એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટની લંબાઈ $l$ અને પહોળાઈ $w$ અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. તેને $V$ $emf$ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડેલ છે. $d$ જાડાઈ અને $k =4$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો એક સ્લેબ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે સ્લેબને પ્લેટની અંદર કેટલી લંબાઈ સુધી દાખલ કરવો જોઈએ કે જેથી કેપેસીટરમાં સંગ્રહ પામતી ઉર્જા શરૂઆતની સંગ્રહિત ઉર્જા કરતાં બમણી થાય?
$\frac{l}{4}$
$\frac{l}{2}$
$\frac{l}{3}$
$\frac{2l}{3}$
પ્રત્યેક $N$ સૂક્ષ્મ ટીપાંની ત્રિજ્યા $r$ છે. જેને $V$ સ્થિતિમાનથી વિદ્યુતભારીત કરેલ છે. હવે ટીપાંઓ ભેગા મળીને મોટું ટીપું બનાવે છે. તો મોટા ટીપાંનો વિદ્યુતભાર શોધો.
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર જેનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે. પ્લેટ અંતર '$d$', તેને બે ડાયઈલેક્ટ્રિકમાં ભરવામાં આવે છે. આ તંત્રનું કેપેસિન્ટન્સ શું હશે ?
બે સમાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $C$ જેમની પ્લેટના આડછેડનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને તે $d$ અંતરે છે .આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ કેપેસીટરની બે પ્લેટ વચ્ચે ત્રણ સમાન જાડાઈ ધરાવતા ડાયઈલેક્ટ્રિક જેના ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_1$ , $K_2$ અને $K_3$ ને ભરેલા છે. આ બંને કેપેસીટર પર સમાન વૉલ્ટેજ $V$ લગાવવામાં આવે તો તેમાં સંગ્રહ થતી ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?
ધ્રુવીય અને અધ્રુવીય અણુઓ કોને કહે છે ?
એક કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચે થોડું ડાઇઇલેક્ટ્રિક છે અને તેને $\mathrm{D.C.}$ ઉદગમ સાથે જોડેલું છે. પછી બેટરીને છૂટી પાડીને ડાઇઈલેક્ટ્રિક દૂર કરવામાં આવે છે, તો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ, સંગ્રહિત ઊર્જા, વિધુતક્ષેત્ર, એકઠો થયેલો વિધુતભાર અને વોટેજ એ વધશે, ઘટશે અથવા અચળ રહેશે ? તે જાણવો ?