આયનો/અણુઓને ધ્યાનમાં લો.
$O _{2}^{+}, O _{2}, O _{2}^{-}, O _{2}^{2-}$
ચઢતા બંધક્રમાંકનો સાચો વિકલ્પ શોધો.
આયનો/અણુઓને ધ્યાનમાં લો.
$O _{2}^{+}, O _{2}, O _{2}^{-}, O _{2}^{2-}$
ચઢતા બંધક્રમાંકનો સાચો વિકલ્પ શોધો.
- [JEE MAIN 2022]
- A
$O _{2}^{2-}< O _{2}^{-}< O _{2}< O _{2}^{+}$
- B
$O _{2}^{-}< O _{2}^{2-}< O _{2}< O _{2}^{+}$
- C
$O _{2}^{-}< O _{2}^{2-}< O _{2}^{+}< O _{2}$
- D
$O _{2}^{-}< O _{2}^{+}< O _{2}^{2-}< O _{2}$
Similar Questions
$C _{2}^{2-}, N _{2}^{2-}$ અને $O _{2}^{2-}$ ના બંધ ક્રમાંકોનો સાચો ક્રમ શોધો.
$C _{2}^{2-}, N _{2}^{2-}$ અને $O _{2}^{2-}$ ના બંધ ક્રમાંકોનો સાચો ક્રમ શોધો.
- [JEE MAIN 2022]
નીચેના ઘટકોના બંધક્રમાંકનો સાચો ક્રમ .....
નીચેના ઘટકોના બંધક્રમાંકનો સાચો ક્રમ .....
- [NEET 2015]
વિધાન અને કારણ સમજ્યા બાદ સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.
કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે .
વિધાન અને કારણ સમજ્યા બાદ સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.
કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે .
- [JEE MAIN 2015]
નીચે આપેલી ખાલી જગ્યા પૂરો :
$(i)$ ક્વોન્ટમ યાંત્રિકીય સિદ્ધાંતના પાયાના આધારે રચાયેલા બે સિદ્ધાંત ........ અને ......... છે.
$(ii)$ કાર્બનની ઉત્તેજિત અવસ્થામાં ઇલેક્ટ્રોન રચના ........... હોય છે.
$(iii)$ પરમાણ્વીય કક્ષકોના સંમિશ્રણ દ્વારા ....... રચાય છે.
$(iv)$ ${\rm{C}}{{\rm{H}}_4}$ અણુ .......... આકાર ધરાવે છે.
નીચે આપેલી ખાલી જગ્યા પૂરો :
$(i)$ ક્વોન્ટમ યાંત્રિકીય સિદ્ધાંતના પાયાના આધારે રચાયેલા બે સિદ્ધાંત ........ અને ......... છે.
$(ii)$ કાર્બનની ઉત્તેજિત અવસ્થામાં ઇલેક્ટ્રોન રચના ........... હોય છે.
$(iii)$ પરમાણ્વીય કક્ષકોના સંમિશ્રણ દ્વારા ....... રચાય છે.
$(iv)$ ${\rm{C}}{{\rm{H}}_4}$ અણુ .......... આકાર ધરાવે છે.
સમજાવો : ${{\rm{H}}{{\rm{e}}_2}}$ અણુ શક્ય નથી.
સમજાવો : ${{\rm{H}}{{\rm{e}}_2}}$ અણુ શક્ય નથી.