Mix Examples - Classification of Elements and Periodicity in Properties Questions in Hindi

(D) तत्व का ब्लॉक निर्धारित करने के लिए,हम देखते हैं कि अंतिम इलेक्ट्रॉन किस उपकोश (subshell) में प्रवेश करता है:
$Z = 72$ हैफनियम $(Hf)$ है,जिसका इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $[Xe] 4f^{14} 5d^2 6s^2$ है। यह $d-$ब्लॉक का तत्व है।
$Z = 91$ प्रोटेक्टिनियम $(Pa)$ है,जिसका इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $[Rn] 5f^2 6d^1 7s^2$ है। यह $f-$ब्लॉक का तत्व है।
$Z = 85$ एस्टाटीन $(At)$ है,जिसका इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $[Xe] 4f^{14} 5d^{10} 6s^2 6p^5$ है। यह $p-$ब्लॉक का तत्व है।
चूंकि विकल्प $A$,$B$,या $C$ में से कोई भी तत्व के ब्लॉक से सही ढंग से मेल नहीं खाता है,इसलिए सही उत्तर $D$ है।

(C) सही मिलान इस प्रकार है:
$A$. आयनन विभव $(I.E.)$: $N, O, F$ के लिए क्रम $O < N < F$ है क्योंकि $N$ का अर्ध-पूर्ण $p$-ऑर्बिटल विन्यास अधिक स्थिर होता है। अतः,$A-R$.
$B$. विद्युत ऋणात्मकता $(E.N.)$: आवर्त में क्रम $N < O < F$ है। अतः,$B-Q$.
$C$. प्रभावी नाभिकीय आवेश $(Z_{eff})$: आवर्त में क्रम $N < O < F$ है। अतः,$C-Q$.
$D$. इलेक्ट्रॉन बंधुता $(E.A.)$: $N, C, O$ के लिए क्रम $N < C < O$ है। अतः,$D-S$.
अतः,सही मिलान $A-R, B-Q, C-Q, D-S$ है।

(A) प्रत्येक विकल्प का विश्लेषण करते हैं:
$1$. हाइड्रोहेलिक अम्लों की अम्लीय प्रकृति समूह में नीचे जाने पर बढ़ती है क्योंकि बंध वियोजन ऊर्जा घटती है: $HF < HCl < HBr < HI$। विकल्प $A$ में दिया गया क्रम $HF > HCl > HBr > HI$ है,जो गलत है।
$2$. जलयोजित त्रिज्या आवेश घनत्व पर निर्भर करती है। $Be^{2+}$ का आवेश घनत्व $Li^{+}$ से अधिक है,इसलिए $Be^{2+}_{(aq)}$ की जलयोजित त्रिज्या बड़ी होती है: $Li^{+}_{(aq)} < Be^{2+}_{(aq)}$। यह सही है।
$3$. जालक ऊर्जा अंतर-आयनिक दूरी के व्युत्क्रमानुपाती होती है। जैसे-जैसे धनायन का आकार $Li^{+}$ से $Rb^{+}$ की ओर बढ़ता है,जालक ऊर्जा घटती है: $LiF > NaF > KF > RbF$। यह सही है।
$4$. $F$ के छोटे आकार और अंतर-इलेक्ट्रॉनिक प्रतिकर्षण के कारण $Cl$ की इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी $F$ से अधिक होती है: $Cl > F > Br > I$। यह सही है।
अतः,गलत क्रम $A$ है।

(B) इलेक्ट्रॉनिक विन्यास का मिलान इस प्रकार है:
$A$. अक्रिय गैस तत्वों (नोबल गैसों) में स्थिर अष्टक विन्यास होता है: $ns^2 np^6$ $(2)$.
$B$. संक्रमण तत्व $d$-कक्षकों के भरने की विशेषता रखते हैं: $(n-1)d^{1-10} ns^{1-2}$ $(1)$.
$C$. अंतः-संक्रमण तत्व (लैंथेनॉइड्स और एक्टिनॉइड्स) $f$-कक्षकों के भरने से संबंधित हैं: $(n-2)f^{1-14} (n-1)s^2 p^6 d^{0-1} ns^2$ $(3)$.
अतः,सही मिलान $A-2, B-1, C-3$ है।

(C) आवर्त सारणी में एक समूह में नीचे जाने पर,विद्युतऋणात्मकता घटती है और परमाणु त्रिज्या बढ़ती है।

(C) आइसोइलेक्ट्रॉनिक प्रजातियाँ वे होती हैं जिनमें इलेक्ट्रॉनों की संख्या समान होती है।
$N^{3-}$ के लिए: $7 + 3 = 10$ इलेक्ट्रॉन।
$O^{2-}$ के लिए: $8 + 2 = 10$ इलेक्ट्रॉन।
$F^{-}$ के लिए: $9 + 1 = 10$ इलेक्ट्रॉन।
$Na^{+}$ के लिए: $11 - 1 = 10$ इलेक्ट्रॉन।
चूंकि इन सभी आयनों में $10$ इलेक्ट्रॉन हैं,इसलिए वे एक आइसोइलेक्ट्रॉनिक सेट बनाते हैं।
अतः,विकल्प $C$ सही है।

(C) हैलोजन में इलेक्ट्रॉन स्वीकार करने की प्रबल प्रवृत्ति होती है,इसलिए वे प्रबल ऑक्सीकारक के रूप में कार्य करते हैं।
हैलोजन की ऑक्सीकरण क्षमता फ्लोरीन से आयोडीन की ओर जाने पर घटती है।
ऑक्सीकरण क्षमता का सही क्रम $F_2 > Cl_2 > Br_2 > I_2$ है।
विकल्प $A$ गलत है क्योंकि $F$ के छोटे $2p$ कक्षक में अंतर-इलेक्ट्रॉनिक प्रतिकर्षण के कारण $Cl$ की इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी $F$ से अधिक होती है।
विकल्प $B$ गलत है क्योंकि $F_2$ में एकाकी युग्मों के बीच उच्च प्रतिकर्षण के कारण इसकी आबंध वियोजन ऊर्जा सबसे कम होती है।
विकल्प $D$ गलत है क्योंकि हैलाइड आयनों की अपचायक क्षमता समूह में नीचे जाने पर बढ़ती है $(I^{-} > Br^{-} > Cl^{-} > F^{-})$.

(C) $A^{-}$ का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $[Ar] \ 4s^2 \ 3d^{10} \ 4p^1$ है।
यह कुल $18 + 2 + 10 + 1 = 31$ इलेक्ट्रॉनों के बराबर है।
चूंकि $A^{-}$ में $31$ इलेक्ट्रॉन हैं,इसलिए उदासीन परमाणु $A$ में $30$ इलेक्ट्रॉन होंगे,जिसका अर्थ है कि इसका परमाणु क्रमांक $Z = 30$ है।
$Z = 30$ वाला तत्व जिंक $(Zn)$ है,जो समूह $12$ और आवर्त $4$ में आता है।
$A^{+2}$ (अर्थात $Zn^{+2}$) बनाने के लिए इलेक्ट्रॉनों को हटाने से तत्व की पहचान या आवर्त सारणी में उसका स्थान नहीं बदलता है।
इसलिए,$A^{+2}$ समूह $12$ और आवर्त $4$ में ही रहेगा।

(D) $1$. $X_{(g)}^{+}$ की $IP$ > $X_{(g)}$ की $IP$: चूंकि $X^{+}$ का प्रभावी नाभिकीय आवेश $(Z_{eff})$ $X$ से अधिक होता है,इसलिए $X^{+}$ से इलेक्ट्रॉन निकालने के लिए अधिक ऊर्जा की आवश्यकता होती है।
$2$. $X_{(g)}$ की $IP$ > $X_{(g)}^{-}$ की $IP$: $X^{-}$ में इलेक्ट्रॉन घनत्व अधिक होता है,जिससे उदासीन परमाणु $X$ की तुलना में इसमें से इलेक्ट्रॉन निकालना आसान होता है।
$3$. $X_{(g)}$ की $IP$ > $X_{(g)}$ की $E.A$: आयनन विभव $(IP)$ इलेक्ट्रॉन निकालने के लिए आवश्यक ऊर्जा है,जो हमेशा धनात्मक होती है,जबकि इलेक्ट्रॉन बंधुता $(E.A)$ इलेक्ट्रॉन जोड़ने पर मुक्त होने वाली ऊर्जा है,जिसका परिमाण आमतौर पर कम होता है।
अतः,सभी कथन सही हैं।

(D) का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $[Xe] \ 6s^2 \ 5d^1$ है,जो लैंथेनम ($La$,$Z=57$) के अनुरूप है।
आवर्त सारणी में,$La$ समूह $3$ और आवर्त $6$ में स्थित है।
चूंकि $A, B, C, E$ एक ही समूह (समूह $3$) में हैं,वे समूह $3$ के संक्रमण धातुओं का प्रतिनिधित्व करते हैं: $Sc$ $(Z=21)$,$Y$ $(Z=39)$,$La$ $(Z=57)$,और $Ac$ $(Z=89)$।
इस प्रकार,$A=Sc$,$B=Y$,$C=La$,और $E=Ac$ है।
तत्व $D$,$C$ के समान आवर्त में है लेकिन अगले समूह (समूह $4$) में है,जो हैफनियम ($Hf$,$Z=72$) है।
दिए गए विकल्पों के साथ तुलना करने पर:
$A: La$ गलत है (यह $Sc$ होना चाहिए)।
$B: Sc$ गलत है (यह $Y$ होना चाहिए)।
$E: Hf$ गलत है (यह $Ac$ होना चाहिए)।
अतः,सभी दिए गए विकल्प गलत हैं।

(D) कथन $A$ गलत है क्योंकि थोरियम ($Th$,$Z=90$) का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $[Rn] 6d^2 7s^2$ है। हालांकि इसे रासायनिक गुणों के कारण $f$-ब्लॉक में रखा जाता है,लेकिन इसकी मूल अवस्था में $f$-उपकोश में कोई इलेक्ट्रॉन नहीं होता है।
कथन $B$ गलत है क्योंकि आधुनिक आवर्त सारणी परमाणु क्रमांक के बढ़ते क्रम पर आधारित है,न कि परमाणु द्रव्यमान पर।
कथन $C$ गलत है क्योंकि आयनन ऊर्जा हमेशा धनात्मक होती है,जबकि इलेक्ट्रॉन बंधुता का मान आयनन ऊर्जा की तुलना में बहुत कम होता है।
अतः,सही उत्तर $D$ है।

(B, D) कथन $A$: $Li$ से $Na$ और $Na$ से $K$ तक परमाणु आकार में वृद्धि महत्वपूर्ण है। यह कथन सामान्यतः सही माना जाता है।
कथन $B$: $P$ का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $[Ne] 3s^2 3p^3$ है। अर्ध-पूर्ण $3p$ उपकोष के कारण यह स्थिर है। $P$ में इलेक्ट्रॉन जोड़ने के लिए ऊर्जा की आवश्यकता होती है,इसलिए यह प्रक्रिया ऊष्माशोषी है,ऊष्माक्षेपी नहीं। अतः,यह कथन गलत है।
कथन $C$: $F$ का $IP$ $1681 \ kJ/mol$ है और $EA$ $328 \ kJ/mol$ है। अतः $IP > EA$ सही है।
कथन $D$: ऑक्सीजन परमाणु में पहला इलेक्ट्रॉन जोड़ने की प्रक्रिया ऊष्माक्षेपी होती है। इसलिए,दिया गया कथन गलत है।

(C) $1$. $IP_1$ पहला इलेक्ट्रॉन निकालने के लिए आवश्यक ऊर्जा है,और $IP_2$ दूसरा इलेक्ट्रॉन निकालने के लिए आवश्यक ऊर्जा है। चूंकि धनायन से इलेक्ट्रॉन निकालना उदासीन परमाणु की तुलना में कठिन होता है,इसलिए $IP_2 > IP_1$ होता है। अतः,कथन $A$ सही है।
$2$. $N$ $(2s^2 2p^3)$ और $O$ $(2s^2 2p^4)$ के लिए,अर्ध-पूर्ण $p$-कक्षकों के कारण $IP_1$ का क्रम $N > O$ है। $IP_2$ के लिए,क्रम बदल जाता है क्योंकि $O^+$ $(2s^2 2p^3)$,$N^+$ $(2s^2 2p^2)$ की तुलना में अधिक स्थिर हो जाता है। अतः,कथन $B$ सही है।
$3$. किसी आवर्त में तत्वों की संख्या उस कोश में भरे जाने वाले कक्षकों की संख्या की दोगुनी होती है। कथन में इसे आधा बताया गया है,जो गलत है।
$4$. परिभाषा के अनुसार,ऋणायन $(Cl^-)$ का आयनन विभव उदासीन परमाणु $(Cl)$ की इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी $(EA)$ के बराबर होता है। अतः,कथन $D$ सही है।

(C, D) कथन $A$ गलत है: विद्युत ऋणात्मकता और आयनन ऊर्जा दोनों यह दर्शाते हैं कि एक परमाणु अपने इलेक्ट्रॉनों को कितनी मजबूती से पकड़ कर रखता है; वे आमतौर पर आवर्त में एक साथ बढ़ते हैं।
कथन $B$ गलत है: धात्विक गुण इलेक्ट्रॉन खोने की प्रवृत्ति है,जो विद्युत ऋणात्मकता के व्युत्क्रमानुपाती होती है।
कथन $C$ सही है: कम आयनन ऊर्जा का अर्थ है कि परमाणु आसानी से इलेक्ट्रॉन खो देता है,जिससे वह एक अच्छा अपचायक बन जाता है।
कथन $D$ सही है: $Cl$ की इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी $(349 \ kJ/mol)$ $S$ $(200 \ kJ/mol)$ और $Se$ $(195 \ kJ/mol)$ से अधिक है। $Se < S < Cl$ क्रम सही है,जो विकल्प में दिए गए $Se > S < Cl$ के समान है।

(D) यह दिया गया है कि $Y$,$16^{th}$ समूह और $2^{nd}$ आवर्त में है,इसलिए $Y$ ऑक्सीजन $(O)$ है।
व्यवस्था के अनुसार,$X$ सल्फर $(S)$,$W$ फास्फोरस $(P)$ और $Z$ क्लोरीन $(Cl)$ है।
$1$. विद्युत ऋणात्मकता आवर्त में बाएं से दाएं जाने पर बढ़ती है और समूह में ऊपर से नीचे जाने पर घटती है। $O, S, P, Cl$ में से,ऑक्सीजन $(O)$ की विद्युत ऋणात्मकता सबसे अधिक है।
$2$. श्रृंखलन गुण उन तत्वों के लिए अधिकतम होता है जो स्वयं के साथ मजबूत बंधन बना सकते हैं। इनमें,सल्फर $(S)$ महत्वपूर्ण श्रृंखलन प्रदर्शित करता है।
$3$. इलेक्ट्रॉन बंधुता सामान्यतः आवर्त में बढ़ती है। क्लोरीन $(Cl)$ की इलेक्ट्रॉन बंधुता $3^{rd}$ आवर्त के तत्वों में सबसे अधिक है। अतः,$Z$ $(Cl)$ की इलेक्ट्रॉन बंधुता अधिकतम है।
$4$. कथन $D$ कहता है कि $Y$ $(O)$ की इलेक्ट्रॉन बंधुता अधिकतम है,जो गलत है क्योंकि $Cl$ $(Z)$ की इलेक्ट्रॉन बंधुता $O$ $(Y)$ से अधिक होती है।

(B) $Z = 48$ (कैडमियम) के लिए,विन्यास $[Kr] \, 4d^{10} \, 5s^2$ है। यह समूह $12$ और आवर्त $5$ से संबंधित है। यह सही है।
$[Xe] \, 4f^7 \, 5d^1 \, 6s^2$ (गैडोलीनियम) के लिए,इलेक्ट्रॉनों की कुल संख्या $64$ है। यह लैंथेनॉइड श्रृंखला (समूह $3$,आवर्त $6$) से संबंधित है। दिए गए विकल्प में समूह $8$ कहा गया है,जो गलत है।
$[Rn] \, 5f^{14} \, 6d^3 \, 7s^2$ (डबनियम) के लिए,यह समूह $5$ और आवर्त $7$ से संबंधित है। यह सही है।
$Z = 56$ (बेरियम) के लिए,विन्यास $[Xe] \, 6s^2$ है। यह समूह $2$ और आवर्त $6$ से संबंधित है। यह सही है।
अतः,विकल्प $B$ सही ढंग से सुमेलित नहीं है।

(A) $I$ $Cs$ (क्षार धातु) है,जो एक प्रबल अपचायक है।
$II$ $Lu$ $(Z=71)$ है,जो एक $d-$ ब्लॉक तत्व है क्योंकि अंतिम इलेक्ट्रॉन $5d$ कक्षक में प्रवेश करता है।
$III$ $Br$ (हैलोजन) है,जिसकी इलेक्ट्रॉन बंधुता उच्च होती है।
$IV$ $Co$ $(Z=27)$ है,जो एक संक्रमण धातु है और परिवर्ती ऑक्सीकरण अवस्थाएं प्रदर्शित करता है।
दिए गए सभी कथन सही हैं।

(D) $IP$ (आयनन विभव) एक इलेक्ट्रॉन को हटाने के लिए आवश्यक ऊर्जा है,जो उत्कृष्ट गैस विन्यास के लिए उनके स्थिर अष्टक के कारण अधिकतम होती है। $EA$ (इलेक्ट्रॉन बंधुता) वह ऊर्जा है जो एक इलेक्ट्रॉन को जोड़ने पर निकलती है,जो उत्कृष्ट गैसों के लिए न्यूनतम (या शून्य) होती है क्योंकि उनका कोश पूरी तरह से भरा होता है और वे आसानी से अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन स्वीकार नहीं करते हैं। इसलिए,यह गुण दोनों के लिए समान नहीं है।

(D) $Electron \ affinity$,$Ionisation \ energy$ और $Electronegativity$ सभी आवर्ती गुण हैं जो परमाणु के इलेक्ट्रॉनिक विन्यास की स्थिरता से काफी प्रभावित होते हैं।
स्थिर विन्यास (जैसे उत्कृष्ट गैसें या अर्ध-भरे/पूर्ण-भरे उपकोष) के लिए $Ionisation \ energy$ अधिक होती है।
स्थिर विन्यास के लिए $Electron \ affinity$ कम या धनात्मक होती है क्योंकि इलेक्ट्रॉन जोड़ने से स्थिरता बाधित होती है।
$Electronegativity$ एक परमाणु की इलेक्ट्रॉनों के साझा युग्म को आकर्षित करने की प्रवृत्ति का माप है,जो प्रभावी परमाणु आवेश और संयोजकता कोश की स्थिरता पर भी निर्भर करता है।
चूंकि ये सभी गुण इलेक्ट्रॉनिक विन्यास पर निर्भर करते हैं,इसलिए दिए गए विकल्पों में से कोई भी इससे स्वतंत्र नहीं है।

(A) $(I)$ $O_{(g)}$ की $I.P.$,$O^{-}_{(g)}$ की $I.P.$ से कम है,यह $False$ है क्योंकि ऋणायन से इलेक्ट्रॉन निकालना उदासीन परमाणु की तुलना में आसान होता है।
$(II)$ $Ne_{(g)}$ की $I.P.$,$Ne^{+}_{(g)}$ की $I.P.$ से कम है क्योंकि धनायन से इलेक्ट्रॉन निकालने के लिए अधिक ऊर्जा की आवश्यकता होती है। अतः,कथन $False$ है।
$(III)$ $O^{+}_{(g)}$ की $E.A.$,$O_{(g)}$ की $E.A.$ से अधिक है,यह $True$ है क्योंकि $O^{+}$ का प्रभावी नाभिकीय आवेश अधिक होता है।
$(IV)$ $N_{(g)}$ की $I.P.$,$N^{+}_{(g)}$ की $I.P.$ से कम है क्योंकि धनायन से इलेक्ट्रॉन निकालना कठिन होता है। अतः,कथन $False$ है।
अतः,सही क्रम $F, F, T, F$ है।

(D) आवर्त सारणी में,एक ही समूह के तत्व समान रासायनिक गुण प्रदर्शित करते हैं।
$Li$ और $Na$ समूह $1$ (क्षार धातुएं) के तत्व हैं।
$Be$ और $Ba$ समूह $2$ (क्षारीय मृदा धातुएं) के तत्व हैं।
$N$ और $As$ समूह $15$ के तत्व हैं।
$O$ समूह $16$ का तत्व है,जबकि $At$ (एस्टेटाइन) समूह $17$ (हैलोजन) का तत्व है।
अतः,$(O, At)$ युग्म अलग है क्योंकि वे अलग-अलग समूहों से संबंधित हैं।

(D) . परमाणु त्रिज्या और धात्विक गुण प्रभावी नाभिकीय आवेश में वृद्धि के कारण आवर्त में बाएं से दाएं जाने पर घटते हैं और नई कोशों के जुड़ने के कारण समूह में ऊपर से नीचे जाने पर बढ़ते हैं।
विद्युत ऋणात्मकता और आयनन ऊर्जा बाएं से दाएं जाने पर बढ़ती हैं और ऊपर से नीचे जाने पर घटती हैं।

(B) प्रतिनिधि तत्व वे तत्व हैं जो $s$-ब्लॉक (समूह $1$ और $2$) और $p$-ब्लॉक (समूह $13$ से $18$) में स्थित होते हैं।
विकल्प $B$ में दिए गए सभी तत्व $(13=Al, 33=As, 54=Xe, 83=Bi)$ प्रतिनिधि तत्व हैं।

(B) $(i)$ क्षार धातु कार्बोनेट (जैसे $Na_2CO_3$) तापीय रूप से स्थिर होते हैं और गर्म करने पर विघटित नहीं होते हैं। तत्व $V$ $(Na)$ समूह $1$ का सदस्य है। $\to V$
$(ii)$ आंशिक रूप से भरी हुई $d$-कक्षक वाली संक्रमण धातुएं $d-d$ संक्रमण के कारण रंगीन यौगिक बनाती हैं। तत्व $X$ $(Mn)$ एक संक्रमण धातु है। $\to X$
$(iii)$ तत्व $Y$ एक उत्कृष्ट गैस $(Kr)$ है। उत्कृष्ट गैसों की परमाणु त्रिज्या अपने संबंधित आवर्त में सबसे बड़ी होती है क्योंकि उनके लिए वैन डर वाल्स त्रिज्या पर विचार किया जाता है। $\to Y$
$(iv)$ तत्व $W$ सिलिकॉन $(Si)$ है,जो $SiO_2$ बनाता है,जो एक अम्लीय ऑक्साइड है। $\to W$
अतः,सही क्रम $V, X, Y, W$ है।

(C) अम्लीय है,इसलिए $X$ एक अधातु है (जैसे,$P$)।
$B$ उभयधर्मी है,इसलिए $Y$ एक उभयधर्मी तत्व है (जैसे,$Al$)।
$C$ प्रबल क्षारीय है,इसलिए $Z$ एक क्षार धातु है (जैसे,$Na$)।
चूंकि $X, Y, Z$ एक ही आवर्त में हैं,परमाणु क्रमांक का क्रम $Z < Y < X$ (बाएं से दाएं) है।
$I$: गलत,$X$ एक अधातु है।
$II$: विद्युतऋणात्मकता बाएं से दाएं बढ़ती है,इसलिए यह $X$ से $Y$ से $Z$ तक घटती है। यह सत्य है।
$III$: परमाणु त्रिज्या बाएं से दाएं घटती है,इसलिए क्रम $Z > Y > X$ है। कथन कहता है कि $X, Y, Z$ के क्रम में घटती है,जो गलत है।
$IV$: $X$ (फास्फोरस),$Y$ (एल्युमिनियम),$Z$ (सोडियम) एक मान्य क्रम है। यह सत्य है।
अतः,$II$ और $IV$ सही हैं।

(C) वे प्रतिनिधि तत्व जिनमें आवर्त क्रमांक और समूह क्रमांक समान होते हैं,वे $H$ ($1s^1$,आवर्त $1$,समूह $1$) और $Be$ ($1s^2 2s^2$,आवर्त $2$,समूह $2$) हैं।
$H$ $(1s^1)$ के लिए: मुख्य क्वांटम संख्या $n = 1$,दिगंशीय क्वांटम संख्या $l = 0$,चुंबकीय क्वांटम संख्या $m_l = 0$ है। यह अनुचुंबकीय है।
$Be$ $(1s^2 2s^2)$ के लिए: मुख्य क्वांटम संख्या $n = 2$,दिगंशीय क्वांटम संख्या $l = 0$,चुंबकीय क्वांटम संख्या $m_l = 0$ है। यह प्रतिचुंबकीय है।
दोनों ही मामलों में,चुंबकीय क्वांटम संख्या $m_l$ का मान $0$ है,$1$ नहीं। अतः,कथन $(c)$ गलत है।

(A) आयनन एन्थैल्पी $(I.E.)$ एक अलग गैसीय परमाणु के सबसे बाहरी कोश से एक इलेक्ट्रॉन को हटाने के लिए आवश्यक ऊर्जा की मात्रा है।
इलेक्ट्रॉन बंधुता $(E.A.)$ वह ऊर्जा है जो तब मुक्त होती है जब एक अलग गैसीय परमाणु द्वारा एक इलेक्ट्रॉन प्राप्त किया जाता है।
प्रक्रिया $(i)$ के लिए: $Cl + e^{-} \longrightarrow Cl^{-} \quad \Delta H = -E.A.$
प्रक्रिया $(ii)$ के लिए: $Cl^{-} \longrightarrow Cl + e^{-} \quad \Delta H = +I.E.$
चूंकि ये विपरीत प्रक्रियाएं हैं,इसलिए शामिल ऊर्जा का परिमाण समान होता है: $| I.E. \text{ of process } (ii) | = | E.A. \text{ of process } (i) |$.

(B) कथन $(b)$ गलत है।
आइसोइलेक्ट्रॉनिक प्रजातियां वे आयन या परमाणु हैं जिनमें इलेक्ट्रॉनों की संख्या समान होती है।
ये प्रजातियां आवश्यक रूप से एक ही आवर्त से संबंधित नहीं होती हैं।
उदाहरण के लिए,$O^{2-}$ $(10 \ e^-)$ $2^{nd}$ आवर्त का है,जबकि $Na^+$ $(10 \ e^-)$ $3^{rd}$ आवर्त का है।
अतः,आइसोइलेक्ट्रॉनिक आयन अलग-अलग आवर्त के हो सकते हैं।

(B) आयनन ऊर्जा के लिए सही क्रम $Ca^{2+} > K^{+} > Cl^{-} > S^{2-}$ है। समइलेक्ट्रॉनिक प्रजातियों के लिए,$I.E. \propto Z_{eff}$ होता है।
$(b)$ $2^{nd}$ आयनन ऊर्जा के लिए सही क्रम $C < N < F < O$ है। ऑक्सीजन से दूसरे इलेक्ट्रॉन को हटाने के लिए अधिक ऊर्जा की आवश्यकता होती है क्योंकि एक इलेक्ट्रॉन हटने के बाद यह स्थिर $2s^{2} 2p^{3}$ विन्यास प्राप्त कर लेता है।
$(c)$ विद्युतऋणात्मकता के लिए सही क्रम $B > Tl > In > Ga > Al$ है। सामान्य तौर पर,बोरॉन परिवार में ऊपर से नीचे जाने पर $Z_{eff}$ में वृद्धि के कारण $EN$ बढ़ता है,जबकि बोरॉन अपने बहुत छोटे आकार के कारण सबसे अधिक $E.N.$ रखता है।
$(d)$ आयनिक त्रिज्या के लिए सही क्रम $Na^{+} > Li^{+} > Mg^{2+} > Al^{3+} > Be^{2+}$ है। आयनिक त्रिज्या $Z_{eff}$ और कोशों की संख्या पर निर्भर करती है।

(C) लुईस अम्लीय गुण का सही क्रम $PF_5 > SiF_4 > SF_6$ है।
हालाँकि $S$ के पास रिक्त $3d$-कक्षक होते हैं,लेकिन यह लुईस क्षार से उपसहसंयोजक बंध स्वीकार नहीं कर सकता है क्योंकि त्रिविम बाधा (steric crowding) के कारण $S$ परमाणु पहले से ही छह $F$ परमाणुओं से बंधा हुआ है।

(C) $1$. आयनिक आकार के लिए: $P^{3-} > S^{2-} > K^{+} > Ca^{2+}$। दिया गया क्रम गलत है।
$2$. जलीय विलयन में विद्युत चालकता के लिए: चालकता आयनिक गतिशीलता पर निर्भर करती है। $Cs^{+}$ सबसे कम जलयोजित होता है,इसलिए इसकी गतिशीलता और चालकता सबसे अधिक होती है। सही क्रम $Cs^{+} > Rb^{+} > K^{+} > Na^{+}$ है।
$3$. जलयोजित आकार के लिए: उच्च आवेश घनत्व अधिक जलयोजन की ओर ले जाता है। $Al^{3+}$ का आवेश घनत्व सबसे अधिक है,इसलिए इसका जलयोजित आकार सबसे बड़ा है। यह क्रम सही है।
$4$. आयनिक गतिशीलता के लिए: छोटे जलयोजित आयनों की गतिशीलता अधिक होती है। $F^{-}$ सबसे अधिक जलयोजित होता है,इसलिए इसकी गतिशीलता सबसे कम होती है। सही क्रम $I^{-} > Br^{-} > F^{-}$ है।

(B) $1$. आयनन विभव: '$O$' $(1314 \ kJ/mol)$ > '$S$' $(1000 \ kJ/mol)$। '$O$' के लिए अधिक है।
$2$. इलेक्ट्रॉन बंधुता: '$S$' $(-200 \ kJ/mol)$ > '$O$' $(-141 \ kJ/mol)$। ध्यान दें: परिमाण '$S$' के लिए अधिक है, इसलिए '$O$' के लिए कम है।
$3$. सहसंयोजक त्रिज्या: '$S$' $(102 \ pm)$ > '$O$' $(66 \ pm)$। '$O$' के लिए कम है।
$4$. विद्युत ऋणात्मकता: '$O$' $(3.44)$ > '$S$' $(2.58)$। '$O$' के लिए अधिक है।
केवल '$2$' गुण (आयनन विभव और विद्युत ऋणात्मकता) '$O$' के लिए '$S$' से अधिक हैं।
अतः, सही विकल्प $B$ है।

(B) तत्व का ब्लॉक निर्धारित करने के लिए,हम देखते हैं कि अंतिम इलेक्ट्रॉन किस उपकोष (subshell) में प्रवेश करता है:
$1. Z = 33$ (आर्सेनिक): $[Ar] 3d^{10} 4s^2 4p^3$ ($p$-ब्लॉक)
$2. Z = 47$ (सिल्वर): $[Kr] 4d^{10} 5s^1$ ($d$-ब्लॉक)
$3. Z = 53$ (आयोडीन): $[Kr] 4d^{10} 5s^2 5p^5$ ($p$-ब्लॉक)
$4. Z = 59$ (प्रासियोडिमियम): $[Xe] 4f^3 6s^2$ ($f$-ब्लॉक)
$5. Z = 68$ (अर्बियम): $[Xe] 4f^{12} 6s^2$ ($f$-ब्लॉक)
$6. Z = 74$ (टंगस्टन): $[Xe] 4f^{14} 5d^4 6s^2$ ($d$-ब्लॉक)
$7. Z = 82$ (लेड): $[Xe] 4f^{14} 5d^{10} 6s^2 6p^2$ ($p$-ब्लॉक)
चूंकि इन तत्वों में $p, d,$ और $f$ ब्लॉक शामिल हैं,इसलिए सही विकल्प $B$ है।

(D) $1$. $BeO$ उभयधर्मी है,जबकि $MgO$ क्षारीय है। अतः,$BeO < MgO$ क्षारीय सामर्थ्य के लिए सही है।
$2$. समूह में,धात्विक गुण बढ़ने के साथ ऑक्साइड की अम्लीय सामर्थ्य घटती है। अतः,$SO_2 > SeO_2 > TeO_2$ सही है।
$3$. जालक ऊर्जा में कमी के कारण धनायन का आकार बढ़ने पर क्षार धातु हैलाइडों का गलनांक घटता है। अतः,$NaCl > KCl > RbCl > CsCl$ सही है।
$4$. क्षारीय मृदा धातु सल्फेट्स के लिए,जालक ऊर्जा में कमी की तुलना में जलयोजन ऊर्जा में कमी अधिक महत्वपूर्ण होने के कारण समूह में नीचे जाने पर विलेयता घटती है। सही क्रम $BeSO_4 > MgSO_4 > CaSO_4 > SrSO_4 > BaSO_4$ है। अतः,दिया गया क्रम गलत है।

(B) तत्व का ब्लॉक निर्धारित करने के लिए,हम देखते हैं कि अंतिम इलेक्ट्रॉन किस उपकोष में प्रवेश करता है:
$1$. $Z = 37$ (रुबिडियम,$Rb$) के लिए: इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $[Kr] 5s^1$ है। अंतिम इलेक्ट्रॉन $s-$कक्षक में प्रवेश करता है,इसलिए यह $s-$ब्लॉक $(S)$ में है।
$2$. $Z = 42$ (मोलिब्डेनम,$Mo$) के लिए: इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $[Kr] 4d^5 5s^1$ है। अंतिम इलेक्ट्रॉन $d-$कक्षक में प्रवेश करता है,इसलिए यह $d-$ब्लॉक $(R)$ में है।
$3$. $Z = 34$ (सेलेनियम,$Se$) के लिए: इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $[Ar] 3d^{10} 4s^2 4p^4$ है। अंतिम इलेक्ट्रॉन $p-$कक्षक में प्रवेश करता है,इसलिए यह $p-$ब्लॉक $(P)$ में है।
$4$. $Z = 92$ (यूरेनियम,$U$) के लिए: इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $[Rn] 5f^3 6d^1 7s^2$ है। अंतिम इलेक्ट्रॉन $f-$कक्षक में प्रवेश करता है,इसलिए यह $f-$ब्लॉक $(Q)$ में है।
अतः,सही मिलान $A-S, B-R, C-P, D-Q$ है।

(B) . आयनन विभव: क्रम $O < N < F$ है ($N$ के स्थिर अर्ध-पूर्ण $2p^3$ विन्यास के कारण)। यह $R$ से मेल खाता है।
$B$. विद्युत ऋणात्मकता: क्रम $N < O < F$ है। यह $Q$ से मेल खाता है।
$C$. $Z_{eff}$: आवर्त में प्रभावी नाभिकीय आवेश बढ़ता है,इसलिए $N < O < F$। यह $Q$ से मेल खाता है।
$D$. इलेक्ट्रॉन बंधुता: क्रम $N < C < O$ है। यह $S$ से मेल खाता है।
अतः,सही मिलान $A-R, B-Q, C-Q, D-S$ है।

(A) सबसे बाहरी कोश संयोजी कोश $(n)$ होता है।
$s$-ब्लॉक तत्वों के लिए,सामान्य विन्यास $ns^{1-2}$ है,इसलिए सबसे बाहरी कोश में अधिकतम $2$ इलेक्ट्रॉन होते हैं।
$p$-ब्लॉक तत्वों के लिए,सामान्य विन्यास $ns^2 np^{1-6}$ है,इसलिए सबसे बाहरी कोश $(ns + np)$ में अधिकतम $2 + 6 = 8$ इलेक्ट्रॉन होते हैं।
$d$-ब्लॉक तत्वों के लिए,सामान्य विन्यास $(n-1)d^{1-10} ns^{0-2}$ है। सबसे बाहरी कोश $ns$ है,जिसमें अधिकतम $2$ इलेक्ट्रॉन हो सकते हैं।
$f$-ब्लॉक तत्वों के लिए,सामान्य विन्यास $(n-2)f^{1-14} (n-1)d^{0-1} ns^2$ है। सबसे बाहरी कोश $ns$ है,जिसमें अधिकतम $2$ इलेक्ट्रॉन होते हैं।
अतः,$s, p, d$ और $f$ ब्लॉक तत्वों के सबसे बाहरी कोश में इलेक्ट्रॉनों की अधिकतम संख्या क्रमशः $2, 8, 2, 2$ है।

(A) यह निर्धारित करने के लिए कि तत्व एक ही समूह के हैं या नहीं,हम उनके इलेक्ट्रॉनिक विन्यास को देखते हैं।
$1$. परमाणु क्रमांक $13$ $(Al)$ के लिए: विन्यास $[Ne] 3s^2 3p^1$ है। यह समूह $13$ में आता है।
$2$. परमाणु क्रमांक $31$ $(Ga)$ के लिए: विन्यास $[Ar] 3d^{10} 4s^2 4p^1$ है। यह भी समूह $13$ में आता है।
चूंकि दोनों तत्वों के संयोजी कोश का विन्यास समान $(ns^2 np^1)$ है,इसलिए वे एक ही समूह में स्थित हैं।

(C) $1$. $(i) Ba < Sr < Ca$: समूह में नीचे जाने पर आयनन एन्थैल्पी घटती है। अतः,$Ca > Sr > Ba$ सही है,इसलिए $Ba < Sr < Ca$ सही है।
$2$. $(ii) S^{2-} < S < S^{2+}$: जैसे-जैसे धनात्मक आवेश बढ़ता है,आयनन एन्थैल्पी बढ़ती है। अतः,$S^{2-} < S < S^{2+}$ सही है।
$3$. $(iii) C < O < N$: आवर्त में सामान्यतः आयनन एन्थैल्पी बढ़ती है। हालाँकि,$N$ का विन्यास स्थिर अर्ध-पूर्ण $2p^3$ होता है,जिससे इसकी आयनन एन्थैल्पी $O$ से अधिक होती है। सही क्रम $C < O < N$ है। अतः,$(iii)$ सही है।
$4$. $(iv) Mg < Al < Si$: आवर्त में सामान्यतः आयनन एन्थैल्पी बढ़ती है। $Mg$ का $3s^2$ विन्यास स्थिर है,इसलिए इसकी आयनन एन्थैल्पी $Al$ से अधिक होती है। सही क्रम $Al < Mg < Si$ है। अतः,$(iv)$ गलत है।
अतः,$(i), (ii)$ और $(iii)$ सही हैं।

(B) $1$. आयनन ऊर्जा वह ऊर्जा है जो इलेक्ट्रॉन को निकालने के लिए आवश्यक होती है; उच्च मान धनायन निर्माण को कठिन बनाते हैं,आसान नहीं।
$2$. इलेक्ट्रॉन बंधुता वह ऊर्जा है जो इलेक्ट्रॉन जोड़ने पर मुक्त होती है; उच्च मान ऋणायन बनाने की अधिक प्रवृत्ति को दर्शाते हैं।
$3$. विद्युत ऋणात्मकता आयनन ऊर्जा और इलेक्ट्रॉन बंधुता दोनों से संबंधित है; दोनों के उच्च मान आमतौर पर उच्च विद्युत ऋणात्मकता की ओर ले जाते हैं।
$4$. $Z_{eff}$ (प्रभावी नाभिकीय आवेश) परमाणु आकार के व्युत्क्रमानुपाती होता है; उच्च $Z_{eff}$ के परिणामस्वरूप परमाणु का आकार छोटा होता है।

(D) $1$. $He$ की प्रथम आयनन एन्थैल्पी $(\Delta_iH_1)$ अपने स्थिर इलेक्ट्रॉनिक विन्यास और छोटे आकार के कारण सभी तत्वों में सबसे अधिक है। (कथन $A$ सही है।)
$2$. उत्कृष्ट गैसों की संयोजकता कोश पूरी तरह से भरी होती है,इसलिए वे आसानी से इलेक्ट्रॉन स्वीकार नहीं करती हैं,जिसके परिणामस्वरूप उनकी इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी $(\Delta_{eg}H_1)$ शून्य या धनात्मक होती है। (कथन $B$ सही है।)
$3$. फ्लोरीन आवर्त सारणी में सबसे अधिक विद्युत ऋणात्मक तत्व है। (कथन $C$ सही है।)
$4$. नाइट्रोजन $(1s^2 2s^2 2p^3)$ में अर्ध-पूर्ण $p$-कक्षक होता है,जो ऑक्सीजन $(1s^2 2s^2 2p^4)$ के इलेक्ट्रॉनिक विन्यास से अधिक स्थिर है। इसलिए,नाइट्रोजन की $\Delta_iH_1$ ऑक्सीजन से अधिक होती है। (कथन $D$ गलत है।)

(C) उत्कृष्ट गैसों (Noble gases) की संयोजकता कोश पूरी तरह से भरी होती है ($ns^2 np^6$ विन्यास,$He$ को छोड़कर जो $1s^2$ है)।
स्थिर इलेक्ट्रॉनिक विन्यास के कारण,उनकी आयनन एन्थैल्पी बहुत उच्च होती है।
उनमें अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन को स्वीकार करने की कोई प्रवृत्ति नहीं होती है,इसलिए उनकी इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी शून्य (या धनात्मक) होती है।
दिए गए विकल्पों में से,$He$ एक उत्कृष्ट गैस है।

(A) कथन $A$ गलत है। एक आवर्त में,परमाणु क्रमांक के साथ घनत्व सामान्यतः बढ़ता है,लेकिन समूह में नीचे जाने पर घनत्व बढ़ता है क्योंकि परमाणु द्रव्यमान में वृद्धि परमाणु आयतन में वृद्धि की तुलना में अधिक महत्वपूर्ण होती है।
कथन $B$ सही है; आयनन ऊर्जा कक्षकों के भेदन प्रभाव $(s > p > d > f)$ पर निर्भर करती है।
कथन $C$ सही है; समूह में नीचे जाने पर इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी सामान्यतः कम ऋणात्मक (घटती) हो जाती है।
कथन $D$ सही है; विकर्ण संबंध दूसरे और तीसरे आवर्त के तत्वों के बीच आवेश-आकार अनुपात जैसे गुणों में समानता की व्याख्या करता है।

