ट्रांजिस्टर बनाने के लिए सबसे अधिक उपयोग की जाने वाली सामग्री है

यदि $N_A$ मिलाए गए स्वीकर्ता (acceptor) परमाणुओं का संख्या घनत्व है और $N_D$ एक अर्धचालक में मिलाए गए दाता (donor) परमाणुओं का संख्या घनत्व है,और $n_e$ तथा $n_h$ इसमें इलेक्ट्रॉनों और कोटरों (holes) का संख्या घनत्व है,तो:

अर्धचालक (सेमीकंडक्टर) की डोपिंग (छोटे अशुद्धि परमाणुओं के साथ) सामान्यतः प्रतिरोधकता को किस प्रकार बदलती है?

$N$-प्रकार के अर्धचालक में,दाता ऊर्जा स्तर $E_D$ कहाँ स्थित होते हैं?

$p$-प्रकार के अर्धचालक का ग्राही स्तर (acceptor level) वैलेंस बैंड से $6 \ eV$ ऊपर है। प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य जो एक होल बना सकती है,वह होगी: (दिया गया है: $hc = 1242 \ eV \ nm$) ($nm$ में)

$500 \ K$ तापमान पर एक शुद्ध अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन संख्या-घनत्व $(n_e)$ और होल संख्या-घनत्व $(n_h)$ समान हैं,जो $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। अब,इसमें इंडियम अशुद्धि मिलाने पर होल घनत्व $(n_h)$ बढ़कर $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाता है। यह अशुद्धि मिश्रित अर्धचालक है: