Covalent bonding Questions in Gujarati

(C) $B_2H_6$ (ડાયબોરેન) માં,બે બ્રિજિંગ હાઇડ્રોજન પરમાણુઓ $3c-2e^-$ (ત્રણ-કેન્દ્રીય બે-ઇલેક્ટ્રોન) બંધમાં સામેલ હોય છે,જેને બનાના બોન્ડ તરીકે પણ ઓળખવામાં આવે છે.
$Al_2Cl_6$ અને $Fe_2Cl_6$ માં $3c-4e^-$ બંધ હોય છે.
$Si_2H_6$ (ડાયસિલેન) માં સામાન્ય $2c-2e^-$ સહસંયોજક બંધ હોય છે.
તેથી,માત્ર $B_2H_6$ માં $3c-2e^-$ બંધ હોય છે.

(B) $SO_3^{2-}$ માં,મધ્યસ્થ સલ્ફર પરમાણુ વિસ્તૃત અષ્ટક ધરાવે છે અને ઓક્સિજન પરમાણુઓ સાથે $\pi$-બંધ બનાવવા માટે તેના ખાલી $d$-કક્ષકોનો ઉપયોગ કરે છે.
ચોક્કસ રીતે,ઓક્સિજન પરમાણુ પરની અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ સલ્ફર પરમાણુની ખાલી $d$-કક્ષકમાં દાન કરવામાં આવે છે,જેના પરિણામે $p\pi-d\pi$ બંધન રચાય છે.
તેનાથી વિપરીત,$NO_3^-$,$BO_3^{3-}$ અને $CO_3^{2-}$ માં બીજા આવર્તના તત્વો ($N$,$B$,$C$) હોય છે,જેમાં $d$-કક્ષકોનો અભાવ હોય છે,અને તેથી તેઓ ફક્ત $p\pi-p\pi$ બંધન દર્શાવે છે.
તેથી,સાચો વિકલ્પ $B$ છે.

(D) લુઈસ એસિડ એટલે ઇલેક્ટ્રોન-યુગ્મ સ્વીકારનાર.
$PH_3$ અને $NF_3$ માં મધ્યસ્થ પરમાણુ પર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ હોય છે,તેથી તે લુઈસ બેઇઝ તરીકે વર્તે છે.
$NaH$ એ આયનિક હાઇડ્રાઇડ છે જેમાં હાઇડ્રાઇડ આયન $(H^-)$ હોય છે,જે લુઈસ બેઇઝ તરીકે કાર્ય કરે છે.
$B(CH_3)_3$ માં,મધ્યસ્થ બોરોન પરમાણુ પાસે માત્ર $6$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે (અપૂર્ણ અષ્ટક),જે દર્શાવેલ બંધારણ મુજબ છે. તેથી,તે તેનું અષ્ટક પૂર્ણ કરવા માટે ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ સ્વીકારી શકે છે,જે તેને લુઈસ એસિડ બનાવે છે.

(B) $CaC_2$ સંયોજન $Ca^{2+}$ અને $C_2^{2-}$ આયનોનું બનેલું છે.
$C_2^{2-}$ આયનમાં,બે કાર્બન પરમાણુઓ ત્રિબંધ દ્વારા જોડાયેલા હોય છે.
ત્રિબંધમાં એક $\sigma$ બંધ અને બે $\pi$ બંધ હોય છે.
તેથી,$C_2^{2-}$ આયનમાં એક $\sigma$ બંધ અને બે $\pi$ બંધ હોય છે.

(C) $\pi-$ ઇલેક્ટ્રોનના વિસ્થાનિકરણ માટે સંયુગ્મિત (conjugated) સિસ્ટમની જરૂર હોય છે જ્યાં $p-$ કક્ષકો પાસપાસેના પરમાણુઓ પર ઓવરલેપ થાય છે.
$1$. પાયરોલ કેટાયનમાં,નાઇટ્રોજન પરમાણુ $4n+2$ $\pi-$ ઇલેક્ટ્રોન સાથે ચક્રીય સિસ્ટમનો ભાગ છે,જે વિસ્થાનિકરણને મંજૂરી આપે છે.
$2$. એનિલીનિયમ આયન $(C_6H_5NH_3^+)$ માં,બેન્ઝીન રિંગની અંદરના $\pi-$ ઇલેક્ટ્રોન વિસ્થાનિકૃત રહે છે.
$3$. $H_2C=C=CH_2$ (એલીન) માં,મધ્યસ્થ કાર્બન $sp$ સંકરણ ધરાવે છે. બે $\pi-$ બંધ એકબીજાને લંબ હોય છે,જે સમગ્ર અણુમાં સતત $p-$ કક્ષક ઓવરલેપને અટકાવે છે. આમ,$\pi-$ ઇલેક્ટ્રોન તેમના સંબંધિત $\pi-$ બંધમાં સ્થાનિકૃત (localized) રહે છે.
$4$. બોરિરીન ડેરિવેટિવમાં,બોરોન પરમાણુ પાસે ખાલી $p-$ કક્ષક હોય છે,જે દ્વિબંધમાંથી $\pi-$ ઇલેક્ટ્રોનને બોરોન $p-$ કક્ષકમાં વિસ્થાનિકરણ કરવા દે છે.
તેથી,જે અણુમાં $\pi-$ ઇલેક્ટ્રોન સમગ્ર સિસ્ટમમાં વિસ્થાનિકૃત થતા નથી તે એલીન $(H_2C=C=CH_2)$ છે.

(C) બંધ ઉર્જા એ કક્ષકોના ઓવરલેપિંગ અને બંધ લંબાઈ પર આધાર રાખે છે.
ઓક્સિજનનું કદ સલ્ફર કરતા નાનું હોય છે.
ઓક્સિજન પરમાણુના નાના કદને કારણે,$C$ અને $O$ વચ્ચેનું $2p-2p$ સાઇડવેઝ ઓવરલેપિંગ $C=S$ માં રહેલા $2p-3p$ ઓવરલેપિંગ કરતા વધુ અસરકારક છે.
વધુમાં,ઓક્સિજન વધુ વિદ્યુતઋણ હોવાથી બંધ મજબૂત બને છે.
તેથી,આપેલા વિકલ્પોમાં $C = O$ બંધની બંધ ઉર્જા સૌથી વધુ છે.

(D) ખાલી $d$-કક્ષકોની હાજરીને કારણે,$Cl$ પરમાણુમાં ઉત્તેજના થાય છે.
તે તેનું અષ્ટક વિસ્તૃત કરી શકે છે અને $HClO_4$ જેવા હાઇપરવેલેન્ટ સંયોજનો બનાવતી વખતે આઠ કરતા વધુ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન ધરાવી શકે છે.

(A) સંયોજનોનો સમૂહ $BCl_3$,$SiCl_4$,અને $PCl_3$ એ અધાતુઓ વચ્ચે સહસંયોજક બંધ દ્વારા બનેલા અણુઓ છે.
$(B)$ $NH_4Br$ એ $NH_4^+$ અને $Br^-$ આયનો ધરાવતું આયનીય સંયોજન છે.
$(C)$ $NaI$ એ આયનીય સંયોજન છે.
$(D)$ $Al_2O_3$ એ વિશાળ લેટીસ બંધારણ ધરાવતું આયનીય સંયોજન છે.

(B) $CS_2$ નું લુઈસ બંધારણ $S=C=S$ છે,જેમાં દરેક સલ્ફર પરમાણુ પાસે બે અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે અને કાર્બન પરમાણુ મધ્યસ્થ પરમાણુ છે.
દરેક સલ્ફર પરમાણુ કાર્બન પરમાણુ સાથે દ્વિ-બંધ દ્વારા જોડાયેલ છે.
તેથી,અણુમાં બધા જ બંધ દ્વિ-બંધ છે.
બંને સલ્ફર પરમાણુઓ અને મધ્યસ્થ કાર્બન પરમાણુ અષ્ટકનો નિયમ પાળે છે.

(D) જ્યારે આંતરકેન્દ્રીય અંતરને શ્રેષ્ઠ અંતરથી ઘટાડવામાં આવે છે,ત્યારે બે અણુઓના ઇલેક્ટ્રોન વાદળો નોંધપાત્ર રીતે ઓવરલેપ થવા લાગે છે અને ન્યુક્લિયસ એકબીજાની નજીક આવે છે.
આનાથી બે અણુઓના ઇલેક્ટ્રોન વચ્ચે (આંતર-ઇલેક્ટ્રોનિક અપાકર્ષણ) અને બે ધન વીજભારિત ન્યુક્લિયસ વચ્ચે (આંતર-કેન્દ્રીય અપાકર્ષણ) સ્થિર વિદ્યુત અપાકર્ષણમાં તીવ્ર વધારો થાય છે.
આ અપાકર્ષણ બળો આકર્ષણ બળો પર પ્રભુત્વ મેળવે છે,જેના કારણે સિસ્ટમની સ્થિતિ ઊર્જામાં તીવ્ર વધારો થાય છે.

(C) $BF_3$ માં,બોરોન પરમાણુ પાસે ખાલી $2p$ કક્ષક હોય છે,જે ફ્લોરિનની અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મથી બોરોન પરમાણુમાં $p\pi - p\pi$ બેક-બોન્ડિંગની મંજૂરી આપે છે.
આ બેક-બોન્ડિંગને કારણે $B-F$ બંધમાં આંશિક દ્વિબંધનો ગુણધર્મ આવે છે,જેનાથી તેની લંબાઈ ટૂંકી થાય છે.
અન્ય સંયોજનોમાં ($BF_4^-$,$BF_3 \leftarrow NH_3$,અને $BF_3 \leftarrow N(CH_3)_3$),બોરોન પરમાણુ $sp^3$ સંકરણ ધરાવે છે અને તેની પાસે ખાલી $p$-કક્ષક હોતી નથી,તેથી બેક-બોન્ડિંગ થતું નથી.
તેથી,$BF_3$ માં $B-F$ બંધ લંબાઈ સૌથી ટૂંકી છે.

(D) બંધ ઉર્જા એ બંધિત પરમાણુઓ વચ્ચેના લોન પેર-લોન પેર અપાકર્ષણના પ્રમાણના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં હોય છે.
જેમ બંધિત પરમાણુઓ પર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વધે છે,તેમ તેમની વચ્ચેનું અપાકર્ષણ વધે છે,જે બંધને નબળો પાડે છે અને બંધ ઉર્જા ઘટાડે છે.
અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યાની સરખામણી કરતા:
$C-C$ માં $6$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન છે.
$N-N$ માં $8$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન છે.
$H-H$ માં $0$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન છે.
$O-O$ માં $12$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન છે.
$O-O$ બંધમાં સૌથી વધુ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન હોવાથી,આંતર-ઇલેક્ટ્રોનિક અપાકર્ષણ મહત્તમ છે,જે $O-O$ બંધને સૌથી નબળો બનાવે છે અને તેની બંધ ઉર્જા સૌથી ઓછી હોય છે.

(A) $Mg_2C_3 + 4H_2O \longrightarrow 2Mg(OH)_2 + C_3H_4$ (પ્રોપાઇન)
$C_3^{4-}$ આયનનું બંધારણ $[C \equiv C - C]^{4-}$ છે.
આ બંધારણમાં,એક ત્રિ-બંધ ($1$ $\sigma$ અને $2$ $\pi$ બંધ ધરાવે છે) અને એક એકલ બંધ ($1$ $\sigma$ બંધ ધરાવે છે) હોય છે.
કુલ બંધ: $2$ $\sigma$ બંધ અને $2$ $\pi$ બંધ.

(B) ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવતો અણુ તે છે જેમાં મધ્યસ્થ પરમાણુની સંયોજકતા કક્ષામાં $8$ કરતા ઓછા ઇલેક્ટ્રોન હોય,અથવા સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યા તમામ પરમાણુઓ માટે પ્રમાણભૂત બે-કેન્દ્ર બે-ઇલેક્ટ્રોન $(2c-2e)$ બંધ બનાવવા માટે અપૂરતી હોય.
$B_2H_6$ (ડાયબોરેન) માં,દરેક બોરોન પરમાણુ સામાન્ય $2c-2e$ સહસંયોજક બંધ દ્વારા બે ટર્મિનલ હાઇડ્રોજન પરમાણુઓ સાથે જોડાયેલ હોય છે. બે બોરોન પરમાણુઓ બે બ્રિજિંગ હાઇડ્રોજન પરમાણુઓ દ્વારા જોડાયેલા હોય છે,જે બે $3c-2e$ (ત્રણ-કેન્દ્ર બે-ઇલેક્ટ્રોન) બંધ બનાવે છે. આ $3c-2e$ બંધોને કારણે,અણુ ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવે છે.
$LiH$ એ આયનીય હાઇડ્રાઇડ છે,$LiBH_4$ માં $BH_4^-$ આયન હોય છે (જે ઇલેક્ટ્રોન-ચોક્કસ છે),અને $B_3N_3H_6$ (બોરાઝિન) એ ઇલેક્ટ્રોન-ચોક્કસ અણુ છે.
તેથી,વિકલ્પ $B$ સાચો છે.

(C) બંધ પ્રબળતા એ બંધ વિયોજન ઊર્જાના સમપ્રમાણમાં હોય છે.
$Cl_2$ ની બંધ વિયોજન ઊર્જા સૌથી વધુ $(58 \ kcal/mol)$ હોવાથી,તેમાં સૌથી પ્રબળ બંધ હોય છે.
$F_2$ નું કદ નાનું હોવા છતાં,ફ્લોરિન પરમાણુઓના નાના કદને કારણે તેમની વચ્ચેના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મો વચ્ચે આંતર-ઇલેક્ટ્રોનિક અપાકર્ષણ વધુ હોવાથી $F-F$ બંધ $Cl-Cl$ બંધ કરતા નબળો હોય છે.

(B) $HCl$ અણુમાં ધ્રુવીય સહસંયોજક બંધન જોવા મળે છે.
આનું મુખ્ય કારણ $H$ પરમાણુ અને $Cl$ પરમાણુ વચ્ચેની વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત છે,જેના કારણે બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મનું અસમાન વિતરણ થાય છે.

(B) $25\,^oC$ તાપમાને,હાઈડ્રોજન ક્લોરાઈડ $(HCl)$ એ ધ્રુવીય સહસંયોજક વાયુ સ્વરૂપે અસ્તિત્વ ધરાવે છે.

(A) બંધની પ્રબળતા કક્ષકોના અસરકારક સંપાત (overlapping) પર આધાર રાખે છે.
$F - F$ બંધમાં,સમાન ઉર્જા ધરાવતી $2p - 2p$ કક્ષકો વચ્ચે અસરકારક સંપાત થાય છે.
જોકે ફ્લોરિન પરમાણુના નાના કદને કારણે આંતર-ઇલેક્ટ્રોનિક અપાકર્ષણને લીધે $F - F$ બંધ થોડો નબળો પડે છે,તેમ છતાં $2p - 3p$ અથવા $3p - 4p$ સંપાતની સરખામણીમાં $2p - 2p$ સંપાત વધુ અસરકારક હોવાથી તે આપેલા વિકલ્પોમાં સૌથી પ્રબળ બંધ ગણાય છે.

(B) $P\pi - P\pi$ બંધનમાં ઓક્સિજનની $2p$ કક્ષકો અને અન્ય પરમાણુની $2p$ કક્ષકોનું અતિવ્યાપન થાય છે.
$P_4O_{10}$ માં,ફોસ્ફરસ $d\pi - p\pi$ બંધન માટે $3d$ કક્ષકોનો ઉપયોગ કરે છે.
$N_2O_5$ માં,નાઈટ્રોજન $2p$ કક્ષકોનો ઉપયોગ કરે છે,જ્યાં $N$ અને $O$ વચ્ચે $p\pi - p\pi$ બંધન જોવા મળે છે.
તેથી,સાચો વિકલ્પ $B$ છે.

(B) તત્વ $C$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $1s^2, 2s^2, 2p^6, 3s^2, 3p^5$ છે,જે ક્લોરિન $(Cl)$ દર્શાવે છે.
ક્લોરિન એ હેલોજન છે જેની પાસે $7$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે અને તેને અષ્ટક પૂર્ણ કરવા માટે $1$ ઇલેક્ટ્રોનની જરૂર છે.
તેથી,બે ક્લોરિન પરમાણુઓ એક-એક ઇલેક્ટ્રોનની ભાગીદારી કરીને સ્થાયી દ્વિપરમાણ્વીય અણુ $Cl_2$ (અહીં $C_2$) બનાવે છે.

(B) તત્વ $B$ ની સંયોજકતા કક્ષાની રચના $3s^2, 3p^3$ છે,જેનો અર્થ છે કે તેમાં $5$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે. તેને અષ્ટક પૂર્ણ કરવા માટે $3$ ઇલેક્ટ્રોનની જરૂર છે.
તત્વ $C$ ની સંયોજકતા કક્ષાની રચના $3s^2, 3p^5$ છે,જેનો અર્થ છે કે તેમાં $7$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે. તેને અષ્ટક પૂર્ણ કરવા માટે $1$ ઇલેક્ટ્રોનની જરૂર છે.
$B$ અને $C$ બંને અધાતુઓ છે. જ્યારે બે અધાતુઓ જોડાય છે,ત્યારે તેઓ તેમના અષ્ટક પૂર્ણ કરવા માટે ઇલેક્ટ્રોનની ભાગીદારી કરે છે,જેના પરિણામે સહસંયોજક બંધ બને છે.
તેથી,$B$ અને $C$ વચ્ચેનો બંધ સહસંયોજક બંધ હશે.

(D) સંયોજન $(I)$ માં,નાઈટ્રોજનની અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ સિલિકોનના ખાલી $d$-કક્ષકો સાથે $p\pi-d\pi$ બેક-બોન્ડિંગમાં ભાગ લે છે.
આ બોરોન સાથે $p\pi-p\pi$ બેક-બોન્ડિંગ માટે અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની ઉપલબ્ધતા ઘટાડે છે.
સંયોજન $(II)$ માં,કાર્બન પાસે કોઈ ખાલી $d$-કક્ષકો નથી,તેથી નાઈટ્રોજનની અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ બોરોન સાથે $p\pi-p\pi$ બેક-બોન્ડિંગ માટે સંપૂર્ણપણે ઉપલબ્ધ છે.
તેથી,$B$ અને $N$ વચ્ચેની $\pi$-બંધ પ્રબળતા $(I)$ કરતા $(II)$ માં વધારે છે.

(D) $SO_2Cl_2$ માં,મધ્યસ્થ $S$ પરમાણુ $sp^3$ સંકરણ ધરાવે છે.
તે બે $S-Cl$ સિગ્મા બંધ અને બે $S=O$ દ્વિબંધ બનાવે છે.
દરેક $S=O$ બંધમાં એક $\sigma$ બંધ ($p-p$ ઓવરલેપ દ્વારા) અને એક $p\pi - d\pi$ બેક-બોન્ડિંગ ($O$ ના ભરાયેલા $2p$ ઓર્બિટલ અને $S$ ના ખાલી $3d$ ઓર્બિટલના ઓવરલેપ દ્વારા) હોય છે.
અહીં કોઈ $p\pi - p\pi$ બંધ નથી,તેથી સાચો જવાબ $SO_2Cl_2$ છે.

(B) અષ્ટકનો નિયમ જણાવે છે કે પરમાણુઓ તેમની સંયોજકતા કક્ષામાં $8$ ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્ત કરવા માટે ઇલેક્ટ્રોનની આપ-લે અથવા ભાગીદારી કરે છે.
$BF_3$ માં,મધ્યસ્થ બોરોન પરમાણુ પાસે $3$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન હોય છે અને તે ફ્લોરિન પરમાણુઓ સાથે $3$ સહસંયોજક બંધ બનાવે છે.
આના પરિણામે બોરોન પરમાણુની આસપાસ કુલ $3 \times 2 = 6$ ઇલેક્ટ્રોન થાય છે.
$6 < 8$ હોવાથી,$BF_3$ એ ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવતો અણુ છે અને તે અષ્ટકના નિયમનું પાલન કરતો નથી.
$CO_2$,$H_2O$,અને $PCl_3$ માં,મધ્યસ્થ પરમાણુઓ ($C$,$O$,અને $P$) અષ્ટકના નિયમનું પાલન કરે છે.

