જ્યારે કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડી રાખીને તેની પ્લેટો વચ્ચે ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક સ્તર મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે આ પ્રક્રિયા દરમિયાન નીચેનામાંથી શું થાય છે?

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસીટન્સ $9 \ pF$ છે. તેની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા બે ડાયલેક્ટ્રિક્સથી ભરવામાં આવે છે. એક ડાયલેક્ટ્રિકનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_1 = 6$ અને જાડાઈ $\frac{d}{3}$ છે,જ્યારે બીજાનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_2 = 12$ અને જાડાઈ $\frac{2d}{3}$ છે. હવે કેપેસિટરનું કેપેસીટન્સ ......... $pF$ છે.

એક કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડેલું રાખવામાં આવે છે અને તેની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરના કેપેસિટન્સ પર ડાયઇલેક્ટ્રિકની અસર સમજાવો અને ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંકનું સૂત્ર મેળવો.

બે સમાન સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $V$ emf ધરાવતી બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. જો એક કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થથી સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે,તો બીજા કેપેસિટર પરનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $0.01\, mm$ છે અને તે ઇન્સ્યુલેટર તરીકે ડાયઇલેક્ટ્રિક (જેની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $19\, kV/mm$ છે) નો ઉપયોગ કરે છે. કેપેસિટરના ટર્મિનલ્સ પર લગાવી શકાય તેવો મહત્તમ વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત......$V$ છે.