Electronegativity Questions in Gujarati

(A) ઇલેક્ટ્રોનેગેટિવિટી $(EN)$ એ પરિમાણરહિત ગુણધર્મ છે, જે સહસંયોજક બંધમાં ઇલેક્ટ્રોનની ભાગીદારીની જોડીને પોતાની તરફ આકર્ષવાની પરમાણુની સાપેક્ષ વૃત્તિ તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે.
ઇલેક્ટ્રોન એફિનિટી $(EA)$ અને આયનીકરણ પોટેન્શિયલ $(IP)$ ઉર્જાના એકમોમાં માપવામાં આવે છે (દા.ત., $kJ \ mol^{-1}$ અથવા $eV \ atom^{-1}$).
પરમાણુ ત્રિજ્યા $(AR)$ લંબાઈના એકમોમાં માપવામાં આવે છે (દા.ત., $pm$ અથવા $\mathring{A}$).
તેથી, $EN$ નો કોઈ એકમ નથી.

(C) ફ્લોરિન એ આવર્ત કોષ્ટકમાં સૌથી વધુ વિદ્યુતઋણતા ધરાવતું તત્વ છે.
તેની સૌથી વધુ વિદ્યુતઋણતાને કારણે,તે હંમેશા ઇલેક્ટ્રોનને આકર્ષે છે અને ક્યારેય ઇલેક્ટ્રોન ગુમાવીને ધન ઓક્સિડેશન અવસ્થા દર્શાવતું નથી.
તેથી,તે માત્ર $-1$ ઓક્સિડેશન અવસ્થા જ દર્શાવે છે.

(C) $Al$ ની વિદ્યુતઋણતા $1.5$ છે,જે $Be$ $(1.5)$ ની સમાન છે.
$Al$ અને $Be$ આવર્ત કોષ્ટકમાં વિકર્ણી સંબંધ (diagonal relationship) ધરાવે છે,જે તેમના ગુણધર્મોમાં સમાનતા સમજાવે છે.

(C) આવર્ત કોષ્ટકમાં ડાબેથી જમણે જતાં વિદ્યુતઋણતા સામાન્ય રીતે વધે છે અને સમૂહમાં ઉપરથી નીચે જતાં ઘટે છે.
આપેલ જોડીઓની સરખામણી:
$(A)$ $Te$ $(2.1)$ અને $Xe$ $(2.6)$: $Xe > Te$,તેથી $Te > Xe$ ખોટું છે.
$(B)$ $Ga$ $(1.8)$ અને $Ge$ $(2.0)$: $Ge > Ga$,તેથી $Ga > Ge$ ખોટું છે.
$(C)$ $Si$ $(1.9)$ અને $Al$ $(1.6)$: $Si > Al$ સાચું છે.
$(D)$ $P$ $(2.1)$ અને $S$ $(2.5)$: $S > P$,તેથી $P > S$ ખોટું છે.
તેથી,સાચો વિકલ્પ $C$ છે.

(D) $p-$બ્લોકના $3^{rd}$ આવર્તના તત્વો $Al$,$Si$,$P$,$S$ અને $Cl$ છે.
આપેલ છે કે એક ધાતુ છે અને બાકીના અધાતુ છે,અને વિદ્યુતઋણતાનો ક્રમ $P < Q < R < S$ છે,તેથી તત્વો $Al$ (ધાતુ),$Si$,$P$ અને $S$ (અધાતુ) છે.
આ તત્વોની વિદ્યુતઋણતાના મૂલ્યો: $Al (1.61) < Si (1.90) < P (2.19) < S (2.58)$ છે.
આમ,$P = Al$,$Q = Si$,$R = P$,અને $S = S$.
હાઈપોવેલેન્ટ સંયોજન એટલે કે જેમાં મધ્યસ્થ પરમાણુની સંયોજકતા કક્ષામાં $8$ કરતા ઓછા ઈલેક્ટ્રોન હોય.
$AlCl_3$ એ જાણીતું હાઈપોવેલેન્ટ સંયોજન છે કારણ કે $Al$ પરમાણુની સંયોજકતા કક્ષામાં માત્ર $6$ ઈલેક્ટ્રોન હોય છે.
તેથી,તત્વ $P$ $(Al)$ હાઈપોવેલેન્ટ ક્લોરાઈડ બનાવે છે.

(D) $1$. આયનીકરણ પોટેન્શિયલ $(IP)$ સમૂહમાં નીચે જતાં ઘટે છે.
$2$. વિદ્યુતઋણતા એ $s$-કેરેક્ટરના ટકાવારી પર આધાર રાખે છે. $sp^3$ માં $s$-કેરેક્ટર $25\%$ છે,જ્યારે $sp$ માં તે $50\%$ છે. તેથી,વિદ્યુતઋણતાનો સાચો ક્રમ $sp > sp^2 > sp^3$ છે. આમ,$sp^3 > sp$ વિધાન ખોટું છે.

(C) $1$. Pauling ની વિદ્યુતઋણતા $(EN)$ સ્કેલ બંધ ઉર્જાના તફાવત પર આધારિત છે.
$2$. Allred-Rochow $EN$ એ $0.359 \times (Z_{eff} / r^2) + 0.744$ તરીકે વ્યાખ્યાયિત થયેલ છે,તેથી તે $Z_{eff}$ વધવાની સાથે વધે છે.
$3$. Mulliken $EN$ એ આયનીકરણ એન્થાલ્પી $(I.P.)$ અને ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી $(EA)$ ના સરેરાશ (અંકગણિતીય મધ્યક) તરીકે વ્યાખ્યાયિત થયેલ છે,એટલે કે $EN_M = (I.P. + EA) / 2$. તે ભૌમિતિક મધ્યક નથી.
$4$. સામાન્ય રીતે સમૂહમાં નીચે તરફ જતાં વિદ્યુતઋણતા ઘટે છે.

(C) વિદ્યુતઋણતા $(E.N.)$ એ પરમાણુની ઓક્સિડેશન અવસ્થા અને સંકરણ પર આધાર રાખે છે.
$A$. Pauling સ્કેલ પર $F$ $(4.0)$ એ $N$ $(3.04)$ કરતા વધુ વિદ્યુતઋણ છે. આ સાચું છે.
$B$. જેમ પરમાણુની ઓક્સિડેશન અવસ્થા વધે છે,તેમ તેની વિદ્યુતઋણતા વધે છે. $Cl_2O_7$ માં $Cl$ નો ઓક્સિડેશન આંક $+7$ છે,જ્યારે $Cl_2O_5$ માં $+5$ છે. તેથી,$Cl_2O_7$ માં $Cl$ ની $E.N.$ $>$ $Cl_2O_5$ માં $Cl$ ની $E.N.$. આ સાચું છે.
$C$. $CH_4$ માં,$C$ એ $sp^3$ સંકરણ ધરાવે છે ($25\% \ s$-લક્ષણ),જ્યારે $CO_2$ માં,$C$ એ $sp$ સંકરણ ધરાવે છે ($50\% \ s$-લક્ષણ). વધુ $s$-લક્ષણ વધુ વિદ્યુતઋણતા તરફ દોરી જાય છે. તેથી,$CO_2$ માં $C$ ની $E.N.$ $>$ $CH_4$ માં $C$ ની $E.N.$. આપેલ વિધાન ખોટું છે.
$D$. આયન પર વધુ ધન વીજભાર તેની વિદ્યુતઋણતા વધારે છે. $Cu^{2+}$ પર $Cu^{+}$ કરતા વધુ ધન વીજભાર છે,તેથી $Cu^{2+}$ ની $E.N.$ $>$ $Cu^{+}$ ની $E.N.$. આ સાચું છે.
તેથી,ખોટું વિધાન $C$ છે.

(A) દ્રાવણની પ્રકૃતિ $M-O-H$ માં બંધ તૂટવા પર આધાર રાખે છે. જો $M-O$ બંધ તૂટે તો તે $OH^-$ મુક્ત કરે છે,જે બેઝિક બનાવે છે. જો $O-H$ બંધ તૂટે તો તે $H $ મુક્ત કરે છે,જે એસિડિક બનાવે છે.
બંધ ત્યાંથી તૂટે છે જ્યાં વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત $(\Delta EN)$ વધારે હોય.
$M_1OH$ માટે: $\Delta EN(M_1-O) = 0.1$ અને $\Delta EN(O-H) = 1.4$. અહીં $\Delta EN(O-H) > \Delta EN(M_1-O)$ હોવાથી $O-H$ બંધ તૂટે છે,તેથી દ્રાવણ એસિડિક છે.
$M_2OH$ માટે: $\Delta EN(M_2-O) = 2.3$ અને $\Delta EN(O-H) = 1.4$. અહીં $\Delta EN(M_2-O) > \Delta EN(O-H)$ હોવાથી $M_2-O$ બંધ તૂટે છે,તેથી દ્રાવણ બેઝિક છે.
આમ,દ્રાવણો અનુક્રમે એસિડિક અને બેઝિક હશે.

(B) પોલિંગ સ્કેલ પર વિદ્યુતઋણતાના મૂલ્યો આશરે છે: $Si (1.90)$,$P (2.19)$,$C (2.55)$,અને $N (3.04)$.
આમ,વિદ્યુતઋણતાનો વધતો ક્રમ $Si < P < C < N$ છે.
આવર્તમાં,અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભારમાં વધારાને કારણે ડાબેથી જમણે જતાં વિદ્યુતઋણતા વધે છે.
સમૂહમાં,પરમાણુ કદ અને શીલ્ડિંગ અસરમાં વધારાને કારણે ઉપરથી નીચે જતાં વિદ્યુતઋણતા ઘટે છે.

(D) Allred-Rochow સ્કેલ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન પર ન્યુક્લિયસ દ્વારા લાગુ પડતા ઇલેક્ટ્રોસ્ટેટિક બળના આધારે ઇલેક્ટ્રોનેગેટિવિટી વ્યાખ્યાયિત કરે છે.
તેનું સૂત્ર છે: $EN_{AR} = 0.359 \frac{Z_{eff.}}{r^2} + 0.744$,જ્યાં $Z_{eff.}$ એ અસરકારક ન્યુક્લિયર ચાર્જ છે અને $r$ એ $\mathring{A}$ માં સહસંયોજક ત્રિજ્યા છે.

(C) સંયોજન $M-O-H$ માં,બંધનું વિભાજન વિદ્યુતઋણતાના તફાવત પર આધાર રાખે છે.
જો $M$ અને $O$ વચ્ચેની વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત $O$ અને $H$ વચ્ચેના વિદ્યુતઋણતાના તફાવત કરતા વધારે હોય,તો $M-O$ બંધ વધુ ધ્રુવીય બને છે અને $M^+$ અને $OH^-$ આયનો બનાવવા માટે તૂટે છે.
તેથી,$M-O$ બંધ તૂટે છે જો $M$ અને $O$ ની $\Delta (E.N.) > O$ અને $H$ ની $\Delta (E.N.)$ હોય.

(A) પાઉલિંગ સ્કેલ પર વિદ્યુતઋણતા $(X)$ એ આયનીકરણ એન્થાલ્પી $(I.E.)$ અને ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી $(E.A.)$ ના સરવાળા સાથે નીચે મુજબ સંબંધિત છે: $X = \frac{I.E. + E.A.}{540}$ (જ્યાં ઉર્જા $kJ \ mol^{-1}$ માં હોય).
આપેલ છે: $I.E. = 275 \ kcal \ mol^{-1}$ અને $E.A. = 86 \ kcal \ mol^{-1}$.
સરવાળો $= 275 + 86 = 361 \ kcal \ mol^{-1}$.
$1 \ kcal = 4.184 \ kJ$ નો ઉપયોગ કરીને $kJ \ mol^{-1}$ માં રૂપાંતર: $361 \times 4.184 = 1510.42 \ kJ \ mol^{-1}$.
વિદ્યુતઋણતા $= \frac{1510.42}{540} \approx 2.797 \approx 2.8$.

(C) સહસંયોજક બંધમાં પરમાણુ પરનો આંશિક વીજભાર બંધિત પરમાણુઓની સાપેક્ષ વિદ્યુતઋણતા $(EN)$ પર આધાર રાખે છે. જે પરમાણુની વિદ્યુતઋણતા વધારે હોય તે આંશિક ઋણ વીજભાર $(\delta-)$ મેળવે છે,જ્યારે ઓછી વિદ્યુતઋણતા ધરાવતો પરમાણુ આંશિક ધન વીજભાર $(\delta )$ મેળવે છે.
$(a)$ $HCl$ માં,$EN_{Cl} (3.16) > EN_H (2.20)$,તેથી $Cl$ પર આંશિક ઋણ વીજભાર છે.
$(b)$ $BrCl$ માં,$EN_{Cl} (3.16) > EN_{Br} (2.96)$,તેથી $Cl$ પર આંશિક ઋણ વીજભાર છે.
$(c)$ $OCl_2$ માં,$EN_O (3.44) > EN_{Cl} (3.16)$,તેથી $Cl$ પર આંશિક ધન વીજભાર $(\delta )$ છે.
$(d)$ $SCl_2$ માં,$EN_{Cl} (3.16) > EN_S (2.58)$,તેથી $Cl$ પર આંશિક ઋણ વીજભાર છે.
તેથી,સાચો વિકલ્પ $C$ છે.

(C) બંધની ધ્રુવીયતા બંધિત પરમાણુઓ વચ્ચેના વિદ્યુતઋણતાના તફાવત પર આધાર રાખે છે. વિદ્યુતઋણતાના મૂલ્યો છે: $N = 3.04$,$F = 3.98$,$O = 3.44$,$Cl = 3.16$.
તફાવતની ગણતરી:
$|N - Cl| = |3.04 - 3.16| = 0.12$
$|O - F| = |3.44 - 3.98| = 0.54$
$|N - F| = |3.04 - 3.98| = 0.94$
$|N - N| = |3.04 - 3.04| = 0$
$N - F$ બંધમાં વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત સૌથી વધુ હોવાથી,તે સૌથી વધુ ધ્રુવીય બંધ છે.

(C) ફ્લોરિનની ઊંચી વિદ્યુતઋણતાને કારણે,તેની ઇલેક્ટ્રોન સ્વીકારવાની વૃત્તિ ઘણી વધારે છે અને તે રિડક્શન પામે છે. આથી,$Br_2$ ની સરખામણીએ ફ્લોરિન પ્રબળ ઓક્સિડેશનકર્તા તરીકે વર્તે છે.

(A) પૌલિંગ સ્કેલ પર વિદ્યુતઋણતાના મૂલ્યો નીચે મુજબ છે: $F (4.0)$,$O (3.44)$,$Cl (3.16)$,અને $Br (2.96)$.
તેથી,વિદ્યુતઋણતાનો સાચો ક્રમ $F > O > Cl > Br$ છે.

(C) $1$. વિકલ્પ $A$: $S^{2-}, Cl^{-}, K^{+}, Ca^{2+}$ એ $18$ ઇલેક્ટ્રોન ધરાવતી આઇસોઇલેક્ટ્રોનિક સ્પીસીઝ છે. જેમ પરમાણુ ક્રમાંક $(Z)$ વધે તેમ આયનીકરણ ઉર્જા વધે છે. સાચો ક્રમ $Ca^{2+} > K^{+} > Cl^{-} > S^{2-}$ છે. તેથી,$A$ ખોટું છે.
$2$. વિકલ્પ $B$: $2^{nd}$ આયનીકરણ ઉર્જામાં કેટાયનમાંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવામાં આવે છે. $C^{+}, N^{+}, O^{+}, F^{+}$ માટે,સાચો ક્રમ $C < N < O < F$ છે. તેથી,$B$ ખોટું છે.
$3$. વિકલ્પ $C$: વિદ્યુતઋણતા સામાન્ય રીતે સમૂહમાં નીચે જતાં ઘટે છે. $B > Al > Ga > In > Tl$ ક્રમ સાચો છે.
$4$. વિકલ્પ $D$: આઇસોઇલેક્ટ્રોનિક સ્પીસીઝ માટે આયનીય ત્રિજ્યા પરમાણુ ક્રમાંક વધવાની સાથે ઘટે છે. તેથી,$D$ ખોટું છે.

(A) સહસંયોજક બંધની આયનીય લાક્ષણિકતા બંધિત પરમાણુઓ વચ્ચેની વિદ્યુતઋણતાના તફાવતના સમપ્રમાણમાં હોય છે.
હાઇડ્રોજન $(H)$ ની વિદ્યુતઋણતા $2.1$ છે.
હાઇડ્રોજન હેલાઇડ્સ માટે વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત $(\Delta EN)$ નીચે મુજબ છે:
$HF: |4.0 - 2.1| = 1.9$
$HCl: |3.0 - 2.1| = 0.9$
$HBr: |2.8 - 2.1| = 0.7$
$HI: |2.5 - 2.1| = 0.4$
$HF$ માં વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત સૌથી વધુ હોવાથી,તે મહત્તમ આયનીય લાક્ષણિકતા ધરાવે છે.

(C) મુલિકનના સ્કેલ મુજબ,તત્વની વિધુતઋણતા $(EN)$ એ તેની આયનીકરણ ઊર્જા $(IE)$ અને ઇલેક્ટ્રોન બંધુતા $(EA)$ ના સરેરાશ તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે.
ગાણિતિક રીતે,તે આ રીતે દર્શાવવામાં આવે છે: $EN = \frac{IE + EA}{2}$.
તેથી,વિધુતઋણતા નક્કી કરવા માટે આયનીકરણ ઊર્જા અને ઇલેક્ટ્રોન બંધુતા બંને જરૂરી છે.

(C) વિદ્યુતઋણતા સામાન્ય રીતે આવર્તમાં ડાબેથી જમણે જતાં વધે છે અને સમૂહમાં ઉપરથી નીચે જતાં ઘટે છે.
આપેલા તત્વો માટે: $Si$ (સમૂહ $14$,આવર્ત $3$),$P$ (સમૂહ $15$,આવર્ત $3$),$C$ (સમૂહ $14$,આવર્ત $2$),અને $N$ (સમૂહ $15$,આવર્ત $2$).
પોલિંગ સ્કેલ પર તેમના મૂલ્યોની સરખામણી કરતા: $Si \approx 1.90$,$P \approx 2.19$,$C \approx 2.55$,અને $N \approx 3.04$.
તેથી,વિદ્યુતઋણતાનો સાચો વધતો ક્રમ $Si < P < C < N$ છે.

(C) પોલિંગ સ્કેલ પર વિધુતઋણતાના મૂલ્યો નીચે મુજબ છે:
$H = 2.1$
$Li = 1.0$
$Na = 0.9$
આ મૂલ્યોની સરખામણી કરતા,ક્રમ $H (2.1) > Li (1.0) > Na (0.9)$ મળે છે.
તેથી,સાચો ઘટતો ક્રમ $H, Li, Na$ છે.

(D) આવર્ત કોષ્ટકમાં ડાબેથી જમણી તરફ જતાં વિદ્યુતઋણતા સામાન્ય રીતે વધે છે.
તત્વો $C$,$N$,$O$ અને $F$ બીજા આવર્તના તત્વો છે.
તેમના પરમાણુ ક્રમાંક $C (6)$,$N (7)$,$O (8)$ અને $F (9)$ છે.
આવર્તી વલણ મુજબ,વિદ્યુતઋણતાનો ક્રમ $C < N < O < F$ છે.
તેથી,ઘટતો ક્રમ $F > O > N > C$ થશે.

(A) આવર્ત કોષ્ટકમાં સૌથી વધુ વિદ્યુતઋણ તત્વ ફ્લોરિન $(F)$ છે.
તેનો પરમાણુ ક્રમાંક $9$ છે.
ફ્લોરિનની ઇલેક્ટ્રોન રચના $1s^2 2s^2 2p^5$ છે.
તેની સંયોજકતા કોશની રચના $ns^2 np^5$ (જ્યાં $n=2$) છે.
તેથી,સાચો વિકલ્પ $A$ છે.

(B) હાઇડ્રોક્સાઇડ $E-O-H$ માં,તેનો સ્વભાવ $E$ અને $O$ વચ્ચેની તથા $O$ અને $H$ વચ્ચેની વિધુતઋણતાના તફાવત પર આધાર રાખે છે.
જો $E$ અને $O$ વચ્ચેની વિધુતઋણતાનો તફાવત મોટો ($1.4$ કરતા વધુ) હોય,તો $E-O$ બંધ અત્યંત ધ્રુવીય બને છે અને $OH^-$ આયનો મુક્ત કરવા માટે તૂટે છે.
તેથી,આ સંયોજન બેઝ તરીકે વર્તે છે.
તેનાથી વિપરીત,જો $O$ અને $H$ વચ્ચેની વિધુતઋણતાનો તફાવત વધુ હોય,તો $O-H$ બંધ તૂટીને $H^+$ આયનો મુક્ત કરે છે,જે સંયોજનને એસિડિક બનાવે છે.

(C) ઓક્સાઈડની એસિડિક પ્રકૃતિ તત્વના અધાત્વીય ગુણધર્મ સાથે વધે છે,જે વિદ્યુતઋણતા $(EN)$ સાથે વધે છે.
$X$ એસિડિક ઓક્સાઈડ બનાવે છે,તેથી તે ઉચ્ચ $EN$ ધરાવતું અધાતુ છે.
$Z$ ઉભયગુણી ઓક્સાઈડ બનાવે છે,જે મધ્યવર્તી ગુણધર્મ ધરાવે છે.
$Y$ બેઝિક ઓક્સાઈડ બનાવે છે,તેથી તે ઓછી $EN$ ધરાવતી ધાતુ છે.
તેથી,વિદ્યુતઋણતાનો ક્રમ $X > Z > Y$ છે.

(B) પરમાણુની વિદ્યુતઋણતા $(EN)$ તેના ઓક્સિડેશન આંકમાં વધારા સાથે વધે છે કારણ કે અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભાર વધે છે.
$N_2O_5$ માં $N$ નો ઓક્સિડેશન આંક $+5$ છે,જ્યારે $NO_2$ માં તે $+4$ છે. તેથી,$N_2O_5 > NO_2$ માં $N$ ની $EN$ સાચું છે.
$CH_4$ માં $C$ નો ઓક્સિડેશન આંક $-4$ છે,જ્યારે $CO_2$ માં તે $+4$ છે. તેથી,$CO_2 > CH_4$ માં $C$ ની $EN$ હોવી જોઈએ. તેથી,$CH_4 > CO_2$ ક્રમ ખોટો છે.
$Cu^{2+}$ અને $Cu^+$ માટે,ઉચ્ચ ધન વીજભાર ઉચ્ચ $EN$ તરફ દોરી જાય છે,તેથી $Cu^{2+} > Cu^+$ સાચું છે.
બંધની ધ્રુવીયતા વિદ્યુતઋણતાના તફાવત પર આધાર રાખે છે. $P$ અને $F$ વચ્ચેનો તફાવત $O$ અને $F$ વચ્ચેના તફાવત કરતા વધારે છે,જે $P-F$ ને $O-F$ કરતા વધુ ધ્રુવીય બનાવે છે.

(A) મુલિકન સ્કેલ મુજબ,તત્વની વિદ્યુતઋણતા $(EN)$ એ તેના આયનીકરણ પોટેન્શિયલ $(IP)$ અને ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી $(EA)$ ની સરેરાશ છે.
સૂત્ર છે: $EN = \frac{IP + EA}{2}$.
અહીં $EN = E_1$ અને $IP = E_2$ આપેલ છે,તેથી:
$E_1 = \frac{E_2 + EA}{2}$.
બંને બાજુ $2$ વડે ગુણતા:
$2E_1 = E_2 + EA$.
$EA$ માટે સૂત્ર બનાવતા:
$EA = 2E_1 - E_2$.

(D) બંધની ધ્રુવીયતા બંધિત પરમાણુઓ વચ્ચેની વિદ્યુતઋણતાના તફાવત પર આધાર રાખે છે. વિદ્યુતઋણતાના મૂલ્યો (પોલિંગ સ્કેલ) છે: $O = 3.44$,$F = 3.98$,$S = 2.58$,$Cl = 3.16$,અને $Si = 1.90$.
તફાવતની ગણતરી:
$OF_2$: $|3.98 - 3.44| = 0.54$
$SF_4$: $|3.98 - 2.58| = 1.40$
$ClF$: $|3.98 - 3.16| = 0.82$
$SiF_4$: $|3.98 - 1.90| = 2.08$
વિદ્યુતઋણતામાં મહત્તમ તફાવત ધરાવતો બંધ $SiF_4$ માં $Si-F$ બંધ છે.

(C) વિધાન સાચું છે કારણ કે ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી એ અલગ પડેલા વાયુરૂપ પરમાણુમાં ઇલેક્ટ્રોન ઉમેરતી વખતે મુક્ત થતી ઉર્જા છે,જ્યારે વિદ્યુતઋણતા એ બંધિત પરમાણુની સહિયારા ઇલેક્ટ્રોનને આકર્ષવાની વૃત્તિ છે.
કારણ ખોટું છે કારણ કે ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી એ પ્રાયોગિક રીતે માપી શકાય તેવી રાશિ છે ($kJ \ mol^{-1}$ માં),જ્યારે વિદ્યુતઋણતા એ સાપેક્ષ માપદંડ છે (જેમ કે $Pauling$ સ્કેલ) અને તે સીધી રીતે માપી શકાતી નથી.

(C) વિધાન સાચું છે કારણ કે $F$ એ આવર્ત કોષ્ટકનું સૌથી વધુ વિદ્યુતઋણ તત્વ છે.
કારણ ખોટું છે કારણ કે $F$ ની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી $Cl$ કરતા ઓછી છે.
આનું કારણ $F$ પરમાણુનું નાનું કદ છે,જેના કારણે તેના $2p$ પેટાકોષમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોન વચ્ચે આંતર-ઇલેક્ટ્રોનિક અપાકર્ષણ થાય છે,જે $Cl$ ની સરખામણીમાં વધારાનો ઇલેક્ટ્રોન ઉમેરવાનું ઓછું અનુકૂળ બનાવે છે.

(N/A) તત્વની વિદ્યુતઋણતા એ નિશ્ચિત મૂલ્ય નથી; તે એક ચલ ગુણધર્મ છે જે અણુમાં રહેલા પરમાણુની ઓક્સિડેશન અવસ્થા અને રાસાયણિક વાતાવરણ પર આધાર રાખે છે.
તેથી,એ વિધાન કે તમામ નાઇટ્રોજન સંયોજનોમાં પાઉલિંગ સ્કેલ પર $N$ ની વિદ્યુતઋણતા $3.0$ છે,તે ખોટું છે.
ઉદાહરણ તરીકે,$N$ ની વિદ્યુતઋણતા તેના સંકરણ અને તેની સાથે જોડાયેલા પરમાણુઓના સ્વભાવ પર આધાર રાખે છે,જેમ કે $NH_3$ અને $NO_2$ માં અલગ હોય છે.

(N/A) વિદ્યુતઋણતા એટલે રાસાયણિક સંયોજનમાં રહેલા પરમાણુની બંધિત ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મને પોતાની તરફ આકર્ષવાની ક્ષમતા.
વિદ્યુતઋણતા અને ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી વચ્ચેના તફાવત:
$1$. વિદ્યુતઋણતા એ બંધિત અવસ્થામાં ઇલેક્ટ્રોનને આકર્ષવાની સાપેક્ષ વૃત્તિ છે,જ્યારે ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી એ અલગ વાયુરૂપ પરમાણુમાં ઇલેક્ટ્રોન ઉમેરતી વખતે થતો ઉર્જાનો ફેરફાર છે.
$2$. વિદ્યુતઋણતા એ માપી શકાય તેવી રાશિ નથી,જ્યારે ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી પ્રાયોગિક રીતે માપી શકાય છે.
$3$. વિદ્યુતઋણતા એ તત્વ માટે અચળ મૂલ્ય નથી કારણ કે તે જોડાયેલા પરમાણુ પર આધાર રાખે છે,જ્યારે ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી એ તત્વનો લાક્ષણિક ગુણધર્મ છે.

(N/A) આ વિધાન ખોટું છે.
કોઈપણ તત્વની વિદ્યુતઋણતા એ અચળ મૂલ્ય નથી; તે રાસાયણિક વાતાવરણ પર આધાર રાખે છે.
ખાસ કરીને,તે નાઈટ્રોજન પરમાણુની સંકરણ અવસ્થા (જેમ કે $sp$,$sp^2$,અથવા $sp^3$ સંકરણ) પર આધાર રાખે છે.
તે નાઈટ્રોજન પરમાણુની ઓક્સિડેશન અવસ્થા અને તેની સાથે જોડાયેલા પરમાણુઓ અથવા સમૂહોની પ્રકૃતિ પર પણ આધાર રાખે છે.

વિદ્યુતઋણતા:
- રાસાયણિક સંયોજનમાં રહેલા પરમાણુની સહિયારી ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મને પોતાની તરફ આકર્ષવાની ક્ષમતાને વિદ્યુતઋણતા કહે છે.
$\rightarrow$ તે સીધી રીતે માપી શકાય તેવી રાશિ નથી.
$\rightarrow$ અમેરિકન વૈજ્ઞાનિક લિનસ પાઉલિંગે $1922$ માં ફ્લોરિનને સ્વેચ્છાએ $4.0$ નું મૂલ્ય આપ્યું હતું.
આવર્તિતતા:
- જ્યારે આપણે આવર્ત કોષ્ટકમાં ડાબેથી જમણે જઈએ છીએ,ત્યારે અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભારમાં વધારો અને પરમાણુ કદમાં ઘટાડાને કારણે વિદ્યુતઋણતા વધે છે.
ઉદાહરણ: બીજો આવર્ત

તત્વ	વિદ્યુતઋણતા
$Li$	$1.0$
$Be$	$1.5$
$B$	$2.0$
$C$	$2.5$
$N$	$3.0$
$O$	$3.5$
$F$	$4.0$

- જ્યારે આપણે આવર્ત કોષ્ટકમાં ઉપરથી નીચે જઈએ છીએ,ત્યારે પરમાણુ કદમાં વધારો અને શીલ્ડિંગ અસરને કારણે વિદ્યુતઋણતા ઘટે છે.
ઉદાહરણ: સમૂહ-$17$

તત્વ	વિદ્યુતઋણતા
$F$	$4.0$
$Cl$	$3.0$
$Br$	$2.8$
$I$	$2.5$
$At$	$2.2$

(N/A) બંધનો આયનીય ગુણધર્મ બે બંધિત પરમાણુઓ વચ્ચેના વિદ્યુતઋણતાના તફાવત સાથે સીધો સંબંધ ધરાવે છે. તફાવત જેટલો વધારે,બંધ તેટલો વધુ ધ્રુવીય (આયનીય) હોય છે.

બંધ	વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત
$C-H$	$2.5 - 2.1 = 0.4$
$N-H$	$3.0 - 2.1 = 0.9$
$O-H$	$3.5 - 2.1 = 1.4$
$F-H$	$4.0 - 2.1 = 1.9$

વિદ્યુતઋણતાના મૂલ્યોના આધારે,આયનીય ગુણધર્મનો વધતો ક્રમ નીચે મુજબ છે:
$C-H < N-H < O-H < F-H$

(A) સહસંયોજક બંધનો આયનીય ગુણધર્મ બંધિત પરમાણુઓ વચ્ચેની વિદ્યુતઋણતાના તફાવત પર આધાર રાખે છે.
વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત જેટલો વધારે,તેટલો આયનીય ગુણધર્મ વધારે.
પોલિંગ સ્કેલ પર વિદ્યુતઋણતાના મૂલ્યો છે: $C = 2.5, N = 3.0, O = 3.5$.
$1$. $C-C$ માટે: વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત = $|2.5 - 2.5| = 0$.
$2$. $C-N$ માટે: વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત = $|3.0 - 2.5| = 0.5$.
$3$. $C-O$ માટે: વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત = $|3.5 - 2.5| = 1.0$.
આમ,વધતા આયનીય ગુણધર્મનો ક્રમ $C-C < C-N < C-O$ છે.

