જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ ધાતુની સપાટીને પ્રકાશિત કરવા માટે કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $3 \lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{4}$ છે. જો ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $n \lambda$ હોય,તો $n$ નું મૂલ્ય કેટલું થશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં કલેક્ટર પ્લેટને એમિટર પ્લેટની ઉપર શિરોલંબ રાખવામાં આવે છે. પ્રકાશનો સ્ત્રોત ચાલુ કરવામાં આવે છે અને સંતૃપ્ત ફોટોકરંટ નોંધવામાં આવે છે. ત્યારબાદ એક વિદ્યુતક્ષેત્ર ચાલુ કરવામાં આવે છે જેની દિશા શિરોલંબ નીચેની તરફ છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$Y$-અક્ષ પર સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અને $X$-અક્ષ પર આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ લઈને આલેખ દોરવામાં આવે છે. જો આલેખ એક સીધી રેખા હોય જે $Y$-અક્ષ સાથે $\theta$ ખૂણો બનાવે છે,તો $\tan \theta=$ ($h$-પ્લાન્કનો અચળાંક,$e$-ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર).

એક ધાતુની સપાટીને પહેલા $\lambda_1 = 350 \ nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે અને ત્યારબાદ $\lambda_2 = 540 \ nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. એવું જોવા મળે છે કે બંને કિસ્સાઓમાં ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $2$ ના ગુણાંકમાં અલગ પડે છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ($eV$ માં) આશરે કેટલું હશે? (ફોટોનની ઉર્જા $= \frac{1240}{\lambda \text{ (} nm \text{ માં)}} \ eV$)

સીઝિયમનું વર્ક ફંક્શન $2.14 \ eV$ છે. જો $0.60 \ V$ ના સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા ફોટોકરંટને શૂન્ય કરવામાં આવે,તો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધો. (જવાબ $nm$ માં)

ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ પર કેવી રીતે આધાર રાખે છે? તે કયા પરિબળો પર આધાર રાખતું નથી?