Electronegativity Questions in Hindi

(A) आवर्त सारणी में समूह में ऊपर से नीचे जाने पर परमाणु आकार में वृद्धि और परिरक्षण प्रभाव (shielding effect) के कारण विद्युत ऋणात्मकता सामान्यतः घटती है।
समूह $15$ के तत्व $N, P, As, Sb, Bi$ हैं।
जैसे-जैसे हम $N$ से $Bi$ की ओर बढ़ते हैं,विद्युत ऋणात्मकता कम होती जाती है।
अतः,दिए गए तत्वों में $Bi$ (बिस्मथ) की विद्युत ऋणात्मकता सबसे कम है।

(B) पॉलिंग स्केल के अनुसार,ऑक्सीजन की विद्युत ऋणात्मकता $3.5$ है।

(B) विद्युतऋणात्मकता आवर्त में बाएं से दाएं जाने पर बढ़ती है और समूह में ऊपर से नीचे जाने पर घटती है।
तत्वों की तुलना:
$F$ $(Z=9)$ आवर्त $2$,समूह $17$ में है।
$O$ $(Z=8)$ आवर्त $2$,समूह $16$ में है।
$N$ $(Z=7)$ आवर्त $2$,समूह $15$ में है।
$P$ $(Z=15)$ आवर्त $3$,समूह $15$ में है।
चूंकि $F$,$O$,और $N$ एक ही आवर्त $(2)$ में हैं,इसलिए उनकी विद्युतऋणात्मकता का क्रम $F > O > N$ है।
$P$,समूह $15$ में $N$ के नीचे स्थित है,इसलिए इसकी विद्युतऋणात्मकता $N$ से कम है।
अतः,सही क्रम $F > O > N > P$ है।

(C) विद्युतऋणात्मकता सामान्यतः आवर्त में बाएं से दाएं जाने पर बढ़ती है और समूह में ऊपर से नीचे जाने पर घटती है।
आवर्त सारणी में,$C$ और $N$ दूसरे आवर्त के तत्व हैं,जबकि $Si$ और $P$ तीसरे आवर्त के तत्व हैं।
मानों की तुलना करने पर: $Si$ $(1.90)$ < $P$ $(2.19)$ < $C$ $(2.55)$ < $N$ $(3.04)$।
अतः,विद्युतऋणात्मकता का सही बढ़ता हुआ क्रम $Si < P < C < N$ है।

(A) आवर्त सारणी में सबसे अधिक विद्युत ऋणात्मकता वाला तत्व फ्लोरीन $(F)$ है।
फ्लोरीन का परमाणु क्रमांक $9$ है और इसका इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $1s^2, 2s^2, 2p^5$ है।
चूंकि मुख्य क्वांटम संख्या $n = 2$ है,इसलिए यह $2$ रे आवर्त का तत्व है।
इसमें $7$ संयोजी इलेक्ट्रॉन हैं,जो इसे समूह $17$ (हैलोजन समूह) में रखते हैं।
अतः,आवर्त और समूह संख्या क्रमशः $2$ और $17$ हैं।

(C) फ्लोरीन $(F)$ उच्चतम विद्युत ऋणात्मकता वाला तत्व है,क्योंकि यह आवर्त सारणी में दूसरे आवर्त के सबसे दाईं ओर स्थित है।
फ्रांसियम $(Fr)$ सबसे अधिक विद्युत धनात्मक या सबसे कम विद्युत ऋणात्मक तत्व है,क्योंकि यह आवर्त सारणी में नीचे बाईं ओर स्थित है।

(B) विद्युत ऋणात्मकता किसी परमाणु की साझा इलेक्ट्रॉन युग्म को अपनी ओर आकर्षित करने की प्रवृत्ति है।
पॉलिंग स्केल के अनुसार,फ्लोरीन $(F)$ $4.0$ के मान के साथ सबसे अधिक विद्युत ऋणात्मक तत्व है।
ऑक्सीजन $(O)$ $3.5$ के मान के साथ दूसरा सबसे अधिक विद्युत ऋणात्मक तत्व है।

(A) मुलिकन पैमाने के अनुसार,किसी तत्व की विद्युत ऋणात्मकता $(\chi)$ उसके आयनन विभव $(IP)$ और इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी $(EA)$ का औसत होती है:
$\chi = \frac{IP + EA}{2}$
यहाँ $IP = 13 \ eV$ और $EA = 4 \ eV$ दिया गया है।
मान रखने पर:
$\chi = \frac{13 + 4}{2} = \frac{17}{2} = 8.5 \ eV$.

(A) आवर्त सारणी में बाएं से दाएं जाने पर विद्युत ऋणात्मकता बढ़ती है और समूह में ऊपर से नीचे जाने पर घटती है।
$Si$,$P$,$C$,और $N$ तत्वों के लिए:
$1$. दूसरे आवर्त में,क्रम $C < N$ है।
$2$. तीसरे आवर्त में,क्रम $Si < P$ है।
$3$. समूहों की तुलना करने पर,$C > Si$ और $N > P$ है।
अतः,विद्युत ऋणात्मकता के बढ़ने का सही क्रम $Si < P < C < N$ है।

(C) कथन-$I$ सही है। $Tl$ में $d$ और $f$ इलेक्ट्रॉनों के खराब परिरक्षण प्रभाव के कारण,प्रभावी नाभिकीय आवेश बढ़ जाता है,जिसके परिणामस्वरूप $Al$ और $In$ की तुलना में $Tl$ की विद्युतऋणात्मकता अधिक होती है। क्रम $B (2.04) > Tl (1.8) > Al (1.61) > In (1.5)$ है।
कथन-$II$ गलत है। बोरिक अम्ल ($H_3BO_3$ या $B(OH)_3$) एक प्रोटोनिक अम्ल नहीं है (यह $H^+$ आयन नहीं छोड़ता है)। इसके बजाय,यह पानी से $OH^-$ आयन को स्वीकार करके $[B(OH)_4]^-$ बनाता है और पानी के अणु से $H^+$ आयन मुक्त करता है,इसलिए यह एक लुईस अम्ल के रूप में कार्य करता है।

(A) समूह $13$ के तत्वों के लिए विद्युत ऋणात्मकता के मान हैं: $B (2.04)$,$Al (1.61)$,$Ga (1.81)$,$In (1.78)$,और $Tl (1.62)$।
इन मानों की तुलना करने पर,क्रम $B > Ga > In > Tl > Al$ प्राप्त होता है।
सामान्य प्रवृत्ति और मानक पाठ्यपुस्तकों में दिए गए मानों को ध्यान में रखते हुए,विद्युत ऋणात्मकता $B$ से $Al$ तक घटती है,फिर $Ga$,$In$,और $Tl$ में $d$ और $f$ इलेक्ट्रॉनों के खराब परिरक्षण (shielding) प्रभाव के कारण इसमें थोड़ी वृद्धि होती है।
सही क्रम $B > Ga > In > Tl > Al$ है।

(D) समूह $14$ (कार्बन परिवार) में,परमाणु आकार में वृद्धि के कारण सामान्यतः समूह में नीचे जाने पर विद्युतऋणात्मकता घटती है।
हालाँकि,$d$ और $f$ कक्षकों के खराब परिरक्षण प्रभाव (shielding effect) के कारण,प्रभावी नाभिकीय आवेश बढ़ जाता है,जिससे प्रवृत्ति में विसंगति आती है।
विद्युतऋणात्मकता के मान लगभग इस प्रकार हैं: $C$ $(2.55)$,$Si$ $(1.90)$,$Ge$ $(2.01)$,$Sn$ $(1.96)$,और $Pb$ $(2.33)$।
दिए गए तत्वों $C$,$Ge$,और $Pb$ की तुलना करने पर,सही क्रम $C > Pb > Ge$ है।

(A) विद्युतऋणता एक रासायनिक बंध में साझा इलेक्ट्रॉन युग्म को अपनी ओर आकर्षित करने की परमाणु की प्रवृत्ति है।
आवर्त सारणी में एक आवर्त में बाएं से दाएं जाने पर,प्रभावी नाभिकीय आवेश बढ़ता है और परमाणु का आकार घटता है,जिससे विद्युतऋणता में वृद्धि होती है।
तत्व $C$,$N$,$O$,और $F$ आवर्त सारणी के दूसरे आवर्त से संबंधित हैं।
बाएं से दाएं उनका स्थान $C$ (समूह $14$),$N$ (समूह $15$),$O$ (समूह $16$),और $F$ (समूह $17$) है।
इसलिए,विद्युतऋणता का बढ़ता हुआ क्रम $C < N < O < F$ है।

(C) विद्युत ऋणात्मकता परमाणु के आकार के व्युत्क्रमानुपाती होती है। आकार जितना छोटा होगा,विद्युत ऋणात्मकता उतनी ही अधिक होगी।
नाइट्रोजन $(N)$ दूसरे आवर्त में स्थित है,इसलिए इसका आकार सबसे छोटा और विद्युत ऋणात्मकता सबसे अधिक है।
आयोडीन $(I)$ हैलोजन परिवार का सदस्य है,जो अत्यधिक विद्युत ऋणात्मक होते हैं।
सल्फर $(S)$ और टेल्यूरियम $(Te)$ के लिए,समूह में ऊपर से नीचे जाने पर परमाणु का आकार बढ़ता है,जिससे विद्युत ऋणात्मकता घटती है $(S > Te)$।
अतः,सही क्रम $N > I > S > Te$ है।

(B) किसी परमाणु की साझा इलेक्ट्रॉन युग्म को अपनी ओर आकर्षित करने की क्षमता को विद्युत ऋणात्मकता कहा जाता है।
दी गई प्रजातियों में फ्लोरीन $(F)$ की विद्युत ऋणात्मकता सबसे अधिक है।
अपने छोटे आकार और बाहरी कोश में सात इलेक्ट्रॉनों के कारण,यह सबसे अधिक विद्युत ऋणात्मकता प्रदर्शित करता है।
पॉलिंग पैमाने पर,इसका मान $4.0$ माना जाता है।
अतः,विकल्प $(B)$ सही है।

(A) विद्युतऋणात्मकता किसी परमाणु की साझा इलेक्ट्रॉन युग्म को आकर्षित करने की प्रवृत्ति है।
पॉलिंग स्केल के मानों के अनुसार:
$I$. $H (2.20)$ और $P (2.19)$ के मान समान हैं।
$II$. $Be (1.57)$ और $Al (1.61)$ के मान समान हैं।
$III$. $N (3.04)$ और $Cl (3.16)$ के मान समान हैं।
$IV$. $C (2.55)$ और $P (2.19)$ के मान अलग हैं।
अतः,$I, II$ और $III$ युग्मों के तत्वों की विद्युतऋणात्मकता लगभग समान है।

(D) समूह $13$ के तत्वों के लिए,परमाणु आकार में वृद्धि के कारण विद्युत ऋणात्मकता $(EN)$ $B$ से $Al$ तक घटती है।
$Al$ से $Tl$ तक,$d$ और $f$ कक्षकों के खराब परिरक्षण प्रभाव (shielding effect) के कारण विद्युत ऋणात्मकता में क्रमिक वृद्धि होती है,जो प्रभावी परमाणु आवेश को बढ़ाती है।
$EN$ के मान (पॉलिंग स्केल पर) इस प्रकार हैं: $B (2.0)$,$Al (1.5)$,$Ga (1.6)$,$In (1.7)$,और $Tl (1.8)$।
अतः,सही परिवर्तन $B$ से $Al$ तक कमी और उसके बाद $Al$ से $Tl$ तक वृद्धि को दर्शाता है।

(C) विद्युत ऋणात्मकता सामान्यतः आवर्त में बाएं से दाएं जाने पर बढ़ती है और समूह में ऊपर से नीचे जाने पर घटती है।
$N$ (नाइट्रोजन),$O$ (ऑक्सीजन) और $P$ (फास्फोरस) तत्वों की तुलना करने पर:
$1$. $N$ और $O$ दूसरे आवर्त में हैं,जबकि $P$ तीसरे आवर्त में है।
$2$. दूसरे आवर्त में,विद्युत ऋणात्मकता $N < O$ के अनुसार बढ़ती है।
$3$. $P$,$N$ के नीचे एक ही समूह ($15^{th}$ समूह) में है,इसलिए $N > P$ है।
$4$. इन्हें मिलाने पर,पॉलिंग स्केल पर विद्युत ऋणात्मकता के मान लगभग इस प्रकार हैं: $O (3.44) > N (3.04) > P (2.19)$।
अतः,सही क्रम $O > N > P$ है।

(C) मुलिकन पैमाने के अनुसार,किसी तत्व की विद्युत ऋणात्मकता $(EN)$ को उसके आयनन विभव $(IP)$ और इलेक्ट्रॉन बंधुता $(EA)$ के औसत (अंकगणितीय माध्य) के रूप में परिभाषित किया गया है।
गणितीय रूप से,इसे $EN = \frac{IP + EA}{2}$ के रूप में व्यक्त किया जाता है।

(A) किसी परमाणु की विद्युत ऋणात्मकता उसके संकरित कक्षकों में $s$-लक्षण के प्रतिशत पर निर्भर करती है। उच्च $s$-लक्षण का अर्थ है उच्च विद्युत ऋणात्मकता।
$Me_{3}N$ में,नाइट्रोजन परमाणु $sp^{3}$-संकरित है ($25\% \ s$-लक्षण)।
$C_{5}H_{5}N$ (पिरिडीन) में,नाइट्रोजन परमाणु $sp^{2}$-संकरित है ($33.3\% \ s$-लक्षण)।
$MeCN$ (एसिटोनाइट्राइल) में,नाइट्रोजन परमाणु $sp$-संकरित है ($50\% \ s$-लक्षण)।
अतः,नाइट्रोजन परमाणु की विद्युत ऋणात्मकता का क्रम $MeCN > C_{5}H_{5}N > Me_{3}N$ है।

(A) $1$. विद्युतऋणात्मकता का क्रम: पॉलिंग स्केल के अनुसार,विद्युतऋणात्मकता के मान $F$ $(4.0)$,$O$ $(3.5)$ और $N$ $(3.0)$ हैं। अतः,$F > O > N$ क्रम सही है। कथन $I$ सत्य है।
$2$. ऑक्सीकरण अवस्था: $OF_2$ में,फ्लोरीन ऑक्सीजन से अधिक विद्युतऋणात्मक है,इसलिए ऑक्सीजन $+2$ है। $Na_2O$ में,सोडियम $+1$ है,इसलिए ऑक्सीजन $-2$ है। कथन $II$ सत्य है।
अतः,दोनों कथन सत्य हैं।