હવામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક ધરાવતા કેપેસિટરને $100\;V$ ના પોટેન્શિયલ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. જો પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $K = 10$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે,તો પ્લેટો વચ્ચેનો પોટેન્શિયલ તફાવત કેટલો થશે ($;V$ માં)?

જ્યારે કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડી રાખીને તેની પ્લેટો વચ્ચે ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક સ્તર મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે આ પ્રક્રિયા દરમિયાન નીચેનામાંથી શું થાય છે?

હવામાં $r$ અંતરે રહેલા બે બિંદુવત વિદ્યુતભારો વચ્ચે $F$ બળ લાગે છે. જ્યારે તેમને $K$ ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમમાં મૂકવામાં આવે,ત્યારે કેટલા અંતરે તેમની વચ્ચે લાગતું બળ સમાન રહેશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેના અવકાશને $K$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થ વડે આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટરનું નવું કેપેસિટન્સ શોધો.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટની લંબાઈ $l$,પહોળાઈ $w$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. તેને $V$ emf ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. $d$ જાડાઈ અને $k = 4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. પ્લેટોની અંદર સ્લેબની કેટલી લંબાઈ $x$ માટે કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જા પ્રારંભિક સંગ્રહિત ઉર્જા કરતા બમણી થશે?

જ્યારે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $95 \ V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. જો $2 \ mm$ જાડાઈની ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1.6 \ mm$ જેટલું વધારવામાં આવે જેથી સમાન વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત જળવાઈ રહે,તો પદાર્થ (સ્લેબ) નો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?