(B) સહસંયોજક બંધની ધ્રુવીયતા બંધિત પરમાણુઓ વચ્ચેના વિદ્યુતઋણતાના તફાવત પર આધાર રાખે છે.
વિદ્યુતઋણતાના મૂલ્યો છે: $N = 3.04$,$H = 2.20$,અને $F = 3.98$.
$N-H$ બંધ માટે વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત $|3.04 - 2.20| = 0.84$ છે.
$N-F$ બંધ માટે વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત $|3.04 - 3.98| = 0.94$ છે.
$0.94 > 0.84$ હોવાથી,$N-F$ બંધમાં વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત વધારે છે અને તેથી તે $N-H$ બંધ કરતા વધુ ધ્રુવીય છે.

(B) વિદ્યુતઋણતા $(E.N.)$ આવર્તમાં ડાબેથી જમણે જતાં વધે છે અને સમૂહમાં ઉપરથી નીચે જતાં ઘટે છે. ફ્લોરિન $(F)$ સૌથી વધુ વિદ્યુતઋણ તત્વ છે $(E.N. = 4.0)$,જ્યારે આલ્કલી ધાતુઓ સૌથી ઓછી વિદ્યુતઋણતા ધરાવે છે.
આપેલ જોડીઓની સરખામણી:
$1$. $Li$ $(1.0)$ અને $F$ $(4.0)$: તફાવત = $3.0$
$2$. $Na$ $(0.9)$ અને $F$ $(4.0)$: તફાવત = $3.1$
$3$. $Na$ $(0.9)$ અને $Br$ $(2.8)$: તફાવત = $1.9$
$4$. $Na$ $(0.9)$ અને $Cl$ $(3.0)$: તફાવત = $2.1$
આમ,$Na \& F$ જોડીમાં વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત સૌથી વધુ છે.

(D) આપેલા તત્વો માટે પાઉલિંગ સ્કેલ પર વિદ્યુતઋણતા $(E.N.)$ ના મૂલ્યો નીચે મુજબ છે:

તત્વ	$E.N.$ મૂલ્ય
$Br$	$3.0$
$C$	$2.5$
$At$	$2.2$
$P$	$2.1$

આ મૂલ્યોના આધારે,વિદ્યુતઋણતાનો સાચો ક્રમ $Br > C > At > P$ છે. તેથી,સાચો વિકલ્પ $D$ છે.

(A) સમૂહ $14$ ના તત્વોની વિદ્યુતઋણતા નીચે મુજબ છે:
$C = 2.5$,$Si = 1.8$,$Ge = 1.8$,$Sn = 1.8$,$Pb = 1.9$.
$Si$ થી $Pb$ સુધી વિદ્યુતઋણતાના મૂલ્યો ક્રમશઃ ઘટતા નથી; તે લગભગ અચળ ($1.8$ થી $1.9$) રહે છે. તેથી,વિધાન $I$ ખોટું છે.
સમૂહ $14$ માં કાર્બન (અધાતુ),સિલિકોન અને જર્મેનિયમ (અર્ધધાતુ),અને ટીન અને લેડ (ધાતુ) નો સમાવેશ થાય છે. તેથી,વિધાન $II$ સાચું છે.

(D) વિદ્યુતઋણતા સામાન્ય રીતે આવર્તમાં ડાબેથી જમણે જતાં વધે છે અને સમૂહમાં ઉપરથી નીચે જતાં ઘટે છે.
$Si$ એ આવર્ત $3$,સમૂહ $14$ માં છે.
$C$ એ આવર્ત $2$,સમૂહ $14$ માં છે.
$N, O, F$ એ આવર્ત $2$,અનુક્રમે સમૂહ $15, 16, 17$ માં છે.
$Si$ અને $C$ ની સરખામણી: $Si$ એ $C$ ની નીચે છે,તેથી $Si < C$.
આવર્ત $2$ ના તત્વોની સરખામણી: વિદ્યુતઋણતા $C < N < O < F$ મુજબ વધે છે.
આ બંનેને જોડતા,વિદ્યુતઋણતાનો વધતો ક્રમ $Si < C < N < O < F$ છે.
સાચો વિકલ્પ $D$ છે.

(A) આવર્ત કોષ્ટકમાં ડાબેથી જમણે જતાં વિદ્યુતઋણતા સામાન્ય રીતે વધે છે અને સમૂહમાં ઉપરથી નીચે જતાં ઘટે છે.
વિકલ્પ $A$ માં આપેલા તત્વો માટે વિદ્યુતઋણતાના મૂલ્યો (Pauling સ્કેલ પર) નીચે મુજબ છે:
$Mg = 1.2$,$Al = 1.5$,$B = 2.0$,$N = 3.0$.
તેથી,સાચો વધતો ક્રમ $Mg < Al < B < N$ છે.
આપેલ ક્રમ $Al < Mg < B < N$ ખોટો છે.

(D) ઇલેક્ટ્રોનિક રચનાના આધારે તત્વોને ઓળખો:
$A: 1s^2 2s^2 2p^3$ એ $\text{નાઇટ્રોજન}$ $(N)$ છે,વિદ્યુતઋણતા $\approx 3.04$.
$B: 1s^2 2s^2 2p^4$ એ $\text{ઓક્સિજન}$ $(O)$ છે,વિદ્યુતઋણતા $\approx 3.44$.
$C: 1s^2 2s^2 2p^5$ એ $\text{ફ્લોરિન}$ $(F)$ છે,વિદ્યુતઋણતા $\approx 3.98$.
$D: 1s^2 2s^2 2p^2$ એ $\text{કાર્બન}$ $(C)$ છે,વિદ્યુતઋણતા $\approx 2.55$.
આવર્ત કોષ્ટકમાં ડાબેથી જમણે જતાં વિદ્યુતઋણતા વધે છે।
વધતી જતી વિદ્યુતઋણતાનો સાચો ક્રમ $C < N < O < F$ છે,જે $D < A < B < C$ ને અનુરૂપ છે.

(C) $Al$ ની વિદ્યુતઋણતા $1.61$ છે અને $Tl$ ની $1.62$ છે. આમ,$Tl$ ની વિદ્યુતઋણતા $Al$ કરતા સહેજ વધારે છે. તેથી,વિધાન ખોટું છે.
બોરોન પરિવારમાં,$d$ અને $f$ કક્ષકોની નબળી શીલ્ડિંગ અસર (લેન્થેનોઇડ સંકોચન) ને કારણે,સમૂહમાં નીચે તરફ જતાં પરમાણુ કદમાં નિયમિત વધારો થતો નથી. $Ga$ નું કદ લગભગ $Al$ જેટલું જ હોય છે. તેથી,કારણ પણ ખોટું છે.

(C) ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $1s^2$ એ હિલિયમ $(He)$ દર્શાવે છે.
નિષ્ક્રિય વાયુઓ સ્થાયી અષ્ટક (અથવા $He$ ના કિસ્સામાં ડ્યુપ્લેટ) રચના ધરાવે છે,જેના પરિણામે તેમની આયનીકરણ ઉર્જા ખૂબ ઊંચી હોય છે અને તેમની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી અને વિદ્યુતઋણતા લગભગ શૂન્ય હોય છે.

(A) સમૂહ $1$ ના તત્વોની વિદ્યુતઋણતા સમૂહમાં ઉપરથી નીચે તરફ જતાં ઘટે છે,કારણ કે પરમાણુ કદ વધે છે અને અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભાર ઘટે છે.
તેથી,વિદ્યુતઋણતાનો ઘટતો ક્રમ $Li > Na > K > Cs$ છે.
આમ,આપેલા તત્વોમાં $Li$ ની વિદ્યુતઋણતા સૌથી વધુ છે.

(D) આવર્ત કોષ્ટકમાં સમૂહમાં ઉપર તરફ જતાં પરમાણુ કદમાં ઘટાડો અને અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભારમાં વધારો થવાને કારણે વિદ્યુતઋણતા સામાન્ય રીતે વધે છે.
આપેલા તમામ તત્વો ($Be$,$Mg$,$Ca$,$Sr$) સમૂહ $2$ (આલ્કલાઇન અર્થ ધાતુઓ) ના છે.
સમૂહ $2$ માં ઉપરથી નીચે તરફ તત્વોનો ક્રમ $Be$,$Mg$,$Ca$,$Sr$ છે.
તેથી,$Be$ આ સમૂહમાં સૌથી ઉપર હોવાથી,આપેલા વિકલ્પોમાં તેની વિદ્યુતઋણતા સૌથી વધુ છે.

(A) વિદ્યુતઋણતા એ પરમાણુની ભાગીદારીના ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મને પોતાની તરફ આકર્ષવાની ક્ષમતા છે.
આવર્ત કોષ્ટકમાં,સમૂહમાં ઉપરથી નીચે તરફ જતાં પરમાણુનું કદ વધે છે અને અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભાર ઘટે છે,તેથી વિદ્યુતઋણતા સામાન્ય રીતે ઘટે છે.
આપેલા તમામ તત્વો ($Li$,$Na$,$K$,$Rb$) સમૂહ-$1$ (આલ્કલી ધાતુઓ) ના છે.
$Li$ સમૂહમાં સૌથી ઉપર હોવાથી,આપેલા વિકલ્પોમાં તેનું પરમાણુ કદ સૌથી નાનું અને અસરકારક કેન્દ્રીય વીજભાર સૌથી વધુ છે.
તેથી,$Li$ ની વિદ્યુતઋણતા સૌથી વધુ છે.

(B) વિદ્યુતઋણતા સામાન્ય રીતે આવર્તમાં ડાબેથી જમણે જતાં વધે છે અને સમૂહમાં ઉપરથી નીચે જતાં ઘટે છે.
આપેલા તત્વોની સરખામણી કરતાં: $O$ અને $F$ એ $2^{nd}$ આવર્તના તત્વો છે,જ્યારે $S$ અને $Cl$ એ $3^{rd}$ આવર્તના તત્વો છે.
સમૂહમાં નીચે જતાં વિદ્યુતઋણતા ઘટતી હોવાથી,$3^{rd}$ આવર્તના તત્વો ($S$ અને $Cl$) ની વિદ્યુતઋણતા $2^{nd}$ આવર્તના તત્વો ($O$ અને $F$) કરતા ઓછી હોય છે.
$S$ અને $Cl$ વચ્ચે,$S$ એ $3^{rd}$ આવર્તમાં $Cl$ ની ડાબી બાજુએ આવેલું છે,તેથી આપેલા વિકલ્પોમાં $S$ ની વિદ્યુતઋણતા સૌથી ઓછી છે.