,सही घटता क्रम $H, Li, Na$ है।

(D) आवर्त सारणी में बाएं से दाएं जाने पर विद्युतऋणात्मकता सामान्यतः बढ़ती है।
तत्व $C$,$N$,$O$ और $F$ दूसरे आवर्त के तत्व हैं।
इनके परमाणु क्रमांक $C (6)$,$N (7)$,$O (8)$ और $F (9)$ हैं।
आवर्ती प्रवृत्ति के अनुसार,विद्युतऋणात्मकता का क्रम $C < N < O < F$ है।
अतः,घटता हुआ क्रम $F > O > N > C$ होगा।

(A) आवर्त सारणी में सबसे अधिक विद्युत ऋणात्मक तत्व फ्लोरीन $(F)$ है।
इसका परमाणु क्रमांक $9$ है।
फ्लोरीन का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $1s^2 2s^2 2p^5$ है।
इसके संयोजी कोश का विन्यास $ns^2 np^5$ (जहाँ $n=2$) है।
अतः,सही विकल्प $A$ है।

(B) हाइड्रॉक्साइड $E-O-H$ में,इसकी प्रकृति $E$ और $O$ के बीच तथा $O$ और $H$ के बीच विद्युतऋणात्मकता के अंतर पर निर्भर करती है।
यदि $E$ और $O$ के बीच विद्युतऋणात्मकता का अंतर अधिक ($1.4$ से अधिक) है,तो $E-O$ बंध अत्यधिक ध्रुवीय होता है और $OH^-$ आयनों को मुक्त करने के लिए टूट जाता है।
इसलिए,यह यौगिक एक क्षार के रूप में कार्य करता है।
इसके विपरीत,यदि $O$ और $H$ के बीच विद्युतऋणात्मकता का अंतर अधिक है,तो $O-H$ बंध टूटकर $H^+$ आयन मुक्त करता है,जिससे यौगिक अम्लीय हो जाता है।

(C) ऑक्साइड की अम्लीय प्रकृति तत्व के अधात्विक गुण के साथ बढ़ती है,जो विद्युत ऋणात्मकता $(EN)$ के साथ बढ़ती है।
$X$ अम्लीय ऑक्साइड बनाता है,इसलिए यह उच्च $EN$ वाला अधातु है।
$Z$ उभयधर्मी ऑक्साइड बनाता है,जिसका गुण मध्यवर्ती होता है।
$Y$ क्षारीय ऑक्साइड बनाता है,इसलिए यह कम $EN$ वाली धातु है।
अतः,विद्युत ऋणात्मकता का सही क्रम $X > Z > Y$ है।

(B) परमाणु की विद्युतऋणात्मकता $(EN)$ ऑक्सीकरण अवस्था में वृद्धि के साथ बढ़ती है क्योंकि प्रभावी नाभिकीय आवेश बढ़ता है।
$N_2O_5$ में $N$ की ऑक्सीकरण अवस्था $+5$ है,जबकि $NO_2$ में यह $+4$ है। अतः $N_2O_5 > NO_2$ में $N$ की $EN$ सही है।
$CH_4$ में $C$ की ऑक्सीकरण अवस्था $-4$ है,जबकि $CO_2$ में यह $+4$ है। अतः $CO_2 > CH_4$ में $C$ की $EN$ होनी चाहिए। इसलिए,$CH_4 > CO_2$ क्रम गलत है।
$Cu^{2+}$ और $Cu^+$ के लिए,उच्च धनात्मक आवेश उच्च $EN$ की ओर ले जाता है,इसलिए $Cu^{2+} > Cu^+$ सही है।
बंध ध्रुवीयता विद्युतऋणात्मकता के अंतर पर निर्भर करती है। $P$ और $F$ के बीच का अंतर $O$ और $F$ के बीच के अंतर से अधिक है,जो $P-F$ को $O-F$ से अधिक ध्रुवीय बनाता है।

(A) मुलिकन पैमाने के अनुसार,किसी तत्व की विद्युतऋणात्मकता $(EN)$ उसके आयनन विभव $(IP)$ और इलेक्ट्रॉन बंधुता $(EA)$ का औसत होती है।
सूत्र है: $EN = \frac{IP + EA}{2}$.
यहाँ $EN = E_1$ और $IP = E_2$ दिया गया है,इसलिए:
$E_1 = \frac{E_2 + EA}{2}$.
दोनों पक्षों को $2$ से गुणा करने पर:
$2E_1 = E_2 + EA$.
$EA$ का मान ज्ञात करने पर:
$EA = 2E_1 - E_2$.

(D) बंध की ध्रुवीयता बंधित परमाणुओं के बीच विद्युत ऋणात्मकता के अंतर पर निर्भर करती है। विद्युत ऋणात्मकता के मान (पॉलिंग स्केल) हैं: $O = 3.44$,$F = 3.98$,$S = 2.58$,$Cl = 3.16$,और $Si = 1.90$।
अंतर की गणना:
$OF_2$: $|3.98 - 3.44| = 0.54$
$SF_4$: $|3.98 - 2.58| = 1.40$
$ClF$: $|3.98 - 3.16| = 0.82$
$SiF_4$: $|3.98 - 1.90| = 2.08$
विद्युत ऋणात्मकता में अधिकतम अंतर वाला बंध $SiF_4$ में $Si-F$ बंध है।

(C) कथन सही है क्योंकि इलेक्ट्रॉन बंधुता वह ऊर्जा है जो एक विलगित गैसीय परमाणु में इलेक्ट्रॉन जोड़ने पर मुक्त होती है,जबकि विद्युत ऋणात्मकता एक बंधित परमाणु की साझा इलेक्ट्रॉनों को आकर्षित करने की प्रवृत्ति है।
कारण गलत है क्योंकि इलेक्ट्रॉन बंधुता एक प्रयोगात्मक रूप से मापने योग्य राशि है ($kJ \ mol^{-1}$ में),जबकि विद्युत ऋणात्मकता एक सापेक्ष पैमाना है (जैसे $Pauling$ पैमाना) और इसे सीधे मापा नहीं जा सकता है।

(C) कथन सही है क्योंकि $F$ आवर्त सारणी में सबसे अधिक विद्युत ऋणात्मक तत्व है।
कारण गलत है क्योंकि $F$ की इलेक्ट्रॉन बंधुता $Cl$ से कम होती है।
इसका कारण $F$ परमाणु का छोटा आकार है,जिसके कारण इसके $2p$ उपकोश में इलेक्ट्रॉनों के बीच तीव्र अंतः-इलेक्ट्रॉनिक प्रतिकर्षण होता है,जिससे $Cl$ की तुलना में इसमें अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन जोड़ना कम अनुकूल हो जाता है।

(N/A) किसी तत्व की विद्युतऋणात्मकता एक निश्चित मान नहीं है; यह एक परिवर्तनीय गुण है जो अणु में परमाणु की ऑक्सीकरण अवस्था और रासायनिक वातावरण पर निर्भर करता है।
इसलिए,यह कथन कि सभी नाइट्रोजन यौगिकों में पाउलिंग स्केल पर $N$ की विद्युतऋणात्मकता $3.0$ है,गलत है।
उदाहरण के लिए,$N$ की विद्युतऋणात्मकता उसके संकरण और उससे जुड़े परमाणुओं की प्रकृति पर निर्भर करती है,जैसे कि $NH_3$ और $NO_2$ में यह भिन्न होती है।

(N/A) विद्युतऋणता रासायनिक यौगिक में किसी परमाणु की साझा इलेक्ट्रॉन युग्म को अपनी ओर आकर्षित करने की प्रवृत्ति है।
विद्युतऋणता और इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी के बीच अंतर:
$1$. विद्युतऋणता बंधित अवस्था में इलेक्ट्रॉनों को आकर्षित करने की एक सापेक्ष प्रवृत्ति है,जबकि इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी वह ऊर्जा परिवर्तन है जो तब होता है जब एक पृथक गैसीय परमाणु में इलेक्ट्रॉन जोड़ा जाता है।
$2$. विद्युतऋणता एक मापने योग्य राशि नहीं है,जबकि इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी को प्रयोगात्मक रूप से मापा जा सकता है।
$3$. विद्युतऋणता किसी तत्व के लिए स्थिर मान नहीं है क्योंकि यह बंधित परमाणु पर निर्भर करती है,जबकि इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी तत्व का एक अभिलक्षणिक गुण है।

(N/A) यह कथन गलत है।
किसी तत्व की विद्युत ऋणात्मकता एक स्थिर मान नहीं है; यह रासायनिक वातावरण पर निर्भर करती है।
विशेष रूप से,यह नाइट्रोजन परमाणु की संकरण अवस्था (जैसे $sp$,$sp^2$,या $sp^3$ संकरण) पर निर्भर करती है।
यह नाइट्रोजन परमाणु की ऑक्सीकरण अवस्था और उससे जुड़े परमाणुओं या समूहों की प्रकृति पर भी निर्भर करती है।

विद्युतऋणता:
- रासायनिक यौगिक में किसी परमाणु की साझा इलेक्ट्रॉन युग्म को अपनी ओर आकर्षित करने की क्षमता को विद्युतऋणता कहते हैं।
$\rightarrow$ यह सीधे मापने योग्य राशि नहीं है।
$\rightarrow$ अमेरिकी वैज्ञानिक लिनस पॉलिंग ने $1922$ में फ्लोरीन को स्वेच्छा से $4.0$ का मान दिया था।
आवर्तिता:
- जब हम आवर्त सारणी में बाएं से दाएं जाते हैं,तो प्रभावी नाभिकीय आवेश में वृद्धि और परमाणु आकार में कमी के कारण विद्युतऋणता बढ़ती है।
उदाहरण: दूसरा आवर्त

तत्व	विद्युतऋणता
$Li$	$1.0$
$Be$	$1.5$
$B$	$2.0$
$C$	$2.5$
$N$	$3.0$
$O$	$3.5$
$F$	$4.0$

- जब हम आवर्त सारणी में ऊपर से नीचे जाते हैं,तो परमाणु आकार में वृद्धि और परिरक्षण प्रभाव (shielding effect) के कारण विद्युतऋणता घटती है।
उदाहरण: समूह-$17$

तत्व	विद्युतऋणता
$F$	$4.0$
$Cl$	$3.0$
$Br$	$2.8$
$I$	$2.5$
$At$	$2.2$

(N/A) बंध का आयनिक गुण दो बंधित परमाणुओं के बीच विद्युत ऋणात्मकता (electronegativity) के अंतर के सीधे आनुपातिक होता है। अंतर जितना अधिक होगा,बंध उतना ही अधिक ध्रुवीय (आयनिक) होगा।

बंध	विद्युत ऋणात्मकता का अंतर
$C-H$	$2.5 - 2.1 = 0.4$
$N-H$	$3.0 - 2.1 = 0.9$
$O-H$	$3.5 - 2.1 = 1.4$
$F-H$	$4.0 - 2.1 = 1.9$

विद्युत ऋणात्मकता के मानों के आधार पर,आयनिक गुण का बढ़ता हुआ क्रम इस प्रकार है:
$C-H < N-H < O-H < F-H$

(A) सहसंयोजक बंध का आयनिक गुण बंधित परमाणुओं के बीच विद्युत ऋणात्मकता (electronegativity) के अंतर पर निर्भर करता है।
विद्युत ऋणात्मकता का अंतर जितना अधिक होगा,आयनिक गुण उतना ही अधिक होगा।
पॉलिंग स्केल पर विद्युत ऋणात्मकता के मान हैं: $C = 2.5, N = 3.0, O = 3.5$।
$1$. $C-C$ के लिए: विद्युत ऋणात्मकता का अंतर = $|2.5 - 2.5| = 0$।
$2$. $C-N$ के लिए: विद्युत ऋणात्मकता का अंतर = $|3.0 - 2.5| = 0.5$।
$3$. $C-O$ के लिए: विद्युत ऋणात्मकता का अंतर = $|3.5 - 2.5| = 1.0$।
अतः,बढ़ते हुए आयनिक गुण का क्रम $C-C < C-N < C-O$ है।

(B) सहसंयोजक आबंध की ध्रुवीयता आबंधित परमाणुओं के बीच विद्युतऋणात्मकता के अंतर पर निर्भर करती है।
विद्युतऋणात्मकता के मान हैं: $N = 3.04$,$H = 2.20$,और $F = 3.98$।
$N-H$ आबंध के लिए विद्युतऋणात्मकता का अंतर $|3.04 - 2.20| = 0.84$ है।
$N-F$ आबंध के लिए विद्युतऋणात्मकता का अंतर $|3.04 - 3.98| = 0.94$ है।
चूंकि $0.94 > 0.84$,$N-F$ आबंध में विद्युतऋणात्मकता का अंतर अधिक है और इसलिए यह $N-H$ आबंध की तुलना में अधिक ध्रुवीय है।

(B) विद्युत ऋणात्मकता $(E.N.)$ आवर्त में बाएं से दाएं जाने पर बढ़ती है और समूह में ऊपर से नीचे जाने पर घटती है। फ्लोरीन $(F)$ सबसे अधिक विद्युत ऋणात्मक तत्व है $(E.N. = 4.0)$,जबकि क्षार धातुओं का $E.N.$ मान सबसे कम होता है।
दिए गए युग्मों की तुलना:
$1$. $Li$ $(1.0)$ और $F$ $(4.0)$: अंतर = $3.0$
$2$. $Na$ $(0.9)$ और $F$ $(4.0)$: अंतर = $3.1$
$3$. $Na$ $(0.9)$ और $Br$ $(2.8)$: अंतर = $1.9$
$4$. $Na$ $(0.9)$ और $Cl$ $(3.0)$: अंतर = $2.1$
अतः,$Na \& F$ युग्म में विद्युत ऋणात्मकता का अंतर अधिकतम है।

(D) दिए गए तत्वों के लिए पॉलिंग स्केल पर विद्युत ऋणात्मकता $(E.N.)$ के मान इस प्रकार हैं:

तत्व	$E.N.$ मान
$Br$	$3.0$
$C$	$2.5$
$At$	$2.2$
$P$	$2.1$

इन मानों के आधार पर,विद्युत ऋणात्मकता का सही क्रम $Br > C > At > P$ है। अतः,सही विकल्प $D$ है।

(A) समूह $14$ के तत्वों की विद्युतऋणात्मकता के मान इस प्रकार हैं:
$C = 2.5$,$Si = 1.8$,$Ge = 1.8$,$Sn = 1.8$,$Pb = 1.9$।
$Si$ से $Pb$ तक विद्युतऋणात्मकता के मान क्रमिक रूप से नहीं घटते हैं; वे लगभग स्थिर ($1.8$ से $1.9$) रहते हैं। अतः,कथन $I$ गलत है।
समूह $14$ में कार्बन (अधातु),सिलिकॉन और जर्मेनियम (उपधातु),तथा टिन और लेड (धातु) शामिल हैं। अतः,कथन $II$ सही है।

(D) विद्युतऋणात्मकता सामान्यतः आवर्त में बाएं से दाएं जाने पर बढ़ती है और समूह में ऊपर से नीचे जाने पर घटती है।
$Si$ आवर्त $3$,समूह $14$ में है।
$C$ आवर्त $2$,समूह $14$ में है।
$N, O, F$ आवर्त $2$,क्रमशः समूह $15, 16, 17$ में हैं।
$Si$ और $C$ की तुलना: $Si$,$C$ के नीचे है,इसलिए $Si < C$ है।
आवर्त $2$ के तत्वों की तुलना: विद्युतऋणात्मकता $C < N < O < F$ के अनुसार बढ़ती है।
इन्हें मिलाने पर,विद्युतऋणात्मकता का बढ़ता क्रम $Si < C < N < O < F$ है।
सही विकल्प $D$ है।

(A) आवर्त सारणी में बाएं से दाएं जाने पर विद्युतऋणात्मकता सामान्यतः बढ़ती है और समूह में ऊपर से नीचे जाने पर घटती है।
विकल्प $A$ में दिए गए तत्वों के लिए विद्युतऋणात्मकता के मान (Pauling स्केल पर) इस प्रकार हैं:
$Mg = 1.2$,$Al = 1.5$,$B = 2.0$,$N = 3.0$।
अतः,सही बढ़ता हुआ क्रम $Mg < Al < B < N$ है।
दिया गया क्रम $Al < Mg < B < N$ गलत है।

(D) इलेक्ट्रॉनिक विन्यास के आधार पर तत्वों की पहचान करें:
$A: 1s^2 2s^2 2p^3$ $\text{नाइट्रोजन}$ $(N)$ है,विद्युत ऋणात्मकता $\approx 3.04$ है।
$B: 1s^2 2s^2 2p^4$ $\text{ऑक्सीजन}$ $(O)$ है,विद्युत ऋणात्मकता $\approx 3.44$ है।
$C: 1s^2 2s^2 2p^5$ $\text{फ्लोरीन}$ $(F)$ है,विद्युत ऋणात्मकता $\approx 3.98$ है।
$D: 1s^2 2s^2 2p^2$ $\text{कार्बन}$ $(C)$ है,विद्युत ऋणात्मकता $\approx 2.55$ है।
आवर्त सारणी में बाएं से दाएं जाने पर विद्युत ऋणात्मकता बढ़ती है।
बढ़ती हुई विद्युत ऋणात्मकता का सही क्रम $C < N < O < F$ है,जो $D < A < B < C$ के अनुरूप है।

(C) $Al$ की विद्युतऋणात्मकता $1.61$ है और $Tl$ की $1.62$ है। अतः,$Tl$ की विद्युतऋणात्मकता $Al$ से थोड़ी अधिक है। इसलिए,कथन गलत है।
बोरॉन परिवार में,$d$ और $f$ कक्षकों के दुर्बल परिरक्षण प्रभाव (लैंथेनाइड संकुचन) के कारण,समूह में नीचे जाने पर परमाणु आकार में नियमित वृद्धि नहीं होती है। $Ga$ का आकार लगभग $Al$ के बराबर होता है। इसलिए,कारण भी गलत है।

(C) इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $1s^2$ हीलियम $(He)$ के लिए है।
उत्कृष्ट गैसों का विन्यास स्थिर होता है,जिसके परिणामस्वरूप उनकी आयनन ऊर्जा बहुत अधिक होती है और उनकी इलेक्ट्रॉन बंधुता और विद्युतऋणात्मकता लगभग शून्य होती है।

(A) समूह $1$ के तत्वों की विद्युत ऋणात्मकता समूह में नीचे जाने पर घटती है क्योंकि परमाणु आकार बढ़ता है और प्रभावी नाभिकीय आवेश कम हो जाता है।
इसलिए,विद्युत ऋणात्मकता का घटता क्रम $Li > Na > K > Cs$ है।
अतः,दिए गए तत्वों में $Li$ की विद्युत ऋणात्मकता सबसे अधिक है।

(D) आवर्त सारणी में समूह में ऊपर की ओर जाने पर परमाणु आकार में कमी और प्रभावी नाभिकीय आवेश में वृद्धि के कारण विद्युतऋणात्मकता सामान्यतः बढ़ती है।
दिए गए सभी तत्व ($Be$,$Mg$,$Ca$,$Sr$) समूह $2$ (क्षारीय मृदा धातु) के हैं।
समूह $2$ में ऊपर से नीचे की ओर तत्वों का क्रम $Be$,$Mg$,$Ca$,$Sr$ है।
चूंकि $Be$ इस समूह में सबसे ऊपर है,इसलिए दिए गए विकल्पों में इसकी विद्युतऋणात्मकता सबसे अधिक है।

(A) विद्युत ऋणात्मकता किसी परमाणु की साझा इलेक्ट्रॉन युग्म को अपनी ओर आकर्षित करने की प्रवृत्ति है।
आवर्त सारणी में,समूह में ऊपर से नीचे जाने पर परमाणु का आकार बढ़ता है और प्रभावी नाभिकीय आवेश घटता है,इसलिए विद्युत ऋणात्मकता सामान्यतः घटती है।
दिए गए सभी तत्व ($Li$,$Na$,$K$,$Rb$) समूह-$1$ (क्षार धातुएं) के हैं।
चूंकि $Li$ समूह में सबसे ऊपर है,इसलिए दिए गए विकल्पों में इसका परमाणु आकार सबसे छोटा और प्रभावी नाभिकीय आवेश सबसे अधिक है।
अतः,$Li$ की विद्युत ऋणात्मकता सबसे अधिक है।

(B) विद्युत ऋणात्मकता सामान्यतः आवर्त में बाएं से दाएं जाने पर बढ़ती है और समूह में ऊपर से नीचे जाने पर घटती है।
दिए गए तत्वों की तुलना करने पर: $O$ और $F$ दूसरे आवर्त के तत्व हैं,जबकि $S$ और $Cl$ तीसरे आवर्त के तत्व हैं।
चूंकि समूह में नीचे जाने पर विद्युत ऋणात्मकता घटती है,इसलिए तीसरे आवर्त के तत्वों ($S$ और $Cl$) की विद्युत ऋणात्मकता दूसरे आवर्त के तत्वों ($O$ और $F$) से कम होती है।
$S$ और $Cl$ के बीच,$S$ तीसरे आवर्त में $Cl$ के बाईं ओर स्थित है,इसलिए दिए गए विकल्पों में $S$ की विद्युत ऋणात्मकता सबसे कम है।