$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરનું એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડથી $6 \ eV$ ઉપર છે. પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઇ જે હોલ બનાવી શકે તે કેટલી હશે ($nm$ માં)? (આપેલ છે: $hc = 1242 \ eV \ nm$)

નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ અને હોલ $n_h$ ની સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમના ડોપિંગ દ્વારા $n_h$ વધારીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ કરવામાં આવે છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં ઈલેક્ટ્રોન $n_e$ ની સાંદ્રતા ગણો.

$N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે $Si$ માં કઈ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે?

આકૃતિમાં દર્શાવેલ પદાર્થના એનર્જી બેન્ડ ડાયાગ્રામમાં,ખુલ્લા વર્તુળો અને ભરેલા વર્તુળો અનુક્રમે હોલ અને ઇલેક્ટ્રોન દર્શાવે છે. આ પદાર્થ કયો છે?

$P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે શુદ્ધ સિલિકોનમાં જે અશુદ્ધિના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે તે કયા છે?