ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલ માટે,આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_o)$ ના ફેરફારને દર્શાવતો આલેખ નીચેનામાંથી કયો છે?

ધાતુનું કાર્ય વિધેય $2.3 \ eV$ છે અને આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ $4.84 \times 10^{-7} \ m$ છે. ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $eV$ માં કેટલી થાય?

એક ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $1.6 \times 10^{-19} \text{ J}$ છે. જ્યારે આ સપાટી પર $6400 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ....... $\text{J}$ છે.

જ્યારે પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોસેલથી $1 \ m$ અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $V$ મળે છે. જો તે જ સ્ત્રોતને ફોટોસેલથી $2 \ m$ અંતરે મૂકવામાં આવે,તો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલો હશે?

જો એક ધાતુની સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda_1 = 350 \, nm$ અને $\lambda_2 = 450 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણો સાથે ખુલ્લી મૂકવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $2$ ના ગુણાંકમાં અલગ પડે છે. આ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે?

એક ધાતુને $800 \, nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશમાં રાખતા તે અમુક ગતિઊર્જા સાથે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. જ્યારે $500 \, nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $... \, eV$ છે ($hc = 1230 \, eV \cdot nm$ લો).