Properties of Haloarenes Questions in Gujarati

(D) હેલોએરીન્સમાં કેન્દ્રાનુરાગી એરોમેટિક વિસ્થાપનનો દર ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પર ઇલેક્ટ્રોન આકર્ષક સમૂહો (જેમ કે $-NO_2$) ની હાજરી સાથે વધે છે. આ સમૂહો પ્રક્રિયા દરમિયાન બનતા કાર્બેનાયન મધ્યવર્તીને સ્થિર કરે છે. $2,4,6$-ટ્રાયનાઈટ્રોક્લોરોબેન્ઝિનમાં ત્રણ ઇલેક્ટ્રોન આકર્ષક $-NO_2$ સમૂહો હોવાથી,તેનું જળવિભાજન સૌથી સરળતાથી થાય છે.

(D) $CH_2=CH-Cl$ (વિનાઈલ ક્લોરાઈડ) માં,સંસ્પંદનને કારણે $C-Cl$ બંધ આંશિક દ્વિબંધ લાક્ષણિકતા પ્રાપ્ત કરે છે.
આનાથી $C-Cl$ બંધ મજબૂત અને ટૂંકો બને છે,જેના કારણે હાઈડ્રોલિસીસ દરમિયાન તેને તોડવું મુશ્કેલ બને છે.
તેથી,આપેલા આલ્કાઈલ ક્લોરાઈડની સરખામણીમાં $CH_2=CH-Cl$ હાઈડ્રોલિસીસ પ્રત્યે સૌથી ઓછો સક્રિય છે.

(B) સાંદ્ર સલ્ફ્યુરિક એસિડ $(H_2SO_4)$ ની હાજરીમાં ક્લોરલ $(CCl_3CHO)$ અને ક્લોરોબેન્ઝિન $(C_6H_5Cl)$ વચ્ચેની પ્રક્રિયા એ સંઘનન પ્રક્રિયા છે.
ક્લોરોબેન્ઝિનના બે અણુઓ ક્લોરલના એક અણુ સાથે પ્રક્રિયા કરીને $1,1,1-trichloro-2,2-bis(p-chlorophenyl)ethane$ બનાવે છે,જેને સામાન્ય રીતે $DDT$ તરીકે ઓળખવામાં આવે છે.

(B) ફ્રિડલ-ક્રાફ્ટ પ્રક્રિયામાં સામાન્ય રીતે ઇલેક્ટ્રોફાઇલ ઉત્પન્ન કરવા માટે ઉદ્દીપક તરીકે નિર્જળ $AlCl_3$ નો ઉપયોગ થાય છે.

(B) એરાઇલ હેલાઇડ આલ્કાઇલ હેલાઇડની સરખામણીમાં કેન્દ્રાનુરાગી વિસ્થાપન પ્રક્રિયાઓ પ્રત્યે ઓછી સક્રિયતા દર્શાવે છે,જેના મુખ્ય કારણો નીચે મુજબ છે:
$1$. સંસ્પદન અસર: એરાઇલ હેલાઇડમાં,હેલોજન પરમાણુ પરના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ બેન્ઝીન વલયના $\pi$-ઇલેક્ટ્રોન સાથે સંયુગ્મનમાં હોય છે,જેના પરિણામે કાર્બન અને હેલોજન પરમાણુ $(C-X)$ વચ્ચે આંશિક દ્વિબંધ લાક્ષણિકતા ઉદભવે છે. આ બંધને મજબૂત અને ટૂંકો બનાવે છે,જેથી તેને તોડવો મુશ્કેલ બને છે.
$2$. સંકરણ: એરાઇલ હેલાઇડમાં હેલોજન સાથે જોડાયેલ કાર્બન પરમાણુ $sp^2$ સંકૃત હોય છે,જે આલ્કાઇલ હેલાઇડના $sp^3$ સંકૃત કાર્બન કરતા વધુ વિદ્યુતઋણ હોય છે,જે ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મને વધુ મજબૂતીથી જકડી રાખે છે.
આપેલા વિકલ્પોમાંથી,$C-X$ બંધનું સંસ્પદન સ્થિરીકરણ એ ઓછી સક્રિયતા માટેનું મુખ્ય કારણ છે.

(D) ફ્રિડલ-ક્રાફટ્સ પ્રક્રિયામાં ઇલેક્ટ્રોફાઇલ ઉત્પન્ન કરવા માટે લુઈસ એસિડ ઉદ્દીપકની જરૂર હોય છે.
$AlCl_3$,$FeCl_3$,અને $FeBr_3$ એ જાણીતા લુઈસ એસિડ છે જે પ્રક્રિયાને સરળ બનાવવા માટે આલ્કાઈલ અથવા એસાઈલ હેલાઈડના હેલોજન સાથે જોડાઈ શકે છે.
$NaCl$ એ આયનીય ક્ષાર છે અને તે લુઈસ એસિડ તરીકે કામ કરતું નથી; તેથી,તે ફ્રિડલ-ક્રાફટ્સ પ્રક્રિયામાં ઉદ્દીપક તરીકે કામ કરી શકતું નથી.

(D) ઓર્થો અને પેરા નિર્દેશક સમૂહો સામાન્ય રીતે ઇલેક્ટ્રોન-ડોનેટિંગ ગ્રુપ $(EDG)$ હોય છે જે રેઝોનન્સ અથવા ઇન્ડક્ટિવ અસર દ્વારા બેન્ઝીન વલયની ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધારે છે.
$-COOH$,$-CN$,અને $-COCH_3$ એ ઇલેક્ટ્રોન-વિથડ્રોઇંગ ગ્રુપ $(EWG)$ છે અને તે મેટા-નિર્દેશક છે.
$-NHCOCH_3$ (એસીટેનિલાઇડ સમૂહ) માં નાઇટ્રોજન પરમાણુ પર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ (lone pair) હોય છે,જે રેઝોનન્સ દ્વારા બેન્ઝીન વલયને આપી શકાય છે,તેથી તે ઓર્થો અને પેરા નિર્દેશક સમૂહ છે.

(C) ફ્રિડલ-ક્રાફ્ટસ પ્રક્રિયામાં,નિર્જળ $AlCl_3$ લુઈસ એસિડ તરીકે કાર્ય કરે છે.
તે આલ્કાઈલ હેલાઈડ અથવા એસાઈલ હેલાઈડ સાથે પ્રક્રિયા કરીને અનુક્રમે કાર્બોકેટાયન અથવા એસાઈલિયમ આયન ઉત્પન્ન કરે છે,જે ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી તરીકે વર્તે છે.
તેથી,$AlCl_3$ નું મુખ્ય કાર્ય ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી ઉત્પન્ન કરવાનું છે.

(D) ફેરિક ક્લોરાઇડ $(FeCl_3)$ જેવા લુઈસ એસિડની હાજરીમાં ટોલ્યુઇનની ક્લોરિન સાથેની પ્રક્રિયા એ ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી એરોમેટિક વિસ્થાપન પ્રક્રિયા (હેલોજીનેશન) છે.
બેન્ઝીન વલય પર રહેલો મિથાઈલ સમૂહ $(-CH_3)$ એ ઓર્થો- અને પેરા-નિર્દેશક સમૂહ હોવાથી,ક્લોરિન પરમાણુ ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પરના હાઈડ્રોજન પરમાણુઓનું વિસ્થાપન કરશે.
તેથી,આ પ્રક્રિયામાં $o$-ક્લોરો ટોલ્યુઇન અને $p$-ક્લોરો ટોલ્યુઇનનું મિશ્રણ મળે છે.

(B) જે સમૂહો $-I$ અસર (ઇલેક્ટ્રોન આકર્ષક) દર્શાવે છે પરંતુ $+M$ અથવા $+R$ અસરને કારણે $o, p$-નિર્દેશક હોય છે,તે સામાન્ય રીતે હેલોજન હોય છે.
$-Cl$ ના કિસ્સામાં,વિદ્યુતઋણતાને કારણે $-I$ અસર જોવા મળે છે,પરંતુ ક્લોરિન પરમાણુ પર રહેલા અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મને કારણે સંસ્પંદન ($+R$ અસર) શક્ય બને છે,જે ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પર ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધારે છે.
તેથી,$-Cl$ નિષ્ક્રિયકારક હોવા છતાં $o, p$-નિર્દેશક છે.

(B) એરાઇલ હેલાઇડ કેન્દ્રનુરાગી વિસ્થાપન પ્રક્રિયાઓ પ્રત્યે ઓછી સક્રિયતા દર્શાવે છે,જેના મુખ્ય કારણો નીચે મુજબ છે:
$1$. સસ્પંદન અસર: હેલોજન પરમાણુ પરના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ બેન્ઝીન વલય સાથે સસ્પંદનમાં ભાગ લે છે,જેનાથી $C-X$ બંધમાં આંશિક દ્વિબંધ લાક્ષણિકતા આવે છે. આથી બંધ ટૂંકો અને મજબૂત બને છે,જેને તોડવો મુશ્કેલ છે.
$2$. સંકરણમાં તફાવત: એરાઇલ હેલાઇડમાં હેલોજન સાથે જોડાયેલ કાર્બન $sp^2$ સંકૃત હોય છે,જે આલ્કાઇલ હેલાઇડના $sp^3$ સંકૃત કાર્બન કરતા વધુ વિદ્યુતઋણ હોય છે.
$3$. ફિનાઇલ કેટાયનની અસ્થિરતા: એરાઇલ હેલાઇડના સ્વયં-આયનીકરણથી બનતો ફિનાઇલ કેટાયન ખૂબ જ અસ્થિર હોય છે.
આપેલા વિકલ્પોમાંથી,$C-X$ બંધનું સસ્પંદન સ્થાયીકરણ એ સક્રિયતામાં ઘટાડાનું મુખ્ય કારણ છે.

(D) ફેરીક ક્લોરાઇડ $(FeCl_3)$ જેવા લુઈસ એસિડ ઉદ્દીપકની હાજરીમાં ટોલ્યુઇન અને ક્લોરિન વચ્ચેની પ્રક્રિયા એ ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી એરોમેટિક વિસ્થાપન પ્રક્રિયા છે.
મિથાઇલ સમૂહ $(-CH_3)$ એ ઓર્થો/પેરા નિર્દેશક હોવાથી,ક્લોરિન પરમાણુ બેન્ઝીન વલયના ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પરના હાઇડ્રોજનનું વિસ્થાપન કરશે.
તેથી,મુખ્ય નીપજો તરીકે $o$-ક્લોરોટોલ્યુઇન અને $p$-ક્લોરોટોલ્યુઇન મળે છે.

(C) $2,4,6$-ટ્રાયનાઇટ્રો ટોલ્યુઇન $(TNT)$ એ વિસ્ફોટક તરીકે વપરાતું જાણીતું રાસાયણિક સંયોજન છે.
તે ટોલ્યુઇનના નાઇટ્રેશન દ્વારા બનાવવામાં આવે છે.

(C) $FeCl_3$ જેવા લુઈસ એસિડની હાજરીમાં ટોલ્યુઈન અને $Cl_2$ વચ્ચેની પ્રક્રિયા ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી એરોમેટિક વિસ્થાપન પ્રક્રિયા છે.
$FeCl_3$ ઉદ્દીપક તરીકે કાર્ય કરીને ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી $Cl^+$ ઉત્પન્ન કરે છે.
ટોલ્યુઈનમાં રહેલો મિથાઈલ સમૂહ $(-CH_3)$ ઓર્થો અને પેરા નિર્દેશક હોવાથી,$Cl^+$ બેન્ઝીન વલયના ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પર હુમલો કરે છે.
તેથી,મુખ્ય નીપજ તરીકે $o-$ક્લોરોટોલ્યુઈન અને $p-$ક્લોરોટોલ્યુઈન મળે છે.

(A) ફ્રિડલ-ક્રાફ્ટ પ્રક્રિયા એ ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી એરોમેટિક વિસ્થાપન પ્રક્રિયા છે.
તેમાં ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી સાથે પ્રક્રિયા કરવા માટે ઇલેક્ટ્રોન-સમૃદ્ધ એરોમેટિક વલયની જરૂર હોય છે.
નાઈટ્રો ગ્રુપ $(-NO_2)$ જેવા પ્રબળ નિષ્ક્રિયકર્તા સમૂહો બેન્ઝિન વલયમાંથી ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ખેંચી લે છે,જેના કારણે તે ફ્રિડલ-ક્રાફ્ટ આલ્કાઈલેશન કે એસાઈલેશન માટે ખૂબ જ ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપવાળું બની જાય છે.
તેથી,નાઈટ્રોબેન્ઝિન ફ્રિડલ-ક્રાફ્ટ પ્રક્રિયા આપતું નથી.

