જો સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $6800 \mathring{A}$ હોય,તો વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ............. $eV$ થશે.

$10.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોનનો બીમ એક ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન $1.6 \times 10^6 \ m \ s^{-1}$ ના મહત્તમ વેગ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)? (ઈલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \ kg$ અને ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$ લો).

$491\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત ફોટોસેન્સિટિવ સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.710\, V$ છે. જ્યારે આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને નવી કિંમત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.43\, V$ થાય છે. નવી તરંગલંબાઈ ....... $nm$ છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના કિસ્સામાં,માપવામાં આવેલા સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ એક સીધી રેખા છે. આ રેખાના ઢાળને ઈલેક્ટ્રોનના વિદ્યુતભાર $(e)$ વડે ગુણતા શું મળે છે?

$5.01 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી નિકલની સપાટી પર $200 \, nm$ ની અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $V$ હોવો જોઈએ.

જ્યારે પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે: