સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.05\, m$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે $3 \times 10^4\, V/m$ મૂલ્યનું વિદ્યુતક્ષેત્ર સ્થાપિત કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરને બેટરીથી અલગ કરવામાં આવે છે અને $0.01\, m$ જાડાઈની ધાતુની અવિદ્યુતભારિત પ્લેટ દાખલ કરવામાં આવે છે. જો ધાતુની પ્લેટને બદલે $K = 2$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી પ્લેટ મૂકવામાં આવે,તો સ્થિતિમાન તફાવત કેટલા $kV$ હશે?

$4\,cm$ પહોળાઈ,$8\,cm$ લંબાઈ અને $4\,mm$ પ્લેટો વચ્ચેના અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $20\,V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. $5$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી,$1\,cm$ લંબાઈ,$4\,cm$ પહોળાઈ અને $4\,mm$ જાડાઈ ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. આ તંત્રની સ્થિત-વિદ્યુત ઉર્જા ......... $\epsilon_{0}\,J$ હશે. (જ્યાં $\epsilon_{0}$ એ શૂન્યાવકાશની પરમિટિવિટી છે)

જ્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થની સ્લેબને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે જે બેટરી સાથે જોડાયેલું રહે છે,ત્યારે પ્લેટો પરનો વિદ્યુતભાર અગાઉના વિદ્યુતભારની સાપેક્ષમાં:

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $10 \, mm$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે બે ડાઇ-ઇલેક્ટ્રિક શીટ્સ મૂકવામાં આવી છે,જેના ડાઇ-ઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $k_1 = 10$ અને $k_2 = 5$ છે,અને તેમની જાડાઈ અનુક્રમે $t_1 = 6 \, mm$ અને $t_2 = 4 \, mm$ છે. કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ ગણો.

એક કેપેસિટર પાસે બે વર્તુળાકાર પ્લેટો છે,જેની ત્રિજ્યા $8 \ cm$ છે અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $1 \ mm$ છે. જ્યારે આ પ્લેટોની વચ્ચે ડાઈઈલેક્ટ્રિક સ્લેબ (ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K = 6$) મૂકવામાં આવે ત્યારે આ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ ગણો.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર,જે ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબથી આંશિક રીતે ભરેલું છે,તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $V \text{ volt}$ emf ધરાવતા સેલ સાથે જોડવામાં આવ્યું છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $D$ છે. તો: