ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર (photoelectric effect) માં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ એક સીધી રેખા છે. આ આલેખનો ઢાળ (slope) . . . . . . છે.

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.2 \ eV$ છે. તેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ .......... $ \mathring A $ હશે.

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોનની ઊર્જા $2 \ eV$ છે. જ્યારે તે ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v$ છે. જો $\lambda$ નું મૂલ્ય $25\%$ ઘટાડવામાં આવે અને મહત્તમ વેગ બમણો કરવામાં આવે,તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ...... $eV$ થાય.

એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય $4.0 \ eV$ છે. પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ કે જે આ પદાર્થમાંથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરાવી શકે,તેનું આશરે મૂલ્ય ............ $nm$ છે.

જ્યારે પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $50 \, cm$ ના અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $V_0$ મળે છે. જો તે જ સ્ત્રોતને સેલથી $1 \, m$ ના અંતરે મૂકવામાં આવે,તો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલો હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માં, સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ શેના પર આધાર રાખે છે?