પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતા કેેપેસિટરને $V$ વોલ્ટ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે.હવે બેટરી દૂર કરીને કેપેસિટરને $k$ ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકથી ભરી દેવામાં આવે છે. $Q$ , $E$ અને $W$ એ પ્લેટ પરનો વિદ્યુતભાર,બે પ્લેટ વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર અને ડાઇઇલેકિટ્રક દાખલ કરવા માટે કરવું પડતું કાર્ય છે.તો નીચેનામાથી કયું ખોટું થાય?
પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતા કેેપેસિટરને $V$ વોલ્ટ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે.હવે બેટરી દૂર કરીને કેપેસિટરને $k$ ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકથી ભરી દેવામાં આવે છે. $Q$ , $E$ અને $W$ એ પ્લેટ પરનો વિદ્યુતભાર,બે પ્લેટ વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર અને ડાઇઇલેકિટ્રક દાખલ કરવા માટે કરવું પડતું કાર્ય છે.તો નીચેનામાથી કયું ખોટું થાય?
- [IIT 1991]
- A
$Q = \frac{{{\varepsilon _0}AV}}{d}$
- B
$W = \frac{{{\varepsilon _0}A{V^2}}}{{2kd}}$
- C
$E = \frac{V}{{kd}}$
- D
$W = \frac{{{\varepsilon _0}A{V^2}}}{{2d}}\left( {1 - \frac{1}{k}} \right)$
Similar Questions
$4\,cm$ જેટલી પ્લેટોની પહોળાઈ, લંબાઈ $8\,mm$, અને બે પ્લેટો વરચેનું અંતર $4\,mm$ હોય તેવા સમાંતર પ્લેટ સંઘારકને $20\,V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. $5$ જેટલો ડાયઈલેક્ટિક્ર અચળાંક ધરાવતો અને $1\,cm$ લંબાઈ, $4\,cm$ પહોળાઈ અને $4\,mm$ જાડાઈ ધરાવતા ડાયઈલેક્ટ્રિક માધ્યમને સંઘારકની પ્લેટોની વરચે દાખલ કરવામાં આવે છે. આ તંત્ર માટે સ્થિત વિદ્યુત ઊર્જા $........\varepsilon_0 J$ થશે.(જ્યાં $\varepsilon_0$ શુન્યાવકાશની પરમીટીવીટી છે)
$4\,cm$ જેટલી પ્લેટોની પહોળાઈ, લંબાઈ $8\,mm$, અને બે પ્લેટો વરચેનું અંતર $4\,mm$ હોય તેવા સમાંતર પ્લેટ સંઘારકને $20\,V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. $5$ જેટલો ડાયઈલેક્ટિક્ર અચળાંક ધરાવતો અને $1\,cm$ લંબાઈ, $4\,cm$ પહોળાઈ અને $4\,mm$ જાડાઈ ધરાવતા ડાયઈલેક્ટ્રિક માધ્યમને સંઘારકની પ્લેટોની વરચે દાખલ કરવામાં આવે છે. આ તંત્ર માટે સ્થિત વિદ્યુત ઊર્જા $........\varepsilon_0 J$ થશે.(જ્યાં $\varepsilon_0$ શુન્યાવકાશની પરમીટીવીટી છે)
- [JEE MAIN 2022]
આકૃતિમાં $A$ દર્શાવ્યા મુજબ એક કેપેસીટર ડાઈઈલેક્ટ્રીક ($K=2$) વડે અડધો ભરાયેલ છે. જો આકૃતિનાં બીજા ભાગ $B$ પ્રમાણે તે અડધો ભરાયેલ હોય તો ડાઈઈલેક્ટ્રીકની એવી જાડાઈ શોધો કે જેનાથી કેપેસીટરની ક્ષમતા એટલી જ રહે?
આકૃતિમાં $A$ દર્શાવ્યા મુજબ એક કેપેસીટર ડાઈઈલેક્ટ્રીક ($K=2$) વડે અડધો ભરાયેલ છે. જો આકૃતિનાં બીજા ભાગ $B$ પ્રમાણે તે અડધો ભરાયેલ હોય તો ડાઈઈલેક્ટ્રીકની એવી જાડાઈ શોધો કે જેનાથી કેપેસીટરની ક્ષમતા એટલી જ રહે?
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A,$ તેનું કેપેસિટન્સ $C$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે.જેમાં $K_1,K_2,K_3$ અને $K_4$ ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકવાળા ચાર ડાઇઇલેકિટ્રકોના આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે ભરેલાં છે.જો કોઇ એક જ ડાઇઇલેકિટ્રક પદાર્થને વાપરતાં તેટલું જ કેપેસિટન્સ $ C$ મળે,તો ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $ K=$ ________
એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A,$ તેનું કેપેસિટન્સ $C$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે.જેમાં $K_1,K_2,K_3$ અને $K_4$ ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકવાળા ચાર ડાઇઇલેકિટ્રકોના આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે ભરેલાં છે.જો કોઇ એક જ ડાઇઇલેકિટ્રક પદાર્થને વાપરતાં તેટલું જ કેપેસિટન્સ $ C$ મળે,તો ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક $ K=$ ________
- [NEET 2016]
$C$ કેપેસિટન્સવાળા હવાના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $ V. emf $ વાળી બેટરી સાથે જોડીને પછી છૂટું પાડવામાં આવે છે.$K $ ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકવાળા ડાઇઇલેકિટ્રક સ્લેબને સંપૂર્ણ રીતે કેપેસિટરમાં ભરવામાં આવે છે.તો નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?
$C$ કેપેસિટન્સવાળા હવાના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $ V. emf $ વાળી બેટરી સાથે જોડીને પછી છૂટું પાડવામાં આવે છે.$K $ ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકવાળા ડાઇઇલેકિટ્રક સ્લેબને સંપૂર્ણ રીતે કેપેસિટરમાં ભરવામાં આવે છે.તો નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?
- [AIPMT 2015]
ડાઇઇલેક્ટ્રિકના પ્રકારો લખીને સમજાવો અને દરેકના ઉદાહરણ આપો.
ડાઇઇલેક્ટ્રિકના પ્રકારો લખીને સમજાવો અને દરેકના ઉદાહરણ આપો.