दो संकेंद्रित गोलीय सतहें $P_1$ और $P_2$ चित्र में दिखाए अनुसार $\frac{Q}{2}$ और $4Q$ आवेशों को परिबद्ध करती हैं। यदि $\phi_1$ और $\phi_2$ क्रमशः सतहों $P_1$ और $P_2$ से जुड़े विद्युत फ्लक्स हैं,तो:

एक विद्युत क्षेत्र $\overrightarrow{E} = 4x \hat{i} - (y^2 + 1) \hat{j} \text{ N/C}$ चित्र में दिखाए गए बॉक्स से गुजरता है। सतहों $ABCD$ और $BCGF$ से गुजरने वाला विद्युत फ्लक्स क्रमशः $\phi_I$ और $\phi_{II}$ के रूप में चिह्नित है। अंतर $(\phi_I - \phi_{II})$ ($\text{Nm}^2/C$ में) क्या है?

$q_1, q_2, q_3$ और $q_4$ चित्र में दिखाए गए बिंदु आवेश हैं और $S$,$R$ त्रिज्या वाली एक गोलीय गॉसियन सतह है। गॉस के नियम के अनुसार निम्नलिखित में से कौन सा सत्य है?

एक $Q \; \mu C$ आवेश को एक घन के केंद्र पर रखा गया है। इसके किसी भी एक फलक से बाहर आने वाला फ्लक्स होगा:

एक अनंत लंबाई का एकसमान रेखीय आवेश वितरण,जिसकी प्रति इकाई लंबाई आवेश घनत्व $\lambda$ है,$y-z$ समतल में $z=\frac{\sqrt{3}}{2} a$ पर $y$-अक्ष के समानांतर स्थित है (चित्र देखें)। यदि $x-y$ समतल में स्थित और मूल बिंदु पर केंद्र वाली आयताकार सतह $A B C D$ से गुजरने वाले विद्युत फ्लक्स का परिमाण $\frac{\lambda L }{ n \varepsilon_0}$ ($\varepsilon_0=$ निर्वात की विद्युतशीलता) है,तो $n$ का मान ज्ञात कीजिए।

यदि एक गोलीय चालक चित्र में दिखाए अनुसार एक बंद सतह में आंशिक रूप से प्रवेश करता है,तो बंद सतह से उत्सर्जित कुल विद्युत फ्लक्स होगा: