Type of solid and Their properties Questions in Gujarati

(C) અસ્ફટિકમય ઘન પદાર્થોમાં કણોની કોઈ વ્યવસ્થિત ગોઠવણી (એટલે કે,કોઈ લાંબા ગાળાનો ક્રમ) હોતી નથી અને સ્ફટિકમય ઘન પદાર્થોની જેમ તેમનું ગલનબિંદુ ચોક્કસ હોતું નથી.
જ્યારે તેમને ગરમ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેઓ ધીમે ધીમે નરમ પડે છે અને પ્રવાહી જેવા ગુણધર્મો દર્શાવે છે.
તેથી,તેમને અતિશીત પ્રવાહી (supercooled liquids) તરીકે ઓળખવામાં આવે છે.

(C) $Silicon$ $(Si)$ હીરા જેવું સ્ફટિક બંધારણ ધરાવે છે જેમાં દરેક $Si$ પરમાણુ ચાર અન્ય $Si$ પરમાણુઓ સાથે સહસંયોજક બંધથી જોડાયેલ હોય છે. આ સતત ત્રિ-પરિમાણીય સહસંયોજક બંધારણને $Network \ solid$ (નેટવર્ક ઘન) તરીકે ઓળખવામાં આવે છે.

(D) સાચો જવાબ $D$ છે.
આયનીય સંયોજનોની તુલનામાં ધાતુઓની લેટીસ ઊર્જા સામાન્ય રીતે ઓછી હોય છે કારણ કે ધાતુ બંધન બિન-દિશાત્મક હોય છે અને તેમાં વિસ્થાનીકૃત ઇલેક્ટ્રોન સામેલ હોય છે.
વિકલ્પ $A$ ધાતુ બંધનના ઇલેક્ટ્રોન સી મોડેલનું વર્ણન કરે છે,જે સાચું છે.
વિકલ્પ $B$ સાચો છે કારણ કે ધાતુઓ ઘણીવાર $fcc$ અથવા $hcp$ જેવી રચનાઓમાં સ્ફટિકીકરણ પામે છે જેનો સવર્ગ આંક ઊંચો $(12)$ હોય છે.
વિકલ્પ $C$ સાચો છે કારણ કે ધાતુઓ સ્થિરતા વધારવા માટે કાર્યક્ષમ રીતે પેક થાય છે.

(D) આ પ્રક્રિયાને $quenching$ તરીકે ઓળખવામાં આવે છે. સ્ટીલને તેજસ્વી લાલ રંગ સુધી ગરમ કરીને પછી તેને તેલ અથવા પાણીમાં ડૂબાડીને અચાનક ઠંડુ કરવાથી સ્ટીલની કઠિનતા વધે છે પરંતુ તે બરડ પણ બને છે. તેથી,સ્ટીલ $Hard$ (સખત) અને $brittle$ (બરડ) બને છે.

(D) જ્યારે ઘડિયાળની સ્પ્રિંગ જેવી સ્ટીલની વસ્તુને લાલચોળ ગરમ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ તેને ઠંડા પાણીમાં ડૂબાડીને અચાનક ઠંડી કરવામાં આવે છે,ત્યારે $quenching$ નામની પ્રક્રિયા થાય છે. આ ઝડપી ઠંડક નરમ માઇક્રોસ્ટ્રક્ચર બનતા અટકાવે છે અને તેના બદલે $martensite$ નું નિર્માણ થાય છે,જે ધાતુને $hard$ (સખત) અને $brittle$ (બરડ) બનાવે છે.

(C) ઘન પદાર્થોને બે પ્રકારમાં વર્ગીકૃત કરી શકાય છે: સ્ફટિકમય અને અસ્ફટિકમય.
અસ્ફટિકમય ઘન પદાર્થોમાં કણોની નિયમિત ગોઠવણી હોતી નથી,તેથી તે હંમેશા સ્ફટિકમય હોતા નથી.
તેથી,ઘન પદાર્થો હંમેશા સ્ફટિકમય સ્વરૂપમાં હોય છે તે વિધાન ખોટું છે.

(B) આણ્વિય ઘન પદાર્થો નિર્બળ વાન્ડર વાલ્સ બળો અથવા હાઇડ્રોજન બંધ દ્વારા જોડાયેલા અણુઓ ધરાવે છે.
આ નિર્બળ આંતરઆણ્વિય બળોને કારણે,તેઓ સામાન્ય રીતે નીચા ગલનબિંદુ ધરાવે છે અને ઘણીવાર બાષ્પશીલ હોય છે.
તેઓ નરમ હોય છે અને વિદ્યુતના અવાહક હોય છે.

(C) અસ્ફટિકમય ઘન પદાર્થોમાં કણોની લાંબા ગાળાની ગોઠવણી હોતી નથી અને તેમનું ગલનબિંદુ ચોક્કસ હોતું નથી. જ્યારે તેમને ગરમ કરીને ઝડપથી ઠંડા પાડવામાં આવે છે,ત્યારે તેઓ પ્રવાહી જેવા ગુણધર્મો દર્શાવે છે,તેથી તેમને $supercooled \ liquids$ (સુપરકૂલ્ડ પ્રવાહી) કહેવામાં આવે છે.

(A) આદિમ એકમ કોષ એવો કોષ છે જેમાં ઘટક કણો માત્ર એકમ કોષના ખૂણાઓ પર જ હાજર હોય છે.
આપેલા વિકલ્પોમાંથી,$Simple \ cubic$ એકમ કોષ એ આદિમ એકમ કોષ છે કારણ કે કણો માત્ર ખૂણાઓ પર જ આવેલા હોય છે.
$Body-centered$ અને $Face-centered$ એકમ કોષો એ કેન્દ્રિત એકમ કોષોના પ્રકારો છે.

(D) અસ્ફટિકમય ઘન પદાર્થો એવા છે જેમાં ઘટક કણો લાંબા ગાળાની વ્યવસ્થિત ગોઠવણી ધરાવતા નથી. $Glass$ (કાચ) અને $Tar$ (ડામર) એ અસ્ફટિકમય ઘન પદાર્થોના ઉત્તમ ઉદાહરણો છે (જેને સુપરકૂલ્ડ પ્રવાહી તરીકે પણ ઓળખવામાં આવે છે). $KCl$ એ નિયમિત લેટીસ બંધારણ ધરાવતો સ્ફટિકમય ઘન પદાર્થ છે. તેથી,$Glass$ અને $Tar$ બંને અસ્ફટિકમય છે.

(C) આયનીય ઘન પદાર્થો પ્રબળ સ્થિરવિદ્યુત આકર્ષણ બળો દ્વારા જોડાયેલા આયનોના બનેલા હોય છે.
આ બળોને કારણે તેમનું ગલનબિંદુ ઊંચું હોય છે અને તેઓ સખત હોય છે.
ઘન અવસ્થામાં આયનો તેમના લેટીસ સ્થાન પર જકડાયેલા હોવાથી તેઓ વિદ્યુતના અવાહક હોય છે.
પરંતુ,પીગળેલું સ્વરૂપ અથવા જલીય દ્રાવણમાં આયનો મુક્ત રીતે ફરી શકે છે,જેના કારણે તેઓ વિદ્યુતનું વહન કરી શકે છે.

(C) સ્ફટિકમય ઘન પદાર્થો સ્વભાવે એનઆઈસોટ્રોપિક (વિષમદિગ્ધર્મી) હોય છે,જેનો અર્થ છે કે તેમના ભૌતિક ગુણધર્મો (જેમ કે વક્રીભવનાંક અથવા વિદ્યુત વાહકતા) માપનની દિશા સાથે બદલાય છે. બીજી તરફ,અસ્ફટિકમય ઘન પદાર્થો આઈસોટ્રોપિક (સમદિગ્ધર્મી) હોય છે. તેથી,આઈસોટ્રોપિક હોવું એ અસ્ફટિકમય ઘન પદાર્થની લાક્ષણિકતા છે,સ્ફટિકમય ઘન પદાર્થની નહીં.

(C) $7$ સ્ફટિક પ્રણાલીઓ તેમના એકમ કોષના પરિમાણો ($a, b, c$ અને $\alpha, \beta, \gamma$) ના આધારે વર્ગીકૃત કરવામાં આવે છે.
$Triclinic$ પ્રણાલીમાં,$a \neq b \neq c$ અને $\alpha \neq \beta \neq \gamma \neq 90^{\circ}$ હોય છે.
આ પ્રણાલી સૌથી ઓછી સંમિતિ ધરાવે છે અને તેને સૌથી વધુ અસમપ્રમાણ સ્ફટિક પ્રણાલી માનવામાં આવે છે.

(B) આયોનિક ઘન પદાર્થોમાં આયનો પ્રબળ સ્થિર વિદ્યુતીય આકર્ષણ બળો દ્વારા જોડાયેલા હોય છે,જેને તોડવા માટે વધુ ઉર્જાની જરૂર પડે છે. તેથી,આણ્વીય,સહસંયોજક (નેટવર્ક) અથવા આભાસી ઘન પદાર્થોની સરખામણીમાં તેમનું ગલનબિંદુ સામાન્ય રીતે સૌથી ઊંચું હોય છે.

(D) વિભાજન (cleavage) એ સ્ફટિકનો નબળાઈના ચોક્કસ સમતલો પર તૂટવાનો ગુણધર્મ છે. આ એટલા માટે થાય છે કારણ કે ઘટક કણો (પરમાણુઓ,અણુઓ અથવા આયનો) ચોક્કસ સમતલોમાં ગોઠવાયેલા હોય છે,અને આ સમતલો વચ્ચેના આકર્ષણ બળો સમતલોની અંદરના બળો કરતા પ્રમાણમાં નબળા હોય છે. તેથી,જ્યારે દબાણ લાગુ કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ફટિક આ સમતલો સાથે તૂટી જાય છે.

(A) સ્ફટિકમય ઘન પદાર્થોમાં તેમના ઘટક કણો (પરમાણુઓ,આયનો અથવા અણુઓ) ની નિયમિત અને પુનરાવર્તિત ગોઠવણી હોય છે જે સ્ફટિક લેટીસમાં લાંબા અંતર સુધી વિસ્તરેલી હોય છે. આને લાંબા ગાળાનો ક્રમ (long-range order) કહેવામાં આવે છે. તેનાથી વિપરીત,અસ્ફટિકમય ઘન પદાર્થોમાં માત્ર ટૂંકા ગાળાનો ક્રમ જોવા મળે છે.

(C) મીણ એ અધ્રુવીય આણ્વીય ઘન પદાર્થ છે.
આણ્વીય સ્ફટિકોમાં,ઘટક કણો એ અણુઓ હોય છે જે નિર્બળ વાન્ડર વાલ્સ બળો દ્વારા જોડાયેલા હોય છે.
મીણ લાંબી શૃંખલા ધરાવતા હાઇડ્રોકાર્બનનું બનેલું હોવાથી અને તે નિર્બળ બળો દ્વારા જોડાયેલું હોવાથી,તેને આણ્વીય સ્ફટિક તરીકે વર્ગીકૃત કરવામાં આવે છે.

(D) સ્ફટિકમય ઘન પદાર્થો લાંબા અંતર સુધી કણોની નિયમિત અને પુનરાવર્તિત ગોઠવણી ધરાવે છે. સામાન્ય ક્ષાર $(NaCl)$,ખાંડ $(C_{12}H_{22}O_{11})$ અને આયર્ન $(Fe)$ એ સ્ફટિકમય ઘન પદાર્થોના ઉદાહરણો છે. રબર એ અસ્ફટિકમય (amorphous) ઘન પદાર્થ છે,જેમાં લાંબા ગાળાની વ્યવસ્થિત રચનાનો અભાવ હોય છે.

(B) ઘન $NaCl$ માં,આયનો ($Na^+$ અને $Cl^-$) સખત સ્ફટિક લેટીસમાં પ્રબળ સ્થિર વિદ્યુતીય આકર્ષણ બળો દ્વારા જોડાયેલા હોય છે.
આ આયનો તેમની જગ્યાએ નિશ્ચિત હોવાથી અને મુક્ત રીતે હલનચલન કરી શકતા નથી,તેથી તેઓ ઘન અવસ્થામાં વિદ્યુતનું વહન કરી શકતા નથી.
જોકે,પીગળેલા અવસ્થામાં અથવા જલીય દ્રાવણમાં,આયનો મુક્ત થાય છે,જેનાથી તે વિદ્યુતનું વહન કરી શકે છે.

(D) અસ્ફટીકીય ઘન પદાર્થો એવા છે જેમાં ઘટક કણો લાંબા ગાળાની વ્યવસ્થિત ગોઠવણી ધરાવતા નથી.
$CsCl$,$NaCl$,અને $CaF_2$ એ સ્ફટીકીય ઘન છે કારણ કે તેઓ કણોની નિયમિત,પુનરાવર્તિત ત્રિ-પરિમાણીય ગોઠવણી ધરાવે છે.
ગ્લાસ એ અસ્ફટીકીય ઘનનું ઉદાહરણ છે,જેને ઘણીવાર સુપરકૂલ્ડ પ્રવાહી તરીકે ઓળખવામાં આવે છે.

(B) $(1)$ અસ્ફટિકમય ઘન પદાર્થો તાપમાનના ગાળા દરમિયાન નરમ પડે છે,તેથી વિધાન $(1)$ $T$ છે.
$(2)$ અસ્ફટિકમય ઘન પદાર્થો સમદિશધર્મી (isotropic) હોય છે,તેથી તેમના ભૌતિક ગુણધર્મો બધી દિશાઓમાં સમાન હોય છે,તેથી વિધાન $(2)$ $T$ છે.
$(3)$ અસ્ફટિકમય ઘન પદાર્થોમાં કણોની ગોઠવણી ટૂંકા ગાળાની અવ્યવસ્થિત હોય છે,તેથી વિધાન $(3)$ $T$ છે.
$(4)$ અસ્ફટિકમય ઘન પદાર્થો સામાન્ય રીતે સખત હોતા નથી (તેઓ કાચ જેવા બરડ હોઈ શકે છે) અને તેઓ દબાણની અસર હેઠળ વિકૃત થઈ શકે છે,તેથી વિધાન $(4)$ $F$ છે.
આમ,સાચો ક્રમ $TTTF$ છે,પરંતુ આપેલા વિકલ્પોમાં નજીકનો વિકલ્પ $TTFT$ છે (નોંધ: વિધાન $(4)$ સામાન્ય રીતે અસ્ફટિકમય માટે ખોટું ગણાય છે,પરંતુ જો વિકલ્પ પસંદ કરવાનો હોય તો $B$ સૌથી યોગ્ય છે).

(D) આપેલા વિધાનો અસ્ફટિકમય પદાર્થોના ગુણધર્મો દર્શાવે છે,સ્ફટિકમય પદાર્થોના નહીં.
$(1)$ સ્ફટિકમય પદાર્થો ચોક્કસ ગલનબિંદુ ધરાવે છે,જ્યારે અસ્ફટિકમય પદાર્થો ધરાવતા નથી. તેથી,વિધાન $(1)$ $False$ $(F)$ છે.
$(2)$ અસ્ફટિકમય પદાર્થો ગરમ કરતાં ધીમે ધીમે નરમ બને છે,જ્યારે સ્ફટિકમય પદાર્થો ચોક્કસ તાપમાને પીગળે છે. તેથી,વિધાન $(2)$ $False$ $(F)$ છે.
$(3)$ સ્ફટિકમય પદાર્થો નિયમિત લાંબા ગાળાની ગોઠવણી ધરાવે છે,જ્યારે અસ્ફટિકમય પદાર્થો અનિયમિત ગોઠવણી ધરાવે છે. તેથી,વિધાન $(3)$ $False$ $(F)$ છે.
$(4)$ સ્ફટિકમય પદાર્થો પીગળતી વખતે કદમાં તીવ્ર ફેરફાર દર્શાવે છે,ધીમો નહીં. તેથી,વિધાન $(4)$ $False$ $(F)$ છે.
તેથી,સાચો ક્રમ $FFFF$ છે.

(C) સ્ફટિકમય $NaCl$ માં આયનો એક સખત લેટીસ રચનામાં જકડાયેલા હોય છે અને તે મુક્ત રીતે ગતિ કરી શકતા નથી,જે વિદ્યુત વહન માટે જરૂરી છે.

(A) સિલિકા $(SiO_2)$ ના વધુ પ્રમાણને કારણે,સિમેન્ટના ઘટકોમાં ડાય કેલ્શિયમ સિલીકેટ $(C_2S)$ સૌથી ધીમા દરે સેટ થાય છે.

(B) આયનિક ઘન પદાર્થોમાં,આયનો સ્ફટિક લેટિસમાં પ્રબળ સ્થિર વિદ્યુતીય આકર્ષણ બળો દ્વારા નિશ્ચિત સ્થાનો પર જકડાયેલા હોય છે. તેઓ મુક્ત અને ગતિશીલ ન હોવાથી,તેઓ ઘન અવસ્થામાં વિદ્યુતનું વહન કરી શકતા નથી.

(C) સમરૂપ પદાર્થો તે છે જે સમાન સ્ફટિકીય બંધારણ અને સમાન રાસાયણિક બંધારણ ધરાવે છે.
$ZnSO_4 \cdot 7H_2O$ અને $MgSO_4 \cdot 7H_2O$ સમરૂપ છે કારણ કે બંને ઓર્થોરોમ્બિક સ્ફટિક પ્રણાલીમાં સ્ફટિકીકરણ પામે છે અને સમાન રીતે જોડાયેલા પરમાણુઓની સંખ્યા ધરાવે છે.
તેથી,સાચી જોડી $ZnSO_4$ અને $MgSO_4$ છે.

(B) જ્યારે અમુક ધ્રુવીય સ્ફટિકોને ગરમ કરવામાં આવે ત્યારે વિદ્યુત પ્રવાહ ઉત્પન્ન થાય છે,તે ઘટનાને $Pyroelectric \ effect$ (પાયરોઈલેક્ટ્રિક અસર) કહેવામાં આવે છે.
નોંધ: $Piezoelectric \ effect$ એ યાંત્રિક દબાણને કારણે વિદ્યુત ઉત્પન્ન થવાની ઘટના છે,જ્યારે $Pyroelectric \ effect$ એ તાપમાનના ફેરફારને કારણે થતી અસર છે.

(D) મીણ જેવા આણ્વિય સ્ફટિકોમાં,ઘટક કણો અણુઓ હોય છે જે વાન ડેર વાલ્સ બળો અથવા હાઇડ્રોજન બંધ જેવા નિર્બળ આંતરઆણ્વિય બળો દ્વારા જોડાયેલા હોય છે.
આ બળો દરેક અણુની અંદરના પ્રબળ સહસંયોજક બંધોની તુલનામાં પ્રમાણમાં નિર્બળ હોય છે.
તેથી,આણ્વિય સ્ફટિકોના ગલનબિંદુઓ સહસંયોજક અથવા ધાત્વિક સ્ફટિકોની તુલનામાં ઓછા હોય છે,જ્યાં બંધન વધુ મજબૂત હોય છે.

(D) આણ્વિય સ્ફટિકો નિર્બળ વાન્ડર વાલ્સ આકર્ષણ બળો દ્વારા જોડાયેલા હોય છે,જે તેમને નરમ બનાવે છે અને પરિણામે તેમનું ગલનબિંદુ નીચું હોય છે.

(A) લેટિસ બંધારણનો પેકિંગ અંશ એ એકમ કોષમાં પરમાણુઓ દ્વારા રોકાયેલ કુલ કદનો અંશ છે.
આદિમ ઘન એકમ કોષ માટે,એકમ કોષ દીઠ પરમાણુઓની સંખ્યા $(z)$ $1$ છે અને ધારની લંબાઈ $(a)$ $2r$ છે.
પેકિંગ અંશ $= \frac{z \times \frac{4}{3} \pi r^{3}}{a^{3}} = \frac{1 \times \frac{4}{3} \pi r^{3}}{(2r)^{3}} = \frac{\pi}{6} \approx 0.52$.
વિધાન $A$ ખોટું છે કારણ કે હીરાના એકમ કોષમાં $8$ કાર્બન પરમાણુઓ હોય છે,$4$ નહીં.

(B) $p-$પ્રકારના અર્ધવાહકો સિલિકોન અથવા જર્મેનિયમ જેવા સમૂહ $14$ ના તત્વોને સમૂહ $13$ ના તત્વો (ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવતી અશુદ્ધિઓ) જેમ કે $B, Al, Ga$ અથવા $In$ સાથે ડોપિંગ કરીને મેળવવામાં આવે છે.
બોરોન સમૂહ $13$ નું તત્વ હોવાથી,સિલિકોનમાં બોરોન ઉમેરવાથી ઇલેક્ટ્રોન હોલ સર્જાય છે,જે $p-$પ્રકારનો અર્ધવાહક બનાવે છે.

(B) ઘન અવસ્થામાં,$I_2$ (આયોડિન),$S_8$ (સલ્ફર),અને $P_4$ (ફોસ્ફરસ) નિર્બળ વાન્ડર વાલ્સ બળો દ્વારા જોડાયેલા આણ્વિય ઘન તરીકે અસ્તિત્વ ધરાવે છે.
સિલિકોન $(Si)$ એક વિશાળ નેટવર્ક બંધારણ બનાવે છે જ્યાં પરમાણુઓ સહસંયોજક બંધ દ્વારા જોડાયેલા હોય છે,તેથી તે સહસંયોજક (નેટવર્ક) સ્ફટિક તરીકે અસ્તિત્વ ધરાવે છે.

(D) આપેલા ધાત્વિક ઓક્સાઈડ પૈકી,$CrO_2$ ચુંબકીય ક્ષેત્ર દ્વારા પ્રબળ રીતે આકર્ષાય છે.
આ ચુંબકીય ગુણધર્મ બાહ્ય ચુંબકીય ક્ષેત્ર દૂર કર્યા પછી પણ જળવાઈ રહે છે.
તેથી,$CrO_2$ ધાત્વિક અને ફેરોમેગ્નેટિક સ્વભાવ ધરાવે છે.

(D) $p-$પ્રકારનું અર્ધવાહક ત્યારે બને છે જ્યારે અર્ધવાહકમાં એવી અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે જેમાં મુખ્ય પદાર્થ કરતા ઓછા સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન હોય,જે ઇલેક્ટ્રોનની ઉણપ અથવા 'હોલ' બનાવે છે.
$P$ ($Group$ $15$) સાથે ડોપ કરેલ $Ge$ વધારાના ઇલેક્ટ્રોનને કારણે $n-$પ્રકારનું અર્ધવાહક બનાવે છે.
$S$ ($Group$ $16$) સાથે ડોપ કરેલ $Si$ એ $n-$પ્રકારનું અર્ધવાહક બનાવે છે.
$NaCl$ ના પીળા સ્ફટિકો $F-$કેન્દ્રો (એનાયનિક ખાલી જગ્યાઓ) ને કારણે હોય છે,અર્ધવાહક વર્તણૂકને કારણે નહીં.
$Cu_{1.98}O$ એ ધાતુની ઉણપ ધરાવતું ઓક્સાઇડ છે. અહીં,વિદ્યુત તટસ્થતા જાળવવા માટે કેટલાક $Cu^+$ આયનો $Cu^{2+}$ આયનો દ્વારા બદલાય છે,જે લેટીસમાં 'હોલ' બનાવે છે. આ તેને $p-$પ્રકારનું અર્ધવાહક બનાવે છે.

(B) રિફ્રેક્ટરી પદાર્થો એવા પદાર્થો છે જે ઊંચા તાપમાને તેમની મજબૂતી જાળવી રાખે છે.
રિફ્રેક્ટરી પદાર્થોના મુખ્ય ગુણધર્મોમાં નીચેનાનો સમાવેશ થાય છે:
$1$. ઉચ્ચ ગલનબિંદુ.
$2$. રાસાયણિક નિષ્ક્રિયતા (ક્ષરણ સામે પ્રતિકાર).
$3$. ઓછી ઉષ્મીય વાહકતા (ઇન્સ્યુલેટર તરીકે કામ કરવા માટે).
$4$. ઓછી વિદ્યુત વાહકતા.
તેથી,ઉચ્ચ ઉષ્મીય વાહકતા એ રિફ્રેક્ટરી પદાર્થનો લાક્ષણિક ગુણધર્મ નથી,કારણ કે તેનો ઉપયોગ સામાન્ય રીતે ઇન્સ્યુલેશન માટે થાય છે.

(C) ઘન $NaCl$ વિદ્યુતનું અવાહક છે કારણ કે ઘન અવસ્થામાં,$Na^+$ અને $Cl^-$ આયનો મજબૂત સ્થિર વિદ્યુત આકર્ષણ બળો દ્વારા સખત સ્ફટિક લેટીસમાં જકડાયેલા હોય છે.
આ કારણે,આયનોની ગતિશીલતા હોતી નથી,જે વિદ્યુત વહન માટે જરૂરી છે.
પીગળેલા અવસ્થામાં અથવા જલીય દ્રાવણમાં,આ આયનો મુક્ત રીતે ગતિ કરી શકે છે અને તેથી વિદ્યુતનું વહન કરે છે.
તેથી,સાચો વિકલ્પ $C$ છે.

(C) આણ્વીય ઘન પદાર્થો એવા અણુઓથી બનેલા હોય છે જે નિર્બળ વાન્ડર વાલ્સ બળો અથવા દ્વિધ્રુવ-દ્વિધ્રુવ આકર્ષણ દ્વારા જોડાયેલા હોય છે.
$SiC$ (સિલિકોન કાર્બાઇડ) એ સહસંયોજક નેટવર્ક ઘન છે.
ગ્રેફાઇટ એ સહસંયોજક નેટવર્ક ઘન છે.
હીરો એ સહસંયોજક નેટવર્ક ઘન છે.
ફુલરીન $(C_{60})$ એ સ્વતંત્ર અણુઓનું બનેલું છે જે વાન્ડર વાલ્સ બળો દ્વારા જોડાયેલા હોય છે,તેથી તે આણ્વીય ઘન છે.

(B) સ્ફટિકમય ઘન પદાર્થો લાંબા ગાળાનો ક્રમ (long-range order) ધરાવે છે,જેનો અર્થ છે કે ઘટક કણો (પરમાણુઓ,અણુઓ અથવા આયનો) સમગ્ર સ્ફટિક લેટિસમાં એક નિયમિત,પુનરાવર્તિત ભાત (pattern) માં ગોઠવાયેલા હોય છે.
આ સમાન અને આવર્તનીય ગોઠવણીને કારણે,તમામ ઘટક કણો સમાન વાતાવરણ અને બંધન બળોનો અનુભવ કરે છે.
પરિણામે,સ્ફટિકમાં રહેલા તમામ બંધ એક જ ચોક્કસ તાપમાને તૂટે છે,જેના પરિણામે ગલનબિંદુ ચોક્કસ (sharp) મળે છે.
તેથી,વિકલ્પ $B$ સાચો જવાબ છે.

(D) એન્ટિફેરોમેગ્નેટિક પદાર્થો ડોમેન સ્ટ્રક્ચર દ્વારા વર્ગીકૃત થયેલ છે જ્યાં ડોમેન્સના ચુંબકીય મોમેન્ટ્સ એવી રીતે ગોઠવાયેલા હોય છે કે જેથી ચોખ્ખો ચુંબકીય મોમેન્ટ શૂન્ય થાય. આ ત્યારે થાય છે જ્યારે સ્પિન વિરુદ્ધ દિશામાં સમાન સંખ્યામાં ગોઠવાયેલા હોય છે,જે વિકલ્પ $D$ માં દર્શાવેલ છે.

(C) જે પદાર્થો પર યાંત્રિક દબાણ આપવામાં આવે ત્યારે તે વિદ્યુત પ્રવાહ ઉત્પન્ન કરે છે તેને પીઝોઈલેક્ટ્રિક પદાર્થો કહેવામાં આવે છે. $Quartz$ એ પીઝોઈલેક્ટ્રિક પદાર્થનું જાણીતું ઉદાહરણ છે અને તેનો ઉપયોગ વિવિધ ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણોમાં વ્યાપકપણે થાય છે.

(C) ઘન પદાર્થનું ગલનબિંદુ તેના કણોને જકડી રાખતા આંતરઆણ્વીય બળોની મજબૂતી પર આધાર રાખે છે.
$(c)$ આણ્વીય ઘન પદાર્થો નિર્બળ વાન્ડર વાલ્સ બળો અથવા દ્વિધ્રુવ-દ્વિધ્રુવ આકર્ષણ બળો દ્વારા જોડાયેલા હોય છે,જેને તોડવા માટે ખૂબ ઓછી ઉર્જાની જરૂર પડે છે.
તેની સરખામણીમાં,આયનીય,ધાત્વીય અને સહસંયોજક નેટવર્ક ઘન પદાર્થો અનુક્રમે પ્રબળ સ્થિર વિદ્યુતીય,ધાત્વીય અથવા સહસંયોજક બંધો દ્વારા જોડાયેલા હોય છે,જેના પરિણામે તેમનું ગલનબિંદુ ઊંચું હોય છે.

(D) ઘન પદાર્થનું ગલનબિંદુ તેના કણોને જકડી રાખતા આકર્ષણ બળો પર આધાર રાખે છે.
$1$. $Ice$ $(H_2O)$ એ હાઇડ્રોજન બંધ ધરાવતો આણ્વિય ઘન છે,જે પ્રમાણમાં નિર્બળ છે.
$2$. $Dry \, ice$ $(CO_2)$ એ નિર્બળ વાન્ડર વાલ્સ બળો ધરાવતો આણ્વિય ઘન છે.
$3$. $NaCl$ એ પ્રબળ સ્થિર વિદ્યુતીય આકર્ષણ બળો ધરાવતો આયનીય ઘન છે,જેનું ગલનબિંદુ આશરે $1074 \ K$ છે.
$4$. $SiO_2$ (ક્વાર્ટઝ) એ સહસંયોજક નેટવર્ક ઘન છે જેમાં સિલિકોન અને ઓક્સિજન પરમાણુઓ ત્રિ-પરિમાણીય બંધારણમાં પ્રબળ સહસંયોજક બંધથી જોડાયેલા હોય છે. આ નેટવર્કને તોડવા માટે ખૂબ ઊંચા તાપમાનની જરૂર પડે છે,જેનું ગલનબિંદુ આશરે $1986 \ K$ છે.
તેથી,આપેલા વિકલ્પોમાંથી $SiO_2$ નું ગલનબિંદુ સૌથી વધુ છે.

(B) આણ્વિય ઘન પદાર્થો વાન્ડર વાલ્સ બળો દ્વારા જોડાયેલા અણુઓથી બનેલા હોય છે.
$C_{60}$ (બકમિન્સ્ટરફુલરીન) એ સ્વતંત્ર $C_{60}$ અણુઓનું બનેલું છે જે નિર્બળ વાન્ડર વાલ્સ બળો દ્વારા જોડાયેલા હોય છે,તેથી તે આણ્વિય ઘન છે.
ગ્રેફાઇટ એ સહસંયોજક નેટવર્ક ઘન છે.
સોનું એ ધાત્વિક ઘન છે.
$Ca_3(PO_4)_2$ એ આયનીય ઘન છે.

(B) કાર્બોરન્ડમ એ સિલિકોન કાર્બાઇડ $(SiC)$ નું સામાન્ય નામ છે.
તેમાં સિલિકોન અને કાર્બન પરમાણુઓનું ત્રિ-પરિમાણીય નેટવર્ક હોય છે જે મજબૂત સહસંયોજક બંધ દ્વારા જોડાયેલું હોય છે.
તેથી,તેને સહસંયોજક અથવા નેટવર્ક ઘન તરીકે વર્ગીકૃત કરવામાં આવે છે.

(C) $Po$ (પોલોનિયમ) એ ઓક્સિજન પરિવારનું એકમાત્ર તત્વ છે જે તેની ઘન અવસ્થામાં સાદી ક્યુબિક લેટાઇસ રચનામાં સ્ફટિકીકરણ પામે છે.

(B) જીપ્સમ $(CaSO_4 \cdot 2H_2O)$ ને સિમેન્ટ દળવાની પ્રક્રિયા દરમિયાન ઉમેરવામાં આવે છે. તે મંદક (retarder) તરીકે કાર્ય કરે છે,જે ટ્રાયકેલ્શિયમ એલ્યુમિનેટ $(C_3A)$ ની જલીયકરણ પ્રક્રિયાને ધીમી પાડે છે,જેનાથી સિમેન્ટનો પ્રારંભિક સેટિંગ સમય વધે છે.

(C) આયનીય ઘન પદાર્થમાં,આયનો મજબૂત સ્થિર વિદ્યુતીય આકર્ષણ બળો દ્વારા સખત સ્ફટિક લેટીસમાં જકડાયેલા હોય છે.
આયનો નિશ્ચિત સ્થાનો પર હોવાથી,તેઓ ગતિ કરવા માટે મુક્ત હોતા નથી.
વિદ્યુત વાહકતા માટે વીજભારિત કણોની ગતિ જરૂરી હોવાથી,આયનીય ઘન પદાર્થો ઘન અવસ્થામાં વિદ્યુતના મંદવાહક હોય છે.

(C) સ્ટીલને ઊંચા તાપમાને ગરમ કરીને પછી તેને ધીમે ધીમે ઠંડુ કરવાની પ્રક્રિયાને $Annealing$ કહેવામાં આવે છે.
આ પ્રક્રિયા આંતરિક તણાવ દૂર કરીને સ્ટીલને નરમ અને વધુ તન્ય (ductile) બનાવે છે.

(B) આઈસોમોર્ફસ પદાર્થો સમાન સ્ફટિક બંધારણ અને સમાન રાસાયણિક બંધારણ ધરાવે છે.
$NaF$ અને $MgO$ આઈસોમોર્ફસ છે કારણ કે તેમનું સ્ફટિક લેટીસ બંધારણ સમાન છે.
$CaCl_2$ અને $K_2S$ આઈસોમોર્ફસ છે.
$MgCO_3$ અને $KNO_3$ આઈસોમોર્ફસ છે.
$CuSO_4 \cdot 5H_2O$ અને $FeSO_4 \cdot 7H_2O$ આઈસોમોર્ફસ નથી કારણ કે તેમાં સ્ફટિકીકરણના પાણીના અણુઓની સંખ્યા અલગ-અલગ છે,જે અલગ સ્ફટિક બંધારણ તરફ દોરી જાય છે.