$4 eV$ ઊર્જા ધરાવતો એક ફોટોન તેની તમામ ઊર્જા એક ઇલેક્ટ્રોનને આપે છે, જે $1.1 eV$ ગતિ ઊર્જા સાથે ધાતુની સપાટી છોડે છે। ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે ($eV$ માં)?

જો સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $6800 \mathring{A}$ હોય,તો વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ............. $eV$ થશે.

$400 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી તરંગોનું વિકિરણ $Zn$,$Fe$ અને $Ni$ ધાતુઓની સપાટી પર આપાત થાય છે,જેમના કાર્ય વિધેય (work functions) અનુક્રમે $3.4 \ eV$,$4.8 \ eV$ અને $5.9 \ eV$ છે. ($hc = 1242 \ eV \ nm$ લો)
$(a)$ કોઈપણ ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(KE)$ $0.3 \ eV$ છે.
$(b)$ $Ni$ ની સપાટીમાંથી કોઈ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થતા નથી.
$(c)$ જો વિકિરણ સ્ત્રોતની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની $KE$ પણ બમણી થઈ જાય છે.
$(d)$ જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ કરતા ઓછી હોય,તો ત્રણેય ધાતુઓની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થશે.
સાચા વિધાનો છે:

ટંગસ્ટન અને સોડિયમ માટે વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $4.5 \text{ eV}$ અને $2.3 \text{ eV}$ છે. જો સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $\lambda_0$ એ $5460 \text{ \AA}$ હોય, તો ટંગસ્ટન માટે $\lambda_0$ નું મૂલ્ય ............ $\text{ \AA}$ છે.

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગ અંગે નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો:
$(I)$ ધાતુ પર પ્રકાશ પડતાની સાથે જ ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે.
$(II)$ એક લઘુત્તમ આવૃત્તિ હોય છે જેની નીચે કોઈ ફોટોકરંટ જોવા મળતો નથી.
$(III)$ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ એ પ્રકાશની આવૃત્તિના પ્રમાણમાં હોય છે.
$(IV)$ ફોટોકરંટ પ્રકાશની તીવ્રતા સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
ઉપરોક્તમાંથી કયા વિધાનો સૂચવે છે કે પ્રકાશ એ ક્વોન્ટા (ફોટોન) નો બનેલો છે જેની ઉર્જા આવૃત્તિના પ્રમાણમાં હોય છે?

પ્રકાશના તરંગ સાથે સંકળાયેલ વિદ્યુત ક્ષેત્ર $E = E_0 \sin [1.57 \times 10^7 (x - ct)]$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $x$ મીટરમાં અને $t$ સેકન્ડમાં છે. જો આ પ્રકાશનો ઉપયોગ $1.9 \ eV$ કાર્ય વિધેય ધરાવતી ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન ઉત્પન્ન કરવા માટે કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલા $V$ હશે?