$m$ દળ અને $q$ વિદ્યુતભાર ધરાવતો એક ઇલેક્ટ્રોન $B$ તીવ્રતા ધરાવતા સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રને લંબ $v$ ઝડપથી $r$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર પથ પર ગતિ કરે છે. જો ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ બમણી કરવામાં આવે અને ચુંબકીય ક્ષેત્ર અડધું કરવામાં આવે,તો પરિણામી પથની ત્રિજ્યા કેટલી થશે?

$1 \, MeV$ ઊર્જા ધરાવતો $\alpha$-કણ સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં વર્તુળાકાર પથ પર ગતિ કરે છે. તો સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં બમણી ત્રિજ્યા ધરાવતા વર્તુળાકાર પથ માટે પ્રોટોનની ગતિઊર્જા ...... $MeV$ હશે.

$6 \times 10^{-4} \ T$ ના ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં $3.2 \times 10^7 \ m/s$ ની ઝડપે લંબરૂપે ગતિ કરતા ઇલેક્ટ્રોનના પથની ત્રિજ્યા કેટલી હશે ($cm$ માં)? (ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $9 \times 10^{-31} \ kg$ અને ઇલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $1.6 \times 10^{-19} \ C$ છે.)

એક ઇલેક્ટ્રોન $v = v_0 \hat{i}$ વેગ સાથે એક ઘનાકાર વિસ્તારમાં (જેની સપાટીઓ યામ સમતલોને સમાંતર છે) પ્રવેશ કરે છે,જેમાં સમાન વિદ્યુત અને ચુંબકીય ક્ષેત્રો હાજર છે. ઇલેક્ટ્રોનની કક્ષા $xy$-સમતલને સમાંતર સમતલમાં સર્પાકાર (spiral) ગતિ કરતી જોવા મળે છે. આ માટે જવાબદાર $\vec{E}$ અને $\vec{B}$ ક્ષેત્રોની ગોઠવણી સૂચવો.

$1.6 \ \mu C$ વિદ્યુતભાર અને $16 \ \mu g$ દળ ધરાવતો એક કણ $6.28 \ T$ ના પ્રબળ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં છે. આ કણને ચુંબકીય ક્ષેત્રને લંબ રૂપે ફેંકવામાં આવે છે. કણને પ્રથમ વખત તેના મૂળ સ્થાને પાછા ફરવા માટે લાગતો સમય . . . . . . $s$ છે. $(\pi = 3.14)$

એક ઇલેક્ટ્રોન આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ચાર્જ થયેલ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં પ્રવેશે છે. પ્લેટો પરની પૃષ્ઠ ઘનતા $\sigma$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં વિદ્યુતક્ષેત્રની તીવ્રતા $E$ છે. આ જગ્યામાં $E$ ની દિશાને લંબરૂપે એક સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ પણ અસ્તિત્વ ધરાવે છે. ઇલેક્ટ્રોન $\overrightarrow{E}$ અને $\overrightarrow{B}$ બંનેને લંબરૂપે દિશામાં કોઈ પણ ફેરફાર વગર ગતિ કરે છે. ઇલેક્ટ્રોનને આ જગ્યામાં $l$ અંતર કાપવા માટે લાગતો સમય કેટલો હશે?