એનર્જી બેન્ડ થીયરીના આધારે $n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના અર્ધવાહકો સમજાવો.

(N/A) બાહ્ય (extrinsic) અર્ધવાહકમાં મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સની વિપુલતાને કારણે,ઉષ્મીય રીતે ઉત્પન્ન થતા માઇનોરિટી કેરિયર્સ મેજોરિટી કેરિયર્સ સાથે મળીને નાશ પામવાની શક્યતા વધુ હોય છે,જે પરોક્ષ રીતે માઇનોરિટી કેરિયર્સની આંતરિક સાંદ્રતા ઘટાડવામાં મદદ કરે છે.
અર્ધવાહકની એનર્જી બેન્ડ રચના ડોપિંગ દ્વારા પ્રભાવિત થાય છે. બાહ્ય અર્ધવાહકમાં,દાતા અશુદ્ધિઓ $(E_{D})$ અને ગ્રાહી અશુદ્ધિઓ $(E_{A})$ ને કારણે વધારાના ઉર્જા સ્તરો અસ્તિત્વમાં આવે છે.
$n$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં,દાતા ઉર્જા સ્તર $E_{D}$ એ કન્ડક્શન બેન્ડના તળિયા $(E_{C})$ થી થોડું નીચે હોય છે અને આ સ્તરના ઇલેક્ટ્રોન ખૂબ ઓછી ઉર્જા સાથે કન્ડક્શન બેન્ડમાં જાય છે.
ઓરડાના તાપમાને મોટાભાગના દાતા પરમાણુઓ આયનીકૃત થઈ જાય છે,તેથી કન્ડક્શન બેન્ડમાં મોટાભાગના ઇલેક્ટ્રોન દાતા અશુદ્ધિઓમાંથી આવે છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે.
$p$-પ્રકારના અર્ધવાહક માટે,ગ્રાહી ઉર્જા સ્તર $E_{A}$ એ વેલેન્સ બેન્ડની ટોચ $(E_{V})$ થી થોડું ઉપર હોય છે. ખૂબ ઓછી ઉર્જા મળતા,વેલેન્સ બેન્ડનો ઇલેક્ટ્રોન $E_{A}$ સ્તર પર કૂદી શકે છે અને ગ્રાહી પરમાણુને ઋણ આયનીકૃત કરે છે.