$p-n$ जंक्शन के $n$-क्षेत्र में एक इलेक्ट्रॉन $5 \times 10^5 \ m/s$ की गति से जंक्शन की ओर बढ़ता है। यदि जंक्शन का अवरोध विभव (barrier potential) $0.45 \ V$ है,तो वह गति ज्ञात कीजिए जिससे इलेक्ट्रॉन अवरोध को पार करने के बाद $p$-क्षेत्र में प्रवेश करता है (इलेक्ट्रॉन का आवेश $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$ और इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान $m = 9 \times 10^{-31} \ kg$ है)।

  • A
    $3 \times 10^5 \ m/s$
  • B
    $5 \times 10^5 \ m/s$
  • C
    $4 \times 10^5 \ m/s$
  • D
    $6 \times 10^5 \ m/s$

Explore More

Similar Questions

एक सिलिकॉन डायोड में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई $1 \, \mu m$ है और नी विभव (knee potential) $0.6 \, V$ है, तो अवक्षय परत में विद्युत क्षेत्र होगा:

नीचे दिए गए डायोड में से कौन सा डायोड रिवर्स बायस में है?

$P-N$ जंक्शन बनाने के लिए $Si$ पदार्थ का उपयोग किया गया है। तो डिप्लेशन बैरियर की ऊंचाई लगभग कितने $V$ होगी?

एक डायोड $AM$-डिटेक्टर में,आउटपुट सर्किट $R = 1 \, k\Omega$ और $C = 10 \, pF$ से बना है। $100 \, kHz$ के कैरियर सिग्नल को डिटेक्ट करना है। क्या यह अच्छा है?

Difficult
View Solution

दी गई आकृति में,बिंदु $A$ का वोल्टेज ............ $V$ है।

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo