Refining of crude Metal Questions in Gujarati

(A) Hoop's process એ $Al$ (એલ્યુમિનિયમ) ના શુદ્ધિકરણ માટે વપરાતી વિદ્યુતવિભાજ્ય શુદ્ધિકરણ પદ્ધતિ છે.
$A$. Hoop's process $\Rightarrow$ $Al$ નું શુદ્ધિકરણ.
$B$. Hall-Heroult process $\Rightarrow$ $Al_2O_3$ નું રિડક્શન.
$C$. Baeyer's અને Serpeck's process $\Rightarrow$ બોક્સાઈટ અયસ્કનું સંકેન્દ્રણ.

(D) એલ્યુમિનિયમનું વિદ્યુત વિભાજન દ્વારા શુદ્ધિકરણ Hoop's process તરીકે ઓળખાય છે.
આ પદ્ધતિ દ્વારા $99.9\%$ શુદ્ધ એલ્યુમિનિયમ ધાતુ મેળવવામાં આવે છે.
આ પદ્ધતિમાં વપરાતા કોષમાં ત્રણ સ્તરો હોય છે.
કોષમાં શુદ્ધ $Al$ કેથોડ તરીકે કાર્ય કરે છે,જ્યારે એનોડ અશુદ્ધ $Al$ નો બનેલો હોય છે.

(C) હૂપની પ્રક્રિયામાં,વિદ્યુતવિભાજન કોષમાં અલગ-અલગ ઘનતા ધરાવતા ત્રણ પ્રવાહી સ્તરો હોય છે.
$1$. નીચેનું સ્તર અશુદ્ધ એલ્યુમિનિયમ (એનોડ) ધરાવે છે.
$2$. મધ્યમ સ્તર ફ્લોરાઈડ્સનું પીગળેલું મિશ્રણ (વિદ્યુતવિભાજ્ય) ધરાવે છે.
$3$. ઉપરનું સ્તર શુદ્ધ પીગળેલું એલ્યુમિનિયમ (કેથોડ) ધરાવે છે.
આ સ્તરો વિદ્યુતવિભાજન દરમિયાન અલગ રહે છે કારણ કે તેમની ઘનતા અલગ-અલગ હોય છે,જે તેમને મિશ્ર થતા અટકાવે છે.

(C) એલ્યુમિનિયમના વિદ્યુતવિભાજ્ય શુદ્ધિકરણ (હૂપ્સની પ્રક્રિયા) માં,કોષમાં અલગ-અલગ ઘનતા ધરાવતા પીગળેલા ઇલેક્ટ્રોલાઇટ્સના ત્રણ સ્તરો હોય છે:
$1$. નીચેનું સ્તર એનોડ છે,જેમાં તેની ઘનતા વધારવા માટે તાંબા $(Cu)$ સાથે મિશ્રિત અશુદ્ધ એલ્યુમિનિયમ હોય છે.
$2$. મધ્યમ સ્તરમાં ફ્લોરાઇડ્સનું મિશ્રણ (ક્રાયોલાઇટ $Na_3AlF_6$ અને બેરિયમ ફ્લોરાઇડ $BaF_2$) હોય છે જે ઇલેક્ટ્રોલાઇટ તરીકે કાર્ય કરે છે.
$3$. ઉપરનું સ્તર કેથોડ છે,જેમાં શુદ્ધ પીગળેલું એલ્યુમિનિયમ હોય છે.
તેથી,સાચી ગોઠવણી છે: નીચેનું સ્તર ($Al$ અને $Cu$ મિશ્રધાતુનો એનોડ),મધ્યમ સ્તર (ક્રાયોલાઇટ અને બેરિયમ ફ્લોરાઇડ),ઉપરનું સ્તર (શુદ્ધ $Al$ નો કેથોડ).

(D) ધાતુઓના વિદ્યુતવિભાજનીય શુદ્ધિકરણની પ્રક્રિયામાં,અશુદ્ધ ધાતુને હંમેશા એનોડ બનાવવામાં આવે છે અને શુદ્ધ ધાતુની પાતળી પટ્ટીને કેથોડ બનાવવામાં આવે છે.
તેથી,તાંબાના શુદ્ધિકરણ માટે,શુદ્ધ તાંબાની પટ્ટી કેથોડ તરીકે અને અશુદ્ધ તાંબાનો નમૂનો એનોડ તરીકે કાર્ય કરે છે.
આમ,સાચો વિકલ્પ $D$ છે.

(D) શુદ્ધ ધાતુઓ સામાન્ય રીતે તેમની મિશ્રધાતુઓની તુલનામાં ઉચ્ચ વિદ્યુત અને ઉષ્મીય વાહકતા ધરાવે છે કારણ કે મિશ્રધાતુમાં અન્ય પરમાણુઓની હાજરી નિયમિત સ્ફટિક લેટીસને વિક્ષેપિત કરે છે,જે ઇલેક્ટ્રોન અને ફોનોન્સના સ્કેટરિંગમાં વધારો કરે છે. તેથી,$(d)$ એ સાચો ગુણધર્મ છે જે શુદ્ધ ધાતુઓને ચોક્કસ ઉપયોગોમાં વધુ ઉપયોગી બનાવે છે.

(C) કોપરના વિદ્યુતવિભાજનીય શુદ્ધિકરણ દરમિયાન,કોપર કરતા ઓછી સક્રિય ધાતુઓ જેવી કે $Ag$ (સિલ્વર) અને $Au$ (ગોલ્ડ) વિદ્યુતવિભાજ્યમાં ઓગળતી નથી.
તેથી,તેઓ એનોડની નીચે 'એનોડ મડ' તરીકે જમા થાય છે.

(B) વર્ણવેલ પ્રક્રિયા $Mond$ પ્રક્રિયા છે,જેનો ઉપયોગ $Nickel$ ના શુદ્ધિકરણ માટે થાય છે.
આ પ્રક્રિયામાં,અશુદ્ધ $Nickel$ ને કાર્બન મોનોક્સાઇડ $(CO)$ ના પ્રવાહમાં ગરમ કરીને બાષ્પશીલ સંકિર્ણ,નિકલ ટેટ્રાકાર્બોનિલ બનાવવામાં આવે છે:
$Ni + 4CO \rightarrow [Ni(CO)_4]$
આ બાષ્પશીલ સંકિર્ણને ત્યારબાદ ઊંચા તાપમાને વિઘટિત કરીને શુદ્ધ $Nickel$ મેળવવામાં આવે છે.

(D) બ્લિસ્ટર કોપરને લાકડાના લીલા ટુકડાઓનો ઉપયોગ કરીને શુદ્ધ કરવાની પ્રક્રિયાને $poling$ કહેવામાં આવે છે.
ગરમ કરવા પર લાકડાના લીલા ટુકડાઓ હાઇડ્રોકાર્બન વાયુઓ (જેમ કે $CH_4$) મુક્ત કરે છે.
આ વાયુઓ બ્લિસ્ટર કોપરમાં રહેલી ક્યુપ્રસ ઓક્સાઇડ $(Cu_2O)$ ની અશુદ્ધિઓને ફરીથી ધાતુના કોપર $(Cu)$ માં રિડ્યુસ કરે છે.
પ્રક્રિયા આ મુજબ છે: $3Cu_2O + CH_4 \to 6Cu + 2H_2O + CO$.

(C) વિદ્યુતવિભાજ્ય શુદ્ધિકરણ સામાન્ય રીતે $Cu$,$Ag$,$Zn$ જેવી ધાતુઓ માટે વપરાય છે,જ્યાં ધાતુ તેના ક્ષારના જલીય દ્રાવણમાંથી જમા થાય છે.
જોકે,$Al$ (એલ્યુમિનિયમ) નું શુદ્ધિકરણ આ પદ્ધતિ દ્વારા થઈ શકતું નથી કારણ કે $Al$ ખૂબ જ સક્રિય છે અને તેના જલીય ક્ષારોનું વિદ્યુતવિભાજન કરવાથી કેથોડ પર $Al$ ધાતુને બદલે $H_2$ વાયુ ઉત્પન્ન થાય છે.
$Al$ નું શુદ્ધિકરણ હૂપ્સ (Hoopes) પ્રક્રિયા દ્વારા કરવામાં આવે છે,જેમાં જલીય દ્રાવણને બદલે પીગળેલા વિદ્યુતવિભાજ્યનો ઉપયોગ થાય છે.

(C) આપેલ પ્રક્રિયા $Van \ Arkel$ પદ્ધતિ દર્શાવે છે.
આ પદ્ધતિનો ઉપયોગ ખાસ કરીને $Ti$ અને $Zr$ જેવી ધાતુઓના શુદ્ધિકરણ માટે થાય છે.
આ પ્રક્રિયામાં,અશુદ્ધ ધાતુને બાષ્પશીલ સંયોજનમાં ફેરવવામાં આવે છે,જેનું ત્યારબાદ વિઘટન કરીને શુદ્ધ ધાતુ મેળવવામાં આવે છે.

(B) ક્યુપલેશન પદ્ધતિનો ઉપયોગ ત્યારે થાય છે જ્યારે અશુદ્ધ ધાતુઓમાં બીજી ધાતુની અશુદ્ધિ હોય જે બાષ્પશીલ ઓક્સાઇડ બનાવે છે. આ પદ્ધતિનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે $Silver$ $(Ag)$ જેવી ઉમદા ધાતુઓને શુદ્ધ કરવા માટે થાય છે.

(B) વિદ્યુતવિભાજ્ય શુદ્ધિકરણની પ્રક્રિયામાં,અશુદ્ધ ધાતુને $Anode$ (એનોડ) તરીકે અને શુદ્ધ ધાતુની પાતળી પટ્ટીને $Cathode$ (કેથોડ) તરીકે લેવામાં આવે છે.
વિદ્યુતવિભાજન દરમિયાન,$Anode$ માંથી અશુદ્ધ ધાતુ વિદ્યુતવિભાજ્યમાં ઓગળે છે અને વિદ્યુતવિભાજ્યમાંથી તેટલી જ માત્રામાં શુદ્ધ ધાતુ $Cathode$ પર જમા થાય છે.

(A) વાન આર્કેલ પદ્ધતિનો ઉપયોગ $Ti$ અને $Zr$ જેવી ધાતુઓના શુદ્ધિકરણ માટે થાય છે.
આ પ્રક્રિયામાં,અશુદ્ધ ધાતુને આયોડિન સાથે શૂન્યાવકાશ પાત્રમાં ગરમ કરીને બાષ્પશીલ સ્થાયી સંયોજન બનાવવામાં આવે છે.
ઉદાહરણ તરીકે: $Ti + 2I_2 \xrightarrow{500 \ K} TiI_4 \text{ (બાષ્પશીલ સ્થાયી સંયોજન)}$.
ત્યારબાદ આ બાષ્પશીલ સંયોજનને ટંગસ્ટન ફિલામેન્ટ પર ઊંચા તાપમાને વિઘટિત કરીને શુદ્ધ ધાતુ મેળવવામાં આવે છે: $TiI_4 \xrightarrow{1700 \ K} Ti + 2I_2 \text{ (શુદ્ધ ધાતુ)}$.

(C) ઝોન રિફાઇનિંગનો ઉપયોગ અત્યંત શુદ્ધ ધાતુઓ તૈયાર કરવા માટે થાય છે.
તે આ સિદ્ધાંત પર આધારિત છે કે જ્યારે અશુદ્ધ ધાતુના પીગળેલા દ્રાવણને ઠંડુ કરવામાં આવે છે,ત્યારે શુદ્ધ ધાતુ સ્ફટિકીકરણ પામે છે જ્યારે અશુદ્ધિઓ પીગળેલા ભાગમાં રહી જાય છે.
ઉદાહરણ: $Si$,$Ge$ અને $Ga$ જેવા સેમિકન્ડક્ટરને આ પદ્ધતિ દ્વારા શુદ્ધ કરવામાં આવે છે.

(B) પોલિંગ એ એવી ધાતુઓના શુદ્ધિકરણ માટે વપરાતી પદ્ધતિ છે જેમાં અશુદ્ધિ તરીકે તેમના પોતાના ઓક્સાઇડ હોય છે.
ઉદાહરણ તરીકે,$Cu$ (બ્લિસ્ટર કોપર) માં $Cu_2O$ અને $Sn$ માં $SnO_2$ ને આ પદ્ધતિ દ્વારા દૂર કરવામાં આવે છે.

(C) . કપલેશન: જ્યારે ચાંદીમાં સીસાની અશુદ્ધિ હોય,ત્યારે આ મિશ્રણને કપેલ (એક છીછરી છિદ્રાળુ વાસણ) માં હવાની હાજરીમાં ગરમ કરવામાં આવે છે. સીસું ઓક્સિડાઈઝ થઈને લેડ$(II)$ ઓક્સાઈડ $(PbO)$ બનાવે છે,જે કપેલ દ્વારા શોષાઈ જાય છે અથવા દૂર થઈ જાય છે,અને શુદ્ધ ચાંદી બાકી રહે છે.

(B) ઇલેક્ટ્રોલિટીક રિફાઇનિંગ એ ધાતુઓને શુદ્ધ કરવાની એક પ્રક્રિયા છે જેમાં અશુદ્ધ ધાતુનો બ્લોક એનોડ તરીકે અને શુદ્ધ ધાતુની પાતળી પટ્ટી કેથોડ તરીકે કાર્ય કરે છે. તે જ ધાતુના દ્રાવ્ય ક્ષારના દ્રાવણનો ઉપયોગ ઇલેક્ટ્રોલાઇટ તરીકે થાય છે.
આ પદ્ધતિનો ઉપયોગ $Cu$,$Zn$,$Ni$ અને $Ag$ જેવી ધાતુઓના શુદ્ધિકરણ માટે વ્યાપકપણે થાય છે. આપેલા વિકલ્પોમાંથી,$Cu$ સૌથી યોગ્ય ઉદાહરણ છે.

(C) $Zone \ refining$ એ એવા સિદ્ધાંત પર આધારિત પદ્ધતિ છે કે અશુદ્ધિઓ ધાતુની ઘન અવસ્થા કરતા પીગળેલી અવસ્થામાં વધુ દ્રાવ્ય હોય છે.
આ પદ્ધતિ ખાસ કરીને જર્મેનિયમ $(Ge)$,સિલિકોન $(Si)$ અને ગેલિયમ $(Ga)$ જેવી અર્ધવાહક ધાતુઓના ઉચ્ચ શુદ્ધિકરણ માટે ઉપયોગી છે.

(A) મોન્ડની પ્રક્રિયા નિકલ $(Ni)$ ના શુદ્ધિકરણ માટે વપરાતી પદ્ધતિ છે.
આ પ્રક્રિયામાં,અશુદ્ધ નિકલને કાર્બન મોનોક્સાઇડ $(CO)$ ના પ્રવાહમાં ગરમ કરીને બાષ્પશીલ સંકીર્ણ,નિકલ ટેટ્રાકાર્બોનિલ $([Ni(CO)_4])$ બનાવવામાં આવે છે.
$\underset{\text{અશુદ્ધ}}{\text{Ni}} + 4CO \xrightarrow{330-350 \text{ K}} [Ni(CO)_4]$
ત્યારબાદ આ સંકીર્ણને ઊંચા તાપમાને વિઘટિત કરીને શુદ્ધ નિકલ મેળવવામાં આવે છે.
$[Ni(CO)_4] \xrightarrow{450-470 \text{ K}} \underset{\text{શુદ્ધ}}{\text{Ni}} + 4CO$
આમ,સાચો વિકલ્પ $A$ છે.

(D) ઝોન રિફાઇનિંગ એ $Si$,$Ge$ અને $Ga$ જેવા સેમિકન્ડક્ટર્સ માટે વપરાતી શુદ્ધિકરણની પદ્ધતિ છે.

(D) ઝોન રિફાઇનિંગ એ ધાતુઓ અને સેમિકન્ડક્ટર્સને ઉચ્ચ શુદ્ધતાની સ્થિતિમાં મેળવવા માટે વપરાતી પદ્ધતિ છે. આ પ્રક્રિયામાં,અશુદ્ધ ધાતુના સળિયાના એક છેડે ગોળાકાર મોબાઈલ હીટર લગાવવામાં આવે છે. જેમ જેમ હીટર આગળ વધે છે,તેમ શુદ્ધ ધાતુ ઓગળેલા ભાગમાંથી સ્ફટિકીકૃત થાય છે અને અશુદ્ધિઓ નજીકના પીગળેલા ઝોનમાં જાય છે. ઉચ્ચ શુદ્ધતા ધરાવતું સિલિકોન મેળવવા માટે આ પ્રક્રિયા ઘણી વખત પુનરાવર્તિત કરવામાં આવે છે.

(B) સાચો જવાબ $(B)$ છે.
નિકલ કાર્બન મોનોક્સાઇડ સાથે પ્રક્રિયા કરીને નિકલ ટેટ્રાકાર્બોનિલ,$[Ni(CO)_4]$ નામનું બાષ્પશીલ સંકિર્ણ બનાવે છે.
પ્રક્રિયા: $Ni(s) + 4CO(g) \to [Ni(CO)_4](g)$.
આ પ્રક્રિયાને $Mond$ પ્રક્રિયા તરીકે ઓળખવામાં આવે છે,જેનો ઉપયોગ નિકલના શુદ્ધિકરણ માટે થાય છે.

(C) નિકલનું નિષ્કર્ષણ $Mond$ પ્રક્રમ દ્વારા કરવામાં આવે છે.
આ પ્રક્રિયામાં,અશુદ્ધ નિકલને કાર્બન મોનોક્સાઇડના પ્રવાહમાં ગરમ કરીને બાષ્પશીલ નિકલ ટેટ્રાકાર્બોનિલ,$Ni(CO)_4$ બનાવવામાં આવે છે.
$Ni(s) + 4CO(g) \xrightarrow{330-350 \ K} Ni(CO)_4(g)$
ત્યારબાદ આ બાષ્પશીલ સંકીર્ણને ઊંચા તાપમાને ગરમ કરવામાં આવે છે,જેનાથી તે શુદ્ધ નિકલ અને કાર્બન મોનોક્સાઇડમાં વિઘટિત થાય છે.
$Ni(CO)_4(g) \xrightarrow{450-470 \ K} Ni(s) + 4CO(g)$
આમ,આ પ્રક્રિયામાં $Ni(CO)_4$ નું નિર્માણ અને ઉષ્મીય વિઘટન બંનેનો સમાવેશ થાય છે.

(A) મોન્ડની પ્રક્રિયા નિકલ $(Ni)$ ના શુદ્ધિકરણ માટે વપરાતી રાસાયણિક બાષ્પ નિક્ષેપન પ્રક્રિયા છે.
આ પ્રક્રિયામાં,અશુદ્ધ નિકલને $60-80 \ ^\circ C$ તાપમાને કાર્બન મોનોક્સાઇડ $(CO)$ ના પ્રવાહમાં ગરમ કરવામાં આવે છે,જેથી બાષ્પશીલ નિકલ ટેટ્રાકાર્બોનિલ,$Ni(CO)_4$ બને છે.
$Ni(s) + 4CO(g) \xrightarrow{60-80 \ ^\circ C} Ni(CO)_4(g)$
ત્યારબાદ આ બાષ્પશીલ સંયોજનનું ઊંચા તાપમાને $(180 \ ^\circ C)$ વિઘટન કરીને શુદ્ધ નિકલ મેળવવામાં આવે છે.
$Ni(CO)_4(g) \xrightarrow{180 \ ^\circ C} Ni(s) + 4CO(g)$
આમ,સાચો વિકલ્પ $(A)$ છે.

(D) આપેલ યોજના $Van-Arkel$ પ્રક્રિયા દર્શાવે છે.
આ પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ અતિશુદ્ધ ધાતુઓ મેળવવા માટે થાય છે.
આ પદ્ધતિમાં,અશુદ્ધ ધાતુને બાષ્પશીલ સંયોજનમાં (સામાન્ય રીતે આયોડાઇડ) ફેરવવામાં આવે છે,જે અશુદ્ધિઓને પાછળ છોડી દે છે.
ત્યારબાદ આ બાષ્પશીલ સંયોજનને ઊંચા તાપમાને વિઘટિત કરીને શુદ્ધ ધાતુ મેળવવામાં આવે છે.
આ પદ્ધતિનો ઉપયોગ ખાસ કરીને $Ti$ અને $Zr$ જેવી ધાતુઓના શુદ્ધિકરણ માટે થાય છે.

(A) એનિલિંગ એ એવી ઉષ્મા પ્રક્રિયા છે જેમાં સ્ટીલને લાલચોળ ગરમ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ તેને ધીમે ધીમે ઠંડુ કરવામાં આવે છે.
આ પ્રક્રિયા આંતરિક તણાવ ઘટાડે છે,તેની લવચીકતા વધારે છે અને સ્ટીલને નરમ અને લવચીક બનાવે છે.

(C) રોટ આયર્ન એ વ્યાવસાયિક લોખંડનું સૌથી શુદ્ધ સ્વરૂપ છે,જેમાં લગભગ $99.5 \%$ થી $99.9 \%$ લોખંડ હોય છે.
તેની ઉચ્ચ શુદ્ધતાને કારણે,તેનું ગલનબિંદુ લોખંડની અન્ય જાતો કરતા સૌથી વધુ છે,જે આશરે $1540^{\circ} \ C$ જેટલું હોય છે.

(B) એનિલિંગ એ એક હીટ ટ્રીટમેન્ટ પ્રક્રિયા છે જેમાં પદાર્થને ચોક્કસ તાપમાન સુધી ગરમ કરવામાં આવે છે,તેને તે તાપમાન પર યોગ્ય સમય માટે રાખવામાં આવે છે,અને પછી તેને ધીમે ધીમે ઠંડુ કરવામાં આવે છે. સ્ટીલના સંદર્ભમાં,તેમાં સ્ટીલને તેના નિર્ણાયક તાપમાન (તેજસ્વી લાલ રંગ) થી ઉપર ગરમ કરવામાં આવે છે અને પછી તેને ધીમે ધીમે ઠંડુ થવા દેવામાં આવે છે,સામાન્ય રીતે ભઠ્ઠીમાં. આ પ્રક્રિયા કઠિનતા ઘટાડે છે,નમનીયતા (ductility) વધારે છે અને આંતરિક તણાવને દૂર કરવામાં મદદ કરે છે.

(A) આ પદ્ધતિ એ સિદ્ધાંત પર આધારિત છે કે અશુદ્ધિઓ ધાતુની ઘન અવસ્થા કરતા પીગળેલી અવસ્થામાં વધુ દ્રાવ્ય હોય છે.
અશુદ્ધ ધાતુના સળિયાના એક છેડે ગોળાકાર મોબાઈલ હીટર લગાવવામાં આવે છે.
પીગળેલો ઝોન હીટર સાથે આગળ વધે છે.
જેમ જેમ હીટર આગળ વધે છે,તેમ શુદ્ધ ધાતુ પીગળેલા દ્રાવણમાંથી સ્ફટિકીકરણ પામે છે અને અશુદ્ધિઓ નજીકના પીગળેલા ઝોનમાં જતી રહે છે.

(D) સાચો વિકલ્પ $(D)$ છે.
ઓરફોર્ડ પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે તેમના સલ્ફાઈડ અયસ્કમાંથી $Ni$ અને $Cu$ ને અલગ કરવા માટે થાય છે.
ઓરફોર્ડ બોટમ્સમાંથી મેળવેલા $Ni$ ના વિદ્યુતવિભાજનીય શુદ્ધિકરણ દરમિયાન,$Pt$,$Au$ અને $Ag$ જેવી કિંમતી ધાતુઓ એનોડ મડ (anode mud) તરીકે એકત્રિત થાય છે,જેનો ઉપયોગ બાદમાં આ ધાતુઓને અલગ કરવા માટે થાય છે.

(B) વ્યાપારીક સીસા (argentiferous lead) માંથી સિલ્વરનું નિષ્કર્ષણ $Parke's$ પ્રક્રિયા દ્વારા કરવામાં આવે છે.
આ પ્રક્રિયામાં,પીગળેલા સીસામાં ઝિંક ઉમેરવામાં આવે છે. સિલ્વર પીગળેલા સીસા કરતા પીગળેલા ઝિંકમાં વધુ દ્રાવ્ય હોય છે,જેનાથી તેને અલગ કરી શકાય છે.

(A) પાર્ક પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ સીસામાંથી ચાંદીને અલગ કરવા માટે થાય છે. આ પ્રક્રિયામાં,પીગળેલા આર્જેન્ટિફેરસ સીસામાં ઝિંક ઉમેરવામાં આવે છે. ચાંદી સીસા કરતા પીગળેલા ઝિંકમાં વધુ દ્રાવ્ય હોય છે,જેના કારણે તેને સીસાની અશુદ્ધિઓથી અલગ કરી શકાય છે.

(C) પાર્કની પ્રક્રિયા એ $Lead$ માંથી $Silver$ ને અલગ કરવા માટે વપરાતી ધાતુશાસ્ત્રીય પદ્ધતિ છે. આ પ્રક્રિયામાં,$Silver$ ધરાવતા પીગળેલા $Lead$ માં $Zinc$ ઉમેરવામાં આવે છે. $Silver$ એ $Lead$ કરતા પીગળેલા $Zinc$ માં વધુ દ્રાવ્ય હોવાથી,તે $Zinc$ સાથે મિશ્રધાતુ બનાવે છે,જે સપાટી પર આવે છે અને તેને દૂર કરવામાં આવે છે. આમ,તેનો ઉપયોગ $Silver$ ના નિષ્કર્ષણ/શુદ્ધિકરણમાં થાય છે.

(A) પાર્કની પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ આર્જેન્ટિફેરસ સીસામાંથી સિલ્વર મેળવવા માટે થાય છે.
તે એ સિદ્ધાંત પર આધારિત છે કે પીગળેલા ઝિંક અને પીગળેલા સીસા વચ્ચે સિલ્વરનો વિભાજન ગુણાંક ખૂબ ઊંચો હોય છે.
જ્યારે સિલ્વર ધરાવતા પીગળેલા સીસામાં ઝિંક ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સિલ્વર પ્રાધાન્ય રૂપે પીગળેલા ઝિંકના સ્તરમાં ઓગળી જાય છે,જે સીસા સાથે મિશ્રિત થતું નથી,જેનાથી તેનું અલગીકરણ શક્ય બને છે.

(D) બ્લિસ્ટર કોપર એ કોપરના નિષ્કર્ષણમાં બેસેમરાઈઝેશન પ્રક્રિયા પછી મળતી નીપજ છે. તેમાં આશરે $98-99\%$ શુદ્ધ કોપર અને લગભગ $1-2\%$ અશુદ્ધિઓ હોય છે. ઠંડુ પડવાની પ્રક્રિયા દરમિયાન $SO_2$ વાયુના ઉત્સર્જનને કારણે કોપર ધાતુની સપાટી પર ફોલ્લા (blisters) પડતા હોવાથી તેને 'બ્લિસ્ટર કોપર' કહેવામાં આવે છે. તેથી,તેને $1\%$ અશુદ્ધ કોપર ગણવામાં આવે છે.

(C) કોપરના વિદ્યુતવિભાજનીય શુદ્ધિકરણ દરમિયાન,કોપર કરતા ઓછી સક્રિય ધાતુઓ જેવી કે સોનું,ચાંદી અને પ્લેટિનમ વિદ્યુતવિભાજ્યમાં ઓગળતી નથી. તેના બદલે,તેઓ એનોડના તળિયે $Anode \ mud$ (એનોડ મડ) તરીકે જમા થાય છે.

(A) એલ્યુમિનિયમના વિદ્યુત રિફાઇનિંગને $Hoop's$ પદ્ધતિ તરીકે ઓળખવામાં આવે છે. આ પદ્ધતિમાં,અલગ-અલગ ઘનતા ધરાવતા પીગળેલા પ્રવાહીના ત્રણ સ્તરો ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોલિટીક સેલનો ઉપયોગ થાય છે. અશુદ્ધ એલ્યુમિનિયમ નીચેનું સ્તર (એનોડ) બનાવે છે,મધ્ય સ્તરમાં પીગળેલા ફ્લોરાઈડ્સ હોય છે અને ઉપરનું સ્તર શુદ્ધ પીગળેલું એલ્યુમિનિયમ (કેથોડ) હોય છે.

(C) $Hoop$ પદ્ધતિ એ $Al$ માટેની વિદ્યુત વિભાજન શુદ્ધિકરણ પદ્ધતિ છે.
આ કોશમાં,અલગ-અલગ ઘનતા ધરાવતા ત્રણ સ્તરોનો ઉપયોગ થાય છે.
નીચેનું સ્તર અશુદ્ધ $Al$ (સૌથી વધુ ઘનતા),વચ્ચેનું સ્તર $NaF$,$BaF_2$ અને $AlF_3$ નું પિગલીત મિશ્રણ (મધ્યમ ઘનતા) અને ઉપરનું સ્તર શુદ્ધ $Al$ (સૌથી ઓછી ઘનતા) ધરાવે છે.
આ સ્તરો વિદ્યુત વિભાજન દરમિયાન અલગ રહે છે કારણ કે તેઓ અલગ-અલગ ઘનતા જાળવી રાખે છે.

(D) કૉપરના વિદ્યુતવિભાજન દ્વારા શુદ્ધિકરણમાં,અશુદ્ધ ધાતુને એનોડ તરીકે અને શુદ્ધ ધાતુની પટ્ટીને કૅથોડ તરીકે લેવામાં આવે છે.
તેથી,ઝિંકની અશુદ્ધિ ધરાવતા કૉપરના નમૂના માટે,અશુદ્ધ કૉપરનો નમૂનો એનોડ તરીકે અને શુદ્ધ કૉપરની પટ્ટી કૅથોડ તરીકે કાર્ય કરે છે.
વિદ્યુતવિભાજન દરમિયાન,કૉપર એનોડમાંથી વિદ્યુતવિભાજ્યમાં ઓગળે છે અને શુદ્ધ કૉપર કૅથોડ પર જમા થાય છે.

(B) આપેલ પ્રક્રિયા નીકલના શુદ્ધિકરણ માટેની $Mond$ પ્રક્રિયા દર્શાવે છે.
આ પ્રક્રિયામાં,અશુદ્ધ નીકલને $320 \ K$ તાપમાને કાર્બન મોનોક્સાઇડ $(CO)$ ના પ્રવાહમાં ગરમ કરવામાં આવે છે,જેથી બાષ્પશીલ સંકીર્ણ નીકલ ટેટ્રાકાર્બોનિલ $(Ni(CO)_4)$ બને છે.
ત્યારબાદ આ સંકીર્ણને ઊંચા તાપમાને $(420 \ K)$ વિઘટિત કરીને શુદ્ધ નીકલ ધાતુ મેળવવામાં આવે છે.

(D) $Van$ $Arkel$ પદ્ધતિનો ઉપયોગ $Zr$ અને $Ti$ જેવી ધાતુઓના શુદ્ધીકરણ માટે થાય છે.
આ પ્રક્રિયામાં,ધાતુને ચોક્કસ તાપમાને $I_2$ ની બાષ્પ સાથે પ્રક્રિયા કરીને બાષ્પશીલ આયોડાઈડ સંયોજનમાં રૂપાંતરિત કરવામાં આવે છે.
પ્રક્રિયા: $Zr(s) + 2I_2(g) \xrightarrow{870K} ZrI_4(g)$.
ત્યારબાદ બાષ્પશીલ $ZrI_4$ ને ઉચ્ચ તાપમાને $(2075K)$ ટંગસ્ટન ફિલામેન્ટ પર વિઘટિત કરીને શુદ્ધ $Zr$ મેળવવામાં આવે છે.

(C) વિભાગીય શુદ્ધિકરણ એ ખૂબ જ ઉચ્ચ શુદ્ધતા ધરાવતી ધાતુઓ મેળવવા માટે વપરાતી પદ્ધતિ છે. તે એ સિદ્ધાંત પર આધારિત છે કે અશુદ્ધિઓ ધાતુની ઘન અવસ્થા કરતા પીગળેલી અવસ્થામાં વધુ દ્રાવ્ય હોય છે. આ તકનીક ખાસ કરીને $Si$,$Ge$,$Ga$ અને $In$ જેવા અર્ધવાહકો બનાવવા માટે ઉપયોગી છે.

(D) કોપરના વિદ્યુત શુદ્ધીકરણ દરમિયાન,અશુદ્ધ કોપરને એનોડ તરીકે અને શુદ્ધ કોપરને કેથોડ તરીકે વાપરવામાં આવે છે.
જેમ જેમ એનોડ ઓગળે છે,તેમ કોપર કરતા ઓછી સક્રિય અશુદ્ધિઓ જેવી કે $Ag$,$Au$ અને $Pt$ ઓગળતી નથી અને વિદ્યુતવિભાજ્ય કોષના તળિયે જમા થાય છે.
આ અદ્રાવ્ય અશુદ્ધિઓના સંગ્રહને એનોડ મડ કહેવામાં આવે છે.
તેથી,આપેલી તમામ ધાતુઓ ($Ag$,$Au$ અને $Pt$) એનોડ મડમાં હાજર હોય છે.

(D) ઝોન રિફાઇનીંગ પધ્ધતિ એ સિદ્ધાંત પર આધારિત છે કે અશુદ્ધિઓ ધાતુની ઘન અવસ્થા કરતા પીગળેલી અવસ્થામાં વધુ દ્રાવ્ય હોય છે. આ પધ્ધતિ મુખ્યત્વે $Si, Ge$ અને $Ga$ જેવા અર્ધવાહકોના અત્યંત ઉચ્ચ શુદ્ધિકરણ માટે વપરાય છે.

(C) ધાતુઓના વિદ્યુતવિભાજનીય શુદ્ધીકરણમાં,અશુદ્ધ ધાતુના ટુકડાને $Anode$ $(+)$ તરીકે અને શુદ્ધ ધાતુની પાતળી પટ્ટીને $Cathode$ $(-)$ તરીકે લેવામાં આવે છે.
વિદ્યુતવિભાજન દરમિયાન,$Anode$ માંથી ધાતુ આયનો સ્વરૂપે વિદ્યુતવિભાજ્ય દ્રાવણમાં ઓગળે છે અને વિદ્યુતવિભાજ્યમાંથી તેટલી જ માત્રામાં શુદ્ધ ધાતુ $Cathode$ પર જમા થાય છે.

(A) આપેલ પ્રક્રિયા ધાતુઓના શુદ્ધિકરણ માટેની $Van \ Arkel$ પદ્ધતિ દર્શાવે છે.
આ પ્રક્રિયામાં,અશુદ્ધ ધાતુને આયોડિન સાથે શૂન્યાવકાશિત પાત્રમાં ગરમ કરીને બાષ્પશીલ ધાતુ આયોડાઈડ $(TiI_4)$ બનાવવામાં આવે છે.
ત્યારબાદ,આ ધાતુ આયોડાઈડને $1700 \ K$ તાપમાને ટંગસ્ટન ફિલામેન્ટ પર વિઘટિત કરીને શુદ્ધ ધાતુ $(Ti)$ મેળવવામાં આવે છે.

(D) જોન શુદ્ધિકરણ એ સિદ્ધાંત પર આધારિત છે કે અશુદ્ધિઓ ધાતુની ઘન અવસ્થા કરતા પીગલિત અવસ્થામાં વધુ દ્રાવ્ય હોય છે.
જેમ જેમ પીગલિત ઝોન ધાતુના સળિયા પર આગળ વધે છે,તેમ શુદ્ધ ધાતુ પીગલિત અવસ્થામાંથી સ્ફટિકીકરણ પામે છે,જ્યારે અશુદ્ધિઓ નજીકના પીગલિત ઝોનમાં જાય છે,જે તેમને સળિયાના એક છેડે કેન્દ્રિત કરે છે.

(B) કુપલેશન એ $Ag$ (ચાંદી) અને $Au$ (સોનું) જેવી ધાતુઓ માટે વપરાતી શુદ્ધિકરણ પ્રક્રિયા છે.
આ પ્રક્રિયામાં,અશુદ્ધ ધાતુને હવાના પ્રવાહમાં કુપેલ (એક છિદ્રાળુ પાત્ર) માં ગરમ કરવામાં આવે છે.
બેઝ મેટલની અશુદ્ધિઓ (જેમ કે $Pb$) ઓક્સિડાઈઝ થઈને તેમના ઓક્સાઈડમાં ફેરવાય છે,જે કાં તો છિદ્રાળુ પાત્ર દ્વારા શોષાય છે અથવા બાષ્પીભવન પામે છે,અને પાછળ શુદ્ધ ઉમદા ધાતુ બાકી રહે છે.

(C) સિલ્વરનું શુદ્ધિકરણ $Cupellation$ (ખર્પરણ) પદ્ધતિ દ્વારા કરવામાં આવે છે.
આ પ્રક્રિયામાં,અશુદ્ધ સિલ્વર જેમાં લેડ $(Pb)$ અશુદ્ધિ તરીકે હોય છે,તેને હવાની હાજરીમાં $Cupel$ (હાડકાની રાખમાંથી બનેલું છીછરું છિદ્રાળુ પાત્ર) માં ગરમ કરવામાં આવે છે.
લેડનું ઓક્સિડેશન થઈને લેડ ઓક્સાઈડ $(PbO)$ બને છે,જે $Cupel$ દ્વારા શોષાઈ જાય છે અથવા દૂર થઈ જાય છે,અને શુદ્ધ સિલ્વર બાકી રહે છે.