किसी खोखले गोले में विभव $(V)$ केन्द्र से दूरी $(s)$ के सापेक्ष निम्न ग्राफ के अनुसार परिवर्तित होगा

किसी ($R$) त्रिज्या वाले आवेशित चालक गोले के केन्द्र से त्रिज्मीय दूरी $(\mathrm{r})$ के साथ विधुत विभव $(\mathrm{V})$ में परिवर्तनों को निम्न में से कौन सा विकल्प सही निरूपित करता है ?

यदि आठ एकसमान आवेशित बूँदों से मिलाकर एक बड़ी बूँद बनायी जाये तो एक छोटी बूँद की तुलना में बड़ी बूँद का विभव होगा

$10 \,cm$ भुजा वाले एक सम-षट्भुज के प्रत्येक शीर्ष पर $5\, \mu C$ का आवेश है। षट्भुज के केंद्र पर विभव परिकलित कीजिए।

धातुओं के बने हुए दो गोलाकार समकेन्द्रीय खोलों की त्रिज्या $R$ और $4 R$ है तथा इन पर क्रमश: $Q _{1}$ और $Q _{2}$ आवेश हैं। यदि दोनों खोलों पर सतहीय आवेश घनत्व (surface charge density) समान हो तो विभवान्तर $V ( R )- V (4 R )$ का मान है :

$R$ त्रिज्या के वृत्त पर $10$ इलेक्ट्रॉन एक दूसरे से समान दूरी पर स्थित हैं। अनन्त पर $V = 0$ के सापेक्ष केन्द्र $C$ पर विद्युत विभव $V$ व विद्युत क्षेत्र $E$ होंगे