Junction Transistor Questions in Gujarati

(C) ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,એમિટર વિભાગ વધુ ડોપ્ડ (heavily doped) હોય છે કારણ કે તેનું મુખ્ય કાર્ય બેઝમાં મોટી સંખ્યામાં ચાર્જ કેરિયર્સને ઇન્જેક્ટ કરવાનું છે.
બેઝ વિભાગ ખૂબ જ ઓછા ડોપ્ડ (lightly doped) હોય છે અને તેને પાતળો રાખવામાં આવે છે જેથી ચાર્જ કેરિયર્સનું પુનઃસંયોજન (recombination) ન્યૂનતમ થાય,જેનાથી મોટાભાગના કેરિયર્સ કલેક્ટર સુધી પહોંચી શકે.
કલેક્ટર વિભાગ એમિટર અને બેઝની સરખામણીમાં મધ્યમ ડોપ્ડ હોય છે.
તેથી,એમિટર વધુ ડોપ્ડ છે અને બેઝ ઓછો ડોપ્ડ છે.

(B) કલેક્ટર પ્રવાહ $(I_C)$ અને એમિટર પ્રવાહ $(I_E)$ ના ગુણોત્તરને કોમન-બેઝ કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર કહેવામાં આવે છે,જેને $\alpha$ વડે દર્શાવવામાં આવે છે. આપેલ છે: $\alpha = \frac{I_C}{I_E} = 0.98$.
કલેક્ટર પ્રવાહ $(I_C)$ અને બેઝ પ્રવાહ $(I_B)$ ના ગુણોત્તરને કોમન-એમિટર કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર કહેવામાં આવે છે,જેને $\beta$ વડે દર્શાવવામાં આવે છે.
$\alpha$ અને $\beta$ વચ્ચેનો સંબંધ નીચે મુજબ છે: $\beta = \frac{\alpha}{1 - \alpha}$.
આપેલી કિંમત મૂકતા: $\beta = \frac{0.98}{1 - 0.98} = \frac{0.98}{0.02} = 49$.
તેથી,કલેક્ટર પ્રવાહ અને બેઝ પ્રવાહનો ગુણોત્તર $49$ થશે.

(B) કોમન-એમિટર ટ્રાન્ઝિસ્ટર કોન્ફિગરેશન માટે પ્રવાહ ગેઇન $\beta_{dc}$ ને કલેક્ટર પ્રવાહ $(i_c)$ અને બેઝ પ્રવાહ $(i_b)$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે.
ગાણિતિક રીતે,$\beta_{dc} = \frac{i_c}{i_b} = \frac{\text{કલેક્ટર પ્રવાહ}}{\text{બેઝ પ્રવાહ}}$.

(A) આપણે જાણીએ છીએ કે પ્રવાહ ગેઇન પેરામીટર $\alpha_{dc}$ અને $\beta_{dc}$ વચ્ચેનો સંબંધ $\beta_{dc} = \frac{\alpha_{dc}}{1 - \alpha_{dc}}$ છે.
આ સમીકરણને ફરીથી ગોઠવતા,આપણને $1 - \alpha_{dc} = \frac{\alpha_{dc}}{\beta_{dc}}$ મળે છે.
હવે,આપણે $\frac{\beta_{dc} - \alpha_{dc}}{\alpha_{dc} \cdot \beta_{dc}}$ પદાવલિનું મૂલ્ય શોધવાનું છે.
આને $\frac{\beta_{dc}}{\alpha_{dc} \cdot \beta_{dc}} - \frac{\alpha_{dc}}{\alpha_{dc} \cdot \beta_{dc}} = \frac{1}{\alpha_{dc}} - \frac{1}{\beta_{dc}}$ તરીકે લખી શકાય છે.
સંબંધ $\beta_{dc} = \frac{\alpha_{dc}}{1 - \alpha_{dc}}$ પરથી,આપણને $\frac{1}{\beta_{dc}} = \frac{1 - \alpha_{dc}}{\alpha_{dc}} = \frac{1}{\alpha_{dc}} - 1$ મળે છે.
તેથી,$\frac{1}{\alpha_{dc}} - \frac{1}{\beta_{dc}} = 1$.
આમ,પદાવલિનું મૂલ્ય $1$ છે.

(A) ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લીફાયર તરીકે કાર્ય કરે તે માટે,તે સક્રિય (active) વિસ્તારમાં હોવું આવશ્યક છે.
સક્રિય વિસ્તારમાં,એમિટર-બેઝ જંકશન ફોરવર્ડ-બાયસ્ડ હોય છે,જે ચાર્જ કેરિયર્સને એમિટરથી બેઝમાં વહેવા દે છે.
બેઝ-કલેક્ટર જંકશન રિવર્સ-બાયસ્ડ હોય છે,જે કલેક્ટરને એમિટરથી ઇન્જેક્ટ થયેલા મોટાભાગના ચાર્જ કેરિયર્સને એકત્રિત કરવાની મંજૂરી આપે છે.
તેથી,સાચી ગોઠવણી એ છે કે એમિટર-બેઝ જંકશન ફોરવર્ડ-બાયસ્ડ હોય અને બેઝ-કલેક્ટર જંકશન રિવર્સ-બાયસ્ડ હોય.

(D) આપેલ છે કે, એમિટર પ્રવાહમાં ફેરફાર $\Delta I_{E} = 8.0 \,mA$ છે।
કલેક્ટર પ્રવાહમાં ફેરફાર $\Delta I_{C} = 7.9 \,mA$ છે।
આપણે જાણીએ છીએ કે કરંટ ગેઈન $\alpha$ એ કલેક્ટર પ્રવાહમાં ફેરફાર અને એમિટર પ્રવાહમાં ફેરફારનો ગુણોત્તર છે:
$\alpha = \frac{\Delta I_{C}}{\Delta I_{E}} = \frac{7.9}{8.0} = 0.9875 \approx 0.99$.
આપણે એ પણ જાણીએ છીએ કે $\alpha$ અને $\beta$ વચ્ચેનો સંબંધ $\beta = \frac{\alpha}{1 - \alpha}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે।
વૈકલ્પિક રીતે, પ્રવાહનો સીધો ઉપયોગ કરતા: $\beta = \frac{\Delta I_{C}}{\Delta I_{B}}$.
કારણ કે $\Delta I_{E} = \Delta I_{C} + \Delta I_{B}$, તેથી $\Delta I_{B} = \Delta I_{E} - \Delta I_{C} = 8.0 \,mA - 7.9 \,mA = 0.1 \,mA$.
તેથી, $\beta = \frac{7.9 \,mA}{0.1 \,mA} = 79$.
આમ, $\alpha = 0.99$ અને $\beta = 79$ મળે છે.

(B) ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,કરંટ ગેઈન પેરામીટર્સ $\beta = \frac{I_C}{I_B}$ અને $\alpha = \frac{I_C}{I_E}$ તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે.
કારણ કે $I_E = I_B + I_C$,આપણે લખી શકીએ કે $\alpha = \frac{I_C}{I_B + I_C}$.
અંશ અને છેદને $I_C$ વડે ભાગતા,આપણને મળે છે $\alpha = \frac{1}{\frac{I_B}{I_C} + 1} = \frac{1}{\frac{1}{\beta} + 1} = \frac{\beta}{1 + \beta}$.
આના પરથી,આપણે મેળવી શકીએ કે $\frac{1}{\alpha} = \frac{1 + \beta}{\beta} = \frac{1}{\beta} + 1$,જે સૂચવે છે કે $\frac{1}{\beta} = \frac{1}{\alpha} - 1$.
આપેલા વિકલ્પો સાથે સરખાવતા,સંબંધ $\alpha = \frac{\beta}{1 - \beta}$ ખોટો છે.

(B) ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે,$ \beta $-કરંટ ગેઇન અને $ \alpha $-કરંટ ગેઇન નીચેના સૂત્ર દ્વારા સંબંધિત છે:
$\beta = \frac{\alpha}{1 - \alpha}$
અહીં $ \alpha $-કરંટ ગેઇન $ 0.98 $ આપેલ છે.
સૂત્રમાં કિંમત મૂકતા:
$\beta = \frac{0.98}{1 - 0.98} = \frac{0.98}{0.02} = 49$
આમ,ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો $ \beta $-કરંટ ગેઇન $ 49 $ છે.

(A) ટ્રાન્ઝિસ્ટરના ત્રણ ભાગો,એટલે કે એમિટર,બેઝ અને કલેક્ટર પૈકી:
$\rightarrow$ એમિટર મધ્યમ કદનું અને ભારે ડોપિંગ કરેલું હોય છે.
$\rightarrow$ બેઝ પાતળા કદનો અને હળવું ડોપિંગ કરેલો હોય છે.
$\rightarrow$ કલેક્ટર મોટા કદનો અને મધ્યમ ડોપિંગ કરેલો હોય છે.
તેથી,એમિટર મધ્યમ કદનું અને ભારે ડોપિંગ કરેલું હોય છે.

(A) કોમન એમિટર $(CE)$ કોન્ફિગરેશનમાં ટ્રાન્ઝિસ્ટરની ઇનપુટ લાક્ષણિકતાઓ ઇનપુટ કરંટ અને ઇનપુટ વોલ્ટેજ વચ્ચેનો સંબંધ દર્શાવે છે.
ચોક્કસ રીતે કહીએ તો,તે કલેક્ટર-એમિટર વોલ્ટેજ $(V_{CE})$ ને અચળ રાખીને બેઝ કરંટ $(I_{B})$ ને બેઝ-એમિટર વોલ્ટેજ $(V_{BE})$ ની સાપેક્ષમાં આલેખીને મેળવવામાં આવે છે.
આ આલેખ દર્શાવે છે કે આઉટપુટ વોલ્ટેજના વિવિધ નિશ્ચિત મૂલ્યો માટે ઇનપુટ વોલ્ટેજ વધવાની સાથે બેઝ કરંટ કેવી રીતે બદલાય છે.

(A) ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લીફાયરનો ફ્રીક્વન્સી રિસ્પોન્સ કર્વ દર્શાવે છે કે વોલ્ટેજ ગેઈન બધી આવૃત્તિઓ પર સમાન હોતો નથી.
નીચી આવૃત્તિઓ પર,કપલિંગ અને બાયપાસ કેપેસિટર્સનો રિએક્ટન્સ ઊંચો હોય છે,જે ગેઈનને ઘટાડે છે.
ઊંચી આવૃત્તિઓ પર,ટ્રાન્ઝિસ્ટરના આંતરિક જંકશન કેપેસિટન્સ અને સ્ટ્રે કેપેસિટન્સ નોંધપાત્ર બને છે,જે સિગ્નલને શન્ટ કરીને ઓછો અવરોધ પૂરો પાડે છે,જેનાથી ગેઈન ઘટે છે.
મધ્યમ આવૃત્તિ શ્રેણીમાં,આ અસરો નગણ્ય હોય છે અને એમ્પ્લીફાયર સ્થિર અને મહત્તમ વોલ્ટેજ ગેઈન પ્રદાન કરે છે.
તેથી,વોલ્ટેજ ગેઈન નીચી અને ઊંચી બંને આવૃત્તિઓ પર ઓછો હોય છે અને મધ્યમ આવૃત્તિ શ્રેણીમાં અચળ રહે છે.

(A) કોમન એમિટર $(CE)$ એમ્પ્લીફાયર કોન્ફિગરેશનમાં,ટ્રાન્ઝિસ્ટરને એવી રીતે બાયસ કરવામાં આવે છે કે જેથી એમિટર-બેઝ જંકશન ફોરવર્ડ બાયસ્ડ હોય અને કલેક્ટર-બેઝ જંકશન રિવર્સ બાયસ્ડ હોય.
ઇનપુટ $ac$ સિગ્નલને એમ્પ્લીફાય કરવા માટે,તેને ઇનપુટ બાજુ પરના $dc$ બાયસ વોલ્ટેજ પર સુપરઇમ્પોઝ કરવામાં આવે છે.
તેથી,ઇનપુટ $ac$ સિગ્નલને ફોરવર્ડ બાયસ્ડ એમિટર-બેઝ જંકશન પર લાગુ કરવામાં આવે છે જેથી એમિટરથી કલેક્ટર તરફના ચાર્જ કેરિયર્સના પ્રવાહને નિયંત્રિત કરી શકાય.

(A) આપેલ છે: કરંટ ગેઇન $\beta = 50$,$V_{CE} = 2 \ V$,અને $R_{C} = 4 \ k\Omega$.
કલેક્ટર કરંટ $I_{C}$ આઉટપુટ સર્કિટ લૂપ દ્વારા નક્કી થાય છે: $I_{C} = \frac{V_{CE}}{R_{C}} = \frac{2 \ V}{4 \times 10^{3} \ \Omega} = 0.5 \times 10^{-3} \ A = 0.5 \ mA$.
બેઝ કરંટ $I_{B}$ એ કરંટ ગેઇન સૂત્ર દ્વારા કલેક્ટર કરંટ સાથે સંબંધિત છે: $\beta = \frac{I_{C}}{I_{B}}$.
$I_{B}$ માટે સૂત્ર ગોઠવતા: $I_{B} = \frac{I_{C}}{\beta} = \frac{0.5 \times 10^{-3} \ A}{50} = 0.01 \times 10^{-3} \ A = 10 \times 10^{-6} \ A = 10 \ \mu A$.
આમ,$I_{B} = 10 \ \mu A$ અને $I_{C} = 0.5 \ mA$ છે.

(A) આપેલ છે,કલેક્ટર પ્રવાહમાં ફેરફાર,$ \Delta I_{C} = 0.49 \,mA $.
એમિટર પ્રવાહમાં ફેરફાર,$ \Delta I_{E} = 0.50 \,mA $.
આપણે જાણીએ છીએ કે બેઝ પ્રવાહમાં ફેરફાર $ \Delta I_{B} = \Delta I_{E} - \Delta I_{C} $ દ્વારા મળે છે.
કિંમતો મૂકતા,$ \Delta I_{B} = 0.50 \,mA - 0.49 \,mA = 0.01 \,mA $.
પ્રવાહ ગેઇન $ \beta $ ને કલેક્ટર પ્રવાહમાં ફેરફાર અને બેઝ પ્રવાહમાં ફેરફારના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે:
$ \beta = \frac{\Delta I_{C}}{\Delta I_{B}} $.
કિંમતો મૂકતા,$ \beta = \frac{0.49 \,mA}{0.01 \,mA} = 49 $.
તેથી,પ્રવાહ ગેઇન $ \beta $ એ $ 49 $ છે.

(D) ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો એમ્પ્લીફાયર તરીકે ઉપયોગ કરવા માટે,ઇનપુટ સર્કિટ (એમિટર-બેઝ જંકશન) ને ફોરવર્ડ બાયસ્ડ રાખવી પડે છે જેથી પ્રવાહ વહી શકે,અને આઉટપુટ સર્કિટ (કલેક્ટર-બેઝ જંકશન) ને રિવર્સ બાયસ્ડ રાખવી પડે છે જેથી ઉચ્ચ અવરોધ અને વોલ્ટેજ ગેઇન મળી શકે.
તેથી,એમિટર-બેઝ જંકશન ફોરવર્ડ બાયસ્ડ હોય છે અને કલેક્ટર-બેઝ જંકશન રિવર્સ બાયસ્ડ હોય છે.

(C) કરંટ ગેઇન $\alpha$ (કોમન-બેઝ) અને $\beta$ (કોમન-એમિટર) વચ્ચેનો સંબંધ નીચે મુજબના સૂત્ર દ્વારા આપવામાં આવે છે: $\alpha = \frac{\beta}{1 + \beta}$.
અહીં $\beta = 100$ આપેલ છે,તેથી આ કિંમત સૂત્રમાં મૂકતા:
$\alpha = \frac{100}{1 + 100} = \frac{100}{101}$.
ભાગાકાર કરતા,આપણને $\alpha \approx 0.99$ મળે છે.

(B) $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર બે $p-n$ જંકશનનું બનેલું હોય છે.
$n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,એમિટર-બેઝ જંકશન એ $p-n$ જંકશન છે અને કલેક્ટર-બેઝ જંકશન પણ $p-n$ જંકશન છે.
બેઝ એ સામાન્ય $p$-પ્રકારનો વિસ્તાર છે.
$n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે,એમિટર $n$-પ્રકારનું,બેઝ $p$-પ્રકારનું અને કલેક્ટર $n$-પ્રકારનું હોય છે.
આનો અર્થ એ છે કે એમિટર-બેઝ ડાયોડની $n$-બાજુ એમિટર પર અને $p$-બાજુ બેઝ પર હોય છે.
કલેક્ટર-બેઝ ડાયોડની $n$-બાજુ કલેક્ટર પર અને $p$-બાજુ બેઝ પર હોય છે.
તેથી,બે ડાયોડ તેમના કેથોડ ($n$-બાજુઓ) બહારની તરફ રહે તે રીતે જોડાયેલા હોય છે અને તેમના એનોડ ($p$-બાજુઓ) બેઝ પર એકસાથે જોડાયેલા હોય છે.
આપેલ આકૃતિઓ જોતા,વિકલ્પ $B$ સાચી રીતે બે ડાયોડ દર્શાવે છે જેના એનોડ બેઝ $B$ પર જોડાયેલા છે અને કેથોડ અનુક્રમે એમિટર $E$ અને કલેક્ટર $C$ તરફ નિર્દેશ કરે છે.

(D) કોમન એમિટર $(CE)$ એમ્પ્લીફાયરમાં,ઇનપુટ સિગ્નલ $(V_i)$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરના બેઝ $(B)$ અને એમિટર $(E)$ ટર્મિનલ વચ્ચે લાગુ કરવામાં આવે છે.
પરિપથ આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ,ઇનપુટ સિગ્નલને કેપેસિટર $(C_1)$ દ્વારા બેઝ સાથે જોડવામાં આવે છે,જ્યારે એમિટર ઇનપુટ અને આઉટપુટ બંને પરિપથો માટે સામાન્ય હોય છે અને સામાન્ય રીતે ગ્રાઉન્ડ કરેલું હોય છે.
તેથી,ઇનપુટ વોલ્ટેજ બેઝ-એમિટર જંકશન પર લાગુ કરવામાં આવે છે.

(A) ટ્રાન્ઝિસ્ટરને એમ્પ્લીફિકેશન માટે જરૂરી એક્ટિવ રિજનમાં કાર્ય કરવા માટે,એમિટર-બેઝ જંકશન ફોરવર્ડ બાયસ્ડ હોવું જોઈએ અને બેઝ-કલેક્ટર જંકશન રિવર્સ બાયસ્ડ હોવું જોઈએ.
ફોરવર્ડ બાયસ્ડ એમિટર-બેઝ જંકશનમાં,ચાર્જ કેરિયર્સ એમિટરથી બેઝમાં દાખલ થાય છે.
રિવર્સ બાયસ્ડ બેઝ-કલેક્ટર જંકશનમાં,આ કેરિયર્સ કલેક્ટર દ્વારા એકત્રિત કરવામાં આવે છે,જે કરંટ કંટ્રોલ અને સિગ્નલ એમ્પ્લીફિકેશનને શક્ય બનાવે છે.

