दिए गए परिपथ में $V_{AB}$ ज्ञात कीजिए।

चित्र में अग्र अभिनति (forward bias) में एक $p-n$ जंक्शन डायोड की $I-V$ विशेषताएँ दिखाई गई हैं। क्रमशः $2 \; V$ और $4 \; V$ के अग्र अभिनति वोल्टेज के अनुरूप गतिशील प्रतिरोध (dynamic resistance) का अनुपात क्या है?

$P-N$ जंक्शन क्षेत्र में अवक्षय परत (depletion layer) किसके कारण बनती है?

अनबायस्ड $PN$ जंक्शन के डिप्लेशन ज़ोन (depletion zone) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा/से कथन सत्य है/हैं?

यदि एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में है,तो:

दो एमीटर $A_1$ और $A_2$ को दिए गए चित्र में दिखाए अनुसार जोड़ा गया है। एमीटर के आंतरिक प्रतिरोध की उपेक्षा करते हुए, मीटर $A_1$ में रीडिंग क्या है ($\text{A}$ में)?