Adsorption and Adsorption isotherm Questions in Gujarati

(N/A) ફ્રુન્ડલિચે $1909$ માં ઘન અધિશોષકના એકમ દળ દ્વારા અધિશોષિત વાયુના જથ્થા અને ચોક્કસ તાપમાને દબાણ વચ્ચેનો પ્રાયોગિક સંબંધ આપ્યો હતો. આ સંબંધને નીચેના સમીકરણ દ્વારા દર્શાવી શકાય છે:
$\frac{x}{m} = k \cdot p^{\frac{1}{n}} (n > 1)$
જ્યાં $x$ એ $p$ દબાણે $m$ દળના અધિશોષક પર અધિશોષિત વાયુનું દળ છે,અને $k$ તથા $n$ એ અચળાંકો છે જે ચોક્કસ તાપમાને અધિશોષક અને વાયુની પ્રકૃતિ પર આધાર રાખે છે.
આ સંબંધ સામાન્ય રીતે એક વક્રના સ્વરૂપમાં દર્શાવવામાં આવે છે જ્યાં અધિશોષકના પ્રતિ ગ્રામ દીઠ અધિશોષિત વાયુના દળને દબાણની વિરુદ્ધ આલેખવામાં આવે છે. આ વક્રો સૂચવે છે કે નિશ્ચિત દબાણે,તાપમાનમાં વધારો થવાથી ભૌતિક અધિશોષણમાં ઘટાડો થાય છે. આ વક્રો હંમેશા ઊંચા દબાણે સંતૃપ્તિ તરફ જતા જણાય છે.
સમીકરણનો લઘુગણક લેતા:
$\log \frac{x}{m} = \log k + \frac{1}{n} \log p$

(N/A) ઘન પદાર્થો દ્રાવણમાંથી પણ દ્રાવ્ય પદાર્થોનું અધિશોષણ કરી શકે છે. જ્યારે પાણીમાં એસિટિક એસિડના દ્રાવણને ચારકોલ સાથે હલાવવામાં આવે છે,ત્યારે એસિડનો કેટલોક ભાગ ચારકોલ દ્વારા અધિશોષિત થાય છે અને દ્રાવણમાં એસિડની સાંદ્રતા ઘટે છે. તેવી જ રીતે,લિટમસ દ્રાવણને ચારકોલ સાથે હલાવતા તે રંગહીન બને છે.
$Mg(OH)_{2}$ ના અવક્ષેપ મેગ્નેસન પ્રક્રિયકની હાજરીમાં અવક્ષેપિત થાય ત્યારે તે વાદળી રંગ ધારણ કરે છે. આ રંગ મેગ્નેસનના અધિશોષણને કારણે હોય છે. દ્રાવણ કલામાંથી અધિશોષણના કિસ્સામાં નીચે મુજબના અવલોકનો કરવામાં આવ્યા છે:
$(i)$ તાપમાનમાં વધારો થતાં અધિશોષણનું પ્રમાણ ઘટે છે.
$(ii)$ અધિશોષકની સપાટીનું ક્ષેત્રફળ વધતાં અધિશોષણનું પ્રમાણ વધે છે.
$(iii)$ અધિશોષણનું પ્રમાણ દ્રાવણમાં રહેલા દ્રાવ્યની સાંદ્રતા પર આધાર રાખે છે.
$(iv)$ અધિશોષણનું પ્રમાણ અધિશોષક અને અધિશોષિતના સ્વભાવ પર આધાર રાખે છે.
દ્રાવણમાંથી અધિશોષણની ચોક્કસ ક્રિયાવિધિ જાણીતી નથી. ફ્રુન્ડલિચનું સમીકરણ દ્રાવણમાંથી અધિશોષણના વર્તનને આશરે વર્ણવે છે,જેમાં દબાણને બદલે દ્રાવણની સાંદ્રતા ધ્યાનમાં લેવામાં આવે છે,એટલે કે $\frac{x}{m} = k C^{\frac{1}{n}}$ (જ્યાં $C$ એ સંતુલન સાંદ્રતા છે). ઉપરના સમીકરણનો લઘુગણક લેતા,આપણને મળે છે: $\log \frac{x}{m} = \log k + \frac{1}{n} \log C$.
$\log \frac{x}{m}$ વિરુદ્ધ $\log C$ નો આલેખ દોરતા સીધી રેખા મળે છે,જે ફ્રુન્ડલિચ સમતાપીની સત્યતા દર્શાવે છે. આને એસિટિક એસિડની વિવિધ સાંદ્રતાવાળા દ્રાવણો લઈને પ્રાયોગિક રીતે ચકાસી શકાય છે. વિવિધ ફ્લાસ્કમાં સમાન જથ્થાના ચારકોલમાં દ્રાવણના સમાન કદ ઉમેરવામાં આવે છે. અધિશોષણ પછી દરેક ફ્લાસ્કમાં અંતિમ સાંદ્રતા નક્કી કરવામાં આવે છે. પ્રારંભિક અને અંતિમ સાંદ્રતા વચ્ચેનો તફાવત $x$ નું મૂલ્ય આપે છે. ઉપરના સમીકરણનો ઉપયોગ કરીને,ફ્રુન્ડલિચ સમતાપીની સત્યતા સ્થાપિત કરી શકાય છે.

(N/A) અધિશોષણની ઘટનાના ઘણા ઉપયોગો છે. મહત્વના ઉપયોગો નીચે મુજબ છે:
$(i)$ ઉચ્ચ શૂન્યાવકાશનું ઉત્પાદન: વેક્યુમ પંપ દ્વારા ખાલી કરેલા પાત્રમાંથી બાકી રહેલી હવાના અંશોને ચારકોલ દ્વારા અધિશોષિત કરીને ખૂબ જ ઉચ્ચ શૂન્યાવકાશ મેળવી શકાય છે.
$(ii)$ ગેસ માસ્ક: કોલસાની ખાણોમાં ઝેરી વાયુઓને અધિશોષિત કરવા માટે સક્રિય ચારકોલ અથવા અધિશોષકોના મિશ્રણથી બનેલા ગેસ માસ્કનો ઉપયોગ થાય છે.
$(iii)$ ભેજનું નિયંત્રણ: સિલિકા અને એલ્યુમિનિયમ જેલનો ઉપયોગ ભેજ દૂર કરવા અને ભેજને નિયંત્રિત કરવા માટે અધિશોષક તરીકે થાય છે.
$(iv)$ દ્રાવણમાંથી રંગીન પદાર્થો દૂર કરવા: પ્રાણીજ ચારકોલ રંગીન અશુદ્ધિઓને અધિશોષિત કરીને દ્રાવણમાંથી રંગ દૂર કરે છે.
$(v)$ વિષમાંગ ઉદ્દીપન: ઉદ્દીપકની ઘન સપાટી પર પ્રક્રિયકોનું અધિશોષણ પ્રક્રિયાનો દર વધારે છે. ઉદાહરણ તરીકે,લોખંડનો ઉપયોગ કરીને એમોનિયાનું ઉત્પાદન,સંપર્ક વિધિ દ્વારા $H_{2}SO_{4}$ નું ઉત્પાદન અને તેલના હાઇડ્રોજનેશનમાં નિકલનો ઉપયોગ.
$(vi)$ નિષ્ક્રિય વાયુઓનું અલગીકરણ: વાયુઓના અધિશોષણના પ્રમાણમાં તફાવતને કારણે,નાળિયેરના ચારકોલ પર વિવિધ તાપમાને અધિશોષણ દ્વારા નિષ્ક્રિય વાયુઓના મિશ્રણને અલગ કરી શકાય છે.
$(vii)$ રોગોની સારવારમાં: ઘણી દવાઓ જંતુઓ પર અધિશોષિત થઈને તેમને મારી નાખવા માટે વપરાય છે.
$(viii)$ ફીણ પ્લવન પદ્ધતિ: પાઈન ઓઈલ અને ફીણકારક એજન્ટનો ઉપયોગ કરીને સલ્ફાઈડ અયસ્કને સિલિકા અને અન્ય માટીના પદાર્થોથી અલગ કરીને સાંદ્ર કરવામાં આવે છે.
$(ix)$ અધિશોષણ સૂચકો: સિલ્વર હેલાઈડ જેવા અવક્ષેપની સપાટીઓ ઈઓસિન,ફ્લુરોસેઈન જેવા રંગોને અધિશોષિત કરે છે,જે અંતિમ બિંદુએ લાક્ષણિક રંગ આપે છે.
$(x)$ ક્રોમેટોગ્રાફિક વિશ્લેષણ: અધિશોષણની ઘટના પર આધારિત ક્રોમેટોગ્રાફિક વિશ્લેષણ વિશ્લેષણાત્મક અને ઔદ્યોગિક ક્ષેત્રોમાં ઘણા ઉપયોગો ધરાવે છે.

(A) ધાતુની શુદ્ધ સપાટી મેળવવા માટે અત્યંત ઊંચા શૂન્યાવકાશની જાળવણી કરવી જરૂરી છે.
આ આસપાસના વાતાવરણમાંથી ધાતુની સપાટી પર વાયુના અણુઓના અધિશોષણને રોકવા માટે જરૂરી છે.
આ હેતુ માટે જરૂરી દબાણ સામાન્ય રીતે $10^{-8} \text{ થી } 10^{-9} \text{ Pa}$ ની રેન્જમાં હોય છે.

(N/A) અધિશોષણ એ $surface$ (સપાટીય) ઘટના છે કારણ કે તેમાં આણ્વિય ઘટકો ઘન અથવા પ્રવાહીના જથ્થાને બદલે તેની સપાટી પર એકઠા થાય છે.
અધિશોષણ એ $exothermic$ (ઉષ્માક્ષેપક) પ્રક્રિયા છે. આ પ્રક્રિયામાં,સપાટીના અવશેષી બળો સંતોષાય છે,જેના પરિણામે સપાટીની ઉર્જામાં ઘટાડો થાય છે,જે ઉષ્મા તરીકે મુક્ત થાય છે.

(N/A) ભૌતિક અધિશોષણ (physisorption) માટે અધિશોષણની એન્થાલ્પી ઓછી હોય છે,જે સામાન્ય રીતે $20-40 \ kJ \ mol^{-1}$ ની રેન્જમાં હોય છે.
આનું કારણ એ છે કે તેમાં સામેલ બળો નબળા વાન્ડર વાલ્સ બળો છે.
તેની સરખામણીમાં,રાસાયણિક અધિશોષણ (chemisorption) માટે અધિશોષણની એન્થાલ્પી ઊંચી હોય છે,જે સામાન્ય રીતે $80-240 \ kJ \ mol^{-1}$ ની રેન્જમાં હોય છે.
આનું કારણ એ છે કે અધિશોષિત (adsorbate) અને અધિશોષક (adsorbent) વચ્ચે મજબૂત રાસાયણિક બંધો રચાય છે.

(B) અધિશોષણ બે પ્રકારના હોય છે: $Physisorption$ અને $Chemisorption$.
$Physisorption$ (ભૌતિક અધિશોષણ) પ્રકૃતિમાં પ્રતિવર્તી છે કારણ કે તેમાં નિર્બળ વાન્ડર વાલ્સ બળો હોય છે.
$Chemisorption$ (રાસાયણિક અધિશોષણ) પ્રકૃતિમાં અપરિવર્તનીય છે કારણ કે તેમાં અધિશોષિત અને અધિશોષક વચ્ચે મજબૂત રાસાયણિક બંધો રચાય છે.
તેથી,$Chemisorption$ એ અપરિવર્તનીય અધિશોષણ છે.

(B) ફ્રુન્ડલિચ એડસોર્પ્શન આઇસોથર્મનું સમીકરણ $\frac{x}{m} = kP^{1/n}$ છે.
બંને બાજુ લઘુગણક (log) લેતા,આપણને $\log(\frac{x}{m}) = \log(k) + \frac{1}{n} \log(P)$ મળે છે.
આ સમીકરણ સીધી રેખા $y = mx + c$ ના સ્વરૂપમાં છે,જ્યાં $y = \log(\frac{x}{m})$,$x = \log(P)$,$m = \frac{1}{n}$ (ઢાળ),અને $c = \log(k)$ (અંતઃખંડ) છે.
તેથી,$Y$-અક્ષ પર $\log(\frac{x}{m})$ લેવામાં આવે છે.

(B) અધિશોષણ એ ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયા છે. લે શેટલિયરના સિદ્ધાંત મુજબ,ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયા માટે તાપમાનમાં વધારો કરવાથી સંતુલન પાછળની દિશામાં ખસે છે. તેથી,તાપમાનમાં વધારો થવાથી અધિશોષણની માત્રા ઘટે છે.

(N/A) સિલિકા જેલનો ઉપયોગ સૂકવણીકારક (drying agent) તરીકે અને ક્રોમેટોગ્રાફિક પદાર્થો તથા ઉદ્દીપકો માટે આધાર તરીકે થાય છે. $Kieselghur$,જે સિલિકાનું એક અસ્ફટિકમય સ્વરૂપ છે,તેનો ઉપયોગ ફિલ્ટરેશન પ્લાન્ટમાં થાય છે.

(N/A) સિદ્ધાંત: આ પદ્ધતિ મિશ્રણના વિવિધ ઘટકોના યોગ્ય અધિશોષક પર અલગ-અલગ માત્રામાં થતા અધિશોષણ પર આધારિત છે.
$(b)$ અધિશોષક: જે ઘન પદાર્થની સપાટી પર ઘટકોનું અધિશોષણ થાય છે તેને અધિશોષક કહેવામાં આવે છે. ઉદાહરણ તરીકે $Silica \ gel$ અને $Alumina$. તે સ્થિર કલા તરીકે કાર્ય કરે છે.
$(c)$ ગતિશીલ કલા: જે પ્રવાહી દ્રાવક અથવા વાયુ સ્થિર કલા (અધિશોષક) પરથી પસાર થાય છે અને મિશ્રણના ઘટકોને વહન કરે છે તેને ગતિશીલ કલા કહેવામાં આવે છે.
$(d)$ અધિશોષિત: જે પદાર્થ અથવા પદાર્થોનું મિશ્રણ અધિશોષકની સપાટી પર અધિશોષિત થાય છે તેને અધિશોષિત કહેવામાં આવે છે. આ ઘટકો સ્થિર કલા અને ગતિશીલ કલા પ્રત્યેની તેમની આકર્ષણ શક્તિના આધારે અલગ-અલગ દરે સ્થળાંતર કરે છે,જેનાથી તેમનું અલગીકરણ થાય છે.

(D) અધિશોષણનું પ્રમાણ નીચેના પરિબળો પર આધાર રાખે છે:
$1$. અધિશોષિતનો સ્વભાવ: જે વાયુઓ સરળતાથી પ્રવાહીમાં ફેરવી શકાય છે (ઊંચું ક્રાંતિક તાપમાન) તેનું અધિશોષણ વધુ સરળતાથી થાય છે.
$2$. અધિશોષકનો સ્વભાવ: અધિશોષકની સપાટીનું ક્ષેત્રફળ અને છિદ્રાળુતા અધિશોષણની માત્રાને નોંધપાત્ર રીતે અસર કરે છે.
$3$. તાપમાન: અધિશોષણ સામાન્ય રીતે ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયા છે,તેથી તાપમાન વધવાથી તે ઘટે છે.
$4$. દબાણ: વાયુ-ઘન અધિશોષણ માટે,દબાણ વધવાથી અધિશોષણનું પ્રમાણ વધે છે.

(A) ફ્રુન્ડલિચ એડસોર્પ્શન આઇસોથર્મનું સમીકરણ $\frac{x}{m} = kP^{1/n}$ છે.
બંને બાજુ લઘુગણક લેતા,આપણને $\log(\frac{x}{m}) = \log k + \frac{1}{n} \log P$ મળે છે.
આ સમીકરણ $y = mx + c$ ના સ્વરૂપમાં છે,જ્યાં $y = \log(\frac{x}{m})$,$x = \log P$,ઢાળ $m = \frac{1}{n}$ અને આંતરછેદ $c = \log k$ છે.
તેથી,$\log(\frac{x}{m})$ વિરુદ્ધ $\log P$ નો આલેખ $\frac{1}{n}$ જેટલા ધન ઢાળવાળી સીધી રેખા મળે છે.

(A) સક્રિય ચારકોલનો ઉપયોગ ગેસ માસ્કમાં કોલસાની ખાણોમાં જોવા મળતા ઝેરી વાયુઓને અધિશોષિત કરવા માટે થાય છે,કારણ કે તેની સપાટીનું ક્ષેત્રફળ વધારે હોય છે અને તે છિદ્રાળુ બંધારણ ધરાવે છે.

(N/A) રાસાયણિક અધિશોષણની બે લાક્ષણિકતાઓ નીચે મુજબ છે:
$1$. તે સ્વભાવે અત્યંત વિશિષ્ટ છે અને તે ત્યારે જ થાય છે જ્યારે અધિશોષક (adsorbent) અને અધિશોષિત (adsorbate) વચ્ચે રાસાયણિક બંધ બનવાની શક્યતા હોય.
$2$. તે સ્વભાવે અપરિવર્તનીય (irreversible) છે,કારણ કે અધિશોષિત અણુઓ મજબૂત રાસાયણિક બંધ દ્વારા જોડાયેલા હોય છે અને તેને સરળતાથી દૂર કરી શકાતા નથી.

(N/A) ભૌતિક અધિશોષણ સ્વભાવે ઉષ્માક્ષેપક હોય છે. લ-શેટેલિયરના સિદ્ધાંત મુજબ,તાપમાન વધારવાથી સંતુલન પાછળની દિશામાં ખસે છે,જેના કારણે અધિશોષિત વાયુનું પ્રમાણ ઘટે છે. તેથી,ભૌતિક અધિશોષણ નીચા તાપમાને વધુ સરળતાથી થાય છે.

(A) પાઉડર કરેલા પદાર્થો તેમના સ્ફટિકમય સ્વરૂપ કરતાં વધારે અસરકારક અધિશોષકો છે,કારણ કે જ્યારે પદાર્થ પાઉડર કરેલો હોય છે,ત્યારે તેની સપાટીનું ક્ષેત્રફળ વધે છે. અધિશોષણ એ સપાટીની ઘટના હોવાથી,અધિશોષણનું પ્રમાણ અધિશોષકની સપાટીના ક્ષેત્રફળના સમપ્રમાણમાં હોય છે.

(B) સ્વચ્છ સપાટી હોવી જરૂરી છે કારણ કે તે ઇચ્છિત સ્પીસીઝ માટે યોગ્ય અધિશોષણ સ્થાનો પૂરા પાડે છે. જો સપાટી સ્વચ્છ ન હોય,તો ઇચ્છિત સ્પીસીઝનું અધિશોષણ અસરકારક રીતે થશે નહીં કારણ કે અન્ય બાહ્ય સ્પીસીઝ તે સ્થાનો પર કબજો કરી લેશે.

(N/A) કેમિસોર્પ્શનમાં,અધિશોષિત (adsorbate) અને અધિશોષક (adsorbent) ના અણુઓ વચ્ચે રાસાયણિક બંધો રચાય છે. આ પ્રક્રિયામાં બંધ નિર્માણ શરૂ કરવા માટે નોંધપાત્ર પ્રમાણમાં સક્રિયકરણ ઉર્જા (activation energy) ની જરૂર પડે છે. આ ઉચ્ચ સક્રિયકરણ ઉર્જાની જરૂરિયાતને કારણે,કેમિસોર્પ્શનને ઘણીવાર સક્રિયકૃત અધિશોષણ તરીકે ઓળખવામાં આવે છે.

(B) જ્યારે $FeCl_3$ ને ગરમ પાણીમાં ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે તેનું જળવિભાજન થઈને $Fe(OH)_3$ સોલ બને છે.
સોલના નિર્માણ દરમિયાન,કણો વિક્ષેપન માધ્યમમાંથી $Fe^{3+}$ આયનોનું પસંદગીયુક્ત અધિશોષણ કરે છે,જેના કારણે કલિલ ધન વીજભારિત બને છે.

(N/A) ભૌતિક અધિશોષણમાં,અધિશોષણ નિર્બળ વાન્ડર વાલ્સ બળો દ્વારા જળવાય છે. જેમ તાપમાન વધે છે,તેમ વાયુના અણુઓની ગતિ ઊર્જા વધે છે,જે વિશોષણ (desorption) તરફ દોરી જાય છે,તેથી તાપમાનમાં વધારો થવાથી ભૌતિક અધિશોષણ ઘટે છે.
રાસાયણિક અધિશોષણમાં,અધિશોષિત (adsorbate) અને અધિશોષક (adsorbent) ના અણુઓ વચ્ચે રાસાયણિક બંધ રચાય છે. આ પ્રક્રિયામાં બંધ રચના શરૂ કરવા માટે ઘણીવાર સક્રિયકરણ ઊર્જા (activation energy) ની જરૂર પડે છે. તેથી,રાસાયણિક અધિશોષણ સામાન્ય રીતે તાપમાનમાં પ્રારંભિક વધારા સાથે વધે છે.

(N/A) ઇઓસિન એક અધિશોષણ સૂચક છે. જ્યારે ઇઓસિનને સિલ્વર હેલાઇડના અવક્ષેપમાં ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે તે સિલ્વર હેલાઇડના કણોની સપાટી પર અધિશોષિત થાય છે. આ અધિશોષણને કારણે અવક્ષેપના રંગમાં ફેરફાર થાય છે,તેથી તે રંગીન દેખાય છે.

(B) કોલસાની ખાણોમાં વિવિધ ઝેરી વાયુઓ હાજર હોય છે. ગેસ માસ્કમાં રહેલ સક્રિયકૃત ચારકોલ આ વાયુઓ માટે અધિશોષક તરીકે કાર્ય કરે છે,જે ખાણકામ કરનારાઓ દ્વારા લેવામાં આવતી હવામાંથી તેમને અસરકારક રીતે દૂર કરે છે.

(N/A) નીચા તાપમાને ઝીણા વિભાજિત નિકલ પર હાઇડ્રોજનનું અધિશોષણ નિર્બળ વાન્ડર વાલ્સ બળોને કારણે થાય છે,જે ભૌતિક અધિશોષણનું ઉદાહરણ છે.
જ્યારે તાપમાન વધારવામાં આવે છે,ત્યારે $H_2$ અણુઓ $H$ પરમાણુઓમાં વિભાજિત થવા માટે પૂરતી ઊર્જા મેળવે છે.
ત્યારબાદ આ $H$ પરમાણુઓ નિકલની સપાટી સાથે મજબૂત રાસાયણિક બંધ બનાવે છે,જેના પરિણામે રાસાયણિક અધિશોષણ થાય છે.

(N/A) $(i)$ ક્રોમેટોગ્રાફી: થીન લેયર ક્રોમેટોગ્રાફી $(TLC)$ અધિશોષણના સિદ્ધાંત પર કાર્ય કરે છે. તેનો ઉપયોગ રંગીન ઘટકોના અલગીકરણ માટે થાય છે.
$(ii)$ અધિશોષણ સૂચકો: સિલ્વર હેલાઇડ $(AgX)$ ના અવક્ષેપ અધિશોષક તરીકે કાર્ય કરે છે. તેઓ ઇઓસિન,ફ્લોરેસીન જેવા રંગકોને અધિશોષિત કરવાનો ગુણધર્મ ધરાવે છે,જેનાથી ટાઇટ્રેશનના અંતિમ બિંદુએ લાક્ષણિક રંગ ઉત્પન્ન થાય છે.
$(iii)$ નિષ્ક્રિય વાયુઓનું અલગીકરણ: ચારકોલ દ્વારા વાયુઓના અધિશોષણની માત્રામાં તફાવત હોવાને કારણે,નિષ્ક્રિય વાયુઓના મિશ્રણને અલગ-અલગ તાપમાને નાળિયેરના ચારકોલ પર અધિશોષણ દ્વારા અલગ કરી શકાય છે.

(B) ફીણ પ્લવન પદ્ધતિમાં,સલ્ફાઈડ અયસ્કના કણો પાઈન ઓઈલ (સંગ્રાહક) દ્વારા પ્રાધાન્યતા સાથે ભીના થાય છે,જે અયસ્કના કણોની સપાટી પર અધિશોષક તરીકે કાર્ય કરે છે.
આનાથી અયસ્કના કણો હાઈડ્રોફોબિક (પાણીને અપાકર્ષતા) બને છે,જેનાથી તેઓ હવાના પરપોટા સાથે જોડાઈને ફીણ સ્વરૂપે સપાટી પર આવે છે.
તેનાથી વિપરીત,ગેંગ (અશુદ્ધિઓ) પાણી દ્વારા ભીની થાય છે અને ટાંકીના તળિયે રહી જાય છે.

(B) પાણીમાં $NaCl$ જેવા સુદ્રાવ્ય પદાર્થ ઉમેરવાથી પ્રવાહીના જથ્થામાં આંતરઆણ્વીય આકર્ષણ બળોમાં વધારો થાય છે.
આના પરિણામે શુદ્ધ પાણીની સરખામણીમાં દ્રાવણનું પૃષ્ઠતાણ વધે છે.
તેથી,$NaCl$ ના દ્રાવણનું પૃષ્ઠતાણ શુદ્ધ પાણી કરતાં વધારે હોય છે.

(N/A)

$Adsorbent$ (અધિશોષક)	$Adsorbate$ (અધિશોષિત)
જે પદાર્થની સપાટી પર અધિશોષણની પ્રક્રિયા થાય છે તેને $Adsorbent$ કહેવામાં આવે છે.	જે પદાર્થ બીજા પદાર્થની સપાટી પર અધિશોષિત થાય છે તેને $Adsorbate$ કહેવામાં આવે છે.
$e.g.$ સિલિકા જેલ,સક્રિયકૃત ચારકોલ,એલ્યુમિના.	$e.g.$ ચારકોલ પર $O_2$,$H_2$ જેવા વાયુઓ,રંગકો,અકાર્બનિક આયનો.

(B) અધિશોષણ એ ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયા છે. જેમ અધિશોષણ આગળ વધે છે,તેમ અધિશોષક પર ઉપલબ્ધ સક્રિય સ્થાનોની સંખ્યા ઘટે છે,પરિણામે ઓછી ઉષ્મા મુક્ત થાય છે. તેથી,$\Delta H$ ઓછું ઋણ બને છે.
$(b)$ $NH_3$ એ ધ્રુવીય અણુ છે અને $N_2$ ની સરખામણીમાં તેનો વાન ડર વાલ્સ અચળાંક $'a'$ વધુ છે,જે મજબૂત આકર્ષણ બળો અને વધુ અધિશોષણ તરફ દોરી જાય છે.
$(c)$ અધિશોષણ એ અધિશોષકની સપાટી પરના અવશેષી બળોને સંતોષવા માટે થાય છે. તેથી,જેમ અધિશોષણ આગળ વધે છે,તેમ સપાટી પરના અવશેષી બળો ઘટે છે,વધતા નથી.
$(d)$ લે-શાતેલિયરના સિદ્ધાંત મુજબ,ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયા માટે તાપમાનમાં વધારો કરવાથી સંતુલન પાછળની દિશામાં ખસે છે,જેનાથી અધિશોષિત કણોની સાંદ્રતા ઘટે છે.

(B) ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપી (Freundlich adsorption isotherm) મુજબ: $\log(x/m) = \log k + (1/n) \log p$.
આને સીધી રેખાના સમીકરણ $y = mx + c$ સાથે સરખાવતા:
ઢાળ $(1/n) = 2$.
આંતરછેદ $\log k = 0.4771$.
આપેલ છે $\log 3 = 0.4771$,તેથી $k = 3$.
સમીકરણ આ મુજબ બને છે: $x/m = k \cdot p^{(1/n)}$.
$p = 4 \text{ atm}$ પર:
$x/m = 3 \cdot (4)^2 = 3 \cdot 16 = 48$.

(C) ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપી સમીકરણ $\frac{x}{m} = K \cdot p^{1/n}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $K$ અને $n$ એ ચોક્કસ તાપમાને અધિશોષક અને વાયુની પ્રકૃતિ પર આધારિત અચળાંકો છે.
અધિશોષણ એ ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયા છે. લે શેટલિયરના સિદ્ધાંત મુજબ,ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયા માટે તાપમાનમાં વધારો થવાથી અધિશોષણનું પ્રમાણ ઘટે છે.
તેથી,અચળ દબાણે,તાપમાન વધતા અધિશોષિત વાયુનું પ્રમાણ $(\frac{x}{m})$ ઘટે છે.
આનો અર્થ એ છે કે નીચા તાપમાન માટેનો વક્ર ઊંચા તાપમાન માટેના વક્રની ઉપર આવશે.
આપેલા વિકલ્પોની સરખામણી કરતા,જે આલેખમાં $200 \ K$ માટે $\frac{x}{m}$ સૌથી વધુ અને $270 \ K$ માટે સૌથી ઓછું છે,તે સાચો આલેખ છે.

(A) ફ્રુન્ડલિચ એડસોર્પ્શન આઇસોથર્મનું સમીકરણ $\frac{x}{m} = K P^{1/n}$ છે.
બંને બાજુ લોગ લેતા,$\log \left( \frac{x}{m} \right) = \frac{1}{n} \log P + \log K$ મળે છે.
આને સીધી રેખાના સમીકરણ $y = mx + c$ સાથે સરખાવતા,ઢાળ $\frac{1}{n} = 2$ અને આંતરછેદ $\log K = 0.4771$ છે.
$\log 3 = 0.4771$ હોવાથી,$K = 3$ મળે છે.
હવે,$K = 3$,$P = 0.04 \ atm$,અને $n = 0.5$ (કારણ કે $\frac{1}{n} = 2$) ની કિંમતો $\frac{x}{m} = K P^{1/n}$ સમીકરણમાં મૂકતા:
$\frac{x}{m} = 3 \times (0.04)^{2} = 3 \times 0.0016 = 0.0048 \ g$.
આને જરૂરી ફોર્મેટમાં ફેરવતા: $0.0048 \ g = 48 \times 10^{-4} \ g$.

(C) ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપી $\frac{x}{m} = k p^{1/n}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
બંને બાજુ લઘુગણક લેતા,આપણને $\log \frac{x}{m} = \log k + \frac{1}{n} \log p$ મળે છે.
આ સમીકરણ $y = mx + c$ સ્વરૂપની સીધી રેખા દર્શાવે છે,જ્યાં ઢાળ $\frac{1}{n}$ છે.
$n = 5$ આપેલ હોવાથી,ઢાળ $\frac{1}{5} = 0.2$ થશે.

(D) ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપીનું સમીકરણ: $\frac{x}{m} = K(P)^{1/n}$
બંને બાજુ લઘુગણક લેતા:
$\log \left(\frac{x}{m}\right) = \log K + \frac{1}{n} \log P$
આ સમીકરણ સુરેખ રેખા $y = mx + c$ ના સ્વરૂપમાં છે,જ્યાં:
$y = \log \left(\frac{x}{m}\right)$
$x = \log P$
$c = \log K$
$m = \frac{1}{n}$ (ઢાળ)
ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપીમાં,$\frac{1}{n}$ નું મૂલ્ય $0$ અને $1$ ની વચ્ચે હોય છે (એટલે કે $0 \leq \frac{1}{n} \leq 1$).
આમ,રેખાનો ઢાળ $\frac{1}{n}$ છે જ્યાં $\frac{1}{n}$ એ $0$ અને $1$ ની વચ્ચે છે.

(B) ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપી સમીકરણ $\frac{x}{m} = K P^{\frac{1}{n}}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.
મધ્યમ દબાણે,ઘાતાંકનું મૂલ્ય $\frac{1}{n}$ છે,જ્યાં $n > 1$ છે.
આપેલ સમીકરણ $\frac{x}{m} \propto P^x$ સાથે સરખાવતા,આપણને $x = \frac{1}{n}$ મળે છે.

(A) પ્રથમ,અધિશોષિત $O_2$ ના મોલની સંખ્યા ગણો:
$n = \frac{\text{દળ}}{\text{મોલર દળ}} = \frac{3.12 \, g}{32 \, g/mol} = 0.0975 \, mol$.
આદર્શ વાયુ સમીકરણ $PV = nRT$ નો ઉપયોગ કરીને $O_2$ નું કદ ગણો:
$V = \frac{nRT}{P} = \frac{0.0975 \, mol \times 0.0821 \, L \, atm \, K^{-1} \, mol^{-1} \times 300 \, K}{1 \, atm} = 2.40 \, L$.
કારણ કે $1.2 \, g$ પ્લેટિનમ $2.40 \, L$ $O_2$ નું અધિશોષણ કરે છે,તેથી પ્રતિ ગ્રામ અધિશોષિત કદ:
$\frac{2.40 \, L}{1.2 \, g} = 2 \, L/g$.

(C) $(i)$ ઘન સપાટી પર વાયુનું અધિશોષણ એ ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયા છે,જે ઉષ્મા મુક્ત કરે છે,તેથી $\Delta H < 0$ છે.
$(ii)$ જેમ વાયુના અણુઓ ઘન સપાટી પર અધિશોષિત થાય છે,તેમ તેમની હલનચલનની સ્વતંત્રતા મર્યાદિત થાય છે,જેના પરિણામે અસ્તવ્યસ્તતા (એન્ટ્રોપી) માં ઘટાડો થાય છે,તેથી $\Delta S < 0$ છે.

(D) ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપી સંબંધ દ્વારા આપવામાં આવે છે: $\frac{x}{m} = kP^{1/n}$,જ્યાં $0 < \frac{1}{n} < 1$.
અધિશોષણ સામાન્ય રીતે ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયા છે. લે-શાતેલિયરના સિદ્ધાંત મુજબ,તાપમાનમાં વધારો કરવાથી સંતુલન પાછળની દિશામાં ખસશે,જેના પરિણામે અધિશોષણનું પ્રમાણ $(\frac{x}{m})$ ઘટશે.
તેથી,અચળ દબાણ $P$ પર,અધિશોષણનું પ્રમાણ $\frac{x}{m}$ એ ઊંચા તાપમાન $(T_{1})$ ની સરખામણીમાં નીચા તાપમાન $(T_{2})$ પર વધારે હશે.
આમ,$T_{2}$ માટેનો વક્ર $T_{1}$ માટેના વક્રની ઉપર આવશે (જ્યાં $T_{1} > T_{2}$),જે વિકલ્પ $D$ માં યોગ્ય રીતે દર્શાવેલ છે.

(B) ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપી $\frac{x}{m} = KP^{1/n}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે. અધિશોષકનું દળ $(m)$ અચળ $(1 \ g)$ હોવાથી,$V \propto \frac{x}{m}$,તેથી $V = KP^{1/n}$.
આપેલ માહિતી માટે:
$10 = K(100)^{1/n} \quad (1)$
$15 = K(200)^{1/n} \quad (2)$
$V = K(300)^{1/n} \quad (3)$
$(2)$ ને $(1)$ વડે ભાગતા:
$\frac{15}{10} = \left(\frac{200}{100}\right)^{1/n} \Rightarrow 1.5 = 2^{1/n}$.
બંને બાજુ $\log_{10}$ લેતા:
$\log_{10} 1.5 = \frac{1}{n} \log_{10} 2$
$\log_{10} \left(\frac{3}{2}\right) = \frac{1}{n} (0.3010)$
$0.4771 - 0.3010 = \frac{1}{n} (0.3010)$
$0.1761 = \frac{1}{n} (0.3010) \Rightarrow \frac{1}{n} = \frac{0.1761}{0.3010} \approx 0.585$.
$(3)$ ને $(1)$ વડે ભાગતા:
$\frac{V}{10} = \left(\frac{300}{100}\right)^{1/n} = 3^{1/n}$.
બંને બાજુ $\log_{10}$ લેતા:
$\log_{10} \left(\frac{V}{10}\right) = \frac{1}{n} \log_{10} 3$
$\log_{10} \left(\frac{V}{10}\right) = 0.585 \times 0.4771 = 0.2791$.
$\frac{V}{10} = 10^{0.2791} \Rightarrow V = 10 \times 10^{0.2791} = 10^{1.2791}$.
આપેલ છે કે $V = 10^x$,તેથી $x = 1.2791$.
$x \times 10^{-2}$ માટે નજીકના પૂર્ણાંકમાં લેતા,આપણને $128 \times 10^{-2}$ મળે છે.

(C) ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપી સમીકરણ: $\frac{x}{m} = k \cdot p^{\frac{1}{n}}$.
ધારો કે શરૂઆતનું અધિશોષિત દળ $y_1 = \frac{x}{m} = k \cdot p^{\frac{1}{n}}$ છે.
જ્યારે દબાણ બમણું થાય $(p' = 2p)$,ત્યારે અધિશોષિત દળ $y_2 = 64y_1 = k \cdot (2p)^{\frac{1}{n}}$ થાય છે.
બંને સમીકરણોનો ભાગાકાર કરતા: $\frac{64y_1}{y_1} = \frac{k \cdot (2p)^{\frac{1}{n}}}{k \cdot p^{\frac{1}{n}}}$.
$64 = (2)^{\frac{1}{n}}$.
$64 = 2^6$ હોવાથી,$2^6 = 2^{\frac{1}{n}}$.
તેથી,$\frac{1}{n} = 6$,જેનો અર્થ છે કે $n = \frac{1}{6} \approx 0.1666$.
આને $n \times 10^{-2}$ તરીકે દર્શાવતા,આપણને $16.66 \times 10^{-2}$ મળે છે.
નજીકના પૂર્ણાંકમાં રાઉન્ડ ઓફ કરતા,આપણને $17 \times 10^{-2}$ મળે છે.

(A) ઘન અધિશોષક પર વાયુના અધિશોષણનું પ્રમાણ વાયુના પ્રવાહીકરણની સરળતા પર આધાર રાખે છે.
સરળતાથી પ્રવાહીમાં રૂપાંતરિત થઈ શકે તેવા વાયુઓનું ક્રાંતિક તાપમાન $(T_c)$ ઊંચું હોય છે.
$SO_{2(g)}$ નું ક્રાંતિક તાપમાન $(430 \ K)$ એ $H_{2(g)}$ $(33 \ K)$ કરતા વધારે હોવાથી,તે વધુ સરળતાથી પ્રવાહીમાં ફેરવાય છે અને તેથી સક્રિયકૃત ચારકોલ પર વધુ પ્રમાણમાં અધિશોષિત થાય છે.
તેથી,વિધાન $A$ અને કારણ $R$ બંને સાચા છે,અને $R$ એ $A$ ની સાચી સમજૂતી છે.

(C) એસિટિક એસિડના પ્રારંભિક મોલ $= M_1 \times V_1 = 0.2 \, M \times 0.2 \, L = 0.04 \, mol$.
એસિટિક એસિડના અંતિમ મોલ $= M_2 \times V_2 = 0.1 \, M \times 0.2 \, L = 0.02 \, mol$.
અધિશોષિત એસિટિક એસિડના મોલ $= 0.04 - 0.02 = 0.02 \, mol$.
એસિટિક એસિડનું આણ્વીય દળ $(CH_3COOH) = 60 \, g/mol$.
અધિશોષિત એસિટિક એસિડનું દળ $= 0.02 \, mol \times 60 \, g/mol = 1.2 \, g$.
લાકડાના કોલસાનું દળ $= 0.6 \, g$.
પ્રતિ ગ્રામ કાર્બન દીઠ અધિશોષિત એસિટિક એસિડનું દળ $= \frac{1.2 \, g}{0.6 \, g} = 2 \, g/g$.

(C) પ્રથમ,$H_2$ વાયુના મોલની સંખ્યા ગણો: $n = \frac{\text{દળ}}{\text{મોલર દળ}} = \frac{2.0 \, g}{2.0 \, g/mol} = 1.0 \, mol$.
આદર્શ વાયુ સમીકરણ $PV = nRT$ નો ઉપયોગ કરીને,આપણે વાયુનું કદ $V$ શોધીએ છીએ:
$V = \frac{nRT}{P} = \frac{1.0 \, mol \times 0.083 \, L \, bar \, K^{-1} \, mol^{-1} \times 300 \, K}{1 \, bar} = 24.9 \, L$.
કદને $mL$ માં ફેરવો: $24.9 \, L = 24900 \, mL$.
અધિશોષક પ્રતિ ગ્રામ અધિશોષિત વાયુનું કદ નીચે મુજબ ગણવામાં આવે છે:
$\text{પ્રતિ ગ્રામ કદ} = \frac{\text{કુલ કદ}}{\text{અધિશોષકનું દળ}} = \frac{24900 \, mL}{2.5 \, g} = 9960 \, mL/g$.

(C) ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપી સમીકરણ $\frac{x}{m} = k \, P^{\frac{1}{n}}$ છે.
બંને બાજુ લઘુગણક લેતા,$\log \frac{x}{m} = \log k + \frac{1}{n} \log P$ મળે છે.
આને સીધી રેખાના સમીકરણ $y = mx + c$ સાથે સરખાવતા,ઢાળ $\frac{1}{n}$ છે અને અંતઃખંડ $\log k$ છે.
આલેખ પરથી,ઢાળ $1$ છે,તેથી $\frac{1}{n} = 1 \Rightarrow n = 1$.
અંતઃખંડ $\log k = 0.602$ છે. કારણ કે $\log 4 \approx 0.602$,તેથી $k = 4$.
હવે,સમીકરણમાં કિંમતો મૂકતા: $\frac{x}{m} = 4 \times (0.03)^1$.
$\frac{x}{m} = 0.12 \, g$.
આને $...... \times 10^{-2} \, g$ સ્વરૂપમાં દર્શાવવા માટે,આપણે $0.12 = 12 \times 10^{-2} \, g$ લખીએ છીએ.

(C) ઘન અધિશોષક પર વાયુના અધિશોષણનું પ્રમાણ તેના ક્રાંતિક તાપમાન $(T_c)$ પર આધાર રાખે છે.
ઊંચા ક્રાંતિક તાપમાન ધરાવતા વાયુઓ સરળતાથી પ્રવાહીમાં ફેરવાય છે અને તેથી સક્રિયકૃત ચારકોલની સપાટી પર વધુ સરળતાથી અધિશોષિત થાય છે.
$CH_{4}$ $(190 K)$ ની સરખામણીમાં $SO_{2}$ નું ક્રાંતિક તાપમાન $(430 K)$ ઊંચું છે.
તેથી,$SO_{2}$ નું અધિશોષણ $CH_{4}$ કરતા વધુ કાર્યક્ષમ રીતે થાય છે,જે વિધાન $A$ ને સાચું ઠેરવે છે.
કારણ $R$ જણાવે છે કે નીચા ક્રાંતિક તાપમાન ધરાવતા વાયુઓ સરળતાથી અધિશોષિત થાય છે,જે ખોટું છે.
આમ,$A$ સાચું છે પરંતુ $R$ ખોટું છે.