(B) સહસંયોજક બંધ બે પરમાણુઓ વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોનની પરસ્પર ભાગીદારી દ્વારા રચાય છે જેથી સ્થાયી ઇલેક્ટ્રોન રચના (સામાન્ય રીતે અષ્ટક) પ્રાપ્ત કરી શકાય.
તેથી,સહસંયોજક બંધમાં ભાગ લેતા પરમાણુઓ વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોનની ભાગીદારી થાય છે.

(C) ઇલેક્ટ્રોન રચનાઓ નીચે મુજબ છે:
$(I) \, 1s^2$: હિલિયમ $(He)$,નિષ્ક્રિય વાયુ.
$(II) \, 1s^2 2s^2 2p^2$: કાર્બન $(C)$,જે મુખ્યત્વે સહસંયોજક બંધ બનાવે છે.
$(III) \, 1s^2 2s^2 2p^5$: ફ્લોરિન $(F)$,જે ધાતુઓ સાથે આયનીય અને અધાતુઓ સાથે સહસંયોજક બંધ બનાવવાની ક્ષમતા ધરાવે છે.
$(IV) \, 1s^2 2s^2 2p^6$: નિયોન $(Ne)$,નિષ્ક્રિય વાયુ.
આમ,સાચો જવાબ $III$ છે.

(B) કાર્બન સબ-ઓક્સાઇડનું રાસાયણિક સૂત્ર $C_3O_2$ છે.
લુઇસ બંધારણ નક્કી કરવા માટે,આપણે કુલ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ગણીએ છીએ: $3 \times 4 (C) + 2 \times 6 (O) = 12 + 12 = 24$ ઇલેક્ટ્રોન.
બંધારણ તમામ પરમાણુઓ માટે અષ્ટકનો નિયમ સંતોષતું હોવું જોઈએ.
તેનું રેખીય બંધારણ $O=C=C=C=O$ છે.
આ બંધારણમાં ઇલેક્ટ્રોનની ગણતરી કરતા: દરેક દ્વિબંધ $4$ ઇલેક્ટ્રોન દર્શાવે છે.
અહીં $4$ દ્વિબંધ છે,તેથી $4 \times 4 = 16$ ઇલેક્ટ્રોન.
દરેક ઓક્સિજન પરમાણુ પાસે $2$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ ($4$ ઇલેક્ટ્રોન) છે,તેથી $2 \times 4 = 8$ ઇલેક્ટ્રોન.
કુલ ઇલેક્ટ્રોન = $16 + 8 = 24$ ઇલેક્ટ્રોન.
આ કુલ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન સાથે મેળ ખાય છે,જે પુષ્ટિ કરે છે કે બંધારણ $O=C=C=C=O$ છે,જે વિકલ્પ $B$ ને અનુરૂપ છે.

(A) સહસંયોજક સંયોજનો સામાન્ય રીતે સ્વભાવે અધ્રુવીય હોય છે. 'જેવું દ્રાવ્ય તેવું દ્રાવક' (like dissolves like) ના સિદ્ધાંત મુજબ,અધ્રુવીય પદાર્થો અધ્રુવીય દ્રાવકોમાં (જેમ કે બેન્ઝીન,કાર્બન ટેટ્રાક્લોરાઈડ વગેરે) દ્રાવ્ય થાય છે. તેથી,સહસંયોજક સંયોજનો અધ્રુવીય દ્રાવકોમાં દ્રાવ્ય હોય છે.

(D) જ્યારે બે સમાન અધાત્વીય પરમાણુઓ સહસંયોજક બંધ બનાવે છે,ત્યારે તેમની વિદ્યુતઋણતા સમાન હોય છે.
તેથી,ઇલેક્ટ્રોનની વહેંચાયેલી જોડી બંને ન્યુક્લિયસ દ્વારા સમાન રીતે આકર્ષાય છે.
આના પરિણામે બંને પરમાણુઓ વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોનની સમાન વહેંચણી થાય છે.

(C) $N_2$ અણુમાં,દરેક નાઇટ્રોજન પરમાણુ પાસે $5$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. તેનું અષ્ટક પૂર્ણ કરવા માટે,દરેક નાઇટ્રોજન પરમાણુને $3$ વધુ ઇલેક્ટ્રોનની જરૂર હોય છે. તેથી,દરેક નાઇટ્રોજન પરમાણુ ત્રિ-બંધ $(N \equiv N)$ બનાવવા માટે બીજા સાથે $3$ ઇલેક્ટ્રોનની ભાગીદારી કરે છે. આમ,દરેક $N$ પરમાણુ દ્વારા ભાગીદારી પામતા ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $3$ છે.

(C) $H_2O_2$ (હાઇડ્રોજન પેરોક્સાઇડ) માં બંધારણ $H-O-O-H$ છે.
$O$ અને $H$ વચ્ચેની વિદ્યુતઋણતાના તફાવતને કારણે $O-H$ બંધ એ ધ્રુવીય સહસંયોજક બંધ છે.
$O-O$ બંધ એ અધ્રુવીય સહસંયોજક બંધ છે કારણ કે બે સમાન ઓક્સિજન પરમાણુઓ વચ્ચે વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત શૂન્ય હોય છે.
તેથી,$H_2O_2$ માં ધ્રુવીય અને અધ્રુવીય બંને પ્રકારના બંધ હોય છે.

(A) જ્યારે બે પરમાણ્વીય કક્ષકો,જે દરેક એક અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન ધરાવે છે,તે રૈખિક રીતે (મુખામુખ) ઓવરલેપ થાય છે,ત્યારે તે $\sigma$-બંધ બનાવે છે. આ સહસંયોજક બંધના નિર્માણ માટે વેલેન્સ બોન્ડ થિયરી $(VBT)$ નો મૂળભૂત ખ્યાલ છે.

(C) પાઉલીના અપવર્જનના સિદ્ધાંત અને સંયોજકતા બંધનવાદ મુજબ,સ્થાયી સહસંયોજક બંધ બનાવવા માટે,સંમિશ્રણ પામતી કક્ષકોમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોન વિરુદ્ધ સ્પિન ધરાવતા હોવા જોઈએ. જો ઇલેક્ટ્રોન સમાન સ્પિન ધરાવતા હોય,તો પાઉલીનો અપવર્જનનો સિદ્ધાંત તેમને સમાન ક્વોન્ટમ આંક સાથે અવકાશના સમાન વિસ્તારમાં રહેતા અટકાવે છે. પરિણામે,કક્ષકોનું અસરકારક સંમિશ્રણ થતું નથી અને કોઈ રાસાયણિક બંધ બનતો નથી. તેથી,વિધાન $a$ અને $b$ બંને સાચા છે.

(B) $SO_3^{2-}$ (સલ્ફાઈટ આયન) માં,મધ્યસ્થ સલ્ફર પરમાણુનો ઓક્સિડેશન આંક $+4$ છે અને તેની સંયોજકતા કક્ષાની ઇલેક્ટ્રોન રચના $3s^2 3p^4$ છે.
સલ્ફર $sp^3$ સંકરણનો ઉપયોગ કરીને ત્રણ $S-O$ સિગ્મા બંધ બનાવે છે.
સલ્ફર પર એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ હાજર છે.
સલ્ફરની બાકી રહેલી $3d$ કક્ષકો ઓક્સિજનની $2p$ કક્ષકો સાથે ઓવરલેપ થઈને $p \pi - d \pi$ બંધ બનાવે છે.
$NO_3^-$,$BO_3^{3-}$ અને $CO_3^{2-}$ માં,મધ્યસ્થ પરમાણુઓ $(N, B, C)$ બીજા આવર્તનના છે અને તેમની પાસે બંધ બનાવવા માટે $d$-કક્ષકો ઉપલબ્ધ નથી,તેથી તેઓ માત્ર $p \pi - p \pi$ બંધ દર્શાવે છે.

(C) જ્યારે બંધિત પરમાણુઓ વચ્ચે વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત ન હોય ત્યારે તે બંધને અધ્રુવીય ગણવામાં આવે છે.
$C-H$,$N-H$ અને $O-H$ બંધોમાં બે અલગ-અલગ પરમાણુઓ વચ્ચે વિદ્યુતઋણતાનો નોંધપાત્ર તફાવત હોય છે,જે આ બંધોને ધ્રુવીય બનાવે છે.
$F-F$ ના કિસ્સામાં,બે સમાન પરમાણુઓ એકબીજા સાથે જોડાયેલા છે. તેથી,વિદ્યુતઋણતાનો તફાવત શૂન્ય છે,જે $F-F$ બંધને અધ્રુવીય બનાવે છે.

(C) સહસંયોજક ત્રિજ્યાની ગણતરી આ મુજબ થાય છે: $r_X = \frac{1.00}{2} = 0.50 \mathring{A}$ અને $r_C = \frac{1.54}{2} = 0.77 \mathring{A}$.
બંધ લંબાઈ માટે શોમેકર-સ્ટીવેન્સન સમીકરણનો ઉપયોગ કરતા: $d_{C-X} = r_C + r_X - 0.09 |\chi_C - \chi_X|$.
કિંમતો મૂકતા: $d_{C-X} = 0.77 + 0.50 - 0.09 |2.0 - 3.0|$.
$d_{C-X} = 1.27 - 0.09(1) = 1.18 \mathring{A}$.

(C) બંધ ઉર્જા અણુઓ વચ્ચેના બંધની મજબૂતી પર આધાર રાખે છે. આપેલા અણુઓમાં ($N-N$,$F-F$,$C-C$,$O-O$),બધા એકલ બંધ દ્વારા જોડાયેલા છે.
$1$. $F-F$,$O-O$,અને $N-N$ માં,અણુઓ પાસે ઇલેક્ટ્રોનની અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ (lone pairs) હોય છે. આ ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ વચ્ચેના અપાકર્ષણને કારણે બંધ લંબાઈ વધે છે અને બંધ ઉર્જા ઘટે છે.
$2$. $C-C$ માં કાર્બન અણુઓ પાસે કોઈ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ હોતા નથી,જેના પરિણામે અપાકર્ષણ ઓછું થાય છે અને બંધ વધુ મજબૂત બને છે.
તેથી,સૌથી વધુ બંધ ઉર્જા ધરાવતો અણુ $C-C$ છે.

