ઇલેક્ટ્રોનનો એક બીમ $20 \ V m^{-1}$ અને $0.5 \ T$ ની તીવ્રતા ધરાવતા વિદ્યુત અને ચુંબકીય ક્ષેત્રો ધરાવતા વિસ્તારમાં ઇલેક્ટ્રોનની ગતિની દિશાને લંબ રૂપે અચળ વેગથી ગતિ કરી રહ્યો છે. ઇલેક્ટ્રોનનો વેગ $m s^{-1}$ માં કેટલો હશે?

$\alpha$ વિશિષ્ટ વીજભાર ધરાવતો એક વીજભારિત કણ ઉગમબિંદુથી $t = 0$ સમયે $\vec{V} = V_o \hat{i} + V_o \hat{j}$ વેગ સાથે $\vec{B} = B_o \hat{i}$ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં મુક્ત કરવામાં આવે છે. $t = \frac{\pi}{B_o \alpha}$ સમયે કણના યામ શોધો (વિશિષ્ટ વીજભાર $\alpha = q/m$):

$q$ વિદ્યુતભાર ધરાવતો એક વિદ્યુતભારિત કણ $V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત થાય છે અને ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ ને લંબરૂપે દાખલ થાય છે. આ વિદ્યુતભારિત કણ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં $r$ ત્રિજ્યાનો અર્ધવર્તુળાકાર માર્ગ પૂર્ણ કરે છે. તો વિદ્યુતભારિત કણનું દળ કેટલું હશે?

એક પ્રોટોન અને એક આલ્ફા કણ બંને સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ ના વિસ્તારમાં પ્રવેશ કરે છે, જે ક્ષેત્ર $B$ ને કાટખૂણે ગતિ કરે છે। જો બંને કણો માટે વર્તુળાકાર કક્ષાની ત્રિજ્યા સમાન હોય અને પ્રોટોન દ્વારા પ્રાપ્ત ગતિ ઊર્જા $1 \, MeV$ હોય, તો આલ્ફા કણ દ્વારા પ્રાપ્ત ઊર્જા......$MeV$ હશે.

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ,બે સમાન પ્લેટો વચ્ચેનું સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ છે. નીચેની પ્લેટમાં એક છિદ્ર છે. જો $q$ વિદ્યુતભાર,$m$ દળ અને $E$ ઉર્જા ધરાવતો કણ આ છિદ્ર દ્વારા આ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં પ્રવેશે,તો કણ ઉપરની પ્લેટ સાથે અથડાશે નહીં જો:

જો કોઈ વિદ્યુતભાર ચુંબકીય ક્ષેત્રને સમાંતર અથવા પ્રતિ-સમાંતર ગતિ કરતો હોય,તો તેના પર લાગતું ચુંબકીય બળ કેટલું હશે?