(D) આપેલ છે:
વોલ્ટેજ ગેઈન $(A_v)$ = $300$
કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર $(\beta)$ = $60$
કલેક્ટર અવરોધ $(R_C)$ = $5 \, k\Omega$
આપણે જાણીએ છીએ કે કોમન એમિટર કોન્ફિગરેશનમાં વોલ્ટેજ ગેઈન $(A_v)$ નીચે મુજબ આપવામાં આવે છે:
$A_v = \beta \times \frac{R_C}{R_B}$
બેઝ અવરોધ $(R_B)$ શોધવા માટે સૂત્રને ફરીથી ગોઠવતા:
$R_B = \beta \times \frac{R_C}{A_v}$
આપેલ કિંમતો મૂકતા:
$R_B = 60 \times \frac{5 \, k\Omega}{300}$
$R_B = 60 \times \frac{5}{300} \, k\Omega$
$R_B = \frac{300}{300} \, k\Omega$
$R_B = 1 \, k\Omega$
તેથી, બેઝ અવરોધ $1 \, k\Omega$ છે.

(D) કોમન એમિટર એમ્પ્લીફાયર માટે,વોલ્ટેજ ગેઈન $(A_v)$ નું સૂત્ર છે: $A_v = \beta \times \frac{R_C}{R_B}$,જ્યાં $\beta$ એ કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર છે,$R_C$ એ કલેક્ટર અવરોધ છે અને $R_B$ એ બેઝ અવરોધ છે.
આપેલ છે કે વોલ્ટેજ ગેઈન $(A_v)$ અને કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર $(\beta)$ નો ગુણોત્તર $4$ છે,તેથી: $\frac{A_v}{\beta} = 4$.
$A_v$ ની કિંમત સૂત્રમાં મૂકતા: $\frac{\beta \times (R_C / R_B)}{\beta} = 4$.
આથી સાદું રૂપ આપતા: $\frac{R_C}{R_B} = 4$.
તેથી,કલેક્ટર અવરોધ અને બેઝ અવરોધનો ગુણોત્તર $4 : 1$ છે.

(C) પ્રમાણભૂત બાયપોલર જંકશન ટ્રાન્ઝિસ્ટર $(BJT)$ માં,ત્રણેય ભાગોને કાર્યક્ષમતા વધારવા માટે ચોક્કસ ભૌતિક પરિમાણો સાથે ડિઝાઇન કરવામાં આવે છે.
$1$. $Base$ $(Y)$ ને ખૂબ જ પાતળો અને હળવો ડોપ્ડ બનાવવામાં આવે છે જેથી મોટાભાગના ચાર્જ કેરિયર્સ કલેક્ટર સુધી પહોંચી શકે.
$2$. $Collector$ $(Z)$ ને કદમાં સૌથી મોટું બનાવવામાં આવે છે જેથી એમિટર દ્વારા એકત્રિત કરવામાં આવેલી પાવરને કારણે ઉત્પન્ન થતી ગરમીનો નિકાલ થઈ શકે.
$3$. $Emitter$ $(X)$ મધ્યમ કદનું હોય છે,જે બેઝ કરતા મોટું પણ કલેક્ટર કરતા નાનું હોય છે,અને તે મોટી સંખ્યામાં ચાર્જ કેરિયર્સ પૂરા પાડવા માટે ભારે ડોપ્ડ હોય છે.
તેથી,કદનો ક્રમ $Collector > Emitter > Base$ છે,જે $Z > X > Y$ ને અનુરૂપ છે.

(D) ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લીફાયરનો પાવર ગેઇન $(A_p)$ એ કરંટ ગેઇન $(\beta)$ અને વોલ્ટેજ ગેઇન $(A_v)$ ના ગુણાકાર જેટલો હોય છે.
$A_p = \beta \times A_v$
વોલ્ટેજ ગેઇન $(A_v)$ એ કરંટ ગેઇન $(\beta)$ અને આઉટપુટ અવરોધ $(R_c)$ તથા ઇનપુટ અવરોધ $(R_b)$ ના ગુણોત્તરના ગુણાકાર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે:
$A_v = \beta \times \frac{R_c}{R_b}$
આપેલ છે:
$\beta = 100$
$R_c = 3 \ k\Omega$
$R_b = 2 \ k\Omega$
$A_v$ ની ગણતરી કરતા:
$A_v = 100 \times \frac{3 \ k\Omega}{2 \ k\Omega} = 100 \times 1.5 = 150$
હવે,પાવર ગેઇન $(A_p)$ ની ગણતરી કરતા:
$A_p = \beta \times A_v = 100 \times 150 = 15000$
તેથી,પાવર ગેઇન $15000$ છે.

(C) આપેલ છે કે કલેક્ટર પ્રવાહ $I_C = 0.98 I_E$ છે.
આપણે જાણીએ છીએ કે એમિટર પ્રવાહ એ બેઝ પ્રવાહ અને કલેક્ટર પ્રવાહનો સરવાળો છે: $I_E = I_B + I_C$.
$I_C$ ની કિંમત મૂકતા,આપણને મળે છે $I_E = I_B + 0.98 I_E$.
$I_B$ શોધવા માટે પદોને ગોઠવતા: $I_B = I_E - 0.98 I_E = 0.02 I_E$.
હવે,આપણે બેઝ પ્રવાહ અને કલેક્ટર પ્રવાહનો ગુણોત્તર શોધવાનો છે: $\frac{I_B}{I_C} = \frac{0.02 I_E}{0.98 I_E}$.
ગુણોત્તરનું સાદું રૂપ આપતા: $\frac{I_B}{I_C} = \frac{2}{98} = \frac{1}{49}$.
તેથી,ગુણોત્તર $1: 49$ છે.

(B) ટ્રાન્ઝિસ્ટરના કોમન-એમિટર $(CE)$ કન્ફિગરેશનમાં,આઉટપુટ સિગ્નલ ઇનપુટ સિગ્નલની સાપેક્ષમાં $180^{\circ}$ જેટલું ફેઝ-શિફ્ટ થાય છે. આ એટલા માટે થાય છે કારણ કે ઇનપુટ સિગ્નલ બેઝ-એમિટર જંકશન પર આપવામાં આવે છે અને આઉટપુટ કલેક્ટર-એમિટર જંકશન પરથી લેવામાં આવે છે,જેના પરિણામે સિગ્નલની પોલેરિટી ઉલટાઈ જાય છે.

(C) ટ્રાન્ઝિસ્ટરના કોમન એમિટર $(CE)$ કોન્ફિગરેશન માટે:
આપેલ છે: વોલ્ટેજ ગેઇન $(A_v)$ = $150$, કરંટ ગેઇન $(\beta)$ = $50$, બેઝ અવરોધ $(R_B)$ = $850 \Omega$.
$CE$ એમ્પ્લીફાયરમાં વોલ્ટેજ ગેઇનનું સૂત્ર નીચે મુજબ છે:
$A_v = \beta \times \left( \frac{R_C}{R_B} \right)$
સૂત્રમાં આપેલી કિંમતો મૂકતા:
$150 = 50 \times \left( \frac{R_C}{850} \right)$
કલેક્ટર અવરોધ $(R_C)$ શોધવા માટે સમીકરણને ગોઠવતા:
$\frac{R_C}{850} = \frac{150}{50}$
$\frac{R_C}{850} = 3$
$R_C = 3 \times 850 = 2550 \Omega$
તેથી, કલેક્ટર સર્કિટમાં અવરોધ $2550 \Omega$ છે.

(D) કોમન એમિટર $(CE)$ એમ્પ્લીફાયર માટે,વોલ્ટેજ ગેઈન $(A_v)$ એ કરંટ ગેઈન $(\beta)$ અને આઉટપુટ લોડ અવરોધ $(R_o)$ તથા ઇનપુટ અવરોધ $(R_i)$ ના ગુણોત્તરનો ગુણાકાર છે.
આપેલ છે:
$\beta = 40$
$R_i = 2 \ k\Omega$
$R_o = 10 \ k\Omega$
સૂત્રનો ઉપયોગ કરતા:
$A_v = \beta \times \left( \frac{R_o}{R_i} \right)$
$A_v = 40 \times \left( \frac{10 \ k\Omega}{2 \ k\Omega} \right)$
$A_v = 40 \times 5$
$A_v = 200$

(D) $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,ઉત્સર્જક પ્રવાહ $(I_E)$,કલેક્ટર પ્રવાહ $(I_C)$ અને બેઝ પ્રવાહ $(I_B)$ વચ્ચેનો સંબંધ $I_E = I_B + I_C$ છે.
આપેલ છે કે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનમાંથી $95\%$ કલેક્ટર સુધી પહોંચે છે,તેથી $I_C = 0.95 \times I_E$.
અહીં $I_C = 10 \text{ mA}$ આપેલ છે,તેથી $I_E$ ની ગણતરી નીચે મુજબ થાય:
$I_E = \frac{I_C}{0.95} = \frac{10}{0.95} \approx 10.53 \text{ mA}$.
હવે,બેઝ પ્રવાહની ગણતરી કરતા:
$I_B = I_E - I_C = 10.53 \text{ mA} - 10 \text{ mA} = 0.53 \text{ mA}$.

(C) આપેલ છે: કરંટ ગેઇન $\beta = 80$, કલેક્ટર અવરોધ $R_C = 5 \text{ k}\Omega$, બેઝ અવરોધ $R_B = 1 \text{ k}\Omega$, ઇનપુટ વોલ્ટેજ $V_I = 2 \text{ mV} = 2 \times 10^{-3} \text{ V}$.
કોમન એમિટર ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે વોલ્ટેજ ગેઇન $A_V$ નું સૂત્ર નીચે મુજબ છે:
$A_V = \frac{V_O}{V_I} = \beta \times \frac{R_C}{R_B}$
આપેલ કિંમતો મૂકતા:
$V_O = V_I \times \beta \times \frac{R_C}{R_B}$
$V_O = (2 \times 10^{-3} \text{ V}) \times 80 \times \frac{5 \text{ k}\Omega}{1 \text{ k}\Omega}$
$V_O = 2 \times 10^{-3} \times 80 \times 5$
$V_O = 800 \times 10^{-3} \text{ V}$
$V_O = 0.8 \text{ V}$.

(D) કોમન એમિટર કોન્ફિગરેશનમાં ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લીફાયરનો વોલ્ટેજ ગેઈન $A_V$ એ આઉટપુટ વોલ્ટેજ $V_O$ અને ઇનપુટ વોલ્ટેજ $V_I$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
$A_V = \frac{V_O}{V_I} = \frac{V_C}{V_B}$
કારણ કે $V_C = I_C R_C$ અને $V_B = I_B R_B$,આપણે લખી શકીએ:
$A_V = \frac{I_C R_C}{I_B R_B}$
પદોને ફરીથી ગોઠવતા,આપણને મળે છે:
$A_V = \left(\frac{I_C}{I_B}\right) \left(\frac{R_C}{R_B}\right)$
આપેલ છે કે પ્રવાહ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર $\beta = \frac{I_C}{I_B}$,આ કિંમત સમીકરણમાં મૂકતા:
$A_V = \beta \cdot \frac{R_C}{R_B}$

(A) $p-n-p$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,એમિટરને ભારે ડોપિંગ કરવામાં આવે છે જેથી વિદ્યુત પ્રવાહ માટે મોટી સંખ્યામાં ચાર્જ કેરિયર્સ પૂરા પાડી શકાય. બેઝ ખૂબ જ પાતળો અને હળવા ડોપિંગ વાળો હોય છે જેથી મોટાભાગના કેરિયર્સ કલેક્ટર સુધી પહોંચી શકે. કલેક્ટર મધ્યમ ડોપિંગ ધરાવે છે અને એમિટરની તુલનામાં તેનું ભૌતિક ક્ષેત્રફળ મોટું હોય છે જેથી કાર્ય દરમિયાન ઉત્પન્ન થતી ગરમીનો નિકાલ થઈ શકે.

(D) ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં એમિટર પ્રવાહ $(I_E)$,કલેક્ટર પ્રવાહ $(I_C)$ અને બેઝ પ્રવાહ $(I_B)$ વચ્ચેનો સંબંધ નીચે મુજબ છે:
$I_E = I_B + I_C$
આપેલ છે:
$I_E = 9.85 \,mA$
$I_C = 9.5 \,mA$
બેઝ પ્રવાહ $(I_B)$ શોધવા માટે,આપણે સૂત્રને આ રીતે લખી શકીએ:
$I_B = I_E - I_C$
આપેલ કિંમતો મૂકતા:
$I_B = 9.85 \,mA - 9.5 \,mA = 0.35 \,mA$
તેથી,બેઝ પ્રવાહ $0.35 \,mA$ છે.

(A) આપેલ છે: એમિટર પ્રવાહ, $I_{E} = 6.6 \, mA$.
પ્રવાહ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર, $\beta = 59$.
આપણે જાણીએ છીએ કે એમિટર પ્રવાહ $(I_{E})$, કલેક્ટર પ્રવાહ $(I_{C})$ અને બેઝ પ્રવાહ $(I_{B})$ વચ્ચેનો સંબંધ $I_{E} = I_{C} + I_{B}$ છે।
કારણ કે $I_{C} = \beta I_{B}$, આપણે લખી શકીએ $I_{E} = \beta I_{B} + I_{B} = I_{B}(\beta + 1)$.
તેથી, બેઝ પ્રવાહ $I_{B} = \frac{I_{E}}{\beta + 1}$ થશે।
કિંમતો મૂકતા: $I_{B} = \frac{6.6 \, mA}{59 + 1} = \frac{6.6 \, mA}{60} = 0.11 \, mA$.

(B) આપેલ છે: લોડ અવરોધ $R_C = 5 \ k\Omega = 5 \times 10^3 \ \Omega$.
બેઝ-એમિટર વોલ્ટેજ $V_{BE} = 0.02 \ V$.
કલેક્ટર પ્રવાહ $I_C = 2 \ mA = 2 \times 10^{-3} \ A$.
આઉટપુટ વોલ્ટેજ $V_{CE}$ એ $V_{CE} = I_C \times R_C$ દ્વારા મળે છે.
કિંમતો મૂકતા: $V_{CE} = (2 \times 10^{-3} \ A) \times (5 \times 10^3 \ \Omega) = 10 \ V$.
વોલ્ટેજ ગેઈન $A_v$ એ આઉટપુટ વોલ્ટેજ અને ઇનપુટ વોલ્ટેજનો ગુણોત્તર છે: $A_v = \frac{V_{CE}}{V_{BE}}$.
ગેઈનની ગણતરી કરતા: $A_v = \frac{10 \ V}{0.02 \ V} = 500$.

(D) ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લીફાયરનો ફ્રીક્વન્સી રિસ્પોન્સ કર્વ દર્શાવે છે કે વોલ્ટેજ ગેઇન ફક્ત મધ્યમ આવૃત્તિ શ્રેણીમાં જ અચળ રહે છે.
ખૂબ જ ઓછી આવૃત્તિઓ પર,કપલિંગ કેપેસિટર્સના રિએક્ટન્સને કારણે ગેઇન ઘટે છે.
ખૂબ જ ઊંચી આવૃત્તિઓ પર,ટ્રાન્ઝિસ્ટરના આંતરિક જંકશન કેપેસિટન્સને કારણે ગેઇન ઘટે છે.
તેથી,ગેઇન ઊંચી અને નીચી બંને આવૃત્તિઓ પર ઓછો હોય છે અને મધ્યમ આવૃત્તિઓ પર અચળ રહે છે.

(B) આપેલ છે: કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર, $\beta = 100$
કલેક્ટર કરંટ, $I_C = 2.2 \text{ mA} = 2.2 \times 10^{-3} \text{ A}$
આપણે જાણીએ છીએ કે $CE$ કોન્ફિગરેશનમાં કલેક્ટર કરંટ અને બેઝ કરંટ વચ્ચેનો સંબંધ નીચે મુજબ છે:
$\beta = \frac{I_C}{I_B}$
બેઝ કરંટ $(I_B)$ શોધવા માટે સૂત્રને ફરીથી ગોઠવતા:
$I_B = \frac{I_C}{\beta}$
આપેલ કિંમતો મૂકતા:
$I_B = \frac{2.2 \times 10^{-3} \text{ A}}{100} = 2.2 \times 10^{-5} \text{ A}$
માઇક્રોએમ્પીયર $(\mu A)$ માં રૂપાંતર કરતા:
$I_B = 2.2 \times 10^{-5} \times 10^6 \mu A = 22 \mu A$
તેથી, બેઝ કરંટ $22 \mu A$ છે.

(B) ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં, એમિટરને બેઝમાં ચાર્જ કેરિયર્સ ઇન્જેક્ટ કરવા માટે ભારે ડોપિંગ કરવામાં આવે છે, જ્યારે કલેક્ટરને હળવા ડોપિંગ કરવામાં આવે છે અને તેને એકત્રિત કરવા માટે મોટો વિસ્તાર હોય છે.
જો એમિટર અને કલેક્ટરના જોડાણો અદલાબદલી કરવામાં આવે, તો કલેક્ટર (જે હળવા ડોપિંગ ધરાવે છે) એમિટર તરીકે કામ કરે છે અને એમિટર (જે ભારે ડોપિંગ ધરાવે છે) કલેક્ટર તરીકે કામ કરે છે।
ડોપિંગ સ્તર અને ભૌતિક બંધારણમાં આ વિસંગતતા ટ્રાન્ઝિસ્ટરના કરંટ ગેઇન $(\beta)$ ને નોંધપાત્ર રીતે ઘટાડે છે।
પરિણામે, આપેલ બેઝ પ્રવાહ માટે, કલેક્ટર પ્રવાહ નોંધપાત્ર રીતે ઘટે છે, અને જંકશનની અસરકારક કામગીરીમાં ફેરફારને કારણે બેઝ પ્રવાહ પોતે પણ ઘટે છે।
તેથી, સાચું અવલોકન એ છે કે બેઝ પ્રવાહ ઘટે છે।

(D) ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઇનપુટ અવરોધ $R_{\text{in}}$ એ બેઝ-એમિટર વોલ્ટેજમાં થતા ફેરફાર $(\Delta V_{BE})$ અને બેઝ પ્રવાહમાં થતા ફેરફાર $(\Delta I_b)$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
આપેલ છે:
$\Delta I_b = 60 \mu A = 60 \times 10^{-6} \ A$
$\Delta V_{BE} = 1.2 \ V$
સૂત્રનો ઉપયોગ કરતા:
$R_{\text{in}} = \frac{\Delta V_{BE}}{\Delta I_b}$
$R_{\text{in}} = \frac{1.2}{60 \times 10^{-6}}$
$R_{\text{in}} = \frac{1.2 \times 10^6}{60}$
$R_{\text{in}} = \frac{1200000}{60} = 20000 \ \Omega$
તેથી,ઇનપુટ અવરોધ $20000 \ \Omega$ છે.

(C) વોલ્ટેજ ગેઇન $A_v$ એ આઉટપુટ સિગ્નલ વોલ્ટેજ અને ઇનપુટ સિગ્નલ વોલ્ટેજના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે:
$A_v = \frac{V_{out}}{V_{in}} = \frac{2.5 \ V}{0.02 \ V} = 125$.
આપણે જાણીએ છીએ કે $CE$ એમ્પ્લીફાયર માટે વોલ્ટેજ ગેઇન $A_v = \beta \times \frac{R_c}{R_b}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $\beta$ એ પ્રવાહ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર છે,$R_c$ એ કલેક્ટર અવરોધ છે અને $R_b$ એ બેઝ અવરોધ છે.
આપેલ કિંમતો મૂકતા:
$125 = \beta \times \frac{2.5 \ k\Omega}{1.5 \ k\Omega}$.
$125 = \beta \times \frac{5}{3}$.
$\beta = 125 \times \frac{3}{5} = 25 \times 3 = 75$.
આમ,પ્રવાહ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર $75$ છે.

(A) આપેલ છે કે,કલેક્ટર અવરોધ $R_C = 800 \Omega$ અને તેના પરનો વોલ્ટેજ ડ્રોપ $V_R = 0.5 V$ છે.
કલેક્ટર કરંટ $I_C = \frac{V_R}{R_C} = \frac{0.5}{800} = 6.25 \times 10^{-4} A = 0.625 \times 10^{-3} A$.
આપણે જાણીએ છીએ કે કરંટ ગેઈન $\alpha = \frac{I_C}{I_E}$,તેથી એમિટર કરંટ $I_E = \frac{I_C}{\alpha} = \frac{0.625 \times 10^{-3}}{0.96} \approx 6.51 \times 10^{-4} A$.
બેઝ કરંટ $I_B = I_E - I_C = I_C \left( \frac{1}{\alpha} - 1 \right) = I_C \left( \frac{1 - \alpha}{\alpha} \right)$.
કિંમતો મૂકતા: $I_B = 0.625 \times 10^{-3} \times \left( \frac{1 - 0.96}{0.96} \right) = 0.625 \times 10^{-3} \times \left( \frac{0.04}{0.96} \right) = 0.625 \times 10^{-3} \times \frac{1}{24} \approx 0.02604 \times 10^{-3} A = 2.6 \times 10^{-5} A$.

(B) આપેલ છે: $\Delta I_b = 20 \ \mu A = 20 \times 10^{-6} \ A$,$\Delta I_c = 2 \ mA = 2 \times 10^{-3} \ A$,અને $\Delta V_{BE} = 0.04 \ V$.
ઇનપુટ અવરોધ $R_{\text{input}}$ એ બેઝ-એમિટર વોલ્ટેજમાં ફેરફાર અને બેઝ કરંટમાં ફેરફારનો ગુણોત્તર છે:
$R_{\text{input}} = \frac{\Delta V_{BE}}{\Delta I_b} = \frac{0.04}{20 \times 10^{-6}} = \frac{0.04 \times 10^6}{20} = 2 \times 10^3 \ \Omega = 2 \ k\Omega$.
$AC$ કરંટ ગેઇન $\beta$ એ કલેક્ટર કરંટમાં ફેરફાર અને બેઝ કરંટમાં ફેરફારનો ગુણોત્તર છે:
$\beta = \frac{\Delta I_c}{\Delta I_b} = \frac{2 \times 10^{-3}}{20 \times 10^{-6}} = \frac{2000}{20} = 100$.
આમ,ઇનપુટ અવરોધ $2 \ k\Omega$ છે અને $AC$ કરંટ ગેઇન $100$ છે.

(B) આપેલ છે કે, $V_{CE}=7 \, V$, $\beta=100$, $R_C=2 \, k\Omega = 2000 \, \Omega$, અને $V_{CC}=15 \, V$.
આપણે જાણીએ છીએ કે કોમન એમિટર સર્કિટમાં કરંટ ગેઈન નીચે મુજબ છે:
$\beta = \frac{I_C}{I_B} \dots (i)$
આઉટપુટ લૂપ (કલેક્ટર-એમિટર લૂપ) માં કિર્ચોફના વોલ્ટેજ નિયમ $(KVL)$ નો ઉપયોગ કરતા:
$V_{CC} - I_C R_C - V_{CE} = 0$
આપેલ કિંમતો મૂકતા:
$15 - I_C(2000) - 7 = 0$
$8 = I_C(2000)$
$I_C = \frac{8}{2000} \, A = 4 \times 10^{-3} \, A = 4 \, mA \dots (ii)$
હવે, સમીકરણ $(ii)$ માંથી $I_C$ ની કિંમત સમીકરણ $(i)$ માં મૂકતા:
$100 = \frac{4 \, mA}{I_B}$
$I_B = \frac{4}{100} \, mA = 0.04 \, mA$.

(A) આપેલ છે, કરંટ ગેઈન, $\alpha = 0.96$.
એમિટર કરંટ, $I_E = 7.2 \,mA = 7.2 \times 10^{-3} \,A$.
આપણે જાણીએ છીએ કે, $\alpha = I_C / I_E$.
તેથી, $I_C = \alpha \times I_E = 0.96 \times 7.2 \,mA = 6.912 \,mA$.
વળી, એમિટર, કલેક્ટર અને બેઝ કરંટ વચ્ચેનો સંબંધ $I_E = I_C + I_B$ છે.
આમ, $I_B = I_E - I_C = 7.2 \,mA - 6.912 \,mA = 0.288 \,mA \approx 0.29 \,mA$.

(C) $p-n-p$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે કોમન બેઝ એમ્પ્લીફાયરમાં, કરંટ ગેઇન $\alpha = 0.96$ છે।
આપેલ એમિટર કરંટ, $I_E = 7.2 \,mA$.
આપણે જાણીએ છીએ કે કરંટ ગેઇનનું સૂત્ર: $\alpha = \frac{I_C}{I_E}$.
કિંમતો મૂકતા: $0.96 = \frac{I_C}{7.2}$.
કલેક્ટર કરંટની ગણતરી કરતા: $I_C = 0.96 \times 7.2 = 6.912 \,mA$.
આપણે એ પણ જાણીએ છીએ કે એમિટર કરંટ એ કલેક્ટર કરંટ અને બેઝ કરંટનો સરવાળો છે: $I_E = I_C + I_B$.
તેથી, બેઝ કરંટ $I_B = I_E - I_C$.
$I_B = 7.2 \,mA - 6.912 \,mA = 0.288 \,mA$.
બે દશાંશ સ્થળ સુધી રાઉન્ડ ઓફ કરતા, આપણને $I_B \simeq 0.29 \,mA$ મળે છે.

