$P-N$ जंक्शन बनाने के लिए $Si$ पदार्थ का उपयोग किया गया है। तो डिप्लेशन बैरियर की ऊंचाई लगभग कितने $V$ होगी?

$P-N$ जंक्शन डायोड को फॉरवर्ड बायस में समायोजित करने पर,डिप्लेशन लेयर और प्रतिरोध पर क्या प्रभाव पड़ता है?

$p-n$ जंक्शन के निर्माण के दौरान कौन सी दो महत्वपूर्ण प्रक्रियाएं होती हैं?

दिए गए परिपथ में $V_{AB}$ ज्ञात कीजिए।

एक अर्धचालक $(Ge - As)$ का ऊर्जा अंतराल $1.43\, eV$ है। जब ऐसे अर्धचालक में एक होल और एक इलेक्ट्रॉन का पुनर्संयोजन होता है,तो उत्सर्जित अधिकतम तरंगदैर्ध्य $\mathring{A}$ में क्या होगी?

$p-n$ जंक्शन के $n$-क्षेत्र में एक इलेक्ट्रॉन $5 \times 10^5 \ m/s$ की गति से जंक्शन की ओर बढ़ता है। यदि जंक्शन का अवरोध विभव (barrier potential) $0.45 \ V$ है,तो वह गति ज्ञात कीजिए जिससे इलेक्ट्रॉन अवरोध को पार करने के बाद $p$-क्षेत्र में प्रवेश करता है (इलेक्ट्रॉन का आवेश $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$ और इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान $m = 9 \times 10^{-31} \ kg$ है)।