બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ હોય તેવા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની વચ્ચે $b = d/2$ જાડાઈની ધાતુની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે. તો નવા કેપેસિટન્સ અને મૂળ કેપેસિટન્સનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

$C_1$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોને તેમની મૂળભૂત અંતર કરતા અડધા અંતરે લાવવામાં આવે છે. નવું કેપેસિટન્સ $C_2$ કેટલું હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $2V$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ,ઇલેક્ટ્રોનને બિંદુ $P$ અને $Q$ પર મૂકવામાં આવે છે. તો,

બે સમાન પાતળી ધાતુની પ્લેટો પર અનુક્રમે $q_{1}$ અને $q_{2}$ વિદ્યુતભાર છે,જેથી $q_{1} > q_{2}$ થાય. આ પ્લેટોને એકબીજાની નજીક લાવીને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતું સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવવામાં આવે છે. તેમની વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?

નીચેની ગોઠવણીમાં એકબીજાને સમાંતર પાંચ સમાન ધાતુની પ્લેટો છે. દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે અને ક્રમિક પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. $P$ અને $Q$ વચ્ચેનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે?

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $0.1 \ m^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી ત્રણ પ્લેટો $A, B$ અને $C$ એકબીજાથી $0.885 \ mm$ અંતરે રહેલી છે. આ તંત્રને ચાર્જ કરવા માટે $10 \ V$ ની બેટરીનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. તંત્રમાં સંગ્રહિત ઉર્જા કેટલી હશે?