(B) નાઇટ્રોબેન્ઝિનનું નાઇટ્રેશન સાંદ્ર $HNO_3$ અને સાંદ્ર $H_2SO_4$ ના મિશ્રણનો ઉપયોગ કરીને $373 \ K$ તાપમાને કરવામાં આવે છે.
$-NO_2$ સમૂહ એ પ્રબળ ઇલેક્ટ્રોન આકર્ષક સમૂહ હોવાથી અને તે મેટા-નિર્દેશક હોવાથી,આવતો નાઇટ્રો સમૂહ મેટા-સ્થાન પર જોડાય છે.
તેથી,મુખ્ય નીપજ તરીકે $1,3$-ડાયનાઇટ્રોબેન્ઝિન મળે છે.

(B) ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી વિસ્થાપન પ્રક્રિયાઓ બેન્ઝિનની સરખામણીમાં ઇલેક્ટ્રોન દાતા સમૂહો (સક્રિયકારક સમૂહો) ધરાવતા સંયોજનોમાં ઝડપી અને ઇલેક્ટ્રોન આકર્ષક સમૂહો (નિષ્ક્રિયકારક સમૂહો) ધરાવતા સંયોજનોમાં ધીમી હોય છે.
$C_6H_5CH_3$ (ટોલ્યુઈન) માં મિથાઈલ સમૂહ છે,જે ઇલેક્ટ્રોન દાતા છે ($+I$ અસર).
$C_6H_5OH$ (ફિનોલ) અને $C_6H_5NH_2$ (એનિલીન) માં અનુક્રમે $-OH$ અને $-NH_2$ સમૂહો છે,જે સંસ્પંદન ($+M$ અસર) ને કારણે સક્રિયકારક છે.
$C_6H_5NO_2$ (નાઈટ્રોબેન્ઝિન) માં $-NO_2$ સમૂહ છે,જે તેની $-I$ અને $-M$ અસરોને કારણે પ્રબળ ઇલેક્ટ્રોન આકર્ષક સમૂહ છે,જે બેન્ઝિન વલયને ઇલેક્ટ્રોન ઉણપવાળું બનાવે છે અને તેથી તે બેન્ઝિન કરતાં ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી પ્રત્યે ઓછું સક્રિય છે.

(A) ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી વિસ્થાપન $(S_E)$ પ્રત્યેની સક્રિયતા બેન્ઝિન વલયની ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા પર આધાર રાખે છે.
ઇલેક્ટ્રોન આપતા સમૂહો (સક્રિયકારક સમૂહો) સક્રિયતા વધારે છે,જ્યારે ઇલેક્ટ્રોન ખેંચતા સમૂહો (નિષ્ક્રિયકારક સમૂહો) સક્રિયતા ઘટાડે છે.
$IV$. ટોલ્યુઇન ($-CH_3$ સમૂહ) $+I$ અને અતિસંયુગ્મન અસરને કારણે સક્રિયકારક છે.
$II$. બેન્ઝિન એ સંદર્ભ સંયોજન છે.
$I$. ક્લોરોબેન્ઝિન ($-Cl$ સમૂહ) પ્રબળ $-I$ અસરને કારણે નિષ્ક્રિયકારક છે,જોકે તે ઓર્થો/પેરા નિર્દેશક છે.
$III$. એનિલિનિયમ ક્લોરાઈડ ($-NH_3^+Cl^-$ સમૂહ) ધન વીજભારિત નાઇટ્રોજનની પ્રબળ $-I$ અસરને કારણે ખૂબ જ નિષ્ક્રિયકારક છે.
આમ,સક્રિયતાનો ક્રમ: $IV$ (ટોલ્યુઇન) $> II$ (બેન્ઝિન) $> I$ (ક્લોરોબેન્ઝિન) $> III$ (એનિલિનિયમ ક્લોરાઈડ) છે.

(D) ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી વિસ્થાપન પ્રક્રિયા માટે બેન્ઝીન વ્યુત્પન્નોની પ્રતિક્રિયાશીલતા વલયની ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા પર આધાર રાખે છે. ઇલેક્ટ્રોન ડોનેટિંગ ગ્રુપ $(EDG)$ પ્રતિક્રિયાશીલતા વધારે છે,જ્યારે ઇલેક્ટ્રોન વિથડ્રોઇંગ ગ્રુપ $(EWG)$ તેને ઘટાડે છે.
$1$. $-NHCH_3$ એ પ્રબળ સક્રિયકારક ગ્રુપ છે (પ્રબળ $+M$ અસર).
$2$. $-CH_3$ એ નિર્બળ સક્રિયકારક ગ્રુપ છે (હાઇપરકોન્જુગેશન અને $+I$ અસર).
$3$. $-Cl$ એ નિષ્ક્રિયકારક ગ્રુપ છે ($-I$ અસર $+M$ અસર કરતા પ્રબળ છે).
$4$. $-CHO$ અને $-NO_2$ એ પ્રબળ નિષ્ક્રિયકારક ગ્રુપ છે ($-M$ અને $-I$ અસરો).
પ્રતિક્રિયાશીલતાનો ક્રમ: $-NO_2 < -CHO < -Cl < -CH_3 < -NHCH_3$ છે.
આપેલા વિકલ્પોમાંથી,વિકલ્પ $D$ સાચો ક્રમ દર્શાવે છે: $C_6H_5NO_2 < C_6H_5Cl < C_6H_5CH_3 < C_6H_5NHCH_3$.

(D) કેન્દ્રાનુરાગી એરોમેટિક વિસ્થાપન પ્રક્રિયા બેન્ઝીન વલય પર રહેલા ઇલેક્ટ્રોન-આકર્ષક સમૂહો $(EWG)$ દ્વારા સરળ બને છે,જે મધ્યવર્તી કાર્બેનાયન (Meisenheimer complex) ને સ્થિર કરે છે.
તેનાથી વિપરીત,ઇલેક્ટ્રોન-દાતા સમૂહો $(EDG)$ કેન્દ્રાનુરાગી હુમલા પ્રત્યે પ્રતિક્રિયાત્મકતા ઘટાડે છે.
ચાલો વિસ્થાપિત સમૂહોનું વિશ્લેષણ કરીએ:
$I$: $-OCH_3$ એ પ્રબળ ઇલેક્ટ્રોન-દાતા સમૂહ છે (અનુનાદ દ્વારા).
$II$: $-CH_3$ એ નિર્બળ ઇલેક્ટ્રોન-દાતા સમૂહ છે (હાયપરકોન્જુગેશન દ્વારા).
$III$: બેન્ઝીન (કોઈ વિસ્થાપક નથી).
$IV$: $-CF_3$ એ પ્રબળ ઇલેક્ટ્રોન-આકર્ષક સમૂહ છે (પ્રેરક અસર દ્વારા).
તેથી,પ્રતિક્રિયાત્મકતાનો ક્રમ $IV > III > II > I$ છે.

(D) $-CCl_3$ સમૂહ એરોમેટિક ચક્ર પર પ્રબળ નિષ્ક્રિય અસર કરે છે,કારણ કે તેમાં રહેલા ત્રણ ક્લોરિન પરમાણુઓની પ્રબળ ઇલેક્ટ્રોન આકર્ષક પ્રેરક અસર ($-I$ અસર) હોય છે.
આના કારણે ચક્ર ઇલેક્ટ્રોન-ન્યૂન બને છે અને ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી વિસ્થાપન પ્રત્યે ઓછી સક્રિયતા દર્શાવે છે.

(B) કેન્દ્રાનુરાગી વિસ્થાપન પ્રક્રિયાઓ એરોમેટિક વલય પર ઇલેક્ટ્રોન-આકર્ષક સમૂહ $(EWG)$ ની હાજરી દ્વારા ઝડપી બને છે,કારણ કે તેઓ ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ઘટાડે છે અને મધ્યવર્તી કાર્બેનાયનને સ્થિર કરે છે.
$(I)$ $C_6H_5-CH_3$: $-CH_3$ સમૂહ $+I$ અસર અને હાઇપરકોન્જુગેશનને કારણે ઇલેક્ટ્રોન-દાતા સમૂહ $(EDG)$ છે,જે કેન્દ્રાનુરાગી પ્રત્યે પ્રતિક્રિયાશીલતા ઘટાડે છે.
$(II)$ $C_6H_6$: બેન્ઝીનમાં કોઈ વિસ્થાપક નથી.
$(III)$ $C_6H_5-COOH$: $-COOH$ સમૂહ $-I$ અને $-M$ અસરોને કારણે પ્રબળ ઇલેક્ટ્રોન-આકર્ષક સમૂહ $(EWG)$ છે,જે કેન્દ્રાનુરાગી પ્રત્યે પ્રતિક્રિયાશીલતામાં નોંધપાત્ર વધારો કરે છે.
તેથી,પ્રતિક્રિયાશીલતાનો ક્રમ: $I < II < III$ છે.

(C) કેન્દ્રાનુરાગી એ ઇલેક્ટ્રોન-સમૃદ્ધ સ્પીસીઝ છે જે ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવતા કેન્દ્ર પર હુમલો કરે છે.
આપેલા વિકલ્પોમાં,બેન્ઝીન વલય વિવિધ સમૂહો સાથે જોડાયેલ છે.
કેન્દ્રાનુરાગી એરોમેટિક વિસ્થાપન $(S_NAr)$ પ્રક્રિયા પ્રબળ ઇલેક્ટ્રોન-આકર્ષક સમૂહો (EWGs) દ્વારા સરળ બને છે જે મધ્યવર્તી કાર્બેનાયન (Meisenheimer complex) ને સ્થિર કરે છે.
વિકલ્પોમાં,$-NH_3^+$ સમૂહ તેના ધન વીજભાર ($-I$ અસર) ને કારણે ખૂબ જ પ્રબળ ઇલેક્ટ્રોન-આકર્ષક સમૂહ છે,જે બેન્ઝીન વલયની ઇલેક્ટ્રોન-અનુરાગીતામાં નોંધપાત્ર વધારો કરે છે,જેનાથી તે કેન્દ્રાનુરાગી હુમલા માટે સૌથી વધુ સંવેદનશીલ બને છે.

(C) $p$-ક્લોરોએનિસોલની પ્રવાહી $NH_3$ માં $NaNH_2$ સાથેની પ્રક્રિયા બેન્ઝાઇન મધ્યવર્તી સંયોજનના નિર્માણ દ્વારા થાય છે.
$1$. $NaNH_2$ પ્રબળ બેઇઝ તરીકે કાર્ય કરે છે અને $p$-ક્લોરોએનિસોલમાંથી ઓર્થો-હાઇડ્રોજન દૂર કરે છે,ત્યારબાદ $Cl^-$ ના વિલોપન દ્વારા બેન્ઝાઇન મધ્યવર્તી ($3$-મેથોક્સીબેન્ઝાઇન) બને છે.
$2$. બેન્ઝાઇન મધ્યવર્તી પર $NH_2^-$ નો ન્યુક્લિયોફિલિક હુમલો $-OCH_3$ સમૂહની સાપેક્ષમાં મેટા અથવા ઓર્થો સ્થાન પર થઈ શકે છે.
$3$. $-OCH_3$ સમૂહની પ્રેરક અસરને કારણે,મેટા સ્થાન વધુ ઇલેક્ટ્રોફિલિક હોય છે,જેના પરિણામે મુખ્ય નિપજ તરીકે $m$-એનિસિડિન ($3$-મેથોક્સીએનિલીન) મળે છે.

(B) બેન્ઝીનનું ક્લોરિનેશન એ ઇલેક્ટ્રોફિલિક એરોમેટિક સબસ્ટિટ્યુશન પ્રક્રિયા છે.
$A$,$C$,અને $D$ એ લુઈસ એસિડ ઉદ્દીપક ($FeCl_3$,$ZnCl_2$,$AlCl_3$) નો ઉપયોગ કરીને $Cl^+$ ઇલેક્ટ્રોફાઇલ ઉત્પન્ન કરતી પ્રમાણભૂત ક્લોરિનેશન પ્રક્રિયાઓ છે.
વિકલ્પ $B$ માં $H^+$ ની હાજરીમાં $HOCl$ નો ઉપયોગ થાય છે,જે $Cl^+$ ઉત્પન્ન કરી શકે છે અને ક્લોરિનેશન તરફ દોરી શકે છે.

(C) સાચો જવાબ $C$ છે.
ક્લોરોબેન્ઝીનમાં,ક્લોરિન પરમાણુ પરના અબંધકારક ઈલેક્ટ્રોન યુગ્મ બેન્ઝીન વલય સાથે સંસ્પંદન (resonance) માં ભાગ લે છે.
આના કારણે $C-Cl$ બંધ આંશિક દ્વિબંધ લાક્ષણિકતા પ્રાપ્ત કરે છે.
આ આંશિક દ્વિબંધ લાક્ષણિકતાને લીધે,ક્લોરોબેન્ઝીનમાં $C-Cl$ બંધ,મિથાઈલ ક્લોરાઈડના $C-Cl$ બંધ (જે શુદ્ધ એકલ બંધ છે) કરતા ટૂંકો અને પ્રબળ હોય છે.

(A) . $C_6H_5N_2Cl \xrightarrow{\text{Boiling } H_2O} C_6H_5OH + N_2 + HCl$.
ઉકળતા પાણી સાથેની આ પ્રક્રિયા ફીનોલ $(C_6H_5OH)$ આપે છે,બેન્ઝીન $(C_6H_6)$ નહીં.

(C) ફિટિંગ પ્રક્રિયામાં સોડિયમ ધાતુ અને સૂકા ઈથરની હાજરીમાં બે એરાઈલ હેલાઈડનું જોડાણ થઈને ડાયએરાઈલ સંયોજન બને છે.
આ પ્રક્રિયા નીચે મુજબ છે: $2C_6H_5Cl + 2Na \xrightarrow{\text{Dry ether}} C_6H_5-C_6H_5 + 2NaCl$.
આમ,મળતી નીપજ ડાયફિનાઈલ છે.

(A) ન્યુક્લિયોફિલિક એરોમેટિક વિસ્થાપન પ્રક્રિયાઓ બેન્ઝીન વલય પર ઇલેક્ટ્રોન-આકર્ષક સમૂહોની હાજરી દ્વારા સરળ બને છે.
આ સમૂહો પ્રક્રિયા દરમિયાન બનતા મધ્યવર્તી કાર્બેનાયન (માઈસેનહાઈમર કોમ્પ્લેક્સ) ને સ્થિર કરે છે.
$-NO_2$ સમૂહ તેના $-I$ અને $-M$ અસરોને કારણે પ્રબળ ઇલેક્ટ્રોન-આકર્ષક સમૂહ છે.
તેનાથી વિપરીત,$-CH_3$ અને $-OCH_3$ સમૂહો ઇલેક્ટ્રોન-દાતા સમૂહો છે,જે મધ્યવર્તી કાર્બેનાયનને અસ્થિર બનાવે છે અને પ્રક્રિયાને વધુ મુશ્કેલ બનાવે છે.
તેથી,$p$-નાઈટ્રોક્લોરોબેન્ઝીન સૌથી સરળતાથી ન્યુક્લિયોફિલિક વિસ્થાપન પ્રક્રિયા આપે છે.

(A) ફ્રિડેલ-ક્રાફ્ટ પ્રક્રિયા એ ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી એરોમેટિક વિસ્થાપન પ્રક્રિયા છે.
જ્યારે બેન્ઝીન વલય સાથે પ્રબળ ઇલેક્ટ્રોન આકર્ષક સમૂહ જોડાયેલ હોય ત્યારે આ પ્રક્રિયા થતી નથી.
$Nitrobenzene$ $(C_6H_5NO_2)$ માં,$-NO_2$ સમૂહ એ પ્રબળ નિષ્ક્રિયકારક સમૂહ છે,જે વલયમાંથી ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ખેંચે છે,જેનાથી તે ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી હુમલા માટે ઓછું સક્રિય બને છે.
તેથી,$Nitrobenzene$ સરળતાથી ફ્રિડેલ-ક્રાફ્ટ પ્રક્રિયા આપતું નથી.

(A) $3\text{-bromoanisole}$ ની $NaNH_2$ સાથેની પ્રક્રિયા બેન્ઝાઈન મધ્યવર્તી સંયોજન દ્વારા થાય છે.
$1$. પ્રબળ બેઝ $NH_2^-$,$Br$ પરમાણુની સાપેક્ષમાં ઓર્થો-હાઈડ્રોજનનું નિષ્કર્ષણ કરે છે,જેનાથી $Br^-$ દૂર થાય છે અને બેન્ઝાઈન મધ્યવર્તી બને છે.
$2$. ન્યુક્લિયોફાઈલ $NH_2^-$ બેન્ઝાઈન મધ્યવર્તી પર બે અલગ-અલગ સ્થાનો પર હુમલો કરી શકે છે.
$3$. મેટા-સ્થાન પર હુમલો કરવાથી વધુ સ્થાયી કાર્બેનાયન મધ્યવર્તી બને છે કારણ કે ઋણ વીજભાર ઈલેક્ટ્રોન-વિથડ્રોઈંગ $OCH_3$ ગ્રુપની નજીક હોય છે.
$4$. આ મધ્યવર્તીના પ્રોટોનેશનથી મુખ્ય નીપજ તરીકે $3\text{-aminoanisole}$ મળે છે.
$5$. કારણ કે આવનાર ન્યુક્લિયોફાઈલ તે જ કાર્બન પર જોડાય છે જ્યાં લિવિંગ ગ્રુપ હતું,તેથી આ સાઈન સબસ્ટિટ્યુશન પ્રક્રિયા નથી; તે એલિમિનેશન-એડિશન પ્રક્રિયા છે.

(A) સલ્ફ્યુરિક એસિડ $(H_2SO_4)$ ની હાજરીમાં ટ્રાયક્લોરોએસીટાલ્ડિહાઈડ (ક્લોરલ) ની ક્લોરોબેન્ઝીન સાથેની પ્રક્રિયા એ સંઘનન (condensation) પ્રક્રિયા છે.
આ પ્રક્રિયામાં,ક્લોરલનો એક અણુ ક્લોરોબેન્ઝીનના બે અણુઓ સાથે પ્રક્રિયા કરીને $1,1,1-$ટ્રાયક્લોરો$-2,2-$બિસ($p-$ક્લોરોફિનાઈલ)ઈથેન બનાવે છે,જેને સામાન્ય રીતે $DDT$ તરીકે ઓળખવામાં આવે છે.
રાસાયણિક સમીકરણ નીચે મુજબ છે:
$CCl_3CHO + 2C_6H_5Cl \xrightarrow{Conc. H_2SO_4} (ClC_6H_4)_2CHCCl_3 + H_2O$
આમ,ઉત્પન્ન થતી નીપજ $DDT$ છે.

(D) નાઈટ્રોબેન્ઝીનની સાંદ્ર $HNO_3$ અને સાંદ્ર $H_2SO_4$ (નાઈટ્રેટિંગ મિશ્રણ) ના મિશ્રણ સાથે $80-100 \ ^oC$ તાપમાને પ્રક્રિયા એ ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી એરોમેટિક વિસ્થાપન પ્રક્રિયા છે.
$-NO_2$ સમૂહ એ પ્રબળ નિષ્ક્રિયકારક અને મેટા-નિર્દેશક સમૂહ હોવાથી,આવતો નાઈટ્રો સમૂહ મેટા-સ્થાન પર જોડાય છે.
તેથી,મુખ્ય નીપજ તરીકે $1, 3-$ડાયનાઈટ્રોબેન્ઝીન મળે છે.

(A) નાઈટ્રો સમૂહ $(-NO_2)$ તેના $-I$ અને $-M$ અસરોને કારણે પ્રબળ ઇલેક્ટ્રોન આકર્ષક સમૂહ છે.
તે બેન્ઝીન વલયમાંથી ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા પોતાની તરફ ખેંચે છે,જેનાથી ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી હુમલા માટે ઉપલબ્ધ ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ઘટે છે.
પરિણામે,તે બેન્ઝીન વલયને ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી વિસ્થાપન પ્રતિક્રિયાઓ માટે નિષ્ક્રિય બનાવે છે.

(D) $FeCl_3$ જેવા લુઈસ એસિડ ઉદ્દીપકની હાજરીમાં ટોલ્યુઈન સાથે $Cl_2$ ની પ્રક્રિયા એ ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી એરોમેટિક વિસ્થાપન પ્રક્રિયા (ક્લોરિનેશન) છે.
બેન્ઝીન વલય સાથે જોડાયેલ મિથાઈલ ગ્રુપ $(-CH_3)$ એ ઇન્ડક્ટિવ ઇફેક્ટ અને હાઇપરકોન્જુગેશનને કારણે ઇલેક્ટ્રોન ડોનેટિંગ ગ્રુપ છે.
આ ગ્રુપ બેન્ઝીન વલયને સક્રિય કરે છે અને આવતા ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી $(Cl^+)$ ને ઓર્થો $(o-)$ અને પેરા $(p-)$ સ્થાન પર નિર્દેશિત કરે છે.
તેથી,આ પ્રક્રિયા $o-$ક્લોરોટોલ્યુઈન અને $p-$ક્લોરોટોલ્યુઈનનું મિશ્રણ આપે છે.

(A) આ પ્રક્રિયા એરોમેટિક ન્યુક્લિયોફિલિક સબસ્ટિટ્યુશન $(S_N^{Ar})$ પ્રક્રિયા છે.
આપેલ સબસ્ટ્રેટમાં,$-NO_2$ સમૂહ ફ્લોરિન પરમાણુઓની સાપેક્ષમાં પેરા સ્થાન પર રહેલો પ્રબળ ઈલેક્ટ્રોન-વિથડ્રોઈંગ સમૂહ છે.
ન્યુક્લિયોફિલિક સબસ્ટિટ્યુશન ઈલેક્ટ્રોન-વિથડ્રોઈંગ સમૂહના ઓર્થો અથવા પેરા સ્થાન પર થાય છે.
અહીં,$-NO_2$ સમૂહની સાપેક્ષમાં પેરા સ્થાન પર રહેલો ફ્લોરિન પરમાણુ ન્યુક્લિયોફાઈલ $CH_3S^-$ દ્વારા ન્યુક્લિયોફિલિક હુમલા માટે સૌથી વધુ સક્રિય છે.
તેથી,$CH_3S$ સમૂહ પેરા-ફ્લોરિન પરમાણુનું વિસ્થાપન કરીને મુખ્ય નીપજ બનાવે છે.

(C) ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી એરોમેટિક વિસ્થાપન $(EAS)$ પ્રત્યેની સક્રિયતા બેન્ઝિન વલયની ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા પર આધાર રાખે છે. જે સમૂહો સંસ્પંદન ($+M$ અસર) દ્વારા ઇલેક્ટ્રોન આપે છે તે સક્રિયતા વધારે છે,જ્યારે જે સમૂહો પ્રેરક અસર ($-I$ અસર) દ્વારા ઇલેક્ટ્રોન ખેંચે છે તે સક્રિયતા ઘટાડે છે.
$1$. એનિલીન $(-NH_2)$: પ્રબળ $+M$ અસર,ખૂબ જ સક્રિય.
$2$. ફિનોલ $(-OH)$: પ્રબળ $+M$ અસર,ખૂબ જ સક્રિય.
$3$. ટોલ્યુઈન $(-CH_3)$: નિર્બળ $+I$ અને હાઇપરકોન્જુગેશન અસર,સક્રિય.
$4$. ક્લોરોબેન્ઝિન $(-Cl)$: પ્રબળ $-I$ અસર (નિષ્ક્રિય કરનાર) અને નિર્બળ $+M$ અસર. $-I$ અસર પ્રભાવી હોવાથી,તે બેન્ઝિન અને અન્ય આપેલા વિસ્થાપિત બેન્ઝિન કરતા ઓછું સક્રિય છે.
તેથી,ક્લોરોબેન્ઝિન ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી વિસ્થાપન પ્રત્યે સૌથી ઓછું સક્રિય છે.

(A) $m$-બ્રોમોએનિસોલની $NaNH_2$ સાથે પ્રવાહી $NH_3$ માં પ્રક્રિયા બેન્ઝાઇન મિકેનિઝમ દ્વારા થાય છે.
મેથોક્સિ ગ્રુપ $(-OCH_3)$ રેઝોનન્સ દ્વારા ઇલેક્ટ્રોન-ડોનેટિંગ છે,પરંતુ તે ઇન્ડક્ટિવ ઇફેક્ટ દ્વારા ઇલેક્ટ્રોન-વિથડ્રોઇંગ પણ છે.
બનેલા બેન્ઝાઇન મધ્યવર્તીમાં,$NH_2^-$ નો ન્યુક્લિયોફિલિક હુમલો એવી સ્થિતિ પર થાય છે જે સૌથી વધુ સ્થિર કાર્બેનિયન તરફ દોરી જાય છે.
$-OCH_3$ ગ્રુપની ઇન્ડક્ટિવ ઇફેક્ટ ઓર્થો સ્થાનને વધુ એસિડિક બનાવે છે અને પરિણામી કાર્બેનિયન મેટા સ્થાન પર વધુ સ્થિર હોય છે.
પરિણામે,પ્રક્રિયા $m$-મેથોક્સિએનિલીન અને $p$-મેથોક્સિએનિલીનનું મિશ્રણ આપે છે,જેમાં $m$-મેથોક્સિએનિલીન મુખ્ય નીપજ તરીકે મળે છે.

(A) $1$-મિથોક્સી-$2,4$-ડાયનાઈટ્રોબેન્ઝીન બનાવવા માટે બેન્ઝીન વલય પર બે નાઈટ્રો અને એક મિથોક્સી સમૂહ દાખલ કરવો પડે છે.
$1$. પ્રથમ,બેન્ઝીનનું ઈલેક્ટ્રોન અનુરાગી એરોમેટિક બ્રોમિનેશન થઈને બ્રોમોબેન્ઝીન બને છે.
$2$. ત્યારબાદ બ્રોમોબેન્ઝીનનું બે વાર નાઈટ્રેશન કરવામાં આવે છે. બ્રોમીન પરમાણુ ઓર્થો/પેરા નિર્દેશક હોવાથી,પ્રથમ નાઈટ્રેશનથી $1$-બ્રોમો-$4$-નાઈટ્રોબેન્ઝીન મુખ્ય નીપજ તરીકે મળે છે.
$3$. બીજું નાઈટ્રેશન બ્રોમીન પરમાણુની સાપેક્ષમાં ઓર્થો સ્થાન પર થાય છે,જે $1$-બ્રોમો-$2,4$-ડાયનાઈટ્રોબેન્ઝીન આપે છે.
$4$. અંતે,સોડિયમ મિથોક્સાઈડ $(NaOCH_3)$ સાથે ન્યુક્લિયોફિલિક એરોમેટિક વિસ્થાપન $(S_NAr)$ પ્રક્રિયા દ્વારા બ્રોમીન પરમાણુનું મિથોક્સી સમૂહ દ્વારા વિસ્થાપન થાય છે,જે બે નાઈટ્રો સમૂહોની પ્રબળ ઈલેક્ટ્રોન આકર્ષક અસરને કારણે સરળ બને છે. આ વિકલ્પ $A$ ને અનુરૂપ છે.

(D) $-NO_2$ સમૂહ તેની $-I$ અને $-M$ અસરોને કારણે પ્રબળ ઇલેક્ટ્રોન-આકર્ષક સમૂહ છે.
$2,4-$ડાયનાઈટ્રોક્લોરોબેન્ઝીનમાં,$-NO_2$ સમૂહો ક્લોરીન પરમાણુની સાપેક્ષમાં ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પર હાજર હોય છે.
આ સમૂહો રિંગમાંથી ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ખેંચે છે,જે ન્યુક્લિયોફિલિક એરોમેટિક વિસ્થાપન દરમિયાન બનતા કાર્બેનિયન મધ્યવર્તીને સ્થિર કરે છે.
આનાથી $C-Cl$ બંધ ન્યુક્લિયોફિલિક હુમલા માટે વધુ સંવેદનશીલ બને છે,આમ ક્લોરીન પરમાણુનું વિસ્થાપન સરળ બને છે.

(B) ન્યુક્લિયોફિલિક એસિલ સબસ્ટિટ્યુશન (જળવિભાજન) નો દર કાર્બોનિલ કાર્બનની ઇલેક્ટ્રોફિલીસીટી પર આધાર રાખે છે. ઇલેક્ટ્રોન-વિથડ્રોઇંગ ગ્રુપ $(EWG)$ કાર્બોનિલ કાર્બનની ઇલેક્ટ્રોફિલીસીટી વધારે છે,જેનાથી જળવિભાજનનો દર વધે છે. તેનાથી વિપરીત,ઇલેક્ટ્રોન-ડોનેટિંગ ગ્રુપ $(EDG)$ ઇલેક્ટ્રોફિલીસીટી ઘટાડે છે,જે પ્રક્રિયાને ધીમી પાડે છે.
આપેલા સંયોજનોની સરખામણી કરતા:
$A$: બેન્ઝોઈલ ક્લોરાઇડ (કોઈ વિસ્થાપક નથી).
$B$: $p$-નાઈટ્રોબેન્ઝોઈલ ક્લોરાઇડ ($-NO_2$ એક મજબૂત $EWG$ છે).
$C$: $p$-મિથાઈલબેન્ઝોઈલ ક્લોરાઇડ ($-CH_3$ એક $EDG$ છે).
$D$: મિથાઈલ એસિટેટ (એસ્ટર,એસિડ ક્લોરાઇડ કરતા ઓછા સક્રિય).
વિકલ્પ $B$ માં $-NO_2$ ગ્રુપ એક મજબૂત ઇલેક્ટ્રોન-વિથડ્રોઇંગ ગ્રુપ હોવાથી,તે કાર્બોનિલ કાર્બનની ઇલેક્ટ્રોફિલીસીટીમાં નોંધપાત્ર વધારો કરે છે,જે તેને જળવિભાજન માટે સૌથી વધુ સક્રિય બનાવે છે. તેથી,સાચો વિકલ્પ $B$ છે.

(A) બેન્ઝીનનું ફ્લોરોબેન્ઝીનમાં રૂપાંતર નીચેના તબક્કાઓ દ્વારા થાય છે:
$1$. નાઈટ્રેશન: બેન્ઝીનનું $conc. H_2SO_4 HNO_3$ નો ઉપયોગ કરીને નાઈટ્રોબેન્ઝીન બનાવવું.
$2$. રિડક્શન: નાઈટ્રોબેન્ઝીનનું $Sn / HCl$ નો ઉપયોગ કરીને એનિલીન બનાવવું.
$3$. ડાયઝોટાઈઝેશન: એનિલીનનું $NaNO_2 HCl$ સાથે $0-5 ^\circ C$ તાપમાને પ્રક્રિયા કરીને બેન્ઝીન ડાયઝોનિયમ ક્લોરાઈડ બનાવવું.
$4$. બાલ્ઝ-શીમેન પ્રક્રિયા: બેન્ઝીન ડાયઝોનિયમ ક્લોરાઈડની $HBF_4$ સાથે પ્રક્રિયા કરી ગરમ $(\Delta)$ કરવાથી ફ્લોરોબેન્ઝીન મળે છે.
તેથી,વિકલ્પ $(A)$ માં આપેલા પ્રક્રિયકોનો ક્રમ સાચો છે કારણ કે તેમાં ડાયઝોનિયમ ફ્લોરોબોરેટ ક્ષારના વિઘટન માટે જરૂરી ગરમ કરવાનો તબક્કો સામેલ છે.

(A) આલ્કાઈલબેન્ઝીનની ઇલેક્ટ્રોફિલિક એરોમેટિક વિસ્થાપન પ્રત્યેની પ્રતિક્રિયાશીલતા આલ્કાઈલ સમૂહની ઇલેક્ટ્રોન-ડોનેટિંગ અસર પર આધાર રાખે છે,જે હાયપરકોન્જુગેશન અસર દ્વારા થાય છે.
હાયપરકોન્જુગેશન બેન્ઝીન રિંગ સાથે જોડાયેલા કાર્બન પરમાણુ પર હાજર $\alpha$-હાઈડ્રોજનની સંખ્યાના સીધા પ્રમાણમાં હોય છે.
ચાલો દરેક સંયોજન માટે $\alpha$-હાઈડ્રોજન ગણીએ:
$(i)$ ટોલ્યુઈન $(C_6H_5-CH_3)$: $3 \ \alpha-H$
(iv) ઈથાઈલબેન્ઝીન $(C_6H_5-CH_2CH_3)$: $2 \ \alpha-H$
(ii) આઈસોપ્રોપાઈલબેન્ઝીન $(C_6H_5-CH(CH_3)_2)$: $1 \ \alpha-H$
(iii) ટર્ટ-બ્યુટાઈલબેન્ઝીન $(C_6H_5-C(CH_3)_3)$: $0 \ \alpha-H$
પ્રતિક્રિયાશીલતા $\alpha$-હાઈડ્રોજનની સંખ્યાના પ્રમાણમાં હોવાથી,સાચો ક્રમ $(i) > (iv) > (ii) > (iii)$ છે.

(D) શરૂઆતનું સંયોજન $m-\text{બ્રોમોક્લોરોબેન્ઝિન}$ $(m-Br-C_6H_4-Cl)$ છે.
પગલું $1$: $Mg/THF$ સાથેની પ્રક્રિયા ગ્રીગનાર્ડ પ્રક્રિયક બનાવે છે. $C-Br$ બંધની ઓછી બંધ વિયોજન ઉર્જાને કારણે $Mg$ એ $Cl$ કરતા $Br$ સાથે ઝડપથી પ્રક્રિયા કરે છે,તેથી નીપજ $A$ એ $m-\text{ક્લોરોફિનાઇલમેગ્નેશિયમ}$ બ્રોમાઇડ $(m-Cl-C_6H_4-MgBr)$ છે.
પગલું $2$: ગ્રીગનાર્ડ પ્રક્રિયક $A$ એ એસીટાલ્ડિહાઇડ $(CH_3CHO)$ સાથે પ્રક્રિયા કરે છે અને ત્યારબાદ એસિડિક વર્કઅપ $(aq. NH_4Cl)$ દ્વારા દ્વિતીયક આલ્કોહોલ બનાવે છે. ન્યુક્લિયોફિલિક $m-\text{ક્લોરોફિનાઇલ}$ સમૂહ $CH_3CHO$ ના કાર્બોનિલ કાર્બન પર હુમલો કરે છે,જેના પરિણામે નીપજ $B$ તરીકે $m-\text{ક્લોરોફિનાઇલ}-1-\text{ઇથેનોલ}$ $(m-Cl-C_6H_4-CH(OH)CH_3)$ મળે છે.
આપેલા વિકલ્પો સાથે સરખાવતા,આપેલ કોઈ પણ બંધારણ સાચી રાસાયણિક નીપજો $A$ અને $B$ સાથે મેળ ખાતું નથી.

(A) $p-$નાઈટ્રોટોલ્યુઈનના નાઈટ્રેશન પર,$-CH_3$ સમૂહ ઓર્થો-પેરા નિર્દેશક છે અને $-NO_2$ સમૂહ મેટા-નિર્દેશક છે.
બંને સમૂહો આવનારા નાઈટ્રો સમૂહને $-CH_3$ સમૂહની સાપેક્ષ ઓર્થો સ્થાન પર (જે $-NO_2$ સમૂહની સાપેક્ષ મેટા સ્થાન છે) નિર્દેશિત કરે છે.
આમ,$2,4-$ડાયનાઈટ્રોટોલ્યુઈન બને છે.

(B) $p-$ક્લોરોટોલ્યુઈન ની પ્રવાહી $NH_3$ માં $KNH_2$ સાથેની પ્રક્રિયા બેન્ઝાઇન મિકેનિઝમ દ્વારા થાય છે.
$1$. પ્રબળ બેઇઝ $NH_2^-$ એ $p-$ક્લોરોટોલ્યુઈન માંથી ઓર્થો-હાઇડ્રોજન દૂર કરીને બેન્ઝાઇન મધ્યવર્તી સંયોજન બનાવે છે.
$2$. આ બેન્ઝાઇન મધ્યવર્તી સંયોજન $4-$મિથાઈલબેન્ઝાઇન છે.
$3$. $NH_2^-$ દ્વારા ન્યુક્લિયોફિલિક હુમલો મિથાઈલ સમૂહની સાપેક્ષમાં $meta$ અથવા $para$ સ્થાન પર થઈ શકે છે.
$4$. $meta$ સ્થાન પર હુમલો થવાથી $m-$ટોલ્યુઈડિન મળે છે,જ્યારે $para$ સ્થાન પર હુમલો થવાથી $p-$ટોલ્યુઈડિન મળે છે.
$5$. મિથાઈલ સમૂહની ઇન્ડક્ટિવ અસરને કારણે $meta$ સ્થાન વધુ ઇલેક્ટ્રોફિલિક હોય છે,તેથી $m-$ટોલ્યુઈડિન મુખ્ય નીપજ તરીકે મળે છે.