શુદ્ધ સિલિકોનમાં, એકમ કદ દીઠ ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા $1.6 \times 10^{16} \,m^{-3}$ છે. જો સિલિકોનમાં બોરોનનું ડોપિંગ એવી રીતે કરવામાં આવે કે જેથી હોલની ઘનતા વધીને $4 \times 10^{22} \,m^{-3}$ થાય, તો ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા કેટલી હશે?

  • A
    $6.4 \times 10^{-9} \,m^{-3}$
  • B
    $6.4 \times 10^9 \,m^{-3}$
  • C
    $6.4 \times 10^{-10} \,m^{-3}$
  • D
    $6.4 \times 10^{10} \,m^{-3}$

Explore More

Similar Questions

જ્યારે અર્ધવાહકનું તાપમાન વધે છે,ત્યારે:

$P$-પ્રકારનો સેમીકન્ડક્ટર એટલે:

જો એક સેમિકન્ડક્ટરની આંતરિક કેરિયર સાંદ્રતા $1.41 \times 10^{16} \, m^{-3}$ હોય,અને તેને $10^{21} \, m^{-3}$ ફોસ્ફરસ સાથે ડોપ કરવામાં આવે,તો ઓરડાના તાપમાને હોલ્સની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

Difficult
View Solution

એક્સેપ્ટર (સ્વીકારક) અશુદ્ધિ એટલે શું? આવી અશુદ્ધિઓના નામ લખો.

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકો કયા અશુદ્ધિ તત્વને ઉમેરીને બનાવવામાં આવે છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo