Junction Transistor Questions in Gujarati

(B) કોમન બેઝ કોન્ફિગરેશનમાં, ઇનપુટ કરંટ એમીટર કરંટ $(I_e)$ છે અને આઉટપુટ કરંટ કલેક્ટર કરંટ $(I_c)$ છે.
કરંટ ગેઈન $(\alpha)$ એ કલેક્ટર કરંટમાં થતા ફેરફાર અને એમીટર કરંટમાં થતા ફેરફારનો ગુણોત્તર છે: $\alpha = \frac{\Delta I_c}{\Delta I_e}$.
કારણ કે $I_e = I_c + I_b$ અને બેઝ કરંટ $(I_b)$ હંમેશા ધન હોય છે, તેથી $I_c < I_e$, જેનો અર્થ છે કે $\alpha < 1$.
આમ, $Assertion$ સાચું છે.
ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં કલેક્ટર-બેઝ જંકશનને ખરેખર રિવર્સ બાયસ્ડ રાખવામાં આવે છે જેથી એમીટરમાંથી આવતા મોટાભાગના ચાર્જ કેરિયર્સ કલેક્ટર દ્વારા એકત્રિત કરી શકાય, જે એમ્પ્લીફિકેશન માટે જરૂરી છે.
આમ, $Reason$ પણ સાચું છે.
જોકે, કલેક્ટર રિવર્સ બાયસ્ડ છે તે હકીકત એ સમજાવે છે કે ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લીફાયર તરીકે કેવી રીતે કામ કરે છે, પરંતુ તે કરંટ ગેઈન એક કરતા ઓછો હોવાનું સીધું કારણ નથી (જે કોમન બેઝ કોન્ફિગરેશનની વ્યાખ્યાને કારણે છે જ્યાં $I_c < I_e$).
તેથી, બંને સાચા છે, પરંતુ $Reason$ એ $Assertion$ ની સાચી સમજૂતી નથી.

(A) કોમન એમિટર કોન્ફિગરેશનનો ઇનપુટ ઇમ્પિડન્સ $Z_{in} = \left| \frac{\Delta V_{BE}}{\Delta i_B} \right|_{V_{CE} = \text{constant}}$ તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
કોમન એમિટર ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં, પ્રવાહ વહેવા માટે બેઝ-એમિટર જંકશનને ફોરવર્ડ બાયસ કરવામાં આવે છે.
બેઝ-એમિટર જંકશન ફોરવર્ડ બાયસ્ડ હોવાથી, બેઝ-એમિટર વોલ્ટેજ $\Delta V_{BE}$ માં નાના ફેરફાર માટે બેઝ કરંટ $\Delta i_B$ પ્રમાણમાં મોટો હોય છે.
જેથી $Z_{in} = \frac{\Delta V_{BE}}{\Delta i_B}$ હોવાથી, વોલ્ટેજમાં નાનો ફેરફાર અને કરંટમાં મોટો ફેરફાર હોવાને કારણે ઇનપુટ ઇમ્પિડન્સ ઓછો મળે છે.
તેથી, વિધાન અને કારણ બંને સાચા છે અને કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી છે.

(B) ટ્રાન્ઝિસ્ટરને આધુનિક ઇલેક્ટ્રોનિક સર્કિટનો મૂળભૂત બંધારણીય એકમ માનવામાં આવે છે. તે ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ $(ICs)$,માઇક્રોપ્રોસેસર્સ અને મેમરી ઉપકરણો માટે પાયાના એકમ તરીકે કાર્ય કરે છે,જે ઇલેક્ટ્રોનિક સ્વિચ અથવા એમ્પ્લીફાયર તરીકે કામ કરે છે.

(N/A) ના,ઉર્જા સંરક્ષણના નિયમનું ઉલ્લંઘન થતું નથી. આઉટપુટ $AC$ સિગ્નલની ઉર્જામાં થતો વધારો એ $DC$ પાવર સપ્લાય (બેટરી) માં સંગ્રહિત ઉર્જાના ખર્ચે થાય છે.
જ્યારે એમ્પ્લીફાયરનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે,ત્યારે $DC$ સ્ત્રોત નબળા ઇનપુટ સિગ્નલને વધારવા માટે જરૂરી ઉર્જા પૂરી પાડે છે. તેથી,આઉટપુટ સિગ્નલની ઉર્જા એ ઇનપુટ $AC$ સિગ્નલની ઉર્જા અને $DC$ સપ્લાયમાંથી મેળવેલી ઉર્જાના સરવાળા જેટલી હોય છે.
આમ,ઉર્જા સંરક્ષણનો નિયમ સંપૂર્ણપણે જળવાય છે.

(A-D) આપેલ કોમન એમિટર ટ્રાન્ઝિસ્ટર સર્કિટમાં, ઇનપુટ સર્કિટમાં બેઝ-એમિટર જંકશન અને અવરોધ $R_1$ હોય છે।
જ્યારે $R_1$ વધારવામાં આવે છે, ત્યારે ઓહ્મના નિયમ $(I_B = V_{in} / R_1)$ મુજબ બેઝ કરંટ $I_B$ ઘટે છે।
આઉટપુટ કલેક્ટર કરંટ $I_C$ એ બેઝ કરંટ સાથે $I_C = \beta I_B$ સંબંધ દ્વારા જોડાયેલ છે, જ્યાં $\beta$ એ ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો કરંટ ગેઇન છે।
જેમ $I_B$ ઘટે છે, તેમ કલેક્ટર કરંટ $I_C$ પણ ઘટે છે।
એમીટર કલેક્ટર સાથે શ્રેણીમાં હોવાથી, તેનું રીડિંગ ઘટશે।
વોલ્ટમીટર આઉટપુટ સર્કિટમાં અવરોધ $R_2$ ની આજુબાજુ જોડાયેલ છે। $R_2$ પરનો વોલ્ટેજ $V_{out} = I_C R_2$ દ્વારા આપવામાં આવે છે।
જેમ $I_C$ ઘટે છે, તેમ $R_2$ પરનો વોલ્ટેજ ડ્રોપ $V_{out}$ ઘટે છે।
તેથી, એમીટર અને વોલ્ટમીટર બંનેના રીડિંગ ઘટશે।

(D) ઇનપુટ વિભાગમાં:
$V_i = I_B R_B + V_{BE}$
આપેલ છે કે $V_i = 10\, V$,$R_B = 400\, k\Omega = 400 \times 10^3\, \Omega$,અને $V_{BE} = 0\, V$.
$10 = I_B (400 \times 10^3) + 0$
$I_B = \frac{10}{400 \times 10^3} = 0.025 \times 10^{-3}\, A = 25 \times 10^{-6}\, A = 25\, \mu A$
આઉટપુટ વિભાગમાં:
$V_{CC} = I_C R_C + V_{CE}$
આપેલ છે કે $V_{CC} = 10\, V$,$R_C = 3\, k\Omega = 3 \times 10^3\, \Omega$,અને $V_{CE} = 0\, V$.
$10 = I_C (3 \times 10^3) + 0$
$I_C = \frac{10}{3 \times 10^3} = 3.33 \times 10^{-3}\, A = 3.33\, mA = 3333\, \mu A$
કરંટ ગેઇન $\beta$ ની ગણતરી:
$\beta = \frac{I_C}{I_B} = \frac{3.33 \times 10^{-3}}{25 \times 10^{-6}} = \frac{3333}{25} = 133.32$

(N/A) આકૃતિ $(2)$ માં આપેલા ગ્રાફ પરથી, ઓપરેટિંગ બિંદુ $Q$ માટે, $I_B = 30 \, \mu A$, $I_C = 4 \, mA = 4 \times 10^{-3} \, A$, અને $V_{CE} = 8 \, V$ છે।
આઉટપુટ સર્કિટ માટે:
$V_{CC} = I_C R_C + V_{CE}$
$16 = (4 \times 10^{-3}) R_C + 8$
$R_C = \frac{8}{4 \times 10^{-3}} = 2 \times 10^3 \, \Omega = 2 \, k\Omega$.
ઇનપુટ સર્કિટ માટે:
$V_{BB} = I_B R_B + V_{BE}$
$16 = (30 \times 10^{-6}) R_B + 0.7$
$R_B = \frac{15.3}{30 \times 10^{-6}} = 0.51 \times 10^6 \, \Omega = 510 \, k\Omega$.
વોલ્ટેજ ગેઇન $A_V = \beta \frac{R_C}{R_{in}}$. ઇનપુટ અવરોધ $R_{in} \approx \frac{V_{BE}}{I_B} = \frac{0.7}{30 \times 10^{-6}} \approx 23.33 \, k\Omega$ ધારતા.
$A_V = \left( \frac{I_C}{I_B} \right) \left( \frac{R_C}{R_{in}} \right) = \left( \frac{4 \times 10^{-3}}{30 \times 10^{-6}} \right) \left( \frac{2000}{23333} \right) \approx 133.33 \times 0.0857 \approx 11.43$.
પાવર ગેઇન $A_P = A_V \times \beta = 11.43 \times 133.33 \approx 1524$.

(C) $AC$ કરંટ ગેઈન $\beta_{ac}$ એ અચળ કલેક્ટર-એમિટર વોલ્ટેજ $V_{CE}$ પર કલેક્ટર કરંટમાં થતા ફેરફાર $\Delta I_{C}$ અને બેઝ કરંટમાં થતા ફેરફાર $\Delta I_{B}$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
આલેખ પરથી,$V_{CE} = 10\, V$ પર,કલેક્ટર કરંટ $I_{C} = 4.0\, mA$ એ $I_{B} = 30\, \mu A$ ના બેઝ કરંટને અનુરૂપ છે.
આ ઓપરેટિંગ પોઈન્ટની આસપાસ $\beta_{ac}$ શોધવા માટે,આપણે $I_{B} = 20\, \mu A$ અને $I_{B} = 40\, \mu A$ માટેના નજીકના વક્રોને ધ્યાનમાં લઈએ છીએ.
$V_{CE} = 10\, V$ પર:
$I_{B} = 20\, \mu A$ માટે,$I_{C} = 3.0\, mA$.
$I_{B} = 40\, \mu A$ માટે,$I_{C} = 6.0\, mA$.
તેથી,બેઝ કરંટમાં થતો ફેરફાર $\Delta I_{B} = 40\, \mu A - 20\, \mu A = 20\, \mu A = 20 \times 10^{-6}\, A$.
કલેક્ટર કરંટમાં થતો ફેરફાર $\Delta I_{C} = 6.0\, mA - 3.0\, mA = 3.0\, mA = 3.0 \times 10^{-3}\, A$.
$AC$ કરંટ ગેઈન $\beta_{ac} = \frac{\Delta I_{C}}{\Delta I_{B}} = \frac{3.0 \times 10^{-3}}{20 \times 10^{-6}} = \frac{3000}{20} = 150$.

(A) અસરકારક ટ્રાન્ઝિસ્ટર કાર્ય માટે,બેઝ વિસ્તાર ખૂબ જ પાતળો અને હળવો ડોપ્ડ હોવો જોઈએ જેથી એમિટરથી દાખલ થયેલા મોટાભાગના ચાર્જ કેરિયર્સ બેઝમાં પુનઃસંયોજન પામ્યા વિના કલેક્ટર સુધી પહોંચી શકે.

(D) લોડ અવરોધ $R_C$ પરનો વોલ્ટેજ ડ્રોપ ઓહ્મના નિયમ મુજબ નીચે મુજબ આપવામાં આવે છે:
$V_L = I_C \times R_C$
અહીં વોલ્ટેજ ડ્રોપ $V_L = 0.8 \; V$ અને લોડ અવરોધ $R_C = 800 \; \Omega$ આપેલ છે.
આ કિંમતોને સમીકરણમાં મૂકતા:
$0.8 \; V = I_C \times 800 \; \Omega$
$I_C = \frac{0.8}{800} \; A$
$I_C = 0.001 \; A$
કારણ કે $1 \; A = 1000 \; mA$,તેથી:
$I_C = 0.001 \times 1000 \; mA = 1 \; mA$.
તેથી,કલેક્ટર પ્રવાહ $1 \; mA$ છે.

(C) સેચ્યુરેશન વિસ્તારમાં, કલેક્ટર-એમિટર વોલ્ટેજ $V_{CE}$ આશરે $0 \, V$ હોય છે.
આઉટપુટ લૂપ સર્કિટ પરથી:
$V_{CC} = I_C R_{out} + V_{CE}$
સેચ્યુરેશન સમયે $V_{CE} = 0 \, V$ હોવાથી:
$3 = I_C (200)$
$I_C = \frac{3}{200} = 0.015 \, A = 15 \, mA$
સંબંધ $\beta = \frac{I_C}{I_B}$ નો ઉપયોગ કરીને, આપણે સેચ્યુરેશન માટે જરૂરી બેઝ કરંટ $I_B$ શોધીએ છીએ:
$I_B = \frac{I_C}{\beta} = \frac{15 \times 10^{-3}}{200} = 75 \times 10^{-6} \, A = 75 \, \mu A$
હવે, ઇનપુટ લૂપ પર કિર્ચોફનો વોલ્ટેજ નિયમ $(KVL)$ લાગુ કરતા:
$V_{BB} = I_B R_{in} + V_{BE}$
$V_{BB} = (75 \times 10^{-6} \, A)(100 \times 10^3 \, \Omega) + 0.7 \, V$
$V_{BB} = 7.5 \, V + 0.7 \, V = 8.2 \, V$
આમ, $V_{BB}$ નું જરૂરી મૂલ્ય $8.2 \, V$ છે.

(B) કોમન એમિટર એમ્પ્લીફાયરનો વોલ્ટેજ ગેઈન $A_v$ એ આઉટપુટ વોલ્ટેજ અને ઇનપુટ વોલ્ટેજના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
તે નીચેના સૂત્રનો ઉપયોગ કરીને ગણવામાં આવે છે:
$A_v = \beta \times \frac{R_L}{R_i}$
આપેલ છે:
ઇનપુટ અવરોધ $R_i = 3 \, \Omega$
લોડ અવરોધ $R_L = 24 \, \Omega$
પ્રવાહ ગેઈન $\beta = 0.6$
સૂત્રમાં કિંમતો મૂકતા:
$A_v = 0.6 \times \frac{24}{3}$
$A_v = 0.6 \times 8$
$A_v = 4.8$
તેથી,વોલ્ટેજ ગેઈન $4.8$ છે.

(B) કોમન એમિટર એમ્પ્લીફાયરનો પાવર ગેઈન $(A_p)$ નીચેના સૂત્ર દ્વારા આપવામાં આવે છે: $A_p = \beta^2 \times \frac{R_o}{R_i}$, જ્યાં $\beta$ એ કરંટ ગેઈન છે, $R_o$ એ આઉટપુટ અવરોધ છે, અને $R_i$ એ ઇનપુટ અવરોધ છે.
આપેલ છે: $A_p = 10^6$, $R_i = 100\, \Omega$, અને $R_o = 10\, k\Omega = 10^4\, \Omega$.
સૂત્રમાં કિંમતો મૂકતા:
$10^6 = \beta^2 \times \frac{10^4}{10^2}$
$10^6 = \beta^2 \times 10^2$
$\beta^2 = \frac{10^6}{10^2} = 10^4$
$\beta = \sqrt{10^4} = 100$.
આમ, કોમન એમિટર કરંટ ગેઈન $\beta$ નું મૂલ્ય $100$ છે.

(D) કરંટ ગેઇન $\alpha$ ને કલેક્ટર પ્રવાહ $(I_{C})$ અને એમિટર પ્રવાહ $(I_{E})$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે: $\alpha = \frac{I_{C}}{I_{E}}$.
કરંટ ગેઇન $\beta$ ને કલેક્ટર પ્રવાહ $(I_{C})$ અને બેઝ પ્રવાહ $(I_{B})$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે: $\beta = \frac{I_{C}}{I_{B}}$.
ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે કિર્ચોફના પ્રવાહના નિયમ મુજબ,એમિટર પ્રવાહ એ બેઝ અને કલેક્ટર પ્રવાહનો સરવાળો છે: $I_{E} = I_{B} + I_{C}$.
$\alpha$ ના સમીકરણમાં $I_{E}$ ની કિંમત મૂકતા: $\alpha = \frac{I_{C}}{I_{B} + I_{C}}$.
અંશ અને છેદને $I_{C}$ વડે ભાગતા: $\alpha = \frac{1}{\frac{I_{B}}{I_{C}} + 1}$.
આપણે જાણીએ છીએ કે $\frac{1}{\beta} = \frac{I_{B}}{I_{C}}$,તેથી આ કિંમત સમીકરણમાં મૂકતા: $\alpha = \frac{1}{\frac{1}{\beta} + 1} = \frac{1}{\frac{1+\beta}{\beta}} = \frac{\beta}{1+\beta}$.
તેથી,સાચો સંબંધ $\alpha = \frac{\beta}{1+\beta}$ છે.

(A) કોમન-એમિટર કોન્ફિગરેશન માટે કરંટ ગેઈન $\beta$ ને અચળ કલેક્ટર-એમિટર વોલ્ટેજ $V_{CE}$ પર કલેક્ટર કરંટમાં થતા ફેરફાર $\Delta I_C$ અને બેઝ કરંટમાં થતા ફેરફાર $\Delta I_B$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે.
$\beta = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B}$
આપેલ આલેખ પરથી,ચાલો બે વક્રો વચ્ચેનો ફેરફાર ધ્યાનમાં લઈએ,ઉદાહરણ તરીકે,એક્ટિવ રીજનમાં $I_B = 10 \ \mu A$ થી $I_B = 20 \ \mu A$ સુધી.
$I_B = 10 \ \mu A$ પર,કલેક્ટર કરંટ $I_C = 2 \ mA = 2 \times 10^{-3} \ A$ છે.
$I_B = 20 \ \mu A$ પર,કલેક્ટર કરંટ $I_C = 4 \ mA = 4 \times 10^{-3} \ A$ છે.
તેથી,$\Delta I_C = (4 - 2) \ mA = 2 \ mA = 2 \times 10^{-3} \ A$.
અને $\Delta I_B = (20 - 10) \ \mu A = 10 \ \mu A = 10 \times 10^{-6} \ A$.
હવે,કરંટ ગેઈનની ગણતરી કરતા:
$\beta = \frac{2 \times 10^{-3}}{10 \times 10^{-6}} = \frac{2}{10} \times 10^3 = 0.2 \times 1000 = 200$.
આમ,અંદાજિત કરંટ ગેઈન $200$ છે.

(A) એમિટર પ્રવાહ $(I_E)$,કલેક્ટર પ્રવાહ $(I_C)$ અને બેઝ પ્રવાહ $(I_B)$ વચ્ચેનો સંબંધ $I_E = I_C + I_B$ છે.
નાના ફેરફારો માટે,આને $\Delta I_E = \Delta I_C + \Delta I_B$ તરીકે લખી શકાય છે.
આપેલ છે કે $\Delta I_E = 4\, mA$ અને $\Delta I_C = 3.5\, mA$,તેથી બેઝ પ્રવાહમાં ફેરફાર:
$\Delta I_B = \Delta I_E - \Delta I_C = 4\, mA - 3.5\, mA = 0.5\, mA$.
કરંટ ગેઈન $\beta$ ને કલેક્ટર પ્રવાહમાં ફેરફાર અને બેઝ પ્રવાહમાં ફેરફારના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે:
$\beta = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B} = \frac{3.5\, mA}{0.5\, mA} = 7$.
તેથી,$\beta$ નું મૂલ્ય $7$ છે.

(A) વિધાન $I$ ખોટું છે કારણ કે ટ્રાન્ઝિસ્ટર એ ચોક્કસ ડોપિંગ પ્રોફાઇલ અને વિસ્તારો (એમીટર,બેઝ,કલેક્ટર) ધરાવતું એક સિંગલ ક્રિસ્ટલ ઉપકરણ છે. બે $PN$ જંકશન ડાયોડને બેક-ટુ-બેક જોડવાથી કાર્યકારી ટ્રાન્ઝિસ્ટર બનતું નથી કારણ કે તેમાં મોનોલિથિક ટ્રાન્ઝિસ્ટર સ્ટ્રક્ચરમાં રહેલી ચાર્જ કેરિયર ઇન્જેક્શન અને કંટ્રોલ મિકેનિઝમનો અભાવ હોય છે.
વિધાન $II$ સાચું છે. કોમન-એમીટર કન્ફિગરેશન માટે કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર $\beta$ (અથવા $h_{fe}$) ને કલેક્ટર કરંટ $(i_c)$ અને બેઝ કરંટ $(i_b)$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે,જે $\beta = \frac{i_c}{i_b}$ તરીકે દર્શાવવામાં આવે છે.

(D) $CE$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો એક્ટિવ વિસ્તાર એ રેખીય વિસ્તાર છે જ્યાં આઉટપુટ પ્રવાહ એ ઇનપુટ પ્રવાહના સીધા પ્રમાણમાં હોય છે. આ રેખીયતાને કારણે તે ટ્રાન્ઝિસ્ટરને એમ્પ્લીફાયર તરીકે ચલાવવા માટે સૌથી યોગ્ય વિસ્તાર છે.

(B) આપેલ છે: $\alpha = \frac{I_{C}}{I_{E}}$ અને $\beta = \frac{I_{C}}{I_{B}}$.
આપણે જાણીએ છીએ કે એમિટર પ્રવાહ એ કલેક્ટર પ્રવાહ અને બેઝ પ્રવાહનો સરવાળો છે: $I_{E} = I_{C} + I_{B}$.
$\alpha$ ના સમીકરણમાં $I_{E}$ ની કિંમત મૂકતા:
$\alpha = \frac{I_{C}}{I_{C} + I_{B}}$.
અંશ અને છેદને $I_{B}$ વડે ભાગતા:
$\alpha = \frac{I_{C}/I_{B}}{(I_{C}/I_{B}) + (I_{B}/I_{B})} = \frac{\beta}{\beta + 1}$.
હવે,$\beta$ માટે સમીકરણ ગોઠવતા:
$\alpha(\beta + 1) = \beta$
$\alpha \beta + \alpha = \beta$
$\alpha = \beta - \alpha \beta$
$\alpha = \beta(1 - \alpha)$
$\beta = \frac{\alpha}{1 - \alpha}$.

(C) આપેલ છે:
કલેક્ટર અવરોધ $R_C = 1000 \, \Omega$
કલેક્ટર અવરોધ પર વોલ્ટેજ ડ્રોપ $\Delta V_C = 0.6 \, V$
કરંટ ગેઇન $\beta = 24$
ઓહ્મના નિયમ મુજબ કલેક્ટર કરંટ $I_C$:
$I_C = \frac{\Delta V_C}{R_C} = \frac{0.6 \, V}{1000 \, \Omega} = 0.6 \times 10^{-3} \, A = 6 \times 10^{-4} \, A$
કલેક્ટર કરંટ $I_C$ અને બેઝ કરંટ $I_B$ વચ્ચેનો સંબંધ:
$I_C = \beta \times I_B$
તેથી,બેઝ કરંટ $I_B$:
$I_B = \frac{I_C}{\beta} = \frac{6 \times 10^{-4} \, A}{24} = 0.25 \times 10^{-4} \, A$
માઇક્રોએમ્પિયર $(\mu A)$ માં ફેરવતા:
$I_B = 0.25 \times 10^{-4} \times 10^6 \, \mu A = 25 \, \mu A$.

(B) ઇનપુટ અવરોધ $r_i$ એ બેઝ-એમિટર વોલ્ટેજમાં થતા ફેરફાર અને બેઝ કરંટમાં થતા ફેરફારના ગુણોત્તર તરીકે ગણવામાં આવે છે:
$r_i = \frac{\Delta V_{BE}}{\Delta I_B} = \frac{10 \, mV}{10 \, \mu A} = \frac{10 \times 10^{-3} \, V}{10 \times 10^{-6} \, A} = 1000 \, \Omega = 1 \, k\Omega$.
કરંટ ગેઇન $\beta$ એ કલેક્ટર કરંટમાં થતા ફેરફાર અને બેઝ કરંટમાં થતા ફેરફારનો ગુણોત્તર છે:
$\beta = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B} = \frac{1.5 \, mA}{10 \, \mu A} = \frac{1.5 \times 10^{-3} \, A}{10 \times 10^{-6} \, A} = 150$.
કોમન-એમિટર એમ્પ્લીફાયર માટે વોલ્ટેજ ગેઇન $A_V$ એ કરંટ ગેઇન અને લોડ અવરોધ $R_L$ તથા ઇનપુટ અવરોધ $r_i$ ના ગુણોત્તરના ગુણાકાર જેટલો હોય છે:
$A_V = \beta \times \frac{R_L}{r_i} = 150 \times \frac{5000 \, \Omega}{1000 \, \Omega} = 150 \times 5 = 750$.

(D) વોલ્ટેજ ગેઇન $A_v$ એ કરંટ ગેઇન $\beta$ અને રેઝિસ્ટન્સ ગેઇનનો ગુણાકાર છે.
$\beta = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B} = \frac{(15 - 5) \times 10^{-3} \text{ A}}{(300 - 100) \times 10^{-6} \text{ A}} = \frac{10 \times 10^{-3}}{200 \times 10^{-6}} = 50$.
વોલ્ટેજ ગેઇન $A_v = \beta \times \frac{R_o}{R_i} = 50 \times \frac{60 \ \Omega}{200 \ \Omega} = 50 \times 0.3 = 15$.

(D) ટ્રાન્ઝિસ્ટર બે સ્થિતિઓ વચ્ચે બદલાઈને સ્વીચ તરીકે કામ કરે છે: $Cut-off$ સ્થિતિ અને $Saturation$ સ્થિતિ.
$Cut-off$ સ્થિતિમાં,ટ્રાન્ઝિસ્ટર $OFF$ હોય છે (કોઈ પ્રવાહ વહેતો નથી).
$Saturation$ સ્થિતિમાં,ટ્રાન્ઝિસ્ટર $ON$ હોય છે (મહત્તમ પ્રવાહ વહે છે).
તેથી,સ્વીચ તરીકે કાર્ય કરવા માટે,તેને $Saturation$ અને $Cut-off$ બંને સ્થિતિઓમાં ચલાવવું આવશ્યક છે.

(A) ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,પ્રવાહનું વહન ચાર્જ કેરિયર્સ દ્વારા થાય છે. $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ ઇલેક્ટ્રોન છે,જ્યારે $p-n-p$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ હોલ્સ છે.
ઇલેક્ટ્રોન હોલ્સની તુલનામાં વધુ ગતિશીલતા ધરાવે છે કારણ કે તેઓ હળવા હોય છે અને ક્રિસ્ટલ લેટીસ સાથે ઓછી ક્રિયાપ્રતિક્રિયા કરે છે.
આ વધુ ગતિશીલતાને કારણે,ઇલેક્ટ્રોન બેઝ વિસ્તારમાંથી ઝડપથી પસાર થઈ શકે છે,જે $p-n-p$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરની તુલનામાં $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં ઉચ્ચ પ્રવાહ વહન માટે પરવાનગી આપે છે.
તેથી,વિધાન $A$ અને કારણ $R$ બંને સાચા છે,અને $R$ એ $A$ ની સાચી સમજૂતી છે.

(A) આપેલ છે: બેઝ કરંટમાં ફેરફાર $\Delta i_{B} = 100 \,\mu A = 100 \times 10^{-6} \,A = 0.1 \,mA$.
કલેક્ટર કરંટમાં ફેરફાર $\Delta i_{C} = 10 \,mA$.
લોડ અવરોધ $R_{L} = 2 \,k \Omega = 2000 \,\Omega$.
ઇનપુટ અવરોધ $R_{in} = 1 \,k \Omega = 1000 \,\Omega$.
પ્રથમ, કરંટ ગેઇન $\beta$ ની ગણતરી કરો:
$\beta = \frac{\Delta i_{C}}{\Delta i_{B}} = \frac{10 \,mA}{0.1 \,mA} = 100$.
પાવર ગેઇન $A_{P}$ નું સૂત્ર નીચે મુજબ છે:
$A_{P} = \beta^{2} \times \frac{R_{L}}{R_{in}}$.
કિંમતો મૂકતા:
$A_{P} = (100)^{2} \times \frac{2000 \,\Omega}{1000 \,\Omega} = 10000 \times 2 = 20000$.
$A_{P} = 2 \times 10^{4}$.
આને $x \times 10^{4}$ સાથે સરખાવતા, આપણને $x = 2$ મળે છે.

(B) $CE$ કોન્ફિગરેશનમાં કરંટ ગેઇન $\beta = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
આલેખ પરથી,કલેક્ટર કરંટમાં ફેરફાર $\Delta I_C$ અને બેઝ કરંટમાં ફેરફાર $\Delta I_B$ શોધવા માટે આપણે બે બિંદુઓ પસંદ કરી શકીએ છીએ.
ચાલો બિંદુઓ $(I_B = 100\,\mu A, I_C = 5\,mA)$ અને $(I_B = 200\,\mu A, I_C = 10\,mA)$ લઈએ.
$\Delta I_C = (10 - 5)\,mA = 5\,mA = 5 \times 10^{-3}\,A$.
$\Delta I_B = (200 - 100)\,\mu A = 100\,\mu A = 100 \times 10^{-6}\,A$.
તેથી,$\beta = \frac{5 \times 10^{-3}}{100 \times 10^{-6}} = \frac{5000}{100} = 50$.
વોલ્ટેજ ગેઇન $A_V = \beta \times \frac{R_C}{R_{in}}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
અહીં $R_C = 2\,k\Omega$ અને $R_{in} = 0.50\,k\Omega$ આપેલ છે.
$A_V = 50 \times \frac{2\,k\Omega}{0.50\,k\Omega} = 50 \times 4 = 200$.

(B) સ્મોલ સિગ્નલ કરંટ ગેઇન (કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર) $\beta_{ac}$ એ અચળ કલેક્ટર-એમિટર વોલ્ટેજ $(V_{CE})$ પર કલેક્ટર પ્રવાહમાં થતો ફેરફાર અને બેઝ પ્રવાહમાં થતા ફેરફારના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
આપેલ છે:
કલેક્ટર પ્રવાહમાં ફેરફાર,$\Delta I_C = 6\,mA - 4\,mA = 2\,mA = 2 \times 10^{-3}\,A$
બેઝ પ્રવાહમાં ફેરફાર,$\Delta I_B = 25\,\mu A - 20\,\mu A = 5\,\mu A = 5 \times 10^{-6}\,A$
કરંટ ગેઇન માટેનું સૂત્ર:
$\beta_{ac} = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B}$
કિંમતો મૂકતા:
$\beta_{ac} = \frac{2 \times 10^{-3}}{5 \times 10^{-6}}$
$\beta_{ac} = \frac{2}{5} \times 10^3$
$\beta_{ac} = 0.4 \times 1000 = 400$
આમ,કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર $400$ છે.

(B) કોમન એમિટર એમ્પ્લીફાયરનો વોલ્ટેજ ગેઈન $A_v$ નીચેના સૂત્ર દ્વારા આપવામાં આવે છે:
$A_v = \frac{v_{\text{out}}}{v_{\text{in}}} = \beta \frac{R_{\text{out}}}{R_{\text{in}}}$
આપેલ છે:
$\beta = 100$
$R_{\text{in}} = 1 \text{ k}\Omega = 10^3 \, \Omega$
$R_{\text{out}} = 10 \text{ k}\Omega = 10^4 \, \Omega$
$v_{\text{in}} = 1 \text{ mV} = 10^{-3} \, \text{V}$
કિંમતો મૂકતા:
$v_{\text{out}} = v_{\text{in}} \times \beta \times \frac{R_{\text{out}}}{R_{\text{in}}}$
$v_{\text{out}} = 10^{-3} \times 100 \times \frac{10 \times 10^3}{1 \times 10^3}$
$v_{\text{out}} = 10^{-3} \times 100 \times 10$
$v_{\text{out}} = 1 \, \text{V}$

(B) ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો પાવર ગેઇન એ કરંટ ગેઇન અને વોલ્ટેજ ગેઇનના ગુણાકાર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
કોમન એમિટર $(CE)$ કન્ફિગરેશનમાં, કરંટ ગેઇન $(\beta)$ અને વોલ્ટેજ ગેઇન બંને નોંધપાત્ર રીતે વધારે હોય છે.
કોમન બેઝ $(CB)$ કન્ફિગરેશનમાં, કરંટ ગેઇન $(\alpha)$ $1$ કરતા ઓછો હોય છે, જેના પરિણામે પાવર ગેઇન ઓછો મળે છે.
કોમન કલેક્ટર $(CC)$ કન્ફિગરેશનમાં, વોલ્ટેજ ગેઇન $1$ કરતા ઓછો હોય છે, જેના કારણે $CE$ કન્ફિગરેશનની સરખામણીમાં પાવર ગેઇન ઓછો હોય છે.
તેથી, કોમન એમિટર કન્ફિગરેશનમાં પાવર ગેઇન સૌથી વધુ હોય છે.

(C) ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,બેઝને ખૂબ જ પાતળો અને હળવો ડોપ કરેલો રાખવામાં આવે છે જેથી એમિટરથી બેઝમાં દાખલ થતા મોટાભાગના ચાર્જ કેરિયર્સ કલેક્ટર સુધી પહોંચી શકે.
જો બેઝને ભારે ડોપ કરવામાં આવે,તો બેઝમાં મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સની સંખ્યા વધી જશે.
આનાથી એમિટરથી આવતા ચાર્જ કેરિયર્સ અને બેઝના મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ વચ્ચે રિકોમ્બિનેશનનો દર વધી જશે.
બેઝને હળવો ડોપ કરવાથી,રિકોમ્બિનેશનનો દર નોંધપાત્ર રીતે ઘટે છે,જે મોટાભાગના ચાર્જ કેરિયર્સને કલેક્ટર સુધી પહોંચવા દે છે,જેનાથી ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો કરંટ ગેઇન વધે છે.

(D) કોમન એમિટર $(CE)$ કોન્ફિગરેશનમાં કરંટ ગેઇન $\beta$ ને કલેક્ટર કરંટમાં થતા ફેરફાર $(\Delta I_C)$ અને બેઝ કરંટમાં થતા ફેરફાર $(\Delta I_B)$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે.
આપેલ છે:
બેઝ કરંટમાં ફેરફાર,$\Delta I_B = 200 \ \mu A - 100 \ \mu A = 100 \ \mu A = 100 \times 10^{-6} \ A$.
કલેક્ટર કરંટમાં ફેરફાર,$\Delta I_C = 16.5 \ mA - 9 \ mA = 7.5 \ mA = 7.5 \times 10^{-3} \ A$.
સૂત્રનો ઉપયોગ કરતા:
$\beta = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B}$
કિંમતો મૂકતા:
$\beta = \frac{7.5 \times 10^{-3} \ A}{100 \times 10^{-6} \ A}$
$\beta = \frac{7.5 \times 10^{-3}}{10^{-4}}$
$\beta = 7.5 \times 10^{1} = 75$.
તેથી,કરંટ ગેઇન $\beta$ નું મૂલ્ય $75$ છે.

(D) કોમન એમિટર એમ્પ્લીફાયરનો વોલ્ટેજ ગેઈન $A_v = 1000$ આપેલ છે.
કોમન એમિટર એમ્પ્લીફાયરમાં ઇનપુટ અને આઉટપુટ સિગ્નલ વચ્ચે $\pi$ રેડિયન $(180^{\circ})$ નો ફેઝ શિફ્ટ હોય છે.
ઇનપુટ સિગ્નલ $v_i = (0.004 \, V) \sin(\omega t + \pi/2)$ છે.
આઉટપુટ સિગ્નલનું કંપનવિસ્તાર $V_0 = A_v \times V_i = 1000 \times 0.004 \, V = 4 \, V$ થશે.
$\pi$ ના ફેઝ શિફ્ટને કારણે,આઉટપુટ સિગ્નલ $v_o = 4 \sin(\omega t + \pi/2 + \pi) = 4 \sin(\omega t + 3\pi/2)$ થશે.
કારણ કે $\sin(\theta + 3\pi/2) = -\cos(\theta) = \sin(\theta - \pi/2)$,તેથી આઉટપુટ સિગ્નલ $v_o = 4 \sin(\omega t - \pi/2) \, V$ મળે.

(C) કોમન બેઝ $(CB)$ કોન્ફિગરેશનમાં,કરંટ ગેઇન $\alpha$ એ કલેક્ટર કરંટમાં થતા ફેરફાર $(\Delta I_C)$ અને એમિટર કરંટમાં થતા ફેરફાર $(\Delta I_E)$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
$\alpha = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_E}$
આપેલ છે:
$\alpha = 0.98$
$\Delta I_E = 5.00 \,mA$
કલેક્ટર કરંટમાં થતો ફેરફાર $(\Delta I_C)$ શોધવા માટે:
$\Delta I_C = \alpha \times \Delta I_E$
$\Delta I_C = 0.98 \times 5.00 \,mA$
$\Delta I_C = 4.90 \,mA$
તેથી,કલેક્ટર કરંટમાં થતો ફેરફાર $4.9 \,mA$ છે.

(D) એમ્પ્લીફાયરનો પાવર ગેઇન $(A_p)$ એ વોલ્ટેજ ગેઇન $(A_v)$ અને કરંટ ગેઇન $(A_i)$ ના ગુણાકાર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
ગાણિતિક રીતે,$A_p = A_v \times A_i$.
આપેલ છે:
પાવર ગેઇન $(A_p)$ = $7.5$
વોલ્ટેજ ગેઇન $(A_v)$ = $2.5$
સૂત્રમાં કિંમતો મૂકતા:
$7.5 = 2.5 \times A_i$
$A_i = \frac{7.5}{2.5} = 3$.
તેથી,કરંટ ગેઇનનું મૂલ્ય $3$ છે.

(A) આપેલ છે:
ઇનપુટ અવરોધ $R_i = 2 \, k\Omega = 2 \times 10^3 \, \Omega$.
$A$.$C$. કરંટ ગેઇન $\beta = 20$.
લોડ અવરોધ $R_L = 5 \, k\Omega$.
ટ્રાન્ઝિસ્ટરનું ટ્રાન્સકન્ડક્ટન્સ $g_m$ એ આઉટપુટ કરંટમાં થતા ફેરફાર અને ઇનપુટ વોલ્ટેજમાં થતા ફેરફારના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે,જે નીચેના સૂત્ર દ્વારા આપવામાં આવે છે:
$g_m = \frac{\beta}{R_i}$
આપેલ કિંમતો મૂકતા:
$g_m = \frac{20}{2 \times 10^3 \, \Omega}$
$g_m = 10 \times 10^{-3} \, \Omega^{-1}$
$g_m = 0.01 \, \Omega^{-1}$
આમ,ટ્રાન્સકન્ડક્ટન્સ $0.01 \, \Omega^{-1}$ છે.

(C) ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં એમિટર પ્રવાહ $(\Delta I_E)$,કલેક્ટર પ્રવાહ $(\Delta I_C)$ અને બેઝ પ્રવાહ $(\Delta I_B)$ વચ્ચેનો સંબંધ નીચે મુજબ છે:
$\Delta I_E = \Delta I_C + \Delta I_B$
આપેલ છે:
$\Delta I_E = 7.89 \, mA$
$\Delta I_C = 7.8 \, mA$
સમીકરણમાં કિંમતો મૂકતા:
$7.89 \, mA = 7.8 \, mA + \Delta I_B$
$\Delta I_B = 7.89 \, mA - 7.8 \, mA$
$\Delta I_B = 0.09 \, mA$
તેથી,બેઝ પ્રવાહમાં જરૂરી ફેરફાર $0.09 \, mA$ છે.

(B) આપેલ છે:
$\text{પ્રવાહ }\, \text{એમ્પ્લીફિકેશન }\, \text{ફેક્ટર }\, (\beta) = 60$
$\text{ઇનપુટ }\, \text{અવરોધ }\, (R_i) = 1 \, k\Omega = 1000 \, \Omega$
ટ્રાન્ઝિસ્ટરનું ટ્રાન્સકન્ડક્ટન્સ $(g_m)$ એ પ્રવાહ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર અને ઇનપુટ અવરોધના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે:
$g_m = \frac{\beta}{R_i}$
આપેલ કિંમતો મૂકતા:
$g_m = \frac{60}{1000} \, \Omega^{-1}$
$g_m = 0.06 \, S = 6 \times 10^{-2} \, S$
આમ, ટ્રાન્સકન્ડક્ટન્સ $6 \times 10^{-2} \, SI \, \text{એકમો}$ છે.

(A) કોમન એમિટર ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લીફાયરનો વોલ્ટેજ ગેઇન $(A_v)$ નીચેના સૂત્ર દ્વારા આપવામાં આવે છે:
$A_v = \beta \times \frac{R_L}{R_i}$
જ્યાં $\beta$ એ કરંટ ગેઇન છે,$R_L$ એ લોડ અવરોધ છે,અને $R_i$ એ ઇનપુટ અવરોધ છે.
આપેલ છે:
$\beta = 50$
$R_L = 9 \, k\Omega = 9000 \, \Omega$
$R_i = 500 \, \Omega$
સૂત્રમાં કિંમતો મૂકતા:
$A_v = 50 \times \frac{9000}{500}$
$A_v = 50 \times 18$
$A_v = 900$
તેથી,એમ્પ્લીફાયરનો વોલ્ટેજ ગેઇન $900$ છે.

(D) સાચો જવાબ $D$ છે.
ટ્રાન્ઝિસ્ટર એ ત્રણ ટર્મિનલ ધરાવતું સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણ છે જેનો ઉપયોગ એમ્પ્લીફિકેશન અને સ્વિચિંગ માટે થાય છે. તેને એમ્પ્લીફાયર,ઓસિલેટર અથવા મોડ્યુલેટર તરીકે ગોઠવી શકાય છે.
રેક્ટિફાયર એ એક એવું ઉપકરણ છે જે અલ્ટરનેટિંગ કરંટ $(AC)$ ને ડાયરેક્ટ કરંટ $(DC)$ માં રૂપાંતરિત કરે છે. રેક્ટિફિકેશન સામાન્ય રીતે $P-N$ જંકશન ડાયોડનો ઉપયોગ કરીને કરવામાં આવે છે,ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો નહીં. તેથી,ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઉપયોગ રેક્ટિફાયર તરીકે થઈ શકતો નથી.

(B) કોમન એમિટર $(CE)$ એમ્પ્લીફાયરનો પાવર ગેઇન $(A_p)$ નીચેના સૂત્ર દ્વારા આપવામાં આવે છે:
$A_p = \beta^2 \times \frac{R_L}{R_i}$
જ્યાં:
$\beta = 6$ (કરંટ ગેઇન)
$R_L = 24 \, k\Omega$ (લોડ અવરોધ)
$R_i = 3 \, k\Omega$ (ઇનપુટ અવરોધ)
સૂત્રમાં કિંમતો મૂકતા:
$A_p = (6)^2 \times \left( \frac{24 \, k\Omega}{3 \, k\Omega} \right)$
$A_p = 36 \times 8$
$A_p = 288$
આમ,પાવર ગેઇન $288$ છે.

(B) આપેલ છે:
કોમન બેઝ કરંટ ગેઇન $\alpha = 0.99$
લોડ અવરોધ $R_L = 4.5 \, k\Omega = 4500 \, \Omega$
ડાયનેમિક ઇનપુટ અવરોધ $R_i = 50 \, \Omega$
કોમન બેઝ એમ્પ્લીફાયર માટે વોલ્ટેજ ગેઇન $A_v$ નું સૂત્ર નીચે મુજબ છે:
$A_v = \alpha \cdot \frac{R_L}{R_i}$
આપેલ કિંમતો મૂકતા:
$A_v = 0.99 \times \frac{4500}{50}$
$A_v = 0.99 \times 90$
$A_v = 89.1$
આમ,એમ્પ્લીફાયરનો વોલ્ટેજ ગેઇન $89.1$ થશે.

(B) આપેલ છે: $\beta = 50$,$I_B = 40 \, \mu A = 40 \times 10^{-6} \, A$,$V_{CC} = 10 \, V$,$R_C = 2 \, k\Omega = 2000 \, \Omega$.
પગલું $1$: કલેક્ટર પ્રવાહ $I_C$ ની ગણતરી કરો.
$I_C = \beta \times I_B = 50 \times 40 \times 10^{-6} \, A = 2000 \times 10^{-6} \, A = 2 \times 10^{-3} \, A = 2 \, mA$.
પગલું $2$: આઉટપુટ લૂપ માટે કિર્ચોફનો વોલ્ટેજ નિયમ લાગુ કરો.
$V_{CE} = V_{CC} - I_C R_C$.
પગલું $3$: કિંમતો મૂકો.
$V_{CE} = 10 \, V - (2 \times 10^{-3} \, A) \times (2000 \, \Omega) = 10 \, V - 4 \, V = 6 \, V$.
તેથી,કલેક્ટર-એમિટર વોલ્ટેજ $V_{CE}$ એ $6 \, V$ છે.

(B) આપેલ સર્કિટ આકૃતિમાં,ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો એમિટર ટર્મિનલ સીધો ગ્રાઉન્ડ સાથે જોડાયેલ છે.
જેহেতু એમિટર ટર્મિનલ ઇનપુટ (બેઝ-એમિટર) અને આઉટપુટ (કલેક્ટર-એમિટર) બંને સર્કિટ માટે સામાન્ય છે,તેથી આ ગોઠવણીને કોમન એમિટર ગોઠવણી તરીકે ઓળખવામાં આવે છે.

(C) જ્યારે એમ્પ્લીફાયરને શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે,ત્યારે કુલ વોલ્ટેજ ગેઈન $(A_v)$ એ દરેક એમ્પ્લીફાયરના વ્યક્તિગત વોલ્ટેજ ગેઈનનો ગુણાકાર હોય છે.
અહીં $3$ એમ્પ્લીફાયર આપેલા છે,જેમાં દરેકનો વોલ્ટેજ ગેઈન $A_1 = 10$,$A_2 = 10$,અને $A_3 = 10$ છે.
પરિણામી ગેઈન $A_{total} = A_1 \times A_2 \times A_3$.
$A_{total} = 10 \times 10 \times 10 = 1000$.
તેથી,પરિણામી ગેઈન $1000$ થશે.

(A) આપેલ છે: કરંટ ગેઇન $\beta = 50$,લોડ અવરોધ $R_C = 5 \, k\Omega = 5000 \, \Omega$,લોડ પરનો વોલ્ટેજ $V_C = 5 \, V$.
સૌ પ્રથમ,ઓહ્મના નિયમનો ઉપયોગ કરીને કલેક્ટર કરંટ $I_C$ શોધો:
$I_C = \frac{V_C}{R_C} = \frac{5 \, V}{5000 \, \Omega} = 1 \times 10^{-3} \, A = 1 \, mA$.
હવે,બેઝ કરંટ $I_B$ શોધવા માટે કરંટ ગેઇન $\beta$ ના સંબંધનો ઉપયોગ કરો:
$\beta = \frac{I_C}{I_B} \implies I_B = \frac{I_C}{\beta}$.
કિંમતો મૂકતા:
$I_B = \frac{1 \, mA}{50} = 0.02 \, mA$.
તેથી,બેઝ કરંટ $0.02 \, mA$ છે.

(A) આઉટપુટ $ac$ વોલ્ટેજ $V_{out} = 2.0\,V$ છે. કલેક્ટર અવરોધ $R_C = 2.0\,k\Omega = 2000\,\Omega$ છે.
$ac$ કલેક્ટર કરંટ $i_C = V_{out} / R_C = 2.0\,V / 2000\,\Omega = 1.0\,mA$ છે.
સિગ્નલ બેઝ કરંટ $i_B = i_C / \beta = 1.0\,mA / 100 = 0.010\,mA$ છે.
$dc$ બેઝ કરંટ $I_B$ એ સિગ્નલ કરંટ કરતા $10$ ગણો છે: $I_B = 10 \times 0.010\,mA = 0.10\,mA$.
બેઝ સર્કિટના સમીકરણ $V_{BB} = I_B R_B + V_{BE}$ નો ઉપયોગ કરતા,આપણે પ્રમાણિત બેઝ-એમિટર વોલ્ટેજ $V_{BE} = 0.6\,V$ લઈએ છીએ.
$R_B = (V_{BB} - V_{BE}) / I_B = (2.0\,V - 0.6\,V) / 0.10\,mA = 1.4\,V / 0.10\,mA = 14\,k\Omega$.

(B) આપેલ છે:
પ્રવાહ ગેઇન $(\beta)$ = $62$
કલેક્ટર અવરોધ $(R_C)$ = $5\,k\Omega = 5000\,\Omega$
ઇનપુટ અવરોધ $(R_{in})$ = $500\,\Omega$
ઇનપુટ વોલ્ટેજ $(V_{in})$ = $0.01\,V$
કોમન એમિટર એમ્પ્લીફાયરનો વોલ્ટેજ ગેઇન $(A_v)$ નીચે મુજબ છે:
$A_v = \beta \times \frac{R_C}{R_{in}}$
$A_v = 62 \times \frac{5000}{500} = 62 \times 10 = 620$
આઉટપુટ વોલ્ટેજ $(V_o)$ નીચે મુજબ મળે છે:
$V_o = A_v \times V_{in}$
$V_o = 620 \times 0.01\,V = 6.2\,V$
તેથી,આઉટપુટ વોલ્ટેજ $6.2\,V$ છે.

(A) કોમન એમિટર ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લીફાયરનો વોલ્ટેજ ગેઇન $(A_v)$ નીચેના સૂત્ર દ્વારા આપવામાં આવે છે: $A_v = \beta \times \frac{R_L}{R_{in}}$, જ્યાં $\beta$ એ કરંટ ગેઇન છે, $R_L$ એ લોડ અવરોધ છે, અને $R_{in}$ એ ઇનપુટ અવરોધ છે।
આપેલ છે: $\beta = 50$, $R_L = 5 \, k\Omega = 5000 \, \Omega$, અને ઇનપુટ પીક વોલ્ટેજ $V_{in} = 5 \, mV = 0.005 \, V$.
ધારો કે ઇનપુટ અવરોધ $R_{in} = 1 \, k\Omega$ છે (જે આપેલ સંદર્ભમાં ગુણોત્તર દ્વારા સૂચિત છે), તો વોલ્ટેજ ગેઇન નીચે મુજબ ગણવામાં આવે છે:
$A_v = 50 \times \frac{5 \, k\Omega}{1 \, k\Omega} = 50 \times 5 = 250$.