(C) $1$. अधात्विक गुण आवर्त में बाएं से दाएं जाने पर बढ़ता है और समूह में ऊपर से नीचे जाने पर घटता है। $F > N > C > Si > Ga$ क्रम सही है।
$2$. ऑक्सीकरण क्षमता विद्युत ऋणात्मकता और इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी से संबंधित है।
$3$. इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी का सही क्रम $Cl > F > S > P > O > N > C > Si$ है। अतः,दिया गया क्रम $C < Si > P > N$ गलत है।

(B) . आयनिक गतिशीलता जलयोजित आयन के आकार पर निर्भर करती है। $Na^{+}$ पर $Mg^{2+}$ की तुलना में कम आवेश होता है,इसलिए यह कम जलयोजित होता है और इसकी गतिशीलता अधिक होती है। यह कथन सही है।
$B$. $Cl$ की इलेक्ट्रॉन प्राप्ति एन्थैल्पी $(EA)$,$F$ से अधिक होती है क्योंकि $F$ का आकार छोटा होने के कारण इसके $2p$ उपकोश में अंतर-इलेक्ट्रॉनिक प्रतिकर्षण अधिक होता है। अतः,यह कथन कि $F$ की $EA$,$Cl$ से अधिक है,गलत है।
$C$. $B^{+}$ का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $1s^2 2s^2$ है और $C^{+}$ का $1s^2 2s^2 2p^1$ है। $B^{+}$ के स्थिर $2s^2$ कक्षक से इलेक्ट्रॉन निकालने के लिए $C^{+}$ के $2p^1$ कक्षक की तुलना में अधिक ऊर्जा की आवश्यकता होती है। यह कथन सही है।
$D$. $O^{-}$ की $IE$,$O$ से कम है क्योंकि ऋणायन से इलेक्ट्रॉन निकालना उदासीन परमाणु की तुलना में आसान होता है। यह कथन सही है।

(D) $1$. $2^{nd}$ इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी हमेशा ऊष्माशोषी होती है क्योंकि आने वाले इलेक्ट्रॉन और ऋण आवेशित आयन के बीच स्थिरवैद्युत प्रतिकर्षण को दूर करने के लिए ऊर्जा की आवश्यकता होती है। अतः,कथन $A$ सही है।
$2$. विद्युतऋणात्मकता को रासायनिक बंध में एक परमाणु की साझा इलेक्ट्रॉन युग्म को अपनी ओर आकर्षित करने की प्रवृत्ति के रूप में परिभाषित किया गया है। यह बंधित परमाणुओं का गुण है। अतः,कथन $B$ सही है।
$3$. $Al_2O_3$ और $BeO$ प्रसिद्ध उभयधर्मी ऑक्साइड हैं,जिसका अर्थ है कि वे अम्ल और क्षार दोनों के साथ अभिक्रिया करते हैं। अतः,कथन $C$ सही है।
$4$. चूंकि सभी कथन $A$,$B$,और $C$ सही हैं,इसलिए 'इनमें से कोई भी गलत नहीं है' सही विकल्प है।

(B) प्रत्येक विकल्प का विश्लेषण करते हैं:
$1$. $Al^{3+}, Mg^{2+}, Na^{+}, F^{-}$ $10$ इलेक्ट्रॉनों वाली आइसोइलेक्ट्रॉनिक प्रजातियां हैं। आइसोइलेक्ट्रॉनिक प्रजातियों के लिए,जैसे-जैसे परमाणु क्रमांक घटता है,आयनिक आकार बढ़ता है। अतः $Al^{3+} < Mg^{2+} < Na^{+} < F^{-}$ क्रम सही है।
$2$. प्रथम आयनन विभव $(IP)$ सामान्यतः आवर्त में बढ़ता है। हालाँकि,$N$ में अर्ध-पूर्ण $p$-कक्षक $(2p^3)$ होने के कारण,इसकी $IP$,$O$ से अधिक होती है। सही क्रम $B < C < O < N$ है। अतः $B < C < N < O$ गलत है।
$3$. इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी $(EA)$ सामान्यतः आवर्त में बढ़ती है,लेकिन $F$ के छोटे $2p$-उपकोश में अंतर-इलेक्ट्रॉनिक प्रतिकर्षण के कारण $Cl$ की $EA$,$F$ से अधिक होती है। अतः $I < Br < F < Cl$ क्रम सही है।
$4$. समूह में नीचे जाने पर धात्विक गुण बढ़ता है क्योंकि आयनन ऊर्जा घटती है। अतः $Li < Na < K < Rb$ क्रम सही है।

(D) $1$. $2^{nd}$ इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी हमेशा ऊष्माशोषी होती है क्योंकि आने वाले इलेक्ट्रॉन और पहले से मौजूद ऋणायन के बीच स्थिरवैद्युत प्रतिकर्षण होता है।
$2$. विद्युतऋणात्मकता बंधित अवस्था में परमाणु का एक गुण है,जो साझा इलेक्ट्रॉनों को आकर्षित करने की उसकी प्रवृत्ति को दर्शाता है।
$3$. $Al_2O_3$ और $BeO$ दोनों उभयधर्मी (amphoteric) प्रकृति प्रदर्शित करते हैं,जिसका अर्थ है कि वे अम्ल और क्षार दोनों के साथ अभिक्रिया करते हैं।
$4$. चूंकि तीनों कथन सही हैं,इसलिए सही विकल्प $D$ है।

(D) आवर्त सारणी में तत्व समान आयनिक विभव (आवेश/आकार अनुपात) के कारण विकर्ण संबंध प्रदर्शित करते हैं।
$Li$ और $Mg$,$Be$ और $Al$,तथा $B$ और $Si$ प्रसिद्ध युग्म हैं जो विकर्ण संबंध दिखाते हैं।
$Li$ और $Na$ एक ही समूह $(Group \ 1)$ के तत्व हैं और वे विकर्ण संबंध नहीं दिखाते हैं।
अतः,$Li-Na$ का युग्म दूसरों से भिन्न है।