(B) ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપી સમીકરણ: $\frac{x}{m} = K P^{\frac{1}{n}}$
બંને બાજુ લઘુગણક લેતા: $\log \frac{x}{m} = \frac{1}{n} \log P + \log K$
આ $y = mx + c$ પ્રકારનું સુરેખ સમીકરણ છે,જ્યાં $\log \frac{x}{m}$ વિરુદ્ધ $\log P$ નો આલેખ $\frac{1}{n}$ ઢાળ અને $\log K$ અંતઃખંડ ધરાવતી સીધી રેખા હોવી જોઈએ.
આપેલા વક્રોનું વિશ્લેષણ:
$1$. પ્રથમ વક્ર $(a)$ એ $\log \frac{x}{m}$ વિરુદ્ધ $\log P$ નો અરેખીય વક્ર છે,જે ખોટું છે.
$2$. બીજો વક્ર $(b)$ એ $\log \frac{x}{m}$ વિરુદ્ધ $P$ નો રેખીય આલેખ છે,જે ખોટું છે.
$3$. ત્રીજો વક્ર $(c)$ એ $\log \frac{x}{m}$ વિરુદ્ધ $P$ નો રેખીય આલેખ છે,જે ખોટું છે.
$4$. ચોથો વક્ર $(d)$ એ $\log \frac{x}{m}$ વિરુદ્ધ $\log P$ નો ધન અંતઃખંડ ધરાવતો રેખીય આલેખ છે,જે સાચું છે.
તેથી,$3$ વક્રો ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપીને અનુસરતા નથી.

(A) ઘન અધિશોષક (જેમ કે ચારકોલ) પર વાયુના અધિશોષણનું પ્રમાણ વાયુના પ્રવાહીકરણની સરળતા પર આધાર રાખે છે.
જે વાયુઓ સરળતાથી પ્રવાહીમાં ફેરવાય છે તેમનું ક્રાંતિક તાપમાન $(T_c)$ ઊંચું હોય છે અને તેમનું અધિશોષણ વધુ થાય છે.
તેથી,જે વાયુનું ક્રાંતિક તાપમાન સૌથી ઓછું હોય,તેનું અધિશોષણ સૌથી ઓછું થાય છે.
આપેલા મૂલ્યો મુજબ: $T_c(He) = 5.2 \ K$ એ સૌથી ઓછું છે,તેથી $He$ સૌથી ઓછું અધિશોષણ દર્શાવે છે.

(B) અચળ તાપમાને ઘન સપાટી પર વાયુનું અધિશોષણ ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપી દ્વારા વર્ણવવામાં આવે છે.
ફ્રુન્ડલિચ સમતાપી મુજબ,અધિશોષકના એકમ દળ $(m)$ દીઠ અધિશોષિત વાયુનું પ્રમાણ $(x)$ એ $\frac{x}{m} = k \cdot p^{1/n}$ સંબંધ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $k$ અને $n$ એ આપેલ વાયુ અને અધિશોષક માટે ચોક્કસ તાપમાને અચળાંકો છે.
જેમ દબાણ $(p)$ વધે છે,તેમ અધિશોષિત વાયુનું પ્રમાણ $(x/m)$ ઓછા દબાણે ઝડપથી વધે છે અને પછી ઊંચા દબાણે સંતૃપ્તિ મર્યાદા સુધી પહોંચે છે.
ગ્રાફ $2$ અધિશોષણ સમતાપીના આ લાક્ષણિક વર્તનને રજૂ કરે છે,જે શરૂઆતમાં ઝડપી વધારો અને ત્યારબાદ સંતૃપ્તિ તરફ જતાં સ્થિરતા દર્શાવે છે.

(C)
અધિશોષણની માત્રા $(x / m)$ અને દબાણ $(p)$ વચ્ચેનો સંબંધ ફ્રુન્ડલિચ અધિશોષણ સમતાપી દ્વારા આપવામાં આવે છે.
આ મુજબ,
$\frac{x}{m} = k p^{1 / n} \quad (n > 1)$
જ્યાં $x$ એ દબાણ $p$ પર અધિશોષક ના દળ $m$ પર અધિશોષિત વાયુનું દળ છે,અને $k$ તથા $n$ અચળાંકો છે.
બંને બાજુ $\log$ લેતા:
$\log (x / m) = \log k + \frac{1}{n} \log p$
આને સુરેખ રેખાના સમીકરણ $y = mx + c$ સાથે સરખાવતા,જ્યાં $y = \log (x / m)$,$x = \log p$,ઢાળ $m = 1 / n$,અને અંતઃખંડ $c = \log k$ છે.
આમ,$\log (x / m)$ વિરુદ્ધ $\log p$ નો આલેખ ધન ઢાળ ધરાવતી સુરેખ રેખા છે,જે આલેખ $(C)$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવ્યો છે.

(A) ભૌતિક અધિશોષણના લક્ષણો નીચે મુજબ છે:
$1.$ તે પ્રકૃતિમાં વિશિષ્ટ નથી (તે બિન-વિશિષ્ટ છે).
$2.$ અધિશોષણની એન્થાલ્પી ઓછી હોય છે $(20-40 \ kJ \ mol^{-1})$.
$3.$ તાપમાનમાં વધારો થતાં તે ઘટે છે.
$4.$ તે બહુ-આણ્વીય સ્તરોમાં પરિણમે છે.
$5.$ કોઈ નોંધપાત્ર સક્રિયકરણ ઊર્જાની જરૂર હોતી નથી.
આપેલા વિધાનો સાથે સરખામણી કરતા:
$A.$ ખોટું (ભૌતિક અધિશોષણ બિન-વિશિષ્ટ છે).
$B.$ ખોટું (એન્થાલ્પી ઓછી હોય છે).
$C.$ સાચું.
$D.$ ખોટું (તે બહુ-આણ્વીય સ્તરો બનાવે છે).
$E.$ સાચું.
આમ,$2$ વિધાનો ($C$ અને $E$) સાચા છે.