જ્યારે કેપેસિટરને $K = 3$ ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી ભરવામાં આવે છે,ત્યારે વિદ્યુતભાર $Q_0$,વોલ્ટેજ $V_0$ અને વિદ્યુતક્ષેત્ર $E_0$ છે. જો હવે કેપેસિટરને $K = 9$ ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી ભરવામાં આવે,તો નવો વિદ્યુતભાર,વોલ્ટેજ અને વિદ્યુતક્ષેત્ર અનુક્રમે કેટલા થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $a$ બાજુ ધરાવતી બે ચોરસ પ્લેટોનું બનેલું છે,જે $d$ અંતરે $(d \ll a)$ અલગ થયેલ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ,નીચેનો ત્રિકોણાકાર ભાગ $K$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિકથી ભરેલો છે. આ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.05\, m$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે $3 \times 10^4\, V/m$ મૂલ્યનું વિદ્યુતક્ષેત્ર સ્થાપિત કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરને બેટરીથી અલગ કરવામાં આવે છે અને $0.01\, m$ જાડાઈની ધાતુની અવિદ્યુતભારિત પ્લેટ દાખલ કરવામાં આવે છે. જો ધાતુની પ્લેટને બદલે $K = 2$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી પ્લેટ મૂકવામાં આવે,તો સ્થિતિમાન તફાવત કેટલા $kV$ હશે?

જ્યારે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $95 \ V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. જો $2 \ mm$ જાડાઈની ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1.6 \ mm$ જેટલું વધારવામાં આવે જેથી સમાન વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત જળવાઈ રહે,તો પદાર્થ (સ્લેબ) નો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3\,mm$ છે અને તેમની વચ્ચે હવા છે. હવે,$K = 2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થનું $1\,mm$ જાડું પડ પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે,જેના કારણે કેપેસિટન્સ વધે છે. કેપેસિટન્સને તેના મૂળ મૂલ્ય પર લાવવા માટે,પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર કેટલું કરવું જોઈએ......$mm$ ($.5$ માં)?

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોની વચ્ચે એક પાતળી ધાતુની પ્લેટ $P$ ને એવી રીતે દાખલ કરવામાં આવે છે કે તે બંને પ્લેટોને સમાંતર રહે. હવે કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?