$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $V$ emf ધરાવતા સેલ સાથે જોડવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ તેને દૂર કરવામાં આવે છે. હવે તેમાં $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે,જે કેપેસિટરની હવાના ગાળાને સંપૂર્ણપણે ભરી શકે છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

એક કેપેસિટરને $10\,V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જ્યારે પ્લેટો વચ્ચેનું માધ્યમ હવા હોય ત્યારે પ્લેટો પરનો વિદ્યુતભાર $10\,\mu C$ છે. જ્યારે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા તેલથી ભરવામાં આવે ત્યારે પ્લેટો પરનો વિદ્યુતભાર $100\,\mu C$ થાય છે. તેલનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. તે એક ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરેલું છે જેનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $k(x)=K(1+\alpha x)$ મુજબ બદલાય છે,જ્યાં $x$ એ એક પ્લેટથી માપેલું અંતર છે. જો $(\alpha d) << 1$ હોય,તો સિસ્ટમનું કુલ કેપેસિટન્સ કયા સમીકરણ દ્વારા શ્રેષ્ઠ રીતે દર્શાવી શકાય?

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. જ્યારે તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $K = 5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિકથી અડધું ભરવામાં આવે છે,ત્યારે કેપેસિટન્સમાં થતો ટકાવારી વધારો......$\%$ હશે.

એક માધ્યમ જેનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K > 1$ છે,તે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા ભરે છે. પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ મોટું છે અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. કેપેસિટરને $V$ વોલ્ટેજની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે,જે આકૃતિ $(a)$ માં દર્શાવેલ છે. હવે,પ્લેટોને એવી રીતે ખસેડવામાં આવે છે કે તેમની વચ્ચેનું અંતર $2d$ થાય,અને $d$ જાડાઈનો ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ તેમની વચ્ચે રહે છે,જે આકૃતિ $(b)$ માં દર્શાવેલ છે. આકૃતિ $(a)$ માં દર્શાવેલ ગોઠવણીમાંથી આકૃતિ $(b)$ માં દર્શાવેલ ગોઠવણીમાં જવાની પ્રક્રિયામાં,નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન સાચું/સાચા છે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું હવામા કેપેસિટન્સ $50\,\mu F$ છે અને જ્યારે તેને તેલમાં ડુબાડવામાં આવે છે ત્યારે તે $110\,\mu F$ થાય છે. તેલનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ કેટલો હશે?