ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગ અંગે નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો:
$(I)$ ધાતુ પર પ્રકાશ પડતાની સાથે જ ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે.
$(II)$ એક લઘુત્તમ આવૃત્તિ હોય છે જેની નીચે કોઈ ફોટોકરંટ જોવા મળતો નથી.
$(III)$ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ એ પ્રકાશની આવૃત્તિના પ્રમાણમાં હોય છે.
$(IV)$ ફોટોકરંટ પ્રકાશની તીવ્રતા સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
ઉપરોક્તમાંથી કયા વિધાનો સૂચવે છે કે પ્રકાશ એ ક્વોન્ટા (ફોટોન) નો બનેલો છે જેની ઉર્જા આવૃત્તિના પ્રમાણમાં હોય છે?

જ્યારે પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોસેલથી $1 \ m$ અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $V$ મળે છે. જો તે જ સ્ત્રોતને ફોટોસેલથી $2 \ m$ અંતરે મૂકવામાં આવે,તો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલો હશે?

જ્યારે ઇલેક્ટ્રોન $n=3$ થી $n=2$ માં સંક્રમણ કરે ત્યારે ઉત્સર્જિત પ્રકાશ એક ધાતુ પર આપાત થાય છે, ત્યારે તે ધાતુમાંથી ફોટોઇલેક્ટ્રોન માંડ ઉત્સર્જિત થાય છે. નીચેનામાંથી કયા સંક્રમણ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર શક્ય નથી?

સોડિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.3 eV$ છે. સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ ........... $\mathring A $ હશે.

$400 \,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા આપાત પ્રકાશ દ્વારા ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત તમામ ઇલેક્ટ્રોન $2 \,N/C$ ના સમાન વિદ્યુતક્ષેત્રની દિશામાં $1 \,m$ અંતર કાપીને સ્થિર થાય છે. સપાટીનું કાર્ય વિધેય કેટલું હશે ($\,eV$ માં)?

મર્ક્યુરી લેમ્પ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનની આવૃત્તિ પરની નિર્ભરતાનો અભ્યાસ કરવા માટે એક અનુકૂળ સ્ત્રોત છે,કારણ કે તે $UV$ થી દ્રશ્યમાન વર્ણપટના લાલ છેડા સુધીની ઘણી વર્ણપટ રેખાઓ આપે છે. રુબિડિયમ ફોટોસેલ સાથેના અમારા પ્રયોગમાં,મર્ક્યુરી સ્ત્રોતની નીચેની રેખાઓનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો હતો:
$\lambda_1 = 3650 \,\mathring{A}, \lambda_2 = 4047 \,\mathring{A}, \lambda_3 = 4358 \,\mathring{A}, \lambda_4 = 5461 \,\mathring{A}, \lambda_5 = 6907 \,\mathring{A}$
તેમના અનુરૂપ સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ નીચે મુજબ માપવામાં આવ્યા હતા:
$V_{01} = 1.28 \,V, V_{02} = 0.95 \,V, V_{03} = 0.74 \,V, V_{04} = 0.16 \,V, V_{05} = 0 \,V$
પ્લાન્કનો અચળાંક $h$,થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ અને પદાર્થ માટે વર્ક ફંક્શનનું મૂલ્ય નક્કી કરો.