$P-N$ જંકશન બનાવવા માટે $Si$ દ્રવ્યનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે. તો ડેપ્લેશન બેરિયરની ઉંચાઈ આશરે કેટલા $V$ હશે?

નીચેની આકૃતિમાં દર્શાવેલ સર્કિટમાં બે ડાયોડ $D_1$ અને $D_2$ છે,જે દરેકનો ફોરવર્ડ અવરોધ $50 \, \Omega$ અને રિવર્સ અવરોધ અનંત છે. જો બેટરીનો વોલ્ટેજ $6 \, V$ હોય,તો $100 \, \Omega$ ના અવરોધમાંથી વહેતો પ્રવાહ (એમ્પિયરમાં) કેટલો હશે?

$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં,ડેપ્લેશન લેયરની જાડાઈ $2 \times 10^{-6} \,m$ છે અને બેરિયર પોટેન્શિયલ $0.3 \,V$ છે. જંકશન પર વિદ્યુત ક્ષેત્રની તીવ્રતા કેટલી હશે?

આ પરિપથમાં બે વિરુદ્ધ દિશામાં જોડાયેલા આદર્શ ડાયોડ સમાંતરમાં છે. પરિપથમાં વહેતો વિદ્યુતપ્રવાહ કેટલો છે ($A$ માં)?

$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં પોટેન્શિયલ બેરિયરનું કારણ શું છે?

જ્યારે $p-n$ ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં હોય,ત્યારે