જ્યારે ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર:

બે સમાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને શ્રેણીમાં જોડીને $V_0 \, V$ ના અચળ વોલ્ટેજ સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે છે. જો એક કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પ્રવાહીમાં સંપૂર્ણપણે ડૂબાડવામાં આવે,તો બીજા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થશે?

હવામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ કેપેસિટરનો એક-ચતુર્થાંશ ભાગ ભરાય તે રીતે $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી અને પ્લેટો વચ્ચેના અંતર જેટલી જાડાઈ ધરાવતી સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $40\,cm^2$ અને પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $2\,mm$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $1\,mm$ જાડાઈ અને $5$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરવામાં આવે છે. સિસ્ટમનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે?

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $12 \mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટરનું નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર જેનું આડછેદનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે,તેની પ્લેટો વચ્ચે હવા રહેલી છે. હવે,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ સમાન ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પરંતુ $t = d/2$ જાડાઈની એક અવાહક સ્લેબ,જેનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K = 4$ છે,તેને પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. નવા કેપેસિટન્સ અને તેના મૂળ કેપેસિટન્સનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?