$A$ પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ હોય,એવા કેપેસિટરમાં $t$ જાડાઇનું અને $k$ ડાઇઇલેકિટ્રક દાખલ કરતાં નવો કેપેસિટન્સ કેટલો થાય?
$A$ પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ હોય,એવા કેપેસિટરમાં $t$ જાડાઇનું અને $k$ ડાઇઇલેકિટ્રક દાખલ કરતાં નવો કેપેસિટન્સ કેટલો થાય?
- A
$\frac{{{\varepsilon _0}A}}{{d + t\left( {1 - \frac{1}{k}} \right)}}$
- B
$\frac{{{\varepsilon _0}A}}{{d + t\left( {1 + \frac{1}{k}} \right)}}$
- C
$\frac{{{\varepsilon _0}A}}{{d - t\left( {1 - \frac{1}{k}} \right)}}$
- D
$\frac{{{\varepsilon _0}A}}{{d - t\left( {1 + \frac{1}{k}} \right)}}$
Similar Questions
જ્યારે સમાંતર પ્લેટ વચ્યે $d$ જાડાઈનું હવાનું માધ્યમ હોય ત્યારે તેનું કેપેસીટન્સ $5\,\mu\,F$ છે. આ બંને પ્લેટ વચ્યે $1.5$ ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક અને પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું ક્ષેત્રફળ પણ $\frac{d}{2}$ જાડાઈ ધરાવતો પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે. તો સ્લેબની હાજરી કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $..........\mu F$ થાય.
જ્યારે સમાંતર પ્લેટ વચ્યે $d$ જાડાઈનું હવાનું માધ્યમ હોય ત્યારે તેનું કેપેસીટન્સ $5\,\mu\,F$ છે. આ બંને પ્લેટ વચ્યે $1.5$ ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક અને પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું ક્ષેત્રફળ પણ $\frac{d}{2}$ જાડાઈ ધરાવતો પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે. તો સ્લેબની હાજરી કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $..........\mu F$ થાય.
- [JEE MAIN 2023]
ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $3$ અને ડાયઈલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ લગભગ $10 \,V \,m$ ધરાવતા દ્રવ્યની મદદથી $1 \,k\,V$ રેટીંગ ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની રચના કરવાની છે. [ડાયઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ એ દ્રવ્ય દ્વારા બ્રેકડાઉન પામ્યા વિના (આંશિક આયનીકરણ દ્વારા વિદ્યુતનું વહન શરૂ થયા વિના) સહન કરી શકાતું મહત્તમ વિદ્યુતક્ષેત્ર છે.] સલામતી માટે ડાયઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થના $10 \%$ કરતાં ક્ષેત્ર કદી વધે નહિ તે ઇચ્છનીય છે. $50 \,pF$ નું કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે પ્લેટોનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ કેટલું હોવું જરૂરી છે?
ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $3$ અને ડાયઈલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ લગભગ $10 \,V \,m$ ધરાવતા દ્રવ્યની મદદથી $1 \,k\,V$ રેટીંગ ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની રચના કરવાની છે. [ડાયઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ એ દ્રવ્ય દ્વારા બ્રેકડાઉન પામ્યા વિના (આંશિક આયનીકરણ દ્વારા વિદ્યુતનું વહન શરૂ થયા વિના) સહન કરી શકાતું મહત્તમ વિદ્યુતક્ષેત્ર છે.] સલામતી માટે ડાયઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થના $10 \%$ કરતાં ક્ષેત્ર કદી વધે નહિ તે ઇચ્છનીય છે. $50 \,pF$ નું કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે પ્લેટોનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ કેટલું હોવું જરૂરી છે?
$2 {C}$ અને ${C}$ જેટલુ કેપેસીટર ધરાવતા બે કેપેસીટન્સને સમાંતરમાં જોડી $V$ જેટલા સ્થિતિમાનથી વિદ્યુતભારિત કરવામાં આવે છે. બેટરી દૂર કરી $C$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા કેપેસીટરને $K$ જેટલો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી સંપૂર્ણ પણે ભરવામાં આવે છે. હવે કેપેસીટરનો સમાંતર સ્થિતિમાનનો તફાવત ............ થશે.
$2 {C}$ અને ${C}$ જેટલુ કેપેસીટર ધરાવતા બે કેપેસીટન્સને સમાંતરમાં જોડી $V$ જેટલા સ્થિતિમાનથી વિદ્યુતભારિત કરવામાં આવે છે. બેટરી દૂર કરી $C$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા કેપેસીટરને $K$ જેટલો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી સંપૂર્ણ પણે ભરવામાં આવે છે. હવે કેપેસીટરનો સમાંતર સ્થિતિમાનનો તફાવત ............ થશે.
- [JEE MAIN 2021]
$90$ $ pF$ જેટલું સંઘારકતા ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ સંઘારકને $20$ $V$ $emf$ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે.$K = \frac{5}{3}$ જેટલો ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક ધરાવતા ડાઇઇલેકિટ્રક પદાર્થને સંઘારકની બે પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે.પ્રેરિત વીજભારનું માન _______$n $ $C$ થશે.
$90$ $ pF$ જેટલું સંઘારકતા ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ સંઘારકને $20$ $V$ $emf$ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે.$K = \frac{5}{3}$ જેટલો ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક ધરાવતા ડાઇઇલેકિટ્રક પદાર્થને સંઘારકની બે પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે.પ્રેરિત વીજભારનું માન _______$n $ $C$ થશે.
- [JEE MAIN 2018]
$r$ ત્રિજ્યા તથા $q$ વિદ્યુતભાર ધરાવતા મરક્યુરીના $64$ નાના ટીપા ભેગા થઇને એક મોટુ બુંદ બનાવે છે તો દરેક નાના ટીપાનો તથા મોટા બુંદની પૃષ્ટ વિદ્યુતભારનો ગુણોત્તર....
$r$ ત્રિજ્યા તથા $q$ વિદ્યુતભાર ધરાવતા મરક્યુરીના $64$ નાના ટીપા ભેગા થઇને એક મોટુ બુંદ બનાવે છે તો દરેક નાના ટીપાનો તથા મોટા બુંદની પૃષ્ટ વિદ્યુતભારનો ગુણોત્તર....