જ્યારે $300 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર પડે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. બીજા એક ઉત્સર્જક માટે,$600 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રોનને મુક્ત કરવા માટે પૂરતો છે. બે ઉત્સર્જકોના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર કેટલો છે?

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોન એક ધાતુ પર આપાત થાય છે. ધાતુમાંથી ઉત્સર્જિત થતા સૌથી વધુ ઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન $B$ મૂલ્યના લંબચુંબકીય ક્ષેત્ર દ્વારા $R$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર ચાપમાં વળે છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે? (જ્યાં,સંજ્ઞાઓ તેમના સામાન્ય અર્થ ધરાવે છે)

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ ધાતુની સપાટીને પ્રકાશિત કરવા માટે કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $3 \lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{4}$ છે. જો ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $n \lambda$ હોય,તો $n$ નું મૂલ્ય કેટલું થશે?

જો આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(v)$ વધારવામાં આવે અને અન્ય પરિબળો અચળ રાખવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ($v > v_0$,થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ) શું થશે?

$1 \,W$ પાવર ધરાવતા બિંદુવત ઉદગમથી $1 \,m$ અંતરે એક કોબાલ્ટ $(Co)$ પ્લેટ મૂકવામાં આવી છે। ધારો કે પ્લેટનો $r = 1 \,Å$ ત્રિજ્યા ધરાવતો વર્તુળાકાર વિસ્તાર વિકિરણના સંપર્કમાં છે અને તે ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે। પ્રકાશની ઉર્જા સમાન રીતે ફેલાયેલી છે તેમ માનવામાં આવે છે અને કોબાલ્ટનું વર્ક ફંક્શન $5 \,eV$ છે। ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરવા માટે ટાર્ગેટને પ્રકાશના સ્ત્રોત સામે કેટલા લઘુત્તમ સમય માટે રાખવો જોઈએ (પરાવર્તનનો વ્યય શૂન્ય ગણતા) ($\,s$ માં)?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલ માટે,આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_o)$ ના ફેરફારને દર્શાવતો આલેખ નીચેનામાંથી કયો છે?