વિધાન અને કારણ સમજ્યા બાદ સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો. 

વિધાન : $H_2$ ની બંધકારક આણ્વિય કક્ષકો $(MO)$ માં કેન્દ્રો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે. 

કારણ : બંધકારક $MO$ એ ${\psi _A}\, + \,\,{\psi _{B,}}$ છે, જે જોડતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોની વિઘટકો આંતરક્રિયા દર્શાવે છે . 

હાઇડ્રોજન $\left( {{{\rm{H}}_2}} \right)$ અણુની ઇલેક્ટ્રોનીય રચના, બંધક્રમાંક અને ચુંબકીય ગુણો વિશે લખો.

$N _2 ; N _2{ }^{+} ; O _2, O _2{ }^{-}$આપેલ સ્પીસીઝો ની સૌથી વધુ ભરાયેલ આણવીય કક્ષક માં અયુગ્મિત  ઇલેકટ્રોન(નો)ની સંખ્યા શું છે?

નીચેનામાંથી કયા આવીય કક્ષકોમાં નોડલ હેનની સંખ્યા મહત્તમ હશે ?

$(A)$ $\sigma *2{\rm{s}}$

$(B)$ $\sigma *2{{\rm{p}}_{\rm{z}}}$

$(C)$ $\sigma *2{{\rm{p}}_{\rm{x}}}$

$(D)$ $\sigma *2{{\rm{p}}_{\rm{y}}}$

આપેલ સ્પીસીઝો પૈકી

$N _2, N _2{ }^{+}, N _2{ }^{-}, N _2{ }^{2-}, O _2, O _2{ }^{+}, O _2{ }^{-}, O _2{ }^{2-}$

પ્રતિચુંબકીયતા દર્શાવતી સ્પિસીઝોની સંખ્યા $......$ છે.

જો એક ડાયઓક્સિજન ધટકની ચુંબકીય ચાકમાત્રા $1.73\,\, BM$ હોય, તો તે ... હોઇ શકે.