આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે $K_1$ અને $K_2 (K_2  > K_1)$ ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકવાળા બે પાતળા ડાઇઇલેકિટ્રકોને મૂકવામાં આવેલ છે. કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતક્ષેત્રનું મૂલ્ય $E$  પ્લેટ $P$ થી અંતર $d$ સાથેનો ફેરફાર કયો ગ્રાફ યોગ્ય રીતે રજૂ કરે છે

બે સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર તથા દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે જ્યારે $K$ ડાઇઇલેક્ટ્રીક અચળાંક અને $t$ જાડાઇના સ્લેબ ને પ્લેટોની વચ્ચે મુકવામાં આવે તો નવુ કેપેસીટન્સ....

$K$ જેટલો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક  ધરાવતા ડાઈઈલેક્ટ્રીક ને એક $q$ જેટલો ચાર્જ ધરાવતા કેપેસીટરની બે પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. બે પ્લેટો વચ્ચે ઉત્પન્ન થયેલો પ્રેરિત ચાર્જ $q^{\prime}$ કયા સુત્રથી મળે?

આપેલ સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરના તંત્રને અમુક વિદ્યુતસ્થિમાનના તફાવત વચ્ચે મુકેલ છે. જ્યારે $3\, mm$ જાડાઈ ધરાવતા બ્લોકને કેપેસીટરની પ્લેટ વચ્ચે મૂકવામાં આવે ત્યારે તંત્રમાં સમાન વિદ્યુતસ્થિમાનનો તફાવત જાળવી રાખવા માટે પ્લેટ વચ્ચેના અંતરમાં $2.4\, mm$ જેટલો વધારો કરવામાં આવે છે. તો બ્લોકના દ્રવ્યનો ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

કેપેસિટરને બેટરી દ્વારા જોડીને ચાર્જકરવામાં આવે છે.હવે બેટરી દૂર કરીને ડાઇઇલેકિટ્રક દાખલ કરતાં

ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $3$ અને ડાયઈલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ લગભગ $10 \,V \,m$ ધરાવતા દ્રવ્યની મદદથી $1 \,k\,V$ રેટીંગ ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની રચના કરવાની છે. [ડાયઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ એ દ્રવ્ય દ્વારા બ્રેકડાઉન પામ્યા વિના (આંશિક આયનીકરણ દ્વારા વિદ્યુતનું વહન શરૂ થયા વિના) સહન કરી શકાતું મહત્તમ વિદ્યુતક્ષેત્ર છે.] સલામતી માટે ડાયઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થના $10 \%$ કરતાં ક્ષેત્ર કદી વધે નહિ તે ઇચ્છનીય છે. $50 \,pF$ નું કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે પ્લેટોનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ કેટલું હોવું જરૂરી છે?