બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ હોય તેવા કેપેસિટરની વચ્ચે ઘાતુ $b = \frac{d}{2}$ ની પ્લેટ મૂકતા મળતા કેપેસિટન્સ અને ધાતુ ના મૂકેલી હોય ત્યારના કેપેસીટન્સ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?
$\sqrt 2 :1$
$2 : 1$
$1 : 1$
$1:\sqrt 2 $
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.05\, m$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે $3 \times 10^4\,V/m$ મુલ્યનું વિ. ક્ષેત્ર સ્થાપિત કરવામાં આવે છે. તેને બેટરીથી દૂર કરી અને એક $0.01 \,m$ જાડાઈની ધાતુની અવિદ્યુતભારિત પ્લેટને (કેપેસિટર) દાખલ કરવામાં આવે છે. તો જો ધાતુની પ્લેટને બદલે $K = 2$ ડાઈ-ઈલેકટ્રીક અચળાંકની પ્લેટને મુકવામાં આવે તો સ્થિતિમાન તફાવત કેટલા.....$kV$ હશે ?
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટની લંબાઈ $l$ અને પહોળાઈ $w$ અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. તેને $V$ $emf$ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડેલ છે. $d$ જાડાઈ અને $k =4$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો એક સ્લેબ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે સ્લેબને પ્લેટની અંદર કેટલી લંબાઈ સુધી દાખલ કરવો જોઈએ કે જેથી કેપેસીટરમાં સંગ્રહ પામતી ઉર્જા શરૂઆતની સંગ્રહિત ઉર્જા કરતાં બમણી થાય?
બે સમાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C$ જેમની પ્લેટના આડછેડનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને તે $d$ અંતરે છે .આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે ત્રણ સમાન જાડાઈ ધરાવતા ડાયઈલેક્ટ્રિક જેના ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_1$ , $K_2$ અને $K_3$ ને ભરેલા છે. આ બંને કેપેસીટર પર સમાન વૉલ્ટેજ $V$ લગાવવામાં આવે તો તેમાં સંગ્રહ થતી ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?
$12\,pF$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને એક બેટરી વડે તેની બે પ્લેટો વચ્ચે $10\, V$ વિજસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. આ ચાર્જિંગ બેટરીને દૂર કરીને એક પોર્સેલિનના ચોસલા કે જેનો પરાવૈધૃતાંક (dielectric constant) $6.5$ છે તેને આ બે પ્લેટો વચ્ચે સરકાવવામાં આવે છે. આ કેપેસિટર વડે ચોસલા પર કેટલા .......$pJ$ કાર્ય થશે?
એક સમાંતર પ્લેટ્સ કેપેસિટરને $5$ ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઈલેક્ટ્રિકના ઉપયોગથી એ રીતે ડિઝાઈન કરવાનો છે કે તેની ડાયઈલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $10^9 \;Vm ^{-1}$ થાય. જો કેપેસિટરનો વોલ્ટેજ રેટિંગ $12 \;kV$ હોય, તો $80 \;pF$ કેપાસિટન્સ હોય તેવા કેપેસિટરની દરેક પ્લેટ્નું લધુત્તમ ક્ષેત્રફળ કેટલું હોવું જોઈએ?