પ્રકાશના તરંગ સાથે સંકળાયેલ વિદ્યુત ક્ષેત્ર $E = E_0 \sin [1.57 \times 10^7 (x - ct)]$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $x$ મીટરમાં અને $t$ સેકન્ડમાં છે. જો આ પ્રકાશનો ઉપયોગ $1.9 \ eV$ કાર્ય વિધેય ધરાવતી ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન ઉત્પન્ન કરવા માટે કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલા $V$ હશે?

બે અલગ-અલગ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીઓ $A$ અને $B$ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ ના વિધેય તરીકે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ નો આલેખ દોરવામાં આવ્યો છે. આલેખ દર્શાવે છે કે $A$ નું કાર્ય વિધેય (work function) એ

પ્લાન્કનો અચળાંક નક્કી કરવાના ઐતિહાસિક પ્રયોગમાં, ધાતુની સપાટી પર અલગ-અલગ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવ્યો. ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની ઊર્જા સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ લગાવીને માપવામાં આવી. આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ $(\lambda)$ અને તેને અનુરૂપ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ માટેનો ડેટા નીચે મુજબ છે:

$\lambda (\mu m)$	$V_0$ (Volt)
$0.3$	$2.0$
$0.4$	$1.0$
$0.5$	$0.4$

જો $c = 3 \times 10^8 \ m \ s^{-1}$ અને $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$ હોય, તો આવા પ્રયોગ પરથી મળતો પ્લાન્કનો અચળાંક ($J \ s$ એકમમાં) કેટલો હશે?

એલ્યુમિનિયમ અને ગોલ્ડના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $4.1\,eV$ અને $5.1\,eV$ છે. ગોલ્ડ અને એલ્યુમિનિયમ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વિરુદ્ધ ફ્રીક્વન્સીના આલેખના ઢાળનો ગુણોત્તર $.......$ છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં કલેક્ટર પ્લેટને એમિટર પ્લેટની ઉપર શિરોલંબ રાખવામાં આવે છે. પ્રકાશનો સ્ત્રોત ચાલુ કરવામાં આવે છે અને સંતૃપ્ત ફોટોકરંટ નોંધવામાં આવે છે. ત્યારબાદ એક વિદ્યુતક્ષેત્ર ચાલુ કરવામાં આવે છે જેની દિશા શિરોલંબ નીચેની તરફ છે.

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?