(D) વિકલ્પ $D$ માં,$BCl_3$ ની રચનામાં બોરોન પરમાણુ પર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ (lone pair) દર્શાવવામાં આવ્યા છે,જે ખોટું છે. $BCl_3$ એ ત્રિકોણીય સમતલીય અણુ છે જેમાં બોરોન પરમાણુ $sp^2$ સંકરણ ધરાવે છે અને બોરોન પર કોઈ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ હોતું નથી. ક્લોરિન પરમાણુઓ પાસે અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ હોય છે,પરંતુ બોરોન પરમાણુ ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવે છે. તેથી,વિકલ્પ $D$ સૌથી ખોટી રીતે જોડાયેલી રચના છે.

(C) કાર્બોરેન્ડમ એ સિલિકોન કાર્બાઈડ $(SiC)$ છે.
$SiC$ માં,દરેક સિલિકોન પરમાણુ ચાર કાર્બન પરમાણુઓ સાથે અને દરેક કાર્બન પરમાણુ ચાર સિલિકોન પરમાણુઓ સાથે મજબૂત સહસંયોજક બંધ દ્વારા જોડાયેલા હોય છે.
આ હીરા જેવું વિશાળ ત્રિ-પરિમાણીય નેટવર્ક બંધારણ બનાવે છે.
તેથી,તેમાં રહેલા બંધનો પ્રકાર સહસંયોજક બંધ છે.

(B) લુઇસ એસિડ એટલે ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મનો સ્વીકાર કરનાર.
$AlCl_3$ એ ઇલેક્ટ્રોન ઉણપ ધરાવતું સંયોજન છે કારણ કે મધ્યસ્થ $Al$ પરમાણુની સંયોજકતા કક્ષામાં માત્ર $6$ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે.
તેથી,તે તેનું અષ્ટક પૂર્ણ કરવા માટે ઇલેક્ટ્રોનની એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ સ્વીકારી શકે છે,જે તેને લુઇસ એસિડ બનાવે છે.
$NaCl$ એ આયનીય ક્ષાર છે,જ્યારે $NH_2^-$ અને $F^-$ એ લુઇસ બેઇઝ છે કારણ કે તેમની પાસે દાન કરવા માટે અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ હોય છે.

(A) $AlCl_3$ એ ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવતું સંયોજન છે કારણ કે $Al$ પરમાણુની સંયોજકતા કક્ષામાં માત્ર $6$ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે.
આ કારણે,તે લુઈસ એસિડ તરીકે વર્તે છે.
તેના એનહાઇડ્રસ સ્વરૂપમાં,$AlCl_3$ એ સહસંયોજક બંધ સાથે $Al_2Cl_6$ ડાયમર તરીકે અસ્તિત્વ ધરાવે છે,જેમાં ક્લોરિન પરમાણુઓ બ્રિજ તરીકે કાર્ય કરે છે.
તેથી,$AlCl_3$ એનહાઇડ્રસ અને સહસંયોજક છે.

(D) ઇલેક્ટ્રોનની અછત ધરાવતો અણુ તે છે જેમાં મધ્યસ્થ પરમાણુની સંયોજકતા કક્ષામાં $8$ કરતા ઓછા ઇલેક્ટ્રોન હોય છે.
$B_2H_6$ (ડાયબોરેન) માં,દરેક બોરોન પરમાણુ ત્રણ ટર્મિનલ હાઇડ્રોજન અને બે બ્રિજિંગ હાઇડ્રોજન સાથે જોડાયેલ છે.
દરેક બોરોન પરમાણુ પાસે તેની બંધન અવસ્થામાં માત્ર $6$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન હોય છે,જે તેને ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવતો અણુ બનાવે છે (જેને $3$-સેન્ટર-$2$-ઇલેક્ટ્રોન બંધ પદ્ધતિ તરીકે ઓળખવામાં આવે છે).
$C_2H_6$,$SiH_4$ અને $PH_3$ માં મધ્યસ્થ પરમાણુઓ અષ્ટકનો નિયમ પાળે છે.

(D) $BF_3$ માં,બોરોન $sp^2$ સંકરણ ધરાવે છે અને અણુ સમતલીય છે.
બોરોન પરમાણુ પર ખાલી $2p$ કક્ષક અને ફ્લોરિન પરમાણુઓ પર ભરાયેલી $2p$ કક્ષકોને કારણે,$F$ થી $B$ તરફ $p\pi - p\pi$ બેક-બોન્ડિંગ (બેક-ડોનેશન) થાય છે.
આ $B-F$ બંધને આંશિક દ્વિબંધ લાક્ષણિકતા આપે છે,જે તેને સામાન્ય એકલ બંધ કરતા ટૂંકો અને મજબૂત બનાવે છે.
તેથી,$p\pi - d\pi$ આંતરક્રિયા દ્વારા સમજાવી શકાય તેવું વિધાન ખોટું છે,કારણ કે બોરોન પાસે $d$-કક્ષકો હોતી નથી.

(B) $BCl_3$ માં,બોરોન પરમાણુ પાસે અપૂર્ણ અષ્ટક હોય છે. ક્લોરિન પરમાણુ પરના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ બોરોનના ખાલી $p$-કક્ષકમાં દાન કરવામાં આવે છે,જેના પરિણામે $p\pi - p\pi$ બેક બોન્ડિંગ થાય છે. આ અણુને સ્થિર કરે છે અને બોરોનનું અષ્ટક પૂર્ણ કરે છે,જેથી ડાયમરાઇઝેશન અટકે છે. $BH_3$ માં,હાઇડ્રોજન પાસે બેક બોન્ડિંગમાં ભાગ લેવા માટે કોઈ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ હોતું નથી,તેથી $BH_3$ બોરોનનું અષ્ટક પૂર્ણ કરવા માટે $B_2H_6$ બનાવવા ડાયમરાઇઝ થાય છે.

(B) હીરામાં,દરેક કાર્બન પરમાણુ $sp^3$ સંકરણ ધરાવે છે અને તે અન્ય ચાર કાર્બન પરમાણુઓ સાથે મજબૂત $C-C$ સહસંયોજક બંધ દ્વારા જોડાયેલ હોય છે. આ એક સખત,ત્રિ-પરિમાણીય નેટવર્ક બંધારણ બનાવે છે,જે હીરાની કઠિનતા માટે જવાબદાર છે. તેથી,સાચો વિકલ્પ $B$ છે.

(C) કાર્બન મોનોક્સાઇડ $(CO)$ ની લુઈસ રચનામાં કાર્બન અને ઓક્સિજન પરમાણુઓ વચ્ચે ત્રિ-બંધ હોય છે.
આ ત્રિ-બંધ એક $\sigma$ બંધ અને બે $\pi$ બંધનો બનેલો હોય છે.
તેથી,પરમાણુઓ $\sigma$ અને $\pi$ બંને બંધો દ્વારા જોડાયેલા છે.

(B) બંધ વિયોજન એન્થાલ્પી પરમાણુઓના કદ અને અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ (lone pair) વચ્ચેના અપાકર્ષણ પર આધાર રાખે છે.
$O-O$,$N-N$ અને $F-F$ માં પરમાણુઓ નાના છે અને તેમની પાસે અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ હોય છે જે નોંધપાત્ર આંતર-ઇલેક્ટ્રોનિક અપાકર્ષણ પેદા કરે છે,જે બંધને નબળો પાડે છે.
$C-C$ એ કાર્બન પરમાણુઓ વચ્ચેનો એકલ સહસંયોજક બંધ છે જેમાં આવા અપાકર્ષણની અસર થતી નથી.
તેથી,અન્યની સરખામણીમાં $C-C$ બંધની બંધ વિયોજન એન્થાલ્પી વધુ હોય છે.

(C) $BF_3$ માં,બોરોન પરમાણુ ઇલેક્ટ્રોન ઉણપ ધરાવે છે અને તેની પાસે ખાલી $2p$ કક્ષક છે. ફ્લોરિન પરમાણુ પાસે તેની $2p$ કક્ષકોમાં અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ હોય છે.
આ $p\pi - p\pi$ બેક-બોન્ડિંગ (ફ્લોરિનથી બોરોન તરફ ઇલેક્ટ્રોન ઘનતાનું દાન) શક્ય બનાવે છે,જે $B-F$ બંધને આંશિક દ્વિબંધ લાક્ષણિકતા આપે છે.
આ વધારાની બંધ લાક્ષણિકતા બંધની મજબૂતી વધારે છે અને પરિણામે બંધ વિયોજન ઉર્જા વધારે છે.
$CF_4$ માં,કાર્બન પાસે પૂર્ણ અષ્ટક છે અને કોઈ ખાલી $p$ કક્ષકો નથી,તેથી આવી કોઈ બેક-બોન્ડિંગ થતી નથી.
તેથી,$B-F$ બંધ $C-F$ બંધ કરતા મજબૂત છે.

(D) બંધનો સહસંયોજક ગુણધર્મ વિદ્યુતઋણતાના તફાવત અને પરમાણુઓ પરના ફોર્મલ ચાર્જ સાથે સંબંધિત છે.
$PH_4^+$ માં,ફોસ્ફરસ પરમાણુ પર ધન વીજભાર હોય છે.
પરમાણુ પરનો ધન વીજભાર તેની વિદ્યુતઋણતા વધારે છે,જે $P$ અને $H$ વચ્ચેના વિદ્યુતઋણતાના તફાવતને ઘટાડે છે.
આમ,$PH_4^+$ માં $P-H$ બંધ તેના ફોર્મલ ચાર્જને કારણે $PH_3$ ની સરખામણીમાં સૌથી ઓછો સહસંયોજક ગુણધર્મ ધરાવે છે.

(B) $NO_2$ અણુ એ અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન ધરાવતી સ્પીસીઝ છે,જે નાઇટ્રોજન પરમાણુ પરના અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોનને કારણે અનુચુંબકીય ગુણધર્મ ધરાવે છે.
જ્યારે બે $NO_2$ અણુઓ જોડાઈને $N_2O_4$ બનાવે છે,ત્યારે દરેક $NO_2$ અણુના નાઇટ્રોજન પરમાણુ પરના અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન જોડાઈને $N-N$ એકલ બંધ બનાવે છે.
ઓક્સિજન પરમાણુઓ પરના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મો વચ્ચેના અપાકર્ષણને કારણે આ $N-N$ બંધ પ્રમાણમાં નિર્બળ હોય છે.
$N_2O_4$ ના બંધારણમાં,સંસ્પંદનને કારણે ચારેય $N-O$ બંધ સમાન હોય છે,જે સમતલીય બંધારણ ધરાવે છે.