ટ્રાન્ઝિસ્ટર બનાવવા માટે સૌથી વધુ વપરાતી સામગ્રી કઈ છે?

શુદ્ધ સિલિકોનમાં, એકમ કદ દીઠ ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા $1.6 \times 10^{16} \,m^{-3}$ છે. જો સિલિકોનમાં બોરોનનું ડોપિંગ એવી રીતે કરવામાં આવે કે જેથી હોલની ઘનતા વધીને $4 \times 10^{22} \,m^{-3}$ થાય, તો ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા કેટલી હશે?

ધારો કે ${n_h}$ અને ${n_e}$ એ અર્ધવાહકમાં અનુક્રમે હોલ અને કન્ડક્શન ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા છે. તો

સિલિકોનમાં અશુદ્ધિ તરીકે નીચેનામાંથી શું ઉમેરવાથી $n-$પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર બને છે?

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરનું એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડથી $6 \ eV$ ઉપર છે. પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઇ જે હોલ બનાવી શકે તે કેટલી હશે ($nm$ માં)? (આપેલ છે: $hc = 1242 \ eV \ nm$)

એનર્જી બેન્ડ થીયરીના આધારે $n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના અર્ધવાહકો સમજાવો.