(C) ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,કોમન બેઝ કરંટ ગેઈન $\alpha$ અને કોમન એમિટર કરંટ ગેઈન $\beta$ વચ્ચેનો સંબંધ નીચે મુજબ છે: $\beta = \frac{\alpha}{1 - \alpha}$.
કિસ્સો $I$: જ્યારે $\alpha = \frac{20}{21}$ હોય,
$\beta = \frac{20/21}{1 - 20/21} = \frac{20/21}{1/21} = 20$.
કિસ્સો $II$: જ્યારે $\alpha = \frac{100}{101}$ હોય,
$\beta = \frac{100/101}{1 - 100/101} = \frac{100/101}{1/101} = 100$.
તેથી,$\beta$ નું મૂલ્ય $20$ અને $100$ ની વચ્ચે બદલાય છે.

(B) કોમન એમિટર સર્કિટના આઉટપુટ લૂપ માટે,કિર્ચોફનો વોલ્ટેજ નિયમ $(KVL)$ લાગુ કરતા:
$15 \text{ V} - I_C \times (2 \text{ k}\Omega) - V_{CE} = 0$
આપેલ છે કે $V_{CE} = 7 \text{ V}$,તેથી:
$15 - I_C \times 2000 - 7 = 0$
$8 = I_C \times 2000$
$I_C = \frac{8}{2000} \text{ A} = 4 \times 10^{-3} \text{ A} = 4 \text{ mA}$
હવે,કરંટ ગેઈન સંબંધ $\beta = \frac{I_C}{I_B}$ નો ઉપયોગ કરતા:
$100 = \frac{4 \text{ mA}}{I_B}$
$I_B = \frac{4 \text{ mA}}{100} = 0.04 \text{ mA}$

(B) આપેલ સર્કિટમાં,બેઝ લૂપનું સમીકરણ $V_{CC} = i_B R_1 + V_{BE}$ છે.
અહીં $V_{CC} = 8 \text{ V}$,$V_{BE} = 0.6 \text{ V}$,અને $i_C = 5 \text{ mA}$ આપેલ છે.
બેઝ પ્રવાહ $i_B = \frac{i_C}{\beta} = \frac{5 \times 10^{-3} \text{ A}}{50} = 1 \times 10^{-4} \text{ A}$ થાય.
બેઝ લૂપના સમીકરણમાં કિંમતો મૂકતા:
$8 = (1 \times 10^{-4}) R_1 + 0.6$
$R_1 = \frac{8 - 0.6}{1 \times 10^{-4}} = \frac{7.4}{10^{-4}} = 74 \times 10^3 \Omega = 74 \text{ k}\Omega$.
હવે,કલેક્ટર લૂપ માટે,$KVL$ મુજબ સમીકરણ $V_{CC} = i_C R_2 + V_{CE}$ થાય.
કિંમતો મૂકતા:
$8 = (5 \times 10^{-3}) R_2 + 3$
$5 = (5 \times 10^{-3}) R_2$
$R_2 = \frac{5}{5 \times 10^{-3}} = 10^3 \Omega = 1 \text{ k}\Omega$.
આમ,$R_1 = 74 \text{ k}\Omega$ અને $R_2 = 1 \text{ k}\Omega$ મળે છે.

(D) આપેલ છે,કોમન-બેઝ કોન્ફિગરેશનમાં કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર,$\alpha = 0.95$.
આપણે જાણીએ છીએ કે $\alpha$ અને $\beta$ (કોમન-એમિટર કોન્ફિગરેશનમાં કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર) વચ્ચેનો સંબંધ $\beta = \frac{\alpha}{1 - \alpha}$ છે.
$\alpha$ ની કિંમત મૂકતા:
$\beta = \frac{0.95}{1 - 0.95} = \frac{0.95}{0.05} = 19$.
કોમન-એમિટર કોન્ફિગરેશનમાં,કરંટ ગેઇન $\beta$ ને કલેક્ટર કરંટમાં થતો ફેરફાર $(\Delta I_C)$ અને બેઝ કરંટમાં થતા ફેરફાર $(\Delta I_B)$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે:
$\beta = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B}$.
અહીં $\Delta I_B = 2 \mu A$ આપેલ છે,તેથી $\Delta I_C$ ની ગણતરી કરતા:
$\Delta I_C = \beta \times \Delta I_B = 19 \times 2 \mu A = 38 \mu A$.

(C) ઇનપુટ પ્રવાહ $i_i$ એ $i_i = \frac{V_i}{R_i}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $V_i = 100 \ mV = 0.1 \ V$ અને $R_i = 2000 \ \Omega$ છે.
$i_i = \frac{0.1}{2000} = 5 \times 10^{-5} \ A$.
આઉટપુટ પ્રવાહ $i_o$ એ $i_o = \beta \times i_i$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
$i_o = 50 \times 5 \times 10^{-5} = 250 \times 10^{-5} = 2.5 \times 10^{-3} \ A$.
આઉટપુટ વોલ્ટેજ $V_o$ એ $V_o = i_o \times R_o$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $R_o = 5000 \ \Omega$ છે.
$V_o = 2.5 \times 10^{-3} \times 5000 = 12.5 \ V$.
આમ,આઉટપુટ વોલ્ટેજનું મહત્તમ મૂલ્ય $12.5 \ V$ છે.

(A) કોમન એમિટર $(CE)$ એમ્પ્લીફાયર કોન્ફિગરેશનમાં,આઉટપુટ સિગ્નલ ઇનપુટ સિગ્નલની સાપેક્ષમાં ઉલટું (inverted) હોય છે,જેનો અર્થ છે કે તેમની વચ્ચે $\pi$ રેડિયન $(180^{\circ})$ નો કળા તફાવત હોય છે.
ઓસિલેટર માટે ઓસિલેશન જાળવી રાખવા માટે,બાર્કહૌસેન માપદંડ મુજબ લૂપની આસપાસ કુલ કળા તફાવત $0$ અથવા $2n\pi$ હોવો જોઈએ.
કારણ કે $CE$ એમ્પ્લીફાયર $\pi$ નો કળા તફાવત આપે છે,તેથી ઓસિલેશનની શરત પૂરી કરવા માટે ફીડબેક નેટવર્કે વધારાનો $\pi$ નો કળા તફાવત પૂરો પાડવો પડે છે.
તેથી,$CE$-ટ્રાન્ઝિસ્ટર સ્ટેજના ઇનપુટ અને આઉટપુટ સિગ્નલ વચ્ચેનો કળા તફાવત $\pi$ છે.