Junction Transistor Questions in Gujarati

(C) વિધાન $I$ ખોટું છે કારણ કે ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં ત્રણેય વિભાગોમાં ડોપિંગનું સ્તર અલગ-અલગ હોય છે. એમિટર ભારે ડોપ્ડ હોય છે,બેઝ હળવા ડોપ્ડ હોય છે અને કલેક્ટર મધ્યમ ડોપ્ડ હોય છે.
વિધાન $II$ સાચું છે કારણ કે કલેક્ટરને સૌથી મોટો (જાડો) બનાવવામાં આવે છે જેથી કાર્ય દરમિયાન ઉત્પન્ન થતી ગરમીનો નિકાલ થઈ શકે,અને બેઝને ખૂબ જ પાતળો બનાવવામાં આવે છે જેથી એમિટરમાંથી આવતા મોટાભાગના ચાર્જ કેરિયર્સ કલેક્ટરમાં પસાર થઈ શકે.
તેથી,વિધાન $I$ ખોટું છે અને વિધાન $II$ સાચું છે.

(C) આપેલ કલેક્ટર પ્રવાહ $I_C = 24\,mA$ છે.
કરંટ ગેઇન $\alpha$ એ કલેક્ટર પ્રવાહ અને એમિટર પ્રવાહનો ગુણોત્તર છે,જે $80\% = 0.8$ આપેલ છે.
આપણે જાણીએ છીએ કે $I_C = \alpha I_E$,તેથી $I_E = \frac{I_C}{\alpha}$.
કિંમતો મૂકતા: $I_E = \frac{24\,mA}{0.8} = 30\,mA$.
ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે કિર્ચોફના પ્રવાહના નિયમ મુજબ,$I_E = I_B + I_C$,તેથી $I_B = I_E - I_C$.
$I_B = 30\,mA - 24\,mA = 6\,mA$.
$n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,એમિટર પ્રવાહ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં દાખલ થાય છે,જ્યારે કલેક્ટર અને બેઝ પ્રવાહ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાંથી બહાર નીકળે છે. જોકે,પ્રશ્ન બેઝ પ્રવાહના મૂલ્ય અને બેઝ ટર્મિનલની સાપેક્ષ દિશા વિશે પૂછે છે. $I_E = I_B + I_C$ હોવાથી,ચાર્જ કેરિયર્સના પુનઃસંયોજનને સરભર કરવા માટે બેઝ પ્રવાહ $I_B$ બેઝ વિસ્તારમાં દાખલ થાય છે. આમ,પ્રવાહ $6\,mA$ છે અને તે બેઝમાં દાખલ થાય છે.

(D) ઇનપુટ સર્કિટમાં,બેઝ-એમિટર લૂપ માટે કિર્ચોફના વોલ્ટેજ નિયમ $(KVL)$ નો ઉપયોગ કરતા:
$V_{BB} - I_b R_b - V_{BE} = 0$
ધારો કે ટ્રાન્ઝિસ્ટર એક્ટિવ રીજનમાં છે અને $V_{BE} \approx 0.7 \text{ V}$ છે. જો આપણે સેચ્યુરેશન (સંતૃપ્ત) સ્થિતિ માટે ગણતરી કરીએ,તો $V_{CE} = 0 \text{ V}$ લેતા:
આઉટપુટ લૂપ માટે $KVL$ નો ઉપયોગ કરતા:
$V_{CC} - I_c R_c - V_{CE} = 0$
$1 \text{ V} - I_c (1 \times 10^3 \text{ } \Omega) - 0 = 0$
$I_c = \frac{1}{1000} \text{ A} = 1 \text{ mA} = 1000 \text{ } \mu\text{A}$.
કારણ કે $\beta = \frac{I_c}{I_b}$,તેથી સેચ્યુરેશન માટે જરૂરી બેઝ કરંટ:
$I_b = \frac{I_c}{\beta} = \frac{1000 \text{ } \mu\text{A}}{100} = 10 \text{ } \mu\text{A}$.

(A) કોમન એમિટર $(CE)$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં કરંટ ગેઇન $(\beta)$ એ કલેક્ટર કરંટમાં થતા ફેરફાર $(\Delta I_C)$ અને બેઝ કરંટમાં થતા ફેરફાર $(\Delta I_B)$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે.
આપેલ છે:
$\Delta I_C = 16\,mA - 5\,mA = 11\,mA = 11 \times 10^{-3}\,A$
$\Delta I_B = 200\,\mu A - 100\,\mu A = 100\,\mu A = 100 \times 10^{-6}\,A$
સૂત્રનો ઉપયોગ કરતા:
$\beta = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B} = \frac{11 \times 10^{-3}\,A}{100 \times 10^{-6}\,A} = \frac{11 \times 10^{-3}}{10^{-4}} = 11 \times 10^1 = 110$
આમ,ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો કરંટ ગેઇન $110$ છે.

(C) કરંટ ગેઇન $\beta$ એ $I_C$ વિરુદ્ધ $I_B$ ના આલેખના ઢાળ તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે: $\beta = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B}$.
આલેખ પરથી,બે બિંદુઓ $(100\,\mu A, 10\,mA)$ અને $(200\,\mu A, 20\,mA)$ લેતા:
$\beta = \frac{(20 - 10) \times 10^{-3} \, A}{(200 - 100) \times 10^{-6} \, A} = \frac{10 \times 10^{-3}}{100 \times 10^{-6}} = 100$.
પાવર ગેઇન $A_P$ એ $A_P = \beta^2 \times \frac{R_C}{R_B}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
કિંમતો મૂકતા: $A_P = (100)^2 \times \frac{1 \times 10^3 \, \Omega}{10 \times 10^3 \, \Omega} = 10000 \times 0.1 = 1000 = 10^3$.
આને $10^x$ સાથે સરખાવતા,આપણને $x = 3$ મળે છે.

(B) ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે,પ્રવાહ ગેઇન $\alpha$ એ કલેક્ટર પ્રવાહ $(I_C)$ અને એમિટર પ્રવાહ $(I_E)$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે,એટલે કે $\alpha = \frac{I_C}{I_E}$. કારણ કે $I_E = I_C + I_B$ અને $I_B > 0$ છે,તેથી $I_C < I_E$ થાય,જેનો અર્થ છે કે $\alpha < 1$.
પ્રવાહ ગેઇન $\beta$ એ કલેક્ટર પ્રવાહ $(I_C)$ અને બેઝ પ્રવાહ $(I_B)$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે,એટલે કે $\beta = \frac{I_C}{I_B}$.
બેઝ પ્રવાહ $I_B$ એ કલેક્ટર પ્રવાહ $I_C$ ની સરખામણીમાં સામાન્ય રીતે ખૂબ જ નાનો હોવાથી,ગુણોત્તર $\beta = \frac{I_C}{I_B}$ હંમેશા $1$ કરતા વધારે હોય છે.
તેથી,સાચો સંબંધ $\beta > 1$ અને $\alpha < 1$ છે.

(C) આપેલ છે કે કલેક્ટર કરંટ અને એમિટર કરંટનો ગુણોત્તર $\alpha = \frac{I_{C}}{I_{E}} = 0.95$ છે.
કોમન એમિટર ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે,કરંટ ગેઈન $\beta$ એ કલેક્ટર કરંટ અને બેઝ કરંટનો ગુણોત્તર છે,જેનું સૂત્ર $\beta = \frac{\alpha}{1 - \alpha}$ છે.
સૂત્રમાં $\alpha$ ની કિંમત મૂકતા:
$\beta = \frac{0.95}{1 - 0.95} = \frac{0.95}{0.05}$.
$\beta = \frac{95}{5} = 19$.
તેથી,કરંટ ગેઈન $19$ છે.

(C) ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લીફાયરનો વોલ્ટેજ ગેઇન $(A_v)$ એ પ્રવાહ ગેઇન $(\beta)$ અને લોડ અવરોધ $(R_L)$ તથા ઇનપુટ અવરોધ $(R_{in})$ ના ગુણોત્તરના ગુણાકાર જેટલો હોય છે.
સૂત્ર: $A_v = \beta \times \frac{R_L}{R_{in}}$
આપેલ છે:
$AC$ પ્રવાહ ગેઇન $(\beta)$ = $64$
લોડ અવરોધ $(R_L)$ = $5400 \ \Omega$
ઇનપુટ અવરોધ $(R_{in})$ = $540 \ \Omega$
કિંમતો મૂકતા:
$A_v = 64 \times \frac{5400}{540}$
$A_v = 64 \times 10$
$A_v = 640$
તેથી, વોલ્ટેજ ગેઇન $640$ છે.

(D) ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો પાવર ગેઈન $(A_p)$ એ વોલ્ટેજ ગેઈન $(A_v)$ અને કરંટ ગેઈન $(A_i)$ ના ગુણાકાર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
ગાણિતિક રીતે,$A_p = A_v \times A_i$.
તેથી,પાવર ગેઈન અને વોલ્ટેજ ગેઈનનો ગુણોત્તર $\frac{A_p}{A_v} = A_i$ થાય.
કોમન એમિટર કોન્ફિગરેશનમાં,કરંટ ગેઈન $\beta = \frac{I_c}{I_b}$ તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
આમ,આ ગુણોત્તર $\beta$ ની બરાબર છે.

(C) કોમન એમિટર $(CE)$ એમ્પ્લીફાયર કોન્ફિગરેશનમાં $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઉપયોગ કરતી વખતે:
$1$. બેઝ-એમિટર જંકશન ફોરવર્ડ બાયસ્ડ હોય છે જેથી પ્રવાહ વહી શકે, અને કલેક્ટર-બેઝ જંકશન રિવર્સ બાયસ્ડ હોય છે.
$2$. ઇનપુટ સિગ્નલ બેઝ અને એમિટર વચ્ચે આપવામાં આવે છે, જ્યારે આઉટપુટ કલેક્ટર અને એમિટર વચ્ચે લેવામાં આવે છે.
$3$. ઇનપુટ ઇમ્પિડન્સ સામાન્ય રીતે ઓછો હોય છે, અને આઉટપુટ ઇમ્પિડન્સ વધારે હોય છે.
$4$. ઇનપુટ અને આઉટપુટ સિગ્નલ વચ્ચે $180^{\circ}$ નો કળા તફાવત હોય છે.
તેથી, વિકલ્પ $C$ સાચું વિધાન છે.

(C) આપેલ છે કે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનમાંથી $90 \%$ કલેક્ટર સુધી પહોંચે છે,તેથી કરંટ ગેઇન $\alpha$ (કોમન બેઝ) એ કલેક્ટર પ્રવાહ અને ઉત્સર્જક પ્રવાહનો ગુણોત્તર છે. કારણ કે ઉત્સર્જક પ્રવાહ $(I_E)$ ના $90 \%$ કલેક્ટર $(I_C)$ સુધી પહોંચે છે,તેથી $I_C = 0.9 \ I_E$. આમ,$\alpha = \frac{I_C}{I_E} = 0.9$.
કરંટ ગેઇન $\beta$ (કોમન એમિટર) એ $\alpha$ સાથે $\beta = \frac{\alpha}{1 - \alpha}$ સૂત્ર દ્વારા સંબંધિત છે.
$\alpha$ ની કિંમત મૂકતા: $\beta = \frac{0.9}{1 - 0.9} = \frac{0.9}{0.1} = 9$.
તેથી,$\alpha = 0.9$ અને $\beta = 9$.

(C) આપેલ છે: કલેક્ટર પ્રવાહ $I_C = 8 \ mA$.
એમિટરના $80 \%$ ઇલેક્ટ્રોન કલેક્ટર સુધી પહોંચતા હોવાથી,પ્રવાહ ગેઇન $\alpha$ એ કલેક્ટર પ્રવાહ અને એમિટર પ્રવાહનો ગુણોત્તર છે,જે $0.8$ છે.
તેથી,$\alpha = \frac{I_C}{I_E} = 0.8$.
આપણે એમિટર પ્રવાહ $I_E$ ને $I_E = \frac{I_C}{\alpha} = \frac{8 \ mA}{0.8} = 10 \ mA$ તરીકે શોધી શકીએ છીએ.
બેઝ પ્રવાહ $I_B$ એ $I_E - I_C = 10 \ mA - 8 \ mA = 2 \ mA$ દ્વારા મળે છે.
પ્રવાહ ગેઇન $\beta$ ની ગણતરી $\beta = \frac{\alpha}{1 - \alpha} = \frac{0.8}{1 - 0.8} = \frac{0.8}{0.2} = 4.0$ તરીકે કરવામાં આવે છે.
તેથી,$\alpha = 0.8$ અને $\beta = 4.0$.

(B) ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો પાવર ગેઇન $(A_p)$ એ કરંટ ગેઇન $(\beta)$ અને વોલ્ટેજ ગેઇન $(A_v)$ ના ગુણાકાર જેટલો હોય છે.
$A_p = \beta \times A_v$
વોલ્ટેજ ગેઇન $(A_v)$ એ કરંટ ગેઇન $(\beta)$ અને લોડ રેઝિસ્ટન્સ $(R_L)$ તથા ઇનપુટ ઇમ્પિડન્સ $(R_i)$ ના ગુણોત્તરના ગુણાકાર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
$A_v = \beta \times \frac{R_L}{R_i}$
આપેલ છે:
કરંટ ગેઇન $(\beta)$ = $8$
ઇનપુટ ઇમ્પિડન્સ $(R_i)$ = $25 \, k\Omega$
લોડ રેઝિસ્ટન્સ $(R_L)$ = $75 \, k\Omega$
સૌ પ્રથમ, વોલ્ટેજ ગેઇન શોધો:
$A_v = 8 \times \frac{75 \, k\Omega}{25 \, k\Omega} = 8 \times 3 = 24$
હવે, પાવર ગેઇન શોધો:
$A_p = \beta \times A_v = 8 \times 24 = 192$
નોંધ: ગણતરી મુજબ પાવર ગેઇન $192$ મળે છે.

(D) ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લીફાયરના કોમન એમિટર $(CE)$ કન્ફિગરેશનમાં,ઇનપુટ સિગ્નલ બેઝ અને એમિટર વચ્ચે આપવામાં આવે છે,જ્યારે આઉટપુટ કલેક્ટર અને એમિટર વચ્ચે લેવામાં આવે છે.
જ્યારે ઇનપુટ સિગ્નલ વોલ્ટેજ વધે છે,ત્યારે બેઝ કરંટ વધે છે,જેના કારણે કલેક્ટર કરંટ પણ વધે છે.
કલેક્ટર સર્કિટમાં જોડાયેલા લોડ રઝિસ્ટર $R_L$ પરના વોલ્ટેજ ડ્રોપને કારણે $(V_{out} = V_{CC} - I_C R_L)$,કલેક્ટર કરંટ $I_C$ માં વધારો થવાથી આઉટપુટ વોલ્ટેજ $V_{out}$ માં ઘટાડો થાય છે.
ઇનપુટ વોલ્ટેજમાં વધારો થવાથી આઉટપુટ વોલ્ટેજમાં ઘટાડો થતો હોવાથી,આઉટપુટ સિગ્નલ ઇનપુટ સિગ્નલની સાપેક્ષમાં ઉલટું (inverted) મળે છે.
ઉલટું સિગ્નલ $180^\circ$ અથવા $\pi^c$ રેડિયનના ફેઝ તફાવતને દર્શાવે છે.

(C) આપેલ છે કે,કલેક્ટર કરંટ $(I_C)$ અને એમિટર કરંટ $(I_E)$ નો ગુણોત્તર એ કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર $\alpha$ છે.
તેથી,$\alpha = \frac{I_C}{I_E} = 0.96$.
કરંટ ગેઈન $\beta$ અને $\alpha$ વચ્ચેનો સંબંધ નીચે મુજબના સૂત્ર દ્વારા આપવામાં આવે છે:
$\beta = \frac{\alpha}{1 - \alpha}$.
$\alpha$ ની કિંમત મૂકતા:
$\beta = \frac{0.96}{1 - 0.96} = \frac{0.96}{0.04}$.
$\beta = \frac{96}{4} = 24$.
આમ,કરંટ ગેઈન $\beta$ ની કિંમત $24$ છે.

(C) આપેલ છે કે કરંટ ગેઇન $\alpha = 0.8$ છે.
પ્રથમ,કોમન એમિટર કન્ફિગ્યુરેશન માટે કરંટ ગેઇન $\beta$ ની ગણતરી $\beta = \frac{\alpha}{1 - \alpha}$ સંબંધનો ઉપયોગ કરીને કરીએ.
$\alpha$ ની કિંમત મૂકતા: $\beta = \frac{0.8}{1 - 0.8} = \frac{0.8}{0.2} = 4$.
કલેક્ટર કરંટમાં ફેરફાર $(\Delta I_C)$ અને બેઝ કરંટમાં ફેરફાર $(\Delta I_B)$ વચ્ચેનો સંબંધ $\Delta I_C = \beta \times \Delta I_B$ છે.
$\Delta I_B = 3 \mu A$ આપેલ હોવાથી,$\Delta I_C = 4 \times 3 \mu A = 12 \mu A$.
તેથી,કલેક્ટર કરંટમાં $12 \mu A$ નો ફેરફાર થશે.

(B) આપેલ છે: કરંટ ગેઇન $(\beta)$ = $62$, કલેક્ટર અવરોધ $(R_C)$ = $5 \text{ k}\Omega = 5000 \text{ }\Omega$, ઇનપુટ અવરોધ $(R_i)$ = $500 \text{ }\Omega$, ઇનપુટ વોલ્ટેજ $(V_i)$ = $0.01 \text{ V}$.
સૌ પ્રથમ, એમ્પ્લીફાયરનો વોલ્ટેજ ગેઇન $(A_v)$ શોધો:
$A_v = \beta \times \frac{R_C}{R_i} = 62 \times \frac{5000}{500} = 62 \times 10 = 620$.
આઉટપુટ વોલ્ટેજ $(V_o)$ એ વોલ્ટેજ ગેઇન અને ઇનપુટ વોલ્ટેજનો ગુણાકાર છે:
$V_o = A_v \times V_i = 620 \times 0.01 \text{ V} = 6.2 \text{ V}$.
તેથી, સાચો વિકલ્પ $B$ છે.

(C) આપેલ છે:
ઇનપુટ અવરોધ,$R_i = 1.8 \text{ k}\Omega = 1800 \Omega$
લોડ અવરોધ,$R_L = 9 \text{ k}\Omega = 9000 \Omega$
કરંટ ગેઇન,$\beta = 70$
ઇનપુટ વોલ્ટેજ,$V_i = 6 \text{ mV} = 6 \times 10^{-3} \text{ V}$
પગલું $1$: ઇનપુટ કરંટ $(I_b)$ ની ગણતરી કરો:
$I_b = \frac{V_i}{R_i} = \frac{6 \times 10^{-3}}{1800} = \frac{1}{3} \times 10^{-5} \text{ A}$
પગલું $2$: આઉટપુટ કરંટ $(I_c)$ ની ગણતરી કરો:
$I_c = \beta \times I_b = 70 \times \frac{1}{3} \times 10^{-5} = \frac{7}{3} \times 10^{-4} \text{ A}$
પગલું $3$: આઉટપુટ વોલ્ટેજ $(V_o)$ ની ગણતરી કરો:
$V_o = I_c \times R_L = (\frac{7}{3} \times 10^{-4}) \times 9000 = 7 \times 3 \times 10^{-1} = 2.1 \text{ V}$
વૈકલ્પિક રીતે,વોલ્ટેજ ગેઇન $A_v = \beta \times \frac{R_L}{R_i} = 70 \times \frac{9000}{1800} = 70 \times 5 = 350$.
$V_o = A_v \times V_i = 350 \times 6 \text{ mV} = 2100 \text{ mV} = 2.1 \text{ V}$.

(B) આપણે જાણીએ છીએ કે ટ્રાન્ઝિસ્ટરના કરંટ ગેઈન પેરામીટર્સ $\alpha_{dc}$ અને $\beta_{dc}$ વચ્ચેનો સંબંધ $\beta_{dc} = \frac{\alpha_{dc}}{1 - \alpha_{dc}}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
આને ફરીથી ગોઠવતા,આપણને $\frac{1}{\beta_{dc}} = \frac{1 - \alpha_{dc}}{\alpha_{dc}} = \frac{1}{\alpha_{dc}} - 1$ મળે છે.
આનો અર્થ એ થાય કે $\frac{1}{\alpha_{dc}} - \frac{1}{\beta_{dc}} = 1$.
સામાન્ય છેદ લેતા,આપણને $\frac{\beta_{dc} - \alpha_{dc}}{\alpha_{dc} \times \beta_{dc}} = 1$ મળે છે.

(A) એમિટર પ્રવાહ $I_e$ એ $I_e = \frac{n_e \times e}{t}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
બેઝમાં $2 \%$ ઇલેક્ટ્રોન પુનઃસંયોજન પામતા હોવાથી,કલેક્ટરમાં પહોંચતા ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા એમિટરના ઇલેક્ટ્રોન કરતાં $98 \%$ હોય છે.
આમ,કલેક્ટર પ્રવાહ $I_c = 0.98 \ I_e$ થાય.
પ્રવાહ ગેઇન $\alpha$ ની વ્યાખ્યા $\alpha = \frac{I_c}{I_e} = \frac{0.98 \ I_e}{I_e} = 0.98$ છે.
પ્રવાહ ગેઇન $\beta$ ની વ્યાખ્યા $\beta = \frac{\alpha}{1 - \alpha}$ છે.
$\alpha$ ની કિંમત મૂકતા: $\beta = \frac{0.98}{1 - 0.98} = \frac{0.98}{0.02} = 49$.
તેથી,$\alpha = 0.98$ અને $\beta = 49$ મળે છે.

(B) કોમન એમિટર ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લીફાયરનો વોલ્ટેજ ગેઇન $(A_v)$ એ કરંટ ગેઇન $(\beta)$ અને લોડ અવરોધ $(R_L)$ તથા ઇનપુટ અવરોધ $(R_{in})$ ના ગુણોત્તરના ગુણાકાર જેટલો હોય છે.
$A_v = \beta \times \frac{R_L}{R_{in}}$
આપેલ છે:
$\beta = 78$
$R_L = 6.5 \text{ k}\Omega = 6.5 \times 10^3 \Omega$
$R_{in} = 1.3 \text{ k}\Omega = 1.3 \times 10^3 \Omega$
કિંમતો મૂકતા:
$A_v = 78 \times \frac{6.5 \times 10^3}{1.3 \times 10^3}$
$A_v = 78 \times 5$
$A_v = 390$

(B) $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર બે $n$-પ્રકારના વિસ્તારો (એમિટર અને કલેક્ટર) ની વચ્ચે રહેલા $p$-પ્રકારના બેઝનું બનેલું હોય છે.
આ રચના બે $p-n$ જંકશન બનાવે છે: એમિટર-બેઝ જંકશન અને કલેક્ટર-બેઝ જંકશન.
$n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,બેઝ $p$-પ્રકારનો હોય છે અને એમિટર તથા કલેક્ટર બંને $n$-પ્રકારના હોય છે.
જ્યારે તેને બે ડાયોડ તરીકે દર્શાવવામાં આવે છે,ત્યારે $p$-પ્રકારનો બેઝ બંને ડાયોડના એનોડ માટે સામાન્ય ટર્મિનલ તરીકે કાર્ય કરે છે.
તેથી,બે ડાયોડ એવી રીતે જોડાયેલા હોય છે કે તેમના એનોડ બેઝ ટર્મિનલ $(B)$ પર જોડાયેલા હોય,જ્યારે તેમના કેથોડ અનુક્રમે એમિટર $(E)$ અને કલેક્ટર $(C)$ ટર્મિનલ તરફ હોય.
આ ગોઠવણી બે ડાયોડ દ્વારા યોગ્ય રીતે દર્શાવવામાં આવે છે જેના એનોડ બેઝ ટર્મિનલ સાથે જોડાયેલા હોય છે.

(B) આપેલ છે: કલેક્ટર વોલ્ટેજ ડ્રોપ $V_C = 0.6 \text{ V}$,અવરોધ $R_C = 600 \Omega$,કરંટ ગેઈન $\beta = 20$.
સૌ પ્રથમ,ઓહ્મના નિયમનો ઉપયોગ કરીને કલેક્ટર કરંટ $I_C$ શોધો: $I_C = \frac{V_C}{R_C} = \frac{0.6}{600} = 0.001 \text{ A} = 1 \text{ mA}$.
કોમન એમિટર કોન્ફિગરેશનમાં કરંટ ગેઈન માટેના સૂત્રનો ઉપયોગ કરતા: $\beta = \frac{I_C}{I_B}$.
કિંમતો મૂકતા: $20 = \frac{1 \text{ mA}}{I_B}$.
તેથી,$I_B = \frac{1}{20} \text{ mA} = 0.05 \text{ mA}$.

(D) આપેલ છે: પ્રવાહ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર $\beta = 50$,ઇનપુટ અવરોધ $R_i = 1 \text{ k}\Omega = 10^3 \Omega$,ઇનપુટ વોલ્ટેજ $V_i = 0.01 \text{ V}$.
ઇનપુટ સર્કિટ માટે ઓહ્મના નિયમનો ઉપયોગ કરતા,બેઝ પ્રવાહ $I_B$ નીચે મુજબ મળે છે:
$I_B = \frac{V_i}{R_i} = \frac{0.01 \text{ V}}{10^3 \Omega} = 10^{-5} \text{ A}$.
કલેક્ટર પ્રવાહ $I_C$ અને બેઝ પ્રવાહ $I_B$ વચ્ચેનો સંબંધ $I_C = \beta \times I_B$ છે.
કિંમતો મૂકતા:
$I_C = 50 \times 10^{-5} \text{ A} = 500 \times 10^{-6} \text{ A} = 500 \mu\text{A}$.

(C) કોમન એમિટર કોન્ફિગરેશન:
આ ગોઠવણીમાં,એમિટર ટર્મિનલ સર્કિટના ઇનપુટ અને આઉટપુટ બંને બાજુઓ માટે સામાન્ય હોય છે.
ઇનપુટ સિગ્નલ બેઝ-એમિટર જંકશન પર આપવામાં આવે છે.
આઉટપુટ કલેક્ટર-એમિટર જંકશન પરથી મેળવવામાં આવે છે.
બાયસિંગ:
યોગ્ય કામગીરી માટે,બેઝ-એમિટર જંકશન ફોરવર્ડ-બાયસ્ડ હોવું જોઈએ,રિવર્સ-બાયસ્ડ નહીં,જે વિકલ્પ $B$ માં દર્શાવેલ છે. તેથી,વિકલ્પ $B$ ખોટો છે.
કળા સંબંધ (Phase Relationship):
આઉટપુટ વોલ્ટેજ ઇનપુટ વોલ્ટેજની સાપેક્ષમાં ઉલટાયેલું હોય છે,જેનો અર્થ છે કે તેઓ $180^{\circ}$ કળા તફાવત ધરાવે છે. તેથી,વિકલ્પ $D$ ખોટો છે.
ઇમ્પિડન્સ લાક્ષણિકતાઓ:
ઇનપુટ ઇમ્પિડન્સ સામાન્ય રીતે ઓછો થી મધ્યમ હોય છે,વધારે નહીં,અને આઉટપુટ ઇમ્પિડન્સ સામાન્ય રીતે મધ્યમ થી વધારે હોય છે. આમ,વિકલ્પ $A$ ખોટો છે.
સારાંશમાં,કોમન એમિટર કોન્ફિગરેશનનો વ્યાપકપણે ઉપયોગ થાય છે કારણ કે તે ફેઝ ઇન્વર્ઝન સાથે ઇનપુટ સિગ્નલને એમ્પ્લીફાય કરવાની ક્ષમતા ધરાવે છે,જે વિકલ્પ $C$ ને સચોટ વર્ણન બનાવે છે.

(D) ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો કરંટ ગેઇન $(\beta)$ એ કલેક્ટર કરંટમાં થતા ફેરફાર $(\Delta I_C)$ અને બેઝ કરંટમાં થતા ફેરફાર $(\Delta I_B)$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
$\beta = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B}$
અહીં $\beta = 50$ અને કલેક્ટર કરંટમાં ફેરફાર $\Delta I_C = 350 \mu A$ આપેલ છે.
બેઝ કરંટમાં ફેરફાર $(\Delta I_B)$ શોધવા માટે સૂત્રને ફરીથી ગોઠવતા:
$\Delta I_B = \frac{\Delta I_C}{\beta}$
આપેલ કિંમતો મૂકતા:
$\Delta I_B = \frac{350 \mu A}{50} = 7 \mu A$.
આમ,બેઝ કરંટમાં $(\frac{350}{50}) \mu A$ જેટલો ફેરફાર કરવો જોઈએ.

(A) આપેલ ઇનપુટ સિગ્નલ: $V_i = 2 \cos \left(12 t + \frac{\pi}{3}\right)$.
વોલ્ટેજ ગેઈન $A_v = 126$.
કોમન એમિટર $(C.E.)$ એમ્પ્લીફાયરમાં,આઉટપુટ સિગ્નલ ઇનપુટ સિગ્નલની સાપેક્ષમાં $\pi$ રેડિયન $(180^\circ)$ જેટલું કળા તફાવત ધરાવે છે.
આઉટપુટ વોલ્ટેજ $V_o$ એ $V_o = A_v \times V_i$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જેમાં $\pi$ નો કળા તફાવત ઉમેરવામાં આવે છે.
$V_o = 126 \times 2 \cos \left(12 t + \frac{\pi}{3} + \pi\right)$.
$V_o = 252 \cos \left(12 t + \frac{4 \pi}{3}\right)$.

(D) એમ્પ્લીફાયરનો પાવર ગેઈન એ વોલ્ટેજ ગેઈન અને કરંટ ગેઈનનો ગુણાકાર છે.
$\text{Power Gain} = \text{Voltage Gain} \times \text{Current Gain}$
તેથી,પાવર ગેઈન અને વોલ્ટેજ ગેઈનનો ગુણોત્તર એ કરંટ ગેઈન જેટલો થાય છે.
કોમન એમિટર કન્ફિગ્યુરેશનમાં,કરંટ ગેઈનને $\beta$ વડે દર્શાવવામાં આવે છે.
આમ,$\frac{\text{Power Gain}}{\text{Voltage Gain}} = \beta$.

(C) ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,એમિટર-બેઝ જંકશન હંમેશા ફોરવર્ડ-બાયસ હોય છે જેથી ચાર્જ કેરિયર્સ બેઝમાં જઈ શકે.
$n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,એમિટર $n$-પ્રકારનું હોય છે,તેથી તે બેઝમાં ઇલેક્ટ્રોન (મેજોરિટી કેરિયર્સ) દાખલ કરે છે.
$p-n-p$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,એમિટર $p$-પ્રકારનું હોય છે,તેથી તે બેઝમાં હોલ્સ (મેજોરિટી કેરિયર્સ) દાખલ કરે છે.
તેથી,કાર્યપદ્ધતિમાં મુખ્ય તફાવત એ છે કે એમિટર દ્વારા બેઝ વિસ્તારમાં કયા પ્રકારના ચાર્જ કેરિયર્સ દાખલ કરવામાં આવે છે: $p-n-p$ હોલ્સ દાખલ કરે છે,જ્યારે $n-p-n$ ઇલેક્ટ્રોન દાખલ કરે છે.

(D) આપણે જાણીએ છીએ કે પ્રવાહ ગેઇન $\alpha$ અને $\beta$ વચ્ચેનો સંબંધ $\beta = \frac{\alpha}{1 - \alpha}$ છે.
વૈકલ્પિક રીતે,આપણે મૂળભૂત પ્રવાહ સંબંધ $I_E = I_C + I_B$ નો ઉપયોગ કરી શકીએ છીએ.
બંને બાજુ $I_C$ વડે ભાગતા,આપણને $\frac{I_E}{I_C} = 1 + \frac{I_B}{I_C}$ મળે છે.
આનો અર્થ એ થાય કે $\frac{1}{\alpha} = 1 + \frac{1}{\beta}$.
પદોને ફરીથી ગોઠવતા,આપણને $\frac{1}{\alpha} - \frac{1}{\beta} = 1$ મળે છે.
આપેલ કિંમતો મૂકતા: $\frac{1}{0.98} - \frac{1}{49} \approx 1.0204 - 0.0204 = 1$.

(D) આપેલ છે કે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનમાંથી $80 \%$ ઇલેક્ટ્રોન કલેક્ટર સુધી પહોંચે છે, જેનો અર્થ છે કે કલેક્ટર પ્રવાહ $I_c$ એ ઉત્સર્જક પ્રવાહ $I_e$ ના $80 \%$ છે.
$I_c = 0.80 \times I_e$
અહીં $I_c = 28 \,mA$ આપેલ છે, તેથી $28 = 0.80 \times I_e$.
$I_e = \frac{28}{0.80} = 35 \,mA$.
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રવાહના સંબંધ $I_e = I_c + I_b$ નો ઉપયોગ કરીને, આપણે બેઝ પ્રવાહ $I_b$ શોધી શકીએ છીએ.
$I_b = I_e - I_c = 35 \,mA - 28 \,mA = 7 \,mA$.

(B) સાચો વિકલ્પ $B$ છે.
ખ્યાલ: પ્રવાહ ગેઇન $\beta = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
આપેલ છે: $\Delta I_C = 1.5 \ mA = 1.5 \times 10^{-3} \ A$ અને $\Delta I_B = 20 \ \mu A = 20 \times 10^{-6} \ A$.
$\beta$ ની ગણતરી: $\beta = \frac{1.5 \times 10^{-3}}{20 \times 10^{-6}} = \frac{1500}{20} = 75$.
વોલ્ટેજ ગેઇન $A_v = \beta \times \frac{R_L}{R_i}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
આપેલ છે: લોડ અવરોધ $R_L = 2 \ k\Omega = 2000 \ \Omega$ અને ઇનપુટ અવરોધ $R_i = 150 \ \Omega$.
કિંમતો મૂકતા: $A_v = 75 \times \frac{2000}{150} = 75 \times \frac{40}{3} = 25 \times 40 = 1000$.

(A) ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લીફાયરના કોમન એમિટર $(CE)$ કન્ફિગરેશનમાં,ઇનપુટ સિગ્નલ બેઝ-એમિટર જંકશન પર આપવામાં આવે છે અને આઉટપુટ કલેક્ટર-એમિટર જંકશન પરથી લેવામાં આવે છે.
જ્યારે ઇનપુટ સિગ્નલ વોલ્ટેજ વધે છે,ત્યારે બેઝ કરંટ વધે છે,જેના પરિણામે કલેક્ટર કરંટમાં વધારો થાય છે.
કલેક્ટર સર્કિટમાં જોડાયેલા લોડ રઝિસ્ટર $R_C$ પરના વોલ્ટેજ ડ્રોપને કારણે,કલેક્ટર વોલ્ટેજ ઘટે છે.
આમ,ઇનપુટ વોલ્ટેજમાં વધારો થવાથી આઉટપુટ વોલ્ટેજમાં ઘટાડો થાય છે અને તેનાથી ઉલટું પણ થાય છે.
આ વ્યસ્ત સંબંધ ઇનપુટ અને આઉટપુટ સિગ્નલ વચ્ચે $180^{\circ}$ અથવા $\pi$ રેડિયનના ફેઝ શિફ્ટને દર્શાવે છે.

(D) $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,એમિટર $n$-પ્રકારનું,બેઝ $p$-પ્રકારનું અને કલેક્ટર $n$-પ્રકારનું હોય છે.
$1$. ઇલેક્ટ્રોન એમિટરમાં મુખ્ય ચાર્જ કેરિયર્સ છે અને તેઓ એમિટરથી બેઝ તરફ ગતિ કરે છે.
$2$. બેઝમાં,ઇલેક્ટ્રોન હોલ્સ સાથે પુનઃસંયોજિત થાય છે,પરંતુ બેઝ ખૂબ જ પાતળો અને હળવો ડોપ્ડ હોવાથી,મોટાભાગના ઇલેક્ટ્રોન કલેક્ટર વિસ્તારમાં જાય છે.
$3$. કલેક્ટર રિવર્સ-બાયસ્ડ હોય છે,જે બેઝમાંથી આવતા ઇલેક્ટ્રોનને આકર્ષે છે.
$4$. હોલ્સ બેઝમાં મુખ્ય ચાર્જ કેરિયર્સ છે,પરંતુ તેઓ મુખ્ય પ્રવાહ બનાવવા માટે બેઝથી કલેક્ટર તરફ મોટી સંખ્યામાં જતા નથી; તેના બદલે,કલેક્ટર પ્રવાહ મુખ્યત્વે એમિટરથી બેઝ દ્વારા કલેક્ટર સુધી ઇલેક્ટ્રોનના પ્રવાહને કારણે હોય છે.
$5$. વિધાન $D$ ખોટું છે કારણ કે ઇલેક્ટ્રોન એમિટરથી કલેક્ટર તરફ જાય છે,કલેક્ટરથી બેઝ તરફ નહીં.

(C) કોમન એમિટર $(CE)$ કોન્ફિગરેશનમાં ટ્રાન્ઝિસ્ટરની આઉટપુટ લાક્ષણિકતાઓ એ આઉટપુટ કરંટ $(I_C)$ અને આઉટપુટ વોલ્ટેજ $(V_{CE})$ વચ્ચેનો સંબંધ દર્શાવે છે,જ્યારે ઇનપુટ કરંટ $(I_B)$ ને અચળ રાખવામાં આવે છે.
આ કોન્ફિગરેશનમાં,કલેક્ટર કરંટ $I_C$ ને $y$-અક્ષ પર અને કલેક્ટર-એમિટર વોલ્ટેજ $V_{CE}$ ને $x$-અક્ષ પર બેઝ કરંટ $I_B$ ના વિવિધ નિશ્ચિત મૂલ્યો માટે આલેખવામાં આવે છે.
તેથી,સાચો આલેખ અચળ $I_B$ પર $I_C$ વિરુદ્ધ $V_{CE}$ ને આલેખીને મેળવવામાં આવે છે.

(B) કોમન એમિટર કોન્ફિગ્યુરેશનમાં ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો આઉટપુટ અવરોધ $(R_o)$ એ અચળ બેઝ પ્રવાહ પર કલેક્ટર-એમિટર વોલ્ટેજમાં થતા ફેરફાર $(\Delta V_{CE})$ અને કલેક્ટર પ્રવાહમાં થતા ફેરફાર $(\Delta I_C)$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે.
$R_o = \frac{\Delta V_{CE}}{\Delta I_C}$
આપેલ છે:
$\Delta V_{CE} = 0.4 \, V$
$\Delta I_C = 0.04 \, mA = 0.04 \times 10^{-3} \, A$
કિંમતો મૂકતા:
$R_o = \frac{0.4}{0.04 \times 10^{-3}} = \frac{0.4}{4 \times 10^{-5}} = 0.1 \times 10^5 \, \Omega = 10,000 \, \Omega = 10 \, k\Omega$

(D) આપણે જાણીએ છીએ કે ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે,પ્રવાહ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર $\alpha_{DC} = \frac{I_C}{I_E}$ અને $\beta_{DC} = \frac{I_C}{I_B}$ તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
આ કિંમતોને સમીકરણમાં મૂકતા:
$\frac{1}{\alpha_{DC}} - \frac{1}{\beta_{DC}} = \frac{I_E}{I_C} - \frac{I_B}{I_C}$
આપણે જાણીએ છીએ કે $I_E = I_C + I_B$,તેથી $I_E - I_B = I_C$ થાય.
તેથી,$\frac{I_E - I_B}{I_C} = \frac{I_C}{I_C} = 1$.

(B) એમિટરમાં પ્રવેશતો કુલ વિદ્યુતભાર $q = n \times e = 200 \times 1.6 \times 10^{-19} \ C = 3.2 \times 10^{-17} \ C$ છે.
એમિટર પ્રવાહ $I_e$ ની ગણતરી $I_e = \frac{q}{t} = \frac{3.2 \times 10^{-17} \ C}{10^{-8} \ s} = 3.2 \times 10^{-9} \ A$ મુજબ થાય છે.
આપેલ છે કે $1 \%$ ઇલેક્ટ્રોન બેઝમાં ગુમાવાય છે,તેથી બેઝ પ્રવાહ $I_b = 0.01 \times I_e$ થાય.
કલેક્ટર પ્રવાહ $I_c$ એ બાકી રહેલો પ્રવાહ છે,તેથી $I_c = I_e - I_b = 0.99 \times I_e$ થાય.
પ્રવાહ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર $\beta$ ને $\beta = \frac{I_c}{I_b} = \frac{0.99 \times I_e}{0.01 \times I_e} = 99$ તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે.

(B) એમ્પ્લીફાયરનો પાવર ગેઈન એ વોલ્ટેજ ગેઈન અને કરંટ ગેઈનના ગુણાકાર જેટલો હોય છે.
$\text{Power Gain} = \text{Voltage Gain} \times \text{Current Gain}$
આપેલ છે:
વોલ્ટેજ ગેઈન $(A_v)$ = $40$
ઇનપુટ ઇમ્પિડન્સ $(Z_i)$ = $100 \ \Omega$
આઉટપુટ ઇમ્પિડન્સ $(Z_o)$ = $400 \ \Omega$
સૌ પ્રથમ, આપણે કરંટ ગેઈન $(\beta)$ ની ગણતરી કરીએ:
$\text{Current Gain} = \frac{\text{Output Current}}{\text{Input Current}} = \frac{V_o / Z_o}{V_i / Z_i} = \left( \frac{V_o}{V_i} \right) \times \left( \frac{Z_i}{Z_o} \right)$
$\text{Current Gain} = A_v \times \left( \frac{Z_i}{Z_o} \right) = 40 \times \left( \frac{100}{400} \right) = 40 \times 0.25 = 10$
હવે, પાવર ગેઈનની ગણતરી કરીએ:
$\text{Power Gain} = 40 \times 10 = 400$

(D) કરંટ ગેઇન $\beta$ એ કલેક્ટર પ્રવાહમાં થતા ફેરફાર અને બેઝ પ્રવાહમાં થતા ફેરફારનો ગુણોત્તર છે:
$\beta = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_b} = \frac{5 \text{ mA}}{0.2 \text{ mA}} = 25$
કોમન એમિટર એમ્પ્લીફાયર માટે વોલ્ટેજ ગેઇન $A_v$ નું સૂત્ર નીચે મુજબ છે:
$A_v = \beta \times \frac{R_L}{R_i}$
અહીં $A_v = 75$,$R_i = 2 \text{ k}\Omega$,અને $\beta = 25$ આપેલ છે,તેથી લોડ અવરોધ $R_L$ શોધવા માટે:
$75 = 25 \times \frac{R_L}{2 \text{ k}\Omega}$
$R_L$ ને સૂત્રનો કર્તા બનાવતા:
$R_L = \frac{75 \times 2 \text{ k}\Omega}{25}$
$R_L = 3 \times 2 \text{ k}\Omega = 6 \text{ k}\Omega$
આમ,લોડ અવરોધ $6 \text{ k}\Omega$ છે.

(A) એમિટર પ્રવાહ, કલેક્ટર પ્રવાહ અને બેઝ પ્રવાહ વચ્ચેનો સંબંધ નીચે મુજબ છે: $\Delta I_{E} = \Delta I_{C} + \Delta I_{B}$.
આપેલ કિંમતો $\Delta I_{E} = 8.0 \,mA$ અને $\Delta I_{C} = 7.8 \,mA$ છે.
આ કિંમતોને સમીકરણમાં મૂકતા: $8.0 \,mA = 7.8 \,mA + \Delta I_{B}$.
તેથી, $\Delta I_{B} = 8.0 \,mA - 7.8 \,mA = 0.2 \,mA$.
માઇક્રોએમ્પિયરમાં રૂપાંતર કરતા: $0.2 \,mA = 0.2 \times 1000 \mu A = 200 \mu A$.

(B) પ્રવાહ ગેઇન $\beta_{dc}$ અને પ્રવાહ ગુણોત્તર $\alpha_{dc}$ વચ્ચેનો સંબંધ નીચે મુજબના સૂત્ર દ્વારા આપવામાં આવે છે: $\beta_{dc} = \frac{\alpha_{dc}}{1 - \alpha_{dc}}$.
અહીં $\alpha_{dc} = \frac{69}{70}$ આપેલ છે.
કિંમત મૂકતા: $\beta_{dc} = \frac{69/70}{1 - 69/70} = \frac{69/70}{1/70} = 69$.
તેથી,પ્રવાહ ગેઇન $\beta_{dc}$ નું મૂલ્ય $69$ છે.

(D) કોમન-એમિટર ટ્રાન્ઝિસ્ટર એમ્પ્લીફાયર ગોઠવણીમાં,કરંટ ગેઈન (જેને $\beta$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે) એ કલેક્ટર-એમિટર વોલ્ટેજ $(V_{CE})$ ને અચળ રાખીને કલેક્ટર પ્રવાહમાં થતા ફેરફાર $(\Delta I_{C})$ અને બેઝ પ્રવાહમાં થતા ફેરફાર $(\Delta I_{B})$ ના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે.
ગાણિતિક રીતે,$\beta = \frac{\Delta I_{C}}{\Delta I_{B}}$.
તેથી,સાચો વિકલ્પ $D$ છે.

(D) આપેલ છે: $\beta = 20$, $I_{E} = 7 \,mA$.
આપણે જાણીએ છીએ કે કોમન એમિટર મોડમાં કરંટ ગેઈન $\beta = \frac{I_{C}}{I_{B}}$ દ્વારા વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
વળી, એમિટર કરંટ, કલેક્ટર કરંટ અને બેઝ કરંટ વચ્ચેનો સંબંધ $I_{E} = I_{C} + I_{B}$ છે, જેનો અર્થ છે કે $I_{B} = I_{E} - I_{C}$.
ગેઈન સૂત્રમાં $I_{B}$ ની કિંમત મૂકતા: $\beta = \frac{I_{C}}{I_{E} - I_{C}}$.
સમીકરણને ફરીથી ગોઠવતા: $20 = \frac{I_{C}}{7 - I_{C}}$.
$20(7 - I_{C}) = I_{C}$.
$140 - 20I_{C} = I_{C}$.
$140 = 21I_{C}$.
$I_{C} = \frac{140}{21} = \frac{20}{3} \,mA$.

(B) આપેલ છે: ઇનપુટ અવરોધ $R_{i} = 1000 \Omega$,ઇનપુટ સિગ્નલ વોલ્ટેજ $v_{i} = 5 mV = 5 \times 10^{-3} V$,અને કરંટ ગેઇન $\beta = 60$.
સૌ પ્રથમ,ઓહ્મના નિયમનો ઉપયોગ કરીને ઇનપુટ પ્રવાહ $I_{b}$ શોધો: $I_{b} = \frac{v_{i}}{R_{i}} = \frac{5 \times 10^{-3} V}{1000 \Omega} = 5 \times 10^{-6} A$.
કોમન એમિટર એમ્પ્લીફાયરમાં આઉટપુટ પ્રવાહ એ કલેક્ટર પ્રવાહ $I_{c}$ છે.
સંબંધ $I_{c} = \beta \times I_{b}$ નો ઉપયોગ કરતા,આપણને મળે છે: $I_{c} = 60 \times 5 \times 10^{-6} A = 300 \times 10^{-6} A$.
તેથી,આઉટપુટ પ્રવાહનું પીક મૂલ્ય $3 \times 10^{-4} A$ છે.

(B) ફીડબેક સાથેના એમ્પ્લીફાયરનો વોલ્ટેજ ગેઇન $A_f = \frac{A}{1 - A\beta}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $A$ એ ઓપન-લૂપ વોલ્ટેજ ગેઇન છે અને $\beta$ એ ફીડબેક ફેક્ટર છે.
ઓસિલેટર સતત દોલનો ઉત્પન્ન કરી શકે તે માટે,બારકહૌસેન (Barkhausen) શરત સંતોષાવી જોઈએ.
બારકહૌસેન શરત મુજબ લૂપ ગેઇન એકમ (unity) હોવો જોઈએ,જે $A\beta = 1$ તરીકે દર્શાવવામાં આવે છે.

(C) આપેલ છે: $\alpha = 0.8$ અને $\Delta I_B = 6 \text{ mA}$.
સૌ પ્રથમ, આપણે કોમન-એમિટર કોન્ફિગ્યુરેશન માટે કરંટ ગેઇન $\beta$ ની ગણતરી $\beta = \frac{\alpha}{1 - \alpha}$ સંબંધનો ઉપયોગ કરીને કરીશું.
$\alpha$ ની કિંમત મૂકતા: $\beta = \frac{0.8}{1 - 0.8} = \frac{0.8}{0.2} = 4$.
કલેક્ટર કરંટમાં થતો ફેરફાર $\Delta I_C$ અને બેઝ કરંટમાં થતો ફેરફાર $\Delta I_B$ વચ્ચેનો સંબંધ $\Delta I_C = \beta \times \Delta I_B$ છે.
કિંમતો મૂકતા: $\Delta I_C = 4 \times 6 \text{ mA} = 24 \text{ mA}$.
તેથી, કલેક્ટર કરંટમાં થતો ફેરફાર $24 \text{ mA}$ છે.

(D) ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,એમિટર પ્રવાહ એ બેઝ પ્રવાહ અને કલેક્ટર પ્રવાહનો સરવાળો છે: $I_{e} = I_{b} + I_{c}$.
જેમ કે $I_{b}$ અને $I_{c}$ બંને ધન પ્રવાહો છે,તેથી $I_{c} < I_{e}$ અને $I_{b} < I_{e}$ થાય છે.
કોમન એમિટર કન્ફિગ્યુરેશનમાં કરંટ ગેઈન $\beta = \frac{I_{c}}{I_{b}}$ તરીકે વ્યાખ્યાયિત થાય છે.
ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે,$I_{c}$ સામાન્ય રીતે $I_{b}$ કરતા ઘણો મોટો હોય છે (કારણ કે બેઝ વિસ્તાર ખૂબ જ પાતળો અને ઓછો ડોપ્ડ હોય છે),જે $\beta > 1$ બનાવે છે.
તેથી,$I_{c} > I_{b}$ એ મૂળભૂત કારણ છે કે શા માટે કરંટ ગેઈન $\beta$ એ $1$ કરતા વધારે છે.

(D) આપેલ છે: કલેક્ટર પ્રવાહ $(i_c)$ અને એમિટર પ્રવાહ $(i_e)$ નો ગુણોત્તર $\alpha = \frac{i_c}{i_e} = 0.98$ છે.
કલેક્ટર પ્રવાહ $i_c = 3 \text{ mA}$ છે.
આપણે જાણીએ છીએ કે એમિટર પ્રવાહ એ કલેક્ટર પ્રવાહ અને બેઝ પ્રવાહનો સરવાળો છે: $i_e = i_c + i_b$.
આ કિંમત ગુણોત્તરમાં મૂકતા: $\frac{i_c}{i_c + i_b} = 0.98$.
સમીકરણને ગોઠવતા: $\frac{i_c + i_b}{i_c} = \frac{1}{0.98} = \frac{100}{98}$.
$1 + \frac{i_b}{i_c} = \frac{100}{98} \implies \frac{i_b}{i_c} = \frac{100}{98} - 1 = \frac{2}{98} = \frac{1}{49}$.
તેથી,$i_b = \frac{i_c}{49} = \frac{3 \text{ mA}}{49} = \frac{3000 \mu\text{A}}{49} \approx 61.22 \mu\text{A}$.
આપેલા વિકલ્પો મુજબ,બેઝ પ્રવાહ આશરે $60 \mu\text{A